芯片封裝體及其制造方法
【專利摘要】在各種實(shí)施例中，提供了一種用于制造芯片封裝體的方法。該方法包括：將芯片布置在基板之上，芯片包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口；并且將芯片用包封材料包封，使得開(kāi)口保持成至少部分地不具有包封材料。
【專利說(shuō)明】芯片封裝體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例總體上涉及芯片封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1是示出了常規(guī)硅傳聲器100的截面透視圖的示意圖。在一些常規(guī)的硅傳聲器微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)芯片100中，有效區(qū)域包括典型地具有數(shù)百納米的厚度的非常薄的膜102以及懸置在通孔106之上的對(duì)電極104。從背側(cè)蝕刻具有膜102的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)芯片100。對(duì)電極104典型地也是非常薄的。膜102與對(duì)電極104兩者均是部分金屬化的。聲波將沖擊在膜102上。這將導(dǎo)致膜102振蕩。通過(guò)測(cè)量由于膜102的振蕩所造成的電容改變來(lái)檢測(cè)聲波。該傳聲器的性能通常取決于膜的背側(cè)(即，與其中聲波所沖擊的前側(cè)相對(duì)偵D上的容積。
[0003]圖2是示出了常規(guī)硅傳聲器200中可能存在的各種部件的圖解。該硅傳聲器包括具有膜204的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)芯片202。MEMS芯片202被安裝在基板206上并接線鍵合至基板206。硅傳聲器200還可以包括可選的邏輯芯片208。微機(jī)電芯片202和可選的邏輯芯片208可以通過(guò)多個(gè)電引線相連接。硅傳聲器200還具有蓋件210以覆蓋微機(jī)電芯片202和可選的邏輯芯片208。蓋件210通常是導(dǎo)電的，以用于屏蔽目的，并且通常被電耦合至待接地的接觸。
[0004]這些芯片的焊盤(pán)和接觸可能是暴露的且易受腐蝕。雖然邏輯芯片可以用一種被稱為滴膠電子封裝(Globtop)的聚合物覆蓋，但覆蓋微機(jī)電芯片是不可能的。滴膠電子封裝是專門(mén)配制的樹(shù)脂，它可以沉積在芯片和它的多個(gè)接線鍵合件上，以提供機(jī)械支撐并排除污染物。耐腐蝕性金焊盤(pán)因此可能是微機(jī)電芯片所要求的。然而，這可能導(dǎo)致成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在各種實(shí)施例中，提供了一種用于制造芯片封裝體的方法。該方法可以包括:將芯片布置在基板上，該芯片包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向該傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口 ；并且將該芯片用包封材料包封，使得該開(kāi)口保持為至少部分地不具有該包封材料。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]在附圖中，貫穿不同的視圖，類似的參考符號(hào)總體上指代相同的部分。附圖不必是按比例的，而是總體上將重點(diǎn)放在圖示本發(fā)明的原理。在以下說(shuō)明中，參照附圖對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行描述，在附圖中:
[0007]圖1是示出了常規(guī)硅傳聲器的截面透視圖的示意圖；
[0008]圖2是示出了常規(guī)硅傳聲器中可能存在的各種部件的圖解；
[0009]圖3A是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的制造芯片的方法的示意圖；
[0010]圖3B是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的箔輔助的模制工藝的示意圖350 ；
[0011]圖4是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在基板上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖；
[0012]圖5是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在基板上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖；
[0013]圖6是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在基板上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖；
[0014]圖7是圖示了在附接根據(jù)各種實(shí)施例的蓋件之前根據(jù)各種實(shí)施例的經(jīng)包封的芯片的頂視圖的不意圖；
[0015]圖8A是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在基板上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖；
[0016]圖8B是圖示了圖8A中所示的根據(jù)各種實(shí)施例的經(jīng)包封的芯片的底視圖的示意圖；
[0017]圖9是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在與基板相對(duì)側(cè)上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖；
[0018]圖10是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在與基板相對(duì)側(cè)上具有端口的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的示意圖；并且
[0019]圖11 (包括圖1lA至圖11D)示出根據(jù)各種實(shí)施例的制造芯片布置的方法；其中圖1lA是示出了將一個(gè)或多個(gè)芯片布置在基板之上的示意圖，每個(gè)芯片都包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向該傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口 ；其中圖1lB是示出了將一個(gè)或多個(gè)芯片用包封材料包封從而使得每個(gè)開(kāi)口都保持成至少部分地不具有包封材料的示意圖；其中圖1lC是示出了將蓋件布置在一個(gè)或多個(gè)經(jīng)包封的芯片上方的示意圖；并且圖1lD是示出了將該連續(xù)結(jié)構(gòu)單片化以形成多個(gè)芯片封裝體的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下詳細(xì)說(shuō)明參考了附圖，這些附圖通過(guò)圖示方式示出了可以實(shí)踐本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)和實(shí)施例。
