納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法，包括以下步驟：在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料，所述嵌段共聚物包含能形成立體復(fù)合物的嵌段；誘導(dǎo)所述嵌段共聚物在基材上相分離得到垂直于基底、貫穿整個(gè)薄膜厚度的納米結(jié)構(gòu)，形成納米結(jié)構(gòu)的圖形。由于所述嵌段共聚物包含可生成立體復(fù)合物的嵌段，能夠使兩嵌段共聚物表現(xiàn)出三嵌段共聚物的特性，在圖案周期比聚合物相分離周期大90％的化學(xué)圖案上依然排列形成無缺陷的納米結(jié)構(gòu)，從而便于后續(xù)復(fù)雜圖案的制備。在本發(fā)明提供的方法中，使用包含能夠形成立體復(fù)合物的嵌段的兩嵌段共聚物時(shí)，無需加入均聚物即可獲得相區(qū)區(qū)域拉伸程度較大的納米結(jié)構(gòu)，并且無缺陷。
【專利說明】納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于納米結(jié)構(gòu)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著社會(huì)的發(fā)展、科技的進(jìn)步，計(jì)算機(jī)已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｉ钪械谋貍涔ぞ?。?jì)算 機(jī)的性能和運(yùn)算速度決定了其市場(chǎng)價(jià)值和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，而半導(dǎo)體芯片組決定了計(jì)算機(jī)主板 的功能，影響到整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的發(fā)揮。在過去的半個(gè)世紀(jì)，半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于縮 小晶體管的尺寸，其主要原因在于隨著晶體管尺寸越來越小，計(jì)算速度越來越快，計(jì)算成本 也會(huì)降低。從上個(gè)世紀(jì)70年代的10i!m制程技術(shù)開始到2011年英特爾量產(chǎn)22nm處理器， 半導(dǎo)體行業(yè)一直遵循著摩爾定律："制程技術(shù)的發(fā)展令半導(dǎo)體芯片上的晶體管密度每?jī)赡?增加一倍"。
[0003] 眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)采用光刻法來制造處理器，現(xiàn)今業(yè)界采用的光刻光源是 193nm紫外光，必須采用液浸曝光技術(shù)兩次或多次曝光才能制造更細(xì)微的納米結(jié)構(gòu)，32nm 處理器的制造就是采用兩次曝光技術(shù)來完成的（J.Mater.Res.，2011，26, 122)。美國半導(dǎo)體 研究聯(lián)盟（SRC)頒布的2011年版國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖（ITRS)中指出，迄今為止仍未 確定制備22nm或者更小的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM)或微處理器（MPU)單元半節(jié)距的技術(shù)方 案。在ITRS中，SRC遴選出潛在的可用于制備16nm和llnmMPU/DRAM的備選技術(shù)，其中包括 嵌段共聚物的引導(dǎo)組裝，ITRS同時(shí)指出光刻法將不再作為llnmMPU/DRAM的備選方案。此 夕卜，2012年的ITRS修訂版指出要想將嵌段共聚物的引導(dǎo)組裝用于量產(chǎn)llnmMPU/DRAM，需 要解決的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)包括：無缺陷的引導(dǎo)組裝過程與引導(dǎo)組裝兼容的設(shè)計(jì)（www.itrs.net/ reports,html)。當(dāng)前最急需解決的是遴選出適合引導(dǎo)組裝制備llnm或者更小半節(jié)距的嵌 段共聚物。
[0004] 嵌段共聚物是由兩種或兩種以上不同均聚物通過共價(jià)鍵連接而形成的，通過微相 分離可以自組裝生成5?50nm的周期性納米結(jié)構(gòu)。兩嵌段共聚物（A-b-B)是結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單 的嵌段共聚物。通過改變兩個(gè)嵌段的組分比例可以得到球狀相（S)、柱狀相（C)和層狀相 (L)等不同的相形態(tài)，如圖1和圖2所示，圖1為嵌段共聚物的理論模擬相形態(tài)，圖2為嵌段 共聚物PS-b-PMMA的實(shí)際相形態(tài)（Ann.Rev.Phys.Chem.，1990, 41，525)。用嵌段共聚物薄膜 作為模板將高分子的相分離生成的圖案轉(zhuǎn)移蝕刻到基材上，開創(chuàng)了嵌段共聚物蝕刻法這一 新的研究方向。首例報(bào)道是采用球狀相二嵌段共聚物作為模板（Science, 1997, 76, 1401)。 隨后，制圖外延法（Adv.Mater.，2001，13, 1152)和溶劑淬火法（Adv.Mater.，2004, 16, 226) 等方法也被廣泛的用來制備長(zhǎng)程有序排列的納米結(jié)構(gòu)。
