一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀及其制備方法，包括一個(gè)單晶硅基底、一個(gè)中心固定支撐柱、一個(gè)微型半球諧振子、一個(gè)公共電極、八個(gè)薄膜壓電體、八個(gè)均勻分布式信號(hào)電極，其中：單晶硅基底與微型半球諧振子通過中心固定支撐柱相連；公共電極與微型半球子的形狀相同，位于微型半球諧振子與壓電體之間；壓電體與信號(hào)電極的形狀相同，位于公共電極與信號(hào)電極之間。本發(fā)明采用壓電驅(qū)動(dòng)的方式激勵(lì)微型半球諧振子進(jìn)行工作，驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測模態(tài)相互匹配。本發(fā)明結(jié)合MEMS體硅加工工藝和表面硅加工工藝進(jìn)行制作。本發(fā)明利用逆壓電效應(yīng)和壓電效應(yīng)進(jìn)行微陀螺儀的驅(qū)動(dòng)和檢測，具有一體化程度高、功耗低、便于批量化制作等特點(diǎn)。
【專利說明】—種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微機(jī)電【技術(shù)領(lǐng)域】的半球諧振陀螺儀，具體地，涉及一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]陀螺儀是一種能夠檢測載體角度或角速度的慣性器件，在姿態(tài)控制和導(dǎo)航定位等領(lǐng)域有著非常重要的作用。隨著國防科技和航空、航天工業(yè)的發(fā)展，慣性導(dǎo)航系統(tǒng)對(duì)于陀螺儀的要求也向低成本、小體積、高精度、多軸檢測、高可靠性、能適應(yīng)各種惡劣環(huán)境的方向發(fā)展。因此，MEMS陀螺儀的重要性不言而喻。特別地，微型諧振陀螺儀作為MEMS陀螺儀的一個(gè)重要研究方向，已經(jīng)成為該領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
[0003]半球諧振陀螺儀利用半球諧振子進(jìn)行檢測，沒有高速旋轉(zhuǎn)部件，加之材料的穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性，使其具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)，是目前精度最高的機(jī)械振動(dòng)陀螺儀。
[0004]經(jīng)過現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)搜索發(fā)現(xiàn)，美國專利“VIBRATORY ROTAT1N SENSOR”(專利號(hào):4951508)詳細(xì)地介紹了半球諧振陀螺儀的原理及信號(hào)檢測方法，對(duì)半球諧振陀螺儀的研究具有指導(dǎo)意義。然而，上述陀螺屬于傳統(tǒng)型的半球諧振陀螺儀，尺寸相對(duì)較大，限制了其應(yīng)用范圍?；贛EMS技術(shù)的微型半球諧振陀螺儀繼承了傳統(tǒng)型半球諧振陀螺儀的優(yōu)點(diǎn)，又兼具體積小、功耗低、批量化生產(chǎn)等優(yōu)勢，具有重要的研究價(jià)值。目前常見的微型半球諧振陀螺儀均采用靜電驅(qū)動(dòng)和電容檢測，這種驅(qū)動(dòng)方法需要制作微小尺寸的電容間隙，并施加高幅值的直流偏置，從而提供足夠的驅(qū)動(dòng)力；這種檢測方法需要制作微小尺寸的電容間隙以提高檢測精度；利用這種方法驅(qū)動(dòng)和檢測的陀螺儀易受到寄生電容的影響。
[0005]基于此，迫切需要提出一種新的陀螺儀結(jié)構(gòu)，使其避免或減小上述影響因素，同時(shí)擴(kuò)展其應(yīng)用范圍。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀及其制備方法，無需制作微小尺寸的電容間隙，無需施加高幅值的直流偏置，同時(shí)可避免寄生電容的影響。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，包括:
[0008]一個(gè)單晶硅基底；
[0009]一個(gè)微型半球諧振子；