[0021]詞語(yǔ)“示例性的”在此用來(lái)意指“充當(dāng)一個(gè)實(shí)例、例子、或圖示”。在此被描述為“示例性的”任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不必被解釋為是比其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)更優(yōu)選或更有利的。
[0022]關(guān)于形成在側(cè)或表面“之上”的沉積材料所使用的詞語(yǔ)“之上”在此可以用來(lái)意指所沉積的材料可以“直接”形成在所暗指的側(cè)或表面上，例如，與其直接接觸。關(guān)于形成在側(cè)或表面“之上”的沉積的材料所使用的詞語(yǔ)“之上”在此可以用來(lái)意指所沉積的材料可以“間接地”形成在所暗指的側(cè)或表面上，其中在所暗指的側(cè)或表面與該沉積的材料之間布置有一個(gè)或多個(gè)附加層。
[0023]本公開(kāi)的各個(gè)方面提供了一種改進(jìn)的芯片布置和一種制造該芯片布置的方法，其能夠至少部分地解決上述挑戰(zhàn)中的一些。
[0024]圖3A是示出了根據(jù)各種實(shí)施例的制造芯片的方法的示意圖300。如302中所示，該方法可以包括將芯片布置在基板之上，該芯片包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口。如304中所示，該方法可以進(jìn)一步包括將芯片用包封材料包封，使得開(kāi)口保持成至少部分地不具有包封材料。
[0025]在各種實(shí)施例中，芯片可以包括多個(gè)焊盤(pán)或接觸。在各種實(shí)施例中，這些焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，這些接觸可以包括金屬接觸。此外，芯片可以包括多個(gè)金屬化部分。在各種實(shí)施例中，該包封材料可以包封芯片，使得芯片上的多個(gè)焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)均可以被該包封材料覆蓋。在各種實(shí)施例中，焊盤(pán)可以是鋁焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，接觸可以是鋁接觸。此外，金屬化部分可以包括多個(gè)鋁金屬化部分。各種實(shí)施例可以允許使用易受腐蝕的多個(gè)焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)。允許使用易受腐蝕的多個(gè)焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)可以導(dǎo)致制造成本降低。
[0026]在各種實(shí)施例中，可以將具有傳聲器結(jié)構(gòu)的芯片直接地或間接地布置在基板之上。包封材料可以用于包封芯片，以便幫助保護(hù)芯片上的多個(gè)焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)免受腐蝕。包封材料可以用于包封基板的一部分，以幫助保護(hù)基板的部分上的多個(gè)焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)免受腐蝕。
[0027]在各種實(shí)施例中,傳聲器結(jié)構(gòu)可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)。
[0028]在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)可以包括形成電容器的多個(gè)膜。膜結(jié)構(gòu)可以包括被配置成用于接收音波的第一膜。在各種實(shí)施例中，第一膜可以包括至少一個(gè)電極。膜結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括具有至少一個(gè)對(duì)電極的第二膜。第二膜可以與第一膜間隔開(kāi)，使得第一膜中的至少一個(gè)電極和第二膜中的至少一個(gè)對(duì)電極形成電容器。在各種實(shí)施例中，第一膜和第二膜可以通過(guò)空氣分開(kāi)。當(dāng)?shù)谝荒そ邮盏揭舨〞r(shí)，第一膜可以偏轉(zhuǎn)或振蕩，從而改變至少一個(gè)電極與至少一個(gè)對(duì)電極之間的距離。電容器的電容因此可以變化。以此方式，傳聲器結(jié)構(gòu)可以被配置成檢測(cè)音波。
[0029]在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)包括形成電容器的膜和至少一個(gè)對(duì)電極。膜結(jié)構(gòu)可以包括被配置成接收音波的膜。在各種實(shí)施例中，膜可以包括至少一個(gè)電極。至少一個(gè)對(duì)電極可以與膜間隔開(kāi)，使得膜中的至少一個(gè)電極和至少一個(gè)對(duì)電極形成電容器。在各種實(shí)施例中，膜和對(duì)電極可以通過(guò)空氣分開(kāi)。當(dāng)膜接收到音波時(shí)，膜可以偏轉(zhuǎn)或振蕩，從而改變電極與至少一個(gè)對(duì)電極之間的距離。電容器的電容因此可以變化。以此方式，傳聲器結(jié)構(gòu)可以被配置成檢測(cè)音波。
[0030]在各種實(shí)施例中，傳聲器結(jié)構(gòu)包括被配置成用于接收音波的至少一個(gè)膜。在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)膜被配置成響應(yīng)于音波而偏轉(zhuǎn)或振蕩。傳聲器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括與至少一個(gè)膜間隔開(kāi)的另外的膜或?qū)﹄姌O。此外，傳聲器結(jié)構(gòu)可以被配置成使得至少一個(gè)膜(被配置成接收音波)與另外的膜(或?qū)﹄姌O)之間的距離發(fā)生改變。至少一個(gè)膜(被配置成接收音波)與另外的膜(或?qū)﹄姌O)之間的電容可以因膜與另外的膜(或?qū)﹄姌O)之間的距離的改變而變化。
[0031]在各種實(shí)施例中，膜可以具有圓形表面形狀。在替代實(shí)施例中，膜可以具有方形形狀。在各種實(shí)施例中，膜可以具有其他任何合適的形狀。此外，膜可以具有的長(zhǎng)度和/或?qū)挾?在圓形表面形狀的情況下，是直徑)的范圍是從約0.1mm至約5mm,例如，從約0.5mm至約2mm，例如，約1mm。
[0032]在各種實(shí)施例中，包封芯片可以包括模制芯片。
[0033]在各種實(shí)施例中，用包封材料包封芯片可以包括使包封材料沉積或流動(dòng)到基板上。在各種實(shí)施例中，包封芯片可以包括加熱包封材料，使得包封材料液化。包封芯片可以進(jìn)一步包括使液化的材料流動(dòng)或沉積到基板上。包封芯片可以進(jìn)一步包括允許液化的材料固化并因此包封芯片。[0034]在各種實(shí)施例中，該方法可以進(jìn)一步提供將另外的芯片布置在基板上。在各種實(shí)施例中，另外的芯片電耦合到該芯片上。此外，另外的芯片可以經(jīng)由基板電耦合到芯片上。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以經(jīng)由接線鍵合件而電耦合到芯片上。此外，另外的芯片可以經(jīng)由基板和接線鍵合件而電耦合到芯片上。
[0035] 在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括邏輯芯片。例如，另外的芯片包括專用集成電路(ASIC)芯片或現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以是或可以包括硬接線邏輯芯片和/或可編程邏輯芯片(例如:可編程處理器，例如可編程微處理器等）。
[0036]在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以被配置成對(duì)從芯片接收的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以被配置成控制芯片，諸如變化芯片的靈敏度。
[0037]在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括多個(gè)焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括多個(gè)接觸。在各種實(shí)施例中，這些接觸可以包括金屬接觸。在各種實(shí)施例中，這些焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括多個(gè)金屬化部分。在各種實(shí)施例中，包封材料可以包封芯片，使得另外的芯片上的這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)均被包封材料覆蓋。
[0038]在各種實(shí)施例中，芯片包括倒裝芯片。在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括倒裝芯片。芯片可以包括至少一個(gè)邏輯電路。
[0039]該方法可以進(jìn)一步包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)纬砷g隔件結(jié)構(gòu)，其中該間隔件結(jié)構(gòu)可以被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有包封材料。換言之，該方法可以進(jìn)一步提供在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)纬砷g隔件結(jié)構(gòu)，使得在包封期間，間隔件結(jié)構(gòu)充當(dāng)屏障并阻礙包封材料流到傳聲器結(jié)構(gòu)上。間隔件結(jié)構(gòu)可以允許包封材料覆蓋芯片上的焊盤(pán)或金屬化部分，但阻礙包封材料流到傳聲器結(jié)構(gòu)上。
[0040]在各種實(shí)施例中，間隔件結(jié)構(gòu)包括在膜周?chē)斐龅目蚣?。間隔件結(jié)構(gòu)可以包括聚合物材料。在各種實(shí)施例中，間隔件結(jié)構(gòu)包括抗蝕劑。間隔件結(jié)構(gòu)可以包括可光致圖案化的抗蝕劑。此外，間隔件結(jié)構(gòu)可以包括感光樹(shù)脂。在各種實(shí)施例中，間隔件結(jié)構(gòu)包括SU8。例如，形成間隔件結(jié)構(gòu)可以包括沉積可光致圖案化的抗蝕劑(或感光樹(shù)脂)。在各種實(shí)施例中，形成間隔件結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括光刻工藝。形成間隔件結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括在光刻工藝之后使可光圖案化的抗蝕劑(或感光樹(shù)脂)顯影?？梢允褂脝我还に噥?lái)同時(shí)制造多個(gè)芯片布置，從而可能產(chǎn)生較低的制造成本。
[0041]在各種實(shí)施例中，該方法提供了布置多個(gè)隨后的芯片以便在基板上形成多個(gè)芯片，每個(gè)芯片都包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向該傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口。該方法還可以包括用包封材料包封多個(gè)芯片，使得每個(gè)開(kāi)口都保持成至少部分地不具有包封材料。在各種實(shí)施例中，用包封材料包封多個(gè)芯片可以包括使包封材料沉積或流動(dòng)到基板上。
[0042]在各種實(shí)施例中，用包封材料包封芯片可以包括陣列模制工藝。在各種實(shí)施例中，該方法可以提供布置多個(gè)隨后的芯片以便在基板之上形成多個(gè)芯片，每個(gè)芯片都包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口。該方法還可以包括用模制材料來(lái)模制多個(gè)芯片，以使得每個(gè)開(kāi)口都保持至少部分地不具有模制材料。在各種實(shí)施例中，用模制材料模制多個(gè)芯片可以包括使模制材料沉積或流動(dòng)到基板上。
[0043]在各種實(shí)施例中，用包封材料包封芯片可以包括箔(Foil)輔助的模制工藝。箔輔助的模制工藝也可以稱為薄膜模制工藝。在各種實(shí)施例中，箔輔助的模制工藝包括使模具與基板放在一起以形成至少一個(gè)模腔。在各種實(shí)施例中，使模具與基板放在一起以形成至少一個(gè)模腔包括:使模具與基板放在一起以形成至少一個(gè)模腔，使得基板、模具以及間隔件結(jié)構(gòu)形成至少一個(gè)模腔。模具可以由箔或薄膜覆蓋。芯片可以由按壓質(zhì)量體(press mass)至少部分地覆蓋。芯片可以由按壓質(zhì)量體至少部分地覆蓋，使得芯片上的這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)均由按壓質(zhì)量體覆蓋。另外的芯片可以由按壓質(zhì)量體至少部分地覆蓋。另外的芯片可以由按壓質(zhì)量體至少部分地覆蓋，使得另外的芯片上的這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)均由按壓質(zhì)量體覆蓋。基板可以由按壓質(zhì)量體至少部分地覆蓋?；蹇梢杂砂磯嘿|(zhì)量體至少部分地覆蓋，使得基板上的這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分由按壓質(zhì)量體覆蓋。在各種實(shí)施例中，按壓質(zhì)量體覆蓋這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)，使得這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)保持與包封材料至少部分地隔離。在各種實(shí)施例中，可以對(duì)包封材料進(jìn)行蝕刻。按壓質(zhì)量體可以充當(dāng)蝕刻止擋件。隨后可以在蝕刻之后去除按壓質(zhì)量體。在各種實(shí)施例中，按壓質(zhì)量體允許這些焊盤(pán)或接觸或金屬化部分中的任一個(gè)是至少部分暴露的，以用于與蓋件或?qū)щ娬澈蟿┎牧想婑詈稀?br> [0044]包封芯片可以進(jìn)一步包括將模制材料加載到模具中。模制材料可以通過(guò)熱量和壓力而被液化。液化的模制材料隨后可以流到至少一個(gè)模腔之中。液化的模制材料可以在另外的熱量和壓力下被保持在至少一個(gè)模腔中，直到基本上所有的模制材料都被固化而形成經(jīng)包封的芯片。