[0010]—個(gè)固定并支撐微型半球諧振子的中心固定支撐柱；
[0011]一個(gè)公共電極；
[0012]八個(gè)均勻分布于公共電極上的薄膜式壓電體；
[0013]八個(gè)均勻分布式信號(hào)電極；
[0014]其中，單晶硅基底與微型半球諧振子通過中心固定支撐柱相連；公共電極與微型半球諧振子的形狀相同，且位于微型半球諧振子與薄膜式壓電體之間；薄膜式壓電體與信號(hào)電極的形狀相同，且位于公共電極與信號(hào)電極之間。
[0015]所述陀螺儀采用壓電驅(qū)動(dòng)的方式激勵(lì)微型半球諧振子進(jìn)行工作，驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測模態(tài)相互匹配。所述陀螺儀利用逆壓電效應(yīng)和壓電效應(yīng)進(jìn)行微陀螺儀的驅(qū)動(dòng)和檢測，相比于常用的靜電驅(qū)動(dòng)和電容檢測，無需制作微小尺寸的電容間隙，無需施加高幅值的直流偏置，同時(shí)可避免寄生電容的影響，具有一體化程度高、功耗低、便于批量化制作等特點(diǎn)。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，所述方法包括如下步驟:
[0017]第一步、對(duì)單晶硅基底進(jìn)行清洗，在單晶硅基底上進(jìn)行涂膠、光刻、顯影、濺射掩膜層、去膠、各向同性刻蝕、去除掩膜層，在單晶硅基底上得到半球形凹槽；
[0018]第二步、在第一步的基礎(chǔ)上利用熱氧化法生長二氧化硅層，涂膠、光刻、顯影、局部刻蝕二氧化硅層，得到具有圓形凹槽的二氧化硅犧牲層；
[0019]第三步、在第二步的基礎(chǔ)上沉積非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石，并通過化學(xué)機(jī)械拋光去除半球形凹槽以外的多晶硅或金剛石，得到帶有支撐柱的半球形結(jié)構(gòu)層；
[0020]第四步、在第三步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，涂膠、光刻、顯影、刻蝕，去除半球形凹槽以外的金屬鋁或金屬鑰，得到半球形公共電極；
[0021]第五步、在第四步的基礎(chǔ)上濺射氮化鋁或PZT薄膜，得到壓電薄膜層；
[0022]第六步、在第五步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，得到信號(hào)電極層；
[0023]第七步、在第六步的基礎(chǔ)上涂膠、光刻、顯影，對(duì)信號(hào)電極層進(jìn)行刻蝕，得到圖形化后的信號(hào)層及均勻分布式信號(hào)電極；
[0024]第八步、在第七步的基礎(chǔ)上以信號(hào)電極為掩膜，對(duì)壓電薄膜層進(jìn)行刻蝕，得到均勻分布式薄膜壓電體；
[0025]第九步、在第八步的基礎(chǔ)上利用BHF溶液對(duì)二氧化硅犧牲層進(jìn)行腐蝕，從單晶硅基底上釋放微型半球諧振子。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0027](I)所述陀螺儀是結(jié)合MEMS體硅加工工藝和表面硅加工工藝進(jìn)行制作的，是一種新穎的加工工藝；
[0028](2)所述陀螺儀無需制作微小尺寸的電容間隙，無需施加高幅值的直流偏置，降低加工要求和能耗要求；
[0029](3)所述陀螺儀可避免寄生電容的影響，提高檢測的準(zhǔn)確性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0031]圖(a)_圖1 (i)為本發(fā)明一較優(yōu)實(shí)施例的制備流程圖；
[0032]圖2(a)、圖2(b)為本發(fā)明一較優(yōu)實(shí)施例的三維結(jié)構(gòu)圖及其俯視圖；
[0033]圖中:1為單晶硅基底，2為中心固定支撐柱，3為微型半球諧振子，4為公共電極，5為薄膜式壓電體，6為信號(hào)電極。

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0035]實(shí)施例1
[0036]如圖2(a)和圖2(b)所示，本實(shí)施例提供一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，包括:
[0037]一個(gè)單晶硅基底I ;
[0038]一個(gè)中心固定支撐柱2;
[0039]一個(gè)微型半球諧振子3 ；
[0040]一個(gè)公共電極4;
[0041]八個(gè)薄膜式壓電體5 ;
[0042]八個(gè)均勻分布式信號(hào)電極6 ；
[0043]其中，單晶硅基底I與微型半球諧振子3通過中心固定支撐柱2相連；公共電極4與微型半球諧振子3的形狀相同，位于微型半球諧振子3與薄膜式壓電體5之間；薄膜式壓電體5與信號(hào)電極6的形狀相同,位于公共電極4與信號(hào)電極6之間。
[0044]本實(shí)施例中，所述中心固定支撐柱2的材料為非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石，用于固定并支撐微型半球諧振子3。
[0045]本實(shí)施例中，所述微型半球諧振子3的材料與中心固定支撐柱2的材料相同，為非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石，是驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測模態(tài)的主要承載體。
[0046]本實(shí)施例中，所述公共電極4的材料為金屬鋁或金屬鑰，為不同薄膜式壓電體5提供相同的地信號(hào)。
[0047]本實(shí)施例中，所述薄膜式壓電體5的材料為氮化鋁或鋯鈦酸鉛(PZT)，均勻分布于公共電極4上。所述薄膜式壓電體5分為驅(qū)動(dòng)壓電體和檢測壓電體，兩者形狀相同，間隔分布，所述驅(qū)動(dòng)壓電體為微型半球諧振子3提供驅(qū)動(dòng)力，所述檢測壓電體通過微型半球諧振子3形成檢測信號(hào)。
[0048]本實(shí)施例中，所述信號(hào)電極6的材料與公共電極4的材料相同，為金屬鋁或金屬鑰。所述信號(hào)電極6分為驅(qū)動(dòng)電極和檢測電極，驅(qū)動(dòng)電極位于驅(qū)動(dòng)壓電體上，檢測電極位于檢測壓電體上，所述驅(qū)動(dòng)電極為驅(qū)動(dòng)壓電體提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述檢測電極從檢測壓電體提取檢測信號(hào)。
[0049]本實(shí)施例中，在微型半球諧振陀螺儀的所述信號(hào)電極6中的所述驅(qū)動(dòng)電極上施加驅(qū)動(dòng)電壓，在所述公共電極4上施加地信號(hào)，從而在所述薄膜式壓電體5中的所述驅(qū)動(dòng)壓電體的兩側(cè)形成電勢差，通過逆壓電效應(yīng)使微型半球諧振子3工作在所需的驅(qū)動(dòng)模態(tài)下，驅(qū)動(dòng)模態(tài)的振動(dòng)幅值和頻率保持不變；當(dāng)垂直于基體方向存在外加角速度時(shí)，檢測模態(tài)的振動(dòng)幅值會(huì)發(fā)生變化，并引起所述薄膜式壓電體5中的所述檢測壓電體發(fā)生相同的振動(dòng)，所述檢測壓電體的振動(dòng)幅值大小與外加角速度的大小成正比，通過壓電效應(yīng)可以在所述信號(hào)電極6中的所述檢測電極上檢測該振動(dòng)幅值的大小，即可計(jì)算得到外加角速度的大小。
[0050]實(shí)施例2
[0051]如圖1 (a)_圖1 (i)所示，本實(shí)施例提供一種所述壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，包括如下步驟:
[0052]第一步、如圖1(a)所示，對(duì)單晶硅基底I進(jìn)行清洗，在單晶硅基底I上進(jìn)行涂膠、光刻、顯影、濺射掩膜層、去膠、各向同性刻蝕、去除掩膜層，在單晶硅基底I上得到半徑為300-700 μ m的半球形凹槽；
[0053]第二步、如圖1(b)所示，在第一步的基礎(chǔ)上利用熱氧化法生長二氧化硅層，涂膠、光刻、顯影、局部刻蝕二氧化硅層，得到帶有半徑為15-40 μ m圓形凹槽的二氧化硅犧牲層；
[0054]第三步、如圖1(c)所示，在第二步的基礎(chǔ)上沉積非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石，并通過化學(xué)機(jī)械拋光去除半球形凹槽以外的多晶硅或金剛石，得到帶有支撐柱的厚度為1-5 μ m的半球形結(jié)構(gòu)層；