[0045]圖3B是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的箔輔助的模制工藝的示意圖350。可以提供模具352a和352b。可以經(jīng)由輥356a、356b、356c和356d將薄膜354a、354b施加至模具352a和352b上。箔或薄膜354a、354b可以包括塑料箔或薄膜。箔或薄膜354a、354b可以使用真空工藝附著到模具352a、352b上。具有芯片360的基板358隨后可以被布置在模具352a與352b之間以形成模腔362。隨后可以施加液化的模制材料364以填滿模腔362。液化的模制材料364可以在估計(jì)的壓力和溫度下被保持在模腔362內(nèi)，直到它基本上或完全固化。芯片隨后可以被固化的模制材料364包封。隨后可以去除模具352a和352b。
[0046]在各種實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步包括在經(jīng)包封的芯片上方布置蓋件。
[0047]在各種實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步包括使用導(dǎo)電性粘合劑材料將蓋件粘附到經(jīng)包封的芯片上。另外的芯片可以包括芯片焊盤(pán)，其中芯片焊盤(pán)是至少部分地暴露的。芯片焊盤(pán)可以是參考電位芯片焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步提供將蓋件布置在經(jīng)包封的芯片上方、并使蓋件與芯片焊盤(pán)電耦合。導(dǎo)電性粘合劑材料也可以與芯片焊盤(pán)相耦合。在各種實(shí)施例中，蓋件(或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧?與部分暴露的芯片焊盤(pán)相耦合。在各種實(shí)施例中，導(dǎo)電性粘合劑材料與芯片焊盤(pán)電耦合。在各種實(shí)施例中，蓋件或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧媳辉O(shè)定為參考電位。蓋件或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧峡梢员慌渲贸商峁╇娖帘巍?br> [0048]在各種實(shí)施例中，蓋件可以具有溝槽，使得當(dāng)蓋件與經(jīng)包封的芯片放到一起或粘附到經(jīng)包封的芯片上時(shí)，形成空腔?？涨豢梢孕纬芍辽僖粋€(gè)膜結(jié)構(gòu)的背側(cè)容積。在各種實(shí)施例中，背側(cè)容積可以是可調(diào)整的以變化背側(cè)容積。增大背側(cè)容積可能導(dǎo)致至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)的性能提高。在各種實(shí)施例中，提供蓋件允許增大背側(cè)容積，這是因?yàn)楸硞?cè)容積不受晶片或基板的厚度的限制。
[0049]在各種實(shí)施例中，蓋件可以包括孔。孔可以處于蓋件上、在傳聲器結(jié)構(gòu)的正上方。在各種實(shí)施例中，孔可以處于蓋件上、不在傳聲器結(jié)構(gòu)的正上方。
[0050]在各種實(shí)施例中，該方法可以包括使導(dǎo)電材料沉積在包封材料上。導(dǎo)電材料可以包括導(dǎo)電性粘合劑材料。
[0051]圖4是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的示意圖400。芯片封裝體可以包括:基板402 ;芯片404，芯片位于基板402之上，芯片404包括傳聲器結(jié)構(gòu)406和通向傳聲器結(jié)構(gòu)406的開(kāi)口 408 ;以及包封材料410，包封材料包封芯片404，使得開(kāi)口408保持成至少部分地不具有包封材料410。
[0052]在各種實(shí)施例中，芯片404可以包括多個(gè)焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，這些焊盤(pán)包括金屬焊盤(pán)。芯片404可以包括多個(gè)接觸。在各種實(shí)施例中，這些接觸可以包括金屬接觸。芯片404可以包括多個(gè)金屬化部分。包封材料410可以包封芯片404，使得這些焊盤(pán)或這些接觸或這些金屬化部分中的任一個(gè)均被包封材料410覆蓋。
[0053]此外，傳聲器結(jié)構(gòu)406可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)。在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)包括形成電容器的多個(gè)膜。
[0054]在各種實(shí)施例中，傳聲器結(jié)構(gòu)406包括被配置成接收音波的至少一個(gè)膜。
[0055]在各種實(shí)施例中，包封材料410包括模制材料。
[0056]芯片封裝體可以進(jìn)一步包括位于基板之上的另外的芯片，其中另外的芯片可以電耦合到基板。
[0057]在各種實(shí)施例中，另外的芯片經(jīng)由基板402電耦合到芯片404。在各種實(shí)施例中，另外的芯片經(jīng)由接線鍵合件電耦合到芯片404。在各種實(shí)施例中，另外的芯片經(jīng)由基板402和接線鍵合件電耦合到芯片404。
[0058]在各種實(shí)施例中，另外的芯片可以包括邏輯芯片。另外的芯片可以包括專用集成電路芯片。另外的芯片可以是或者可以包括硬接線邏輯芯片和/或可編程邏輯芯片(例如:可編程處理器，例如，可編程微處理器)。
[0059]在各種實(shí)施例中，另外的芯片被配置成對(duì)從芯片接收的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。另外的芯片可以被配置成控制芯片，諸如變化芯片的靈敏度。
[0060]在各種實(shí)施例中，芯片404包括倒裝芯片型芯片。在各種實(shí)施例中，另外的芯片包括倒裝芯片型芯片。芯片404可以包括至少一個(gè)邏輯電路。
[0061]在各種實(shí)施例中，芯片封裝體進(jìn)一步包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)。在各種實(shí)施例中，間隔件結(jié)構(gòu)被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有包封材料。
[0062]在各種實(shí)施例中，芯片封裝體可以進(jìn)一步包括被布置在經(jīng)包封的芯片上方的蓋件。在各種實(shí)施例中，蓋件通過(guò)導(dǎo)電性粘合劑材料粘附到經(jīng)包封的芯片。
[0063]在各種實(shí)施例中，另外的芯片包括芯片焊盤(pán)。該芯片焊盤(pán)可以是至少部分地暴露的。芯片焊盤(pán)可以是參考電位芯片焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，蓋件可以被布置在經(jīng)包封的芯片上方。蓋件或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧峡梢耘c芯片焊盤(pán)電耦合。在各種實(shí)施例中，蓋件或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧媳慌渲贸稍O(shè)定為參考電位。蓋件或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧峡梢员慌渲贸商峁╇娖帘巍?br> [0064]在各種實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以被提供在包封材料上。導(dǎo)電材料可以包括導(dǎo)電性粘合劑材料。
[0065]芯片封裝體可以包括纖薄小型無(wú)引線封裝體(TSLP)，例如，甚至纖薄超小型無(wú)引線封裝體(TSSLP)。作為一個(gè)替代方案，芯片封裝體可以包括纖薄小型無(wú)引腳封裝體(TSNP)0這些封裝體可以是無(wú)引線的并且提供良好的電性能和熱性能。
[0066]基板可以包括一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)，例如，鋁焊盤(pán)。此外，基板可以包括支撐件。在各種實(shí)施例中，基板可以包括引線框架。作為一個(gè)替代方案，基板可以包括陶瓷基板。此外，基板可以包括有機(jī)基板。例如，基板可以包括單層基板。在各種實(shí)施例中，基板可以包括多層基板。在各種實(shí)施例中，基板可以僅包括多個(gè)焊盤(pán)或引線框架。換言之，焊盤(pán)或引線框架可以制作在支撐件上。在包封后，可以去除支撐件，從而僅留下焊盤(pán)或引線框架。
[0067]圖5是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例的在基板502上具有端口 528的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的示意圖500。如圖5中所示，芯片封裝體可以包括:基板502 ;芯片504，該芯片位于基板502之上，芯片504包括傳聲器結(jié)構(gòu)506和通向傳聲器結(jié)構(gòu)506的開(kāi)口 508 ；以及包封材料510，該包封材料包封芯片504，使得開(kāi)口 508保持成至少部分地不具有包封材料510。該芯片封裝體還可以包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)512。間隔件結(jié)構(gòu)512可以被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有包封材料510。該芯片封裝體可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)514。至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)514可以包括形成電容器的多個(gè)膜516a、516b。該芯片封裝體還可以包括另外的芯片518。另外的芯片518可以經(jīng)由接線鍵合件520電耦合到芯片504。蓋件522可以被布置在經(jīng)包封的芯片504上方。蓋件522可以通過(guò)導(dǎo)電性粘合劑材料524粘附到經(jīng)包封的芯片504上。另外的芯片518可以包括芯片焊盤(pán)526。芯片焊盤(pán)526可以是參考電位芯片焊盤(pán)。導(dǎo)電性粘合劑材料524可以與另外的芯片518的芯片焊盤(pán)526直接(物理)相接觸。導(dǎo)電材料524或蓋件522中的任一個(gè)或者蓋件522與導(dǎo)電材料524兩者可以電耦合到芯片焊盤(pán)526。蓋件522或?qū)щ娦哉澈蟿┎牧?24中的任一個(gè)或者蓋件522與導(dǎo)電性粘合劑材料524兩者可以被配置成設(shè)定為參考電位。導(dǎo)電材料524或蓋件522中的任一個(gè)或者蓋件522與導(dǎo)電材料624兩者可以被配置成對(duì)該芯片封裝體提供電屏蔽。蓋件522可以有助于為膜結(jié)構(gòu)514提供增加的背面容積。可以通過(guò)增加蓋件522上的溝槽的容積來(lái)增加該背面容積，使得當(dāng)蓋件522被粘附到經(jīng)包封的芯片504時(shí)可以形成較大的空腔。導(dǎo)電性粘合劑材料524還可以密封膜結(jié)構(gòu)514的背面容積。該芯片封裝體可以進(jìn)一步在芯片504的與基板502相接觸的側(cè)上包括端口 528。端口 528可以允許音波行進(jìn)到芯片504的傳聲器結(jié)構(gòu)506。
[0068]圖6是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例在基板602上具有端口 628的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的示意圖600。如圖6中所示，該芯片封裝體可以包括:基板602 ;芯片604，該芯片位于基板602之上，芯片604包括傳聲器結(jié)構(gòu)606和通向傳聲器結(jié)構(gòu)606的開(kāi)口 608 ;以及包封材料610，該包封材料包封芯片604，使得該開(kāi)口 608保持成至少部分地不具有包封材料610。該芯片封裝體還可以包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)612。間隔件結(jié)構(gòu)612可以被配置成保持開(kāi)口至少部分地不具有包封材料。該芯片封裝體可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)614。至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)614可以包括形成電容器的多個(gè)膜616a、616b。該芯片封裝體還可以包括另外的芯片618。基板602可以包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)。導(dǎo)電焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)。另外的芯片618可以經(jīng)由接線鍵合件620電耦合到芯片604。蓋件622可以被布置在經(jīng)包封的芯片604上方。蓋件622可以通過(guò)導(dǎo)電性粘合劑材料624粘附到經(jīng)包封的芯片604。另外的芯片618可以被電耦合到導(dǎo)電焊盤(pán)602。另外的芯片618可以經(jīng)由接線鍵合件626電耦合到導(dǎo)電焊盤(pán)602。導(dǎo)電性粘合劑材料624可以被電耦合到導(dǎo)電焊盤(pán)602。蓋件622可以被電耦合到導(dǎo)電焊盤(pán)602。導(dǎo)電性粘合劑材料624可以被配置成設(shè)定為參考電位。蓋件622可以被配置成設(shè)定為參考電位。導(dǎo)電材料624或蓋件622中的任一個(gè)或者蓋件622與導(dǎo)電材料624兩者可以被配置成向該芯片封裝體提供電屏蔽。該芯片封裝體可以進(jìn)一步在芯片604的與基板602相接觸的側(cè)上包括端口 628。端口 628可以允許音波行進(jìn)到芯片604的傳聲器結(jié)構(gòu)606。