[0055]第四步、如圖1(d)所示，在第三步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，涂膠、光刻、顯影、刻蝕，去除半球形凹槽以外的金屬鋁或金屬鑰，得到厚度為1_5μπι的半球形公共電極4 ；
[0056]第五步、如圖1(e)所示，在第四步的基礎(chǔ)上濺射氮化鋁或PZT薄膜，得到厚度為
0.5-3.5 μ m的壓電薄膜層；
[0057]第六步、如圖1(f)所示，在第五步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，得到厚度為
0.5-3.5 μ m的信號(hào)電極層；
[0058]第七步、如圖1(g)所示，在第六步的基礎(chǔ)上涂膠、光刻、顯影，對(duì)信號(hào)電極層進(jìn)行刻蝕，得到圖形化后的信號(hào)層及均勻分布式信號(hào)電極6 ；
[0059]第八步、如圖1(h)所示，在第七步的基礎(chǔ)上以信號(hào)電極6為掩膜，對(duì)壓電薄膜層進(jìn)行刻蝕，得到均勻分布薄膜式壓電體5 ;
[0060]第九步、如圖l(i)所示，在第八步的基礎(chǔ)上利用BHF溶液對(duì)二氧化硅犧牲層進(jìn)行腐蝕，從單晶硅基底I上釋放微型半球諧振子3。
[0061]本實(shí)施例所述的陀螺儀采用壓電驅(qū)動(dòng)的方式激勵(lì)微型半球諧振子3進(jìn)行工作，其驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測模態(tài)分別相互匹配。
[0062]實(shí)施例3
[0063]與實(shí)施例1和實(shí)施例2基本相同，所不同的是:
[0064]本實(shí)施例制備的陀螺儀:所述的中心固定支撐柱2和所述的微型半球諧振子3的材料為摻雜多晶硅或摻雜金剛石，可同時(shí)作為微型半球諧振子3和公共電極4，無需額外制作公共電極4 ;
[0065]所以本實(shí)施例制備方法中的第三步:在第二步的基礎(chǔ)上沉積摻雜多晶硅或摻雜金剛石；去除實(shí)施例2所述的制備方法中的第四步，直接進(jìn)行第五步到第九步。其他操作與實(shí)施例2相同。
[0066]本發(fā)明中的陀螺儀結(jié)合MEMS體硅加工工藝和表面硅加工工藝進(jìn)行制作，是一種新穎的加工工藝。
[0067]本發(fā)明利用逆壓電效應(yīng)和壓電效應(yīng)進(jìn)行微陀螺儀的驅(qū)動(dòng)和檢測，相比于常用的靜電驅(qū)動(dòng)和電容檢測，無需制作微小尺寸的電容間隙，無需施加高幅值的直流偏置，可降低加工要求和能耗要求；
[0068]本發(fā)明中的陀螺儀可避免寄生電容的影響，提高檢測的準(zhǔn)確性。
[0069]以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，其特征在于，包括: 一個(gè)單晶娃基底； 一個(gè)微型半球諧振子； 一個(gè)固定并支撐微型半球諧振子的中心固定支撐柱； 一個(gè)公共電極； 八個(gè)均勻分布于公共電極上的薄膜式壓電體； 八個(gè)均勻分布式信號(hào)電極； 其中，單晶硅基底與微型半球諧振子通過中心固定支撐柱相連；公共電極與微型半球諧振子的形狀相同，且位于微型半球諧振子與薄膜式壓電體之間；薄膜式壓電體與信號(hào)電極的形狀相同，且位于公共電極與信號(hào)電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，其特征在于，所述中心固定支撐柱和/或所述微型半球諧振子的材料為非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，其特征在于，所述薄膜式壓電體分為驅(qū)動(dòng)壓電體和檢測壓電體，兩者形狀相同，間隔分布，其中:所述驅(qū)動(dòng)壓電體為微型半球諧振子提供驅(qū)動(dòng)力，所述檢測壓電體通過微型半球諧振子形成檢測信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，其特征在于，所述公共電極為不同薄膜式壓電體提供相同的地信號(hào)；所述信號(hào)電極分為驅(qū)動(dòng)電極和檢測電極，所述驅(qū)動(dòng)電極位于驅(qū)動(dòng)壓電體上并為驅(qū)動(dòng)壓電體提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述檢測電極位于檢測壓電體上并從檢測壓電體提取檢測信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀，其特征在于，所述薄膜式壓電體的材料為氮化鋁或鋯鈦酸鉛；所述公共電極和所述信號(hào)電極的材料均為金屬鋁或金屬鑰。