[0069]圖7是圖示了在根據(jù)各種實(shí)施例附接蓋件之前根據(jù)各種實(shí)施例的經(jīng)包封的芯片的頂視圖的示意圖700。如圖7中所示，芯片704可以位于多個(gè)焊盤(pán)702上。焊盤(pán)702可以形成引線框架的一部分。另外的芯片718也可以位于多個(gè)焊盤(pán)702上。包封材料710可以提供該芯片封裝體的結(jié)構(gòu)框架。芯片704可以使用接線鍵合件720電耦合到另外的芯片718。
[0070]圖8A是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例在基板802上具有端口 828的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖800。如圖8A中所不,該芯片封裝體可以包括:基板802 ;芯片804,該芯片位于基板802之上，芯片804包括傳聲器結(jié)構(gòu)806和通向傳聲器結(jié)構(gòu)806的開(kāi)口 808 ;以及包封材料810，該包封材料包封芯片804，使得開(kāi)口 808保持成至少部分地不具有包封材料810。該芯片封裝體還可以包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)812。間隔件結(jié)構(gòu)812可以被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有包封材料810。該芯片封裝體可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)814。至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)814可以包括形成電容器的多個(gè)膜816a、816b。該芯片封裝體還可以包括在間隔件結(jié)構(gòu)812上的封蓋結(jié)構(gòu)830?？梢栽诎庑酒?04之前使封蓋結(jié)構(gòu)830與間隔件結(jié)構(gòu)812 (例如，物理地)相接觸。這樣，封蓋結(jié)構(gòu)830可以被配置成保持該開(kāi)口 808至少部分地不具有包封材料810。背面容積可以由封蓋結(jié)構(gòu)830和間隔件結(jié)構(gòu)812來(lái)限定?？梢酝ㄟ^(guò)增加間隔件結(jié)構(gòu)812的高度來(lái)增加背面容積。在各種實(shí)施例中，封蓋結(jié)構(gòu)830消除對(duì)蓋件的需要，因?yàn)楸趁嫒莘e是由間隔件結(jié)構(gòu)812和封蓋結(jié)構(gòu)830來(lái)限定的。該芯片封裝體還可以包括另外的芯片818。另外的芯片818可以被電f禹合到基板802?；?02可以包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)。導(dǎo)電焊盤(pán)802可以包括金屬焊盤(pán)。另外的芯片818可以經(jīng)由接線鍵合件820電耦合到芯片804。在各種實(shí)施例中，導(dǎo)電材料824可以處于包封材料810上。導(dǎo)電材料824可以包括導(dǎo)電性粘合劑材料。另外的芯片818可以包括芯片焊盤(pán)826。芯片焊盤(pán)826可以是參考電位芯片焊盤(pán)，可以對(duì)該參考電位芯片焊盤(pán)施加參考電位(例如，接地電位)。導(dǎo)電性粘合劑材料824可以與另外的芯片818的芯片焊盤(pán)826直接相接觸。導(dǎo)電性粘合劑材料824可以被配置成設(shè)定為參考電位。導(dǎo)電材料824可以被配置成向該芯片封裝體提供電屏蔽。
[0071]可替代地，導(dǎo)電材料824可以通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)802電耦合到另外的芯片818。這可以通過(guò)保持導(dǎo)電焊盤(pán)802至少部分地不具有包封材料810而成為可能。導(dǎo)電材料824可以被沉積成隨后電接觸導(dǎo)電焊盤(pán)802。
[0072]該芯片封裝體可以進(jìn)一步包括在芯片804的與基板802相接觸的側(cè)上的端口 828。端口 828可以允許音波行進(jìn)到芯片804的傳聲器結(jié)構(gòu)806。
[0073]圖8B是圖示了圖8A中所示的根據(jù)各種實(shí)施例的經(jīng)包封的芯片的底視圖的示意圖850。當(dāng)在由如圖8A中所示的箭頭832所指示的方向上觀察時(shí)，圖8B與圖8A相對(duì)應(yīng)。導(dǎo)電焊盤(pán)852可以通過(guò)該包封材料860被保持在一起。端口 878可以形成于導(dǎo)電焊盤(pán)852上、在芯片下方。端口 878可以允許音波行進(jìn)到該芯片的傳聲器結(jié)構(gòu)。
[0074]圖9是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例在與基板902相對(duì)側(cè)上具有端口 928的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的不意圖900。如圖9中所不，該芯片封裝體可以包括:基板902 ;芯片904,該芯片位于基板902之上，芯片904包括傳聲器結(jié)構(gòu)906和通向傳聲器結(jié)構(gòu)906的開(kāi)口 908 ；以及包封材料910，該包封材料包封芯片904，使得開(kāi)口 908保持成至少部分地不具有包封材料910。該芯片封裝體還可以包括在傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)912。間隔件結(jié)構(gòu)912可以被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有包封材料。該芯片封裝體可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)914。至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)914可以包括形成電容器的多個(gè)膜916a、916b。芯片封裝體還可以包括另外的芯片918。另外的芯片918可以被電f禹合到基板902?；?02可以包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)。導(dǎo)電焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)。另外的芯片918可以經(jīng)由接線鍵合件920電耦合到芯片904。端口 928可以允許音波行進(jìn)到芯片904的傳聲器結(jié)構(gòu)906。背面容積可以由傳聲器結(jié)構(gòu)906和傳聲器結(jié)構(gòu)906處于其上的導(dǎo)電焊盤(pán)902來(lái)限定。傳聲器結(jié)構(gòu)906和導(dǎo)電焊盤(pán)902可以消除對(duì)蓋件的需要。導(dǎo)電材料924可以處于包封材料910上。導(dǎo)電材料924可以包括導(dǎo)電性粘合劑材料。在各種實(shí)施例中，膜可以在導(dǎo)電材料的沉積期間被覆蓋材料覆蓋。可以通過(guò)噴霧、印刷或其他任何合適的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料。在沉積后，可以去除覆蓋材料。另外的芯片918可以包括芯片焊盤(pán)926。芯片焊盤(pán)926可以是參考電位芯片焊盤(pán)(可以對(duì)該參考電位芯片焊盤(pán)施加參考電位，例如，接地電位或Vss電位)。導(dǎo)電性粘合劑材料924可以與另外的芯片918的芯片焊盤(pán)926直接接觸。導(dǎo)電性粘合劑材料924可以被配置成設(shè)定為參考電位。導(dǎo)電材料924可以被配置成向該芯片封裝體提供電屏蔽。
[0075]圖10是圖示了根據(jù)各種實(shí)施例在與基板1002相對(duì)側(cè)上具有端口 1028的芯片封裝體的截面?zhèn)纫晥D的示意圖1000。如圖10中所示，該芯片封裝體可以包括:基板1002 ;芯片1004，該芯片位于基板1002之上，該芯片1004包括傳聲器結(jié)構(gòu)1006和通向該傳聲器結(jié)構(gòu)1006的開(kāi)口 1008 ;以及包封材料1010，該包封材料包封芯片1004，使得開(kāi)口 908保持成至少部分地不具有包封材料1010。該芯片封裝體還可以包括在該傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)1012。間隔件結(jié)構(gòu)1012可以被配置成保持該開(kāi)口至少部分地不具有該包封材料。該芯片封裝體可以包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)1014。至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)1014可以包括形成電容器的多個(gè)膜1016a、1016b。該芯片封裝體還可以包括另外的芯片1018。另外的芯片1018可以被電耦合到基板1002?；?002可以包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)。這些導(dǎo)電焊盤(pán)可以包括金屬焊盤(pán)。另外的芯片1018可以經(jīng)由接線鍵合件1020電耦合到芯片1004。端口 1028可以允許音波行進(jìn)到芯片1004的傳聲器結(jié)構(gòu)1006。背面容積可以由傳聲器結(jié)構(gòu)1006和傳聲器結(jié)構(gòu)1006處于其上的導(dǎo)電焊盤(pán)1002來(lái)限定。傳聲器結(jié)構(gòu)1006和導(dǎo)電焊盤(pán)1002可以消除對(duì)蓋件的需要。導(dǎo)電蓋件或?qū)щ姴牧?024可以處于包封材料1010上。導(dǎo)電材料可以包括導(dǎo)電性粘合劑材料。導(dǎo)電蓋件可以包括金屬蓋件或部分金屬化的蓋件。導(dǎo)電蓋件或?qū)щ姴牧峡梢员浑婑詈系皆摻泳€鍵合件1020。在各種實(shí)施例中，用包封材料包封芯片1004包括將芯片1004包封成使得接線鍵合件1020的至少一部分是暴露的(即，未被包封材料1010覆蓋)。包封材料1010暴露出(S卩，不覆蓋)接線鍵合件1020的至少一部分。箔或薄膜可以使用真空工藝附著到模具上。在各種實(shí)施例中，接線鍵合件1020可以在將芯片1004用包封材料1010包封期間由該薄膜或箔保持，以使得接線鍵合件1020的至少一部分在封裝之后是暴露的(即，未被包封材料1010覆蓋)。[0076]圖11是圖示了用于制造芯片封裝體的工藝的示意圖1100。如圖1lA中所示，該方法可以包括將一個(gè)或多個(gè)芯片1104布置在基板1102之上，每個(gè)芯片1104都包括傳聲器結(jié)構(gòu)1106和通向傳聲器結(jié)構(gòu)1106的開(kāi)口 1108。在各種實(shí)施例中，基板1102包括一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)1102a。該一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)可以構(gòu)成引線框架。在各種實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)1102a可以包括金屬焊盤(pán)。一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)1102a可以是鋁焊盤(pán)。在各種實(shí)施例中，基板可以包括支撐件1102b。支撐件1102b可以包括底板。底板可以包括銅?；?102可以包括引線框架。在各種實(shí)施例中，基板1102可以包括陶瓷基板。在各種實(shí)施例中，基板1102可以包括有機(jī)基板。在各種實(shí)施例中，基板1102可以包括單層基板。在各種實(shí)施例中，支撐件1102b可以包括多層基板。在各種實(shí)施例中，基板1102可以僅包括多個(gè)焊盤(pán)1102a。這些焊盤(pán)1102a可以制作在支撐件1102b上。該方法可以進(jìn)一步包括將一個(gè)或多個(gè)另外的芯片1118布置在該基板之上。一個(gè)或多個(gè)另外的芯片1118中的每一個(gè)都可以被電耦合到每個(gè)芯片1104。
[0077]如圖1lB中所示，該方法可以進(jìn)一步包括用包封材料1110包封一個(gè)或多個(gè)芯片1104，使得每個(gè)開(kāi)口 1108 (—個(gè)或多個(gè)芯片1104中的每一個(gè)芯片的每個(gè)開(kāi)口)保持成至少部分地不具有包封材料1110。該方法還可以包括在每個(gè)傳聲器結(jié)構(gòu)1106周?chē)纬砷g隔件結(jié)構(gòu)1112。間隔件結(jié)構(gòu)1112被配置成保持該開(kāi)口 1108至少部分地不具有包封材料1110。間隔件結(jié)構(gòu)1112可以包括SU8。用包封材料1110包封一個(gè)或多個(gè)芯片可以包括陣列模制工藝。用包封材料1110包封一個(gè)或多個(gè)芯片可以包括箔輔助的模制工藝。在封裝后，可以去除支撐件1102b，從而僅留下焊盤(pán)1102a。換言之，基板1102可以僅包括焊盤(pán)1102a。該方法可以包括在包封之前將另外的芯片1118的焊盤(pán)(例如，可以包括銅)用按壓質(zhì)量體覆蓋。該方法可以包括在包封之后蝕刻包封材料1110以便暴露出按壓質(zhì)量體材料。