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: 第一步、對(duì)單晶硅基底進(jìn)行清洗，在單晶硅基底上進(jìn)行涂膠、光刻、顯影、濺射掩膜層、去膠、各向同性刻蝕、去除掩膜層，在單晶硅基底上得到半球形凹槽； 第二步、在第一步的基礎(chǔ)上利用熱氧化法生長二氧化硅層，涂膠、光刻、顯影、局部刻蝕二氧化硅層，得到具有圓形凹槽的二氧化硅犧牲層； 第三步、在第二步的基礎(chǔ)上沉積非摻雜多晶硅或非摻雜金剛石，并通過化學(xué)機(jī)械拋光去除半球形凹槽以外的多晶硅或金剛石，得到帶有支撐柱的半球形結(jié)構(gòu)層； 第四步、在第三步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，涂膠、光刻、顯影、刻蝕，去除半球形凹槽以外的金屬鋁或金屬鑰，得到半球形公共電極； 第五步、在第四步的基礎(chǔ)上濺射氮化鋁或PZT薄膜，得到壓電薄膜層； 第六步、在第五步的基礎(chǔ)上濺射金屬鋁或金屬鑰，得到信號(hào)電極層； 第七步、在第六步的基礎(chǔ)上涂膠、光刻、顯影，對(duì)信號(hào)電極層進(jìn)行刻蝕，得到圖形化后的信號(hào)層及均勻分布式信號(hào)電極； 第八步、在第七步的基礎(chǔ)上以信號(hào)電極為掩膜，對(duì)壓電薄膜層進(jìn)行刻蝕，得到均勻分布式薄膜壓電體； 第九步、在第八步的基礎(chǔ)上利用BHF溶液對(duì)二氧化硅犧牲層進(jìn)行腐蝕，從單晶硅基底上釋放微型半球諧振子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第一步中，在單晶硅基底上得到的所述半球形凹槽的半徑為300-700 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第二步中，在二氧化硅犧牲層上得到的所述圓形凹槽的半徑為15-40 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第三步中，帶有支撐柱的所述半球形結(jié)構(gòu)層的厚度為1-5 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第四步中，所述半球形公共電極的厚度為0.5-3.5 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第五步中，所述壓電薄膜層的厚度為0.5-3.5 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，第六步中，所述信號(hào)電極層的厚度為0.5-3.5 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求6-12任一項(xiàng)所述的壓電驅(qū)動(dòng)和檢測的微型半球諧振陀螺儀的制備方法，其特征在于，所述的中心固定支撐柱和所述的微型半球諧振子的材料為摻雜多晶硅或摻雜金剛石，可同時(shí)作為微型半球諧振子和公共電極，無需額外制作公共電極；此時(shí)第三步在第二步的基礎(chǔ)上沉積摻雜多晶硅或摻雜金剛石，省略第四步。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK104197917SQ201410389959
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】張衛(wèi)平, 唐健, 劉亞東, 汪濙海, 成宇翔, 孫殿竣, 邢亞亮, 陳文元 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)