[0078]如圖1lC中所示，該方法可以進(jìn)一步包括將蓋件1122布置在一個(gè)或多個(gè)經(jīng)包封的芯片1104上方。蓋件1122可以包括金屬化的塑料或金屬。該方法可以進(jìn)一步包括使用導(dǎo)電性粘合劑材料1124將蓋件1122粘附到一個(gè)或多個(gè)經(jīng)包封的芯片1104。導(dǎo)電材料可以包括導(dǎo)電膠。在存在超過(guò)一個(gè)經(jīng)包封的芯片的情況下，可以形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。
[0079]如圖1lD中所示，該方法可以進(jìn)一步包括將連續(xù)結(jié)構(gòu)單片化以形成多個(gè)芯片封裝體。在各種實(shí)施例中，將該連續(xù)結(jié)構(gòu)單片化包括對(duì)該連續(xù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行劃片。在各種實(shí)施例中，將該連續(xù)結(jié)構(gòu)單片化包括對(duì)該連續(xù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行裸片切割。
[0080]雖然已參考具體實(shí)施例具體地示出并且描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，可以在不脫離由所附權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明在形式和細(xì)節(jié)上做出不同改變。因此，本發(fā)明的范圍是由所附權(quán)利要求書(shū)指出，并且因此意在涵蓋位于權(quán)利要求書(shū)的等效意義和范圍內(nèi)的所有改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造芯片封裝體的方法，所述方法包括: 將芯片布置在基板之上，所述芯片包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向所述傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口 ；并且 將所述芯片用包封材料包封，使得所述開(kāi)口被保持成至少部分地不具有所述包封材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中所述傳聲器結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 其中所述至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)包括形成電容器的多個(gè)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中包封所述芯片包括模制所述芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 將另外的芯片布置在所述基板之上，其中所述另外的芯片被電耦合到所述芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法， 其中所述另外的芯片經(jīng)由所述基板被電耦合到所述芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法， 其中所述另外的芯片經(jīng)由接線鍵合件被電耦合到所述芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法， 其中所述另外的芯片被配置成對(duì)從所述芯片接收的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中所述傳聲器結(jié)構(gòu)包括被配置成接收音波的至少一個(gè)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的方法， 其中所述芯片包括倒裝芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 在所述傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)纬砷g隔件結(jié)構(gòu)； 其中所述間隔件結(jié)構(gòu)被配置成保持所述開(kāi)口至少部分地不具有所述包封材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法， 其中所述另外的芯片包括芯片焊盤(pán)；并且 其中所述芯片焊盤(pán)是至少部分地暴露的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中將所述芯片用包封材料包封包括陣列模制工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中將所述芯片用包封材料包封包括箔輔助的模制工藝。
15.—種芯片封裝體,包括: 基板； 芯片，位于所述基板之上，所述芯片包括傳聲器結(jié)構(gòu)和通向所述傳聲器結(jié)構(gòu)的開(kāi)口 ；以及 包封材料，將所述芯片包封，使得所述開(kāi)口被保持成至少部分地不具有所述包封材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，其中所述傳聲器結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，其中所述至少一個(gè)膜結(jié)構(gòu)包括形成電容器的多個(gè)膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，進(jìn)一步包括:另外的芯片，位于所述基板之上；其中所述另外的芯片被電耦合到所述芯片。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的芯片封裝體，其中所述另外的芯片包括邏輯芯片。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的芯片封裝體，其中所述另外的芯片被配置成對(duì)從所述芯片接收的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，其中所述芯片包括倒裝芯片。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，進(jìn)一步包括:在所述傳聲器結(jié)構(gòu)周?chē)拈g隔件結(jié)構(gòu)；其中所述間隔件結(jié)構(gòu)被配置成保持所述開(kāi)口至少部分地不具有所述包封材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的芯片封裝體，其中所述芯片包括至少一個(gè)邏輯電路。
【文檔編號(hào)】B81B7/00GK103935952SQ201410030527
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月23日
【發(fā)明者】H·托伊斯 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司