[0005] 2003年美國威斯康辛大學(xué)的PaulNealey課題組發(fā)明了用化學(xué)圖案來 引導(dǎo)兩嵌段共聚物薄膜組裝制備長(zhǎng)程有序排列的垂直于基材的線性結(jié)構(gòu)的方法 (Nature，2003, 424, 411)。與光刻蝕法相比，引導(dǎo)組裝制備的納米結(jié)構(gòu)除了有高度精確 的相疇定位外，還具有以下的優(yōu)點(diǎn)：1)引導(dǎo)組裝所得的納米結(jié)構(gòu)具有較小的線邊粗糙度 和線寬粗糙度；2)嵌段共聚物具有自我修復(fù)功能，可以修正光刻蝕法所產(chǎn)生的一些缺 陷；3)通過密度倍增法可以解決光刻蝕法極限分辨率的難題（Science，2008, 321，936 ;Science，2008,321，939 ;Adv.Mater.，2008,20,3155)。2011 年 3 月的SPIEAdvanced Lithography會(huì)議建議將引導(dǎo)組裝從潛在的技術(shù)名單加入到現(xiàn)在可用的技術(shù)名單。2012年 3月，比利時(shí)的MEC公司宣布實(shí)現(xiàn)了在整片300mm硅片上的引導(dǎo)組裝的試驗(yàn)。這一技術(shù)突 破大大的推進(jìn)了嵌段共聚物引導(dǎo)組裝的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用步伐。
[0006] 自2003年，PaulNealey課題組將嵌段共聚物的引導(dǎo)組裝用以制備長(zhǎng)程有序的 圖案，在此后不到10年的時(shí)間里，數(shù)以百計(jì)的嵌段高分子共聚物引導(dǎo)組裝的研究見諸于 報(bào)道。其中，Stoykovich和Nealey等證明可以將聚苯乙烯-聚丙烯酸甲酯（PS-b-PMMA) 兩嵌段共聚物排列成轉(zhuǎn)角、雙轉(zhuǎn)角、T-交叉、單線條、平行線等半導(dǎo)體器件的常用結(jié) 構(gòu)（Science, 2005, 308, 1442;ACSNano, 2007, 1，168)。2008 年，Ruiz和Nealey小組 (Science, 2008, 321，936)和IBM的研究小組（Adv.Mater.，2008, 20, 3155)幾乎同時(shí)發(fā)明了 密度倍增引導(dǎo)組裝技術(shù)。相對(duì)于常規(guī)的1:1引導(dǎo)組裝，密度倍增法采用的化學(xué)圖案的1^是 共聚物的U的n倍（n> 2)，巧妙地解決光刻法的物理極限這一瓶頸同時(shí)大大提高了化學(xué)圖 案的制備速度。Ruiz和Nealey等也證明可將柱狀相嵌段共聚物排列成垂直的六方點(diǎn)陣結(jié) 構(gòu)（Science, 2008, 321，936)。Park和Nealey等通過表面重組將柱狀相嵌段共聚物排列生 成正方排列的柱狀相，盡管其在本體中呈六方排列結(jié)構(gòu)（Macromolecules, 2007, 40, 5084)。 Ji和Nealey等通過引導(dǎo)組裝球狀相兩嵌段共聚物首次在薄膜表面中觀察到體心立方 (BCC)結(jié)構(gòu)的（100)面，從而實(shí)現(xiàn)用引導(dǎo)組裝排列出無缺陷的四方和六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)（Adv. Mater.，2011，23, 3692)。
[0007] 迄今為止，所有的引導(dǎo)組裝研究用的兩嵌段共聚物，例如聚苯乙烯-b-聚甲基丙 烯酸甲酯，在化學(xué)圖案上進(jìn)行引導(dǎo)組裝時(shí)，兩嵌段共聚物的相區(qū)區(qū)域只能被拉伸?10%。這 就導(dǎo)致在排列復(fù)雜圖案，例如轉(zhuǎn)角和T-交叉等時(shí)會(huì)產(chǎn)生缺陷的結(jié)構(gòu)，因此需要加入均聚物 來輔助生成無缺陷的納米結(jié)構(gòu)，但是加入的多余的均聚物可能會(huì)富集，從而導(dǎo)致缺陷生成。 ABA三嵌段共聚物，例如聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯的相區(qū)區(qū)域 可以被拉伸達(dá)?60%，三嵌段共聚物較大的拉伸比例與利于其在化學(xué)圖案上得到無缺陷的 復(fù)雜結(jié)構(gòu)，因而不需要添加額外的均聚物來制備無缺陷的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的在于提供一種納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法，本發(fā)明提供的方法使兩嵌 段共聚物表現(xiàn)出三嵌段共聚物的特性，在圖案周期比聚合物相分離周期大90%的化學(xué)圖案 上依然排列形成無缺陷的納米結(jié)構(gòu)。
[0009] 本發(fā)明提供了一種納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法，包括以下步驟：
[0010] 在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料，所述嵌段共聚物包含能形成立 體復(fù)合物的嵌段；
[0011] 誘導(dǎo)所述嵌段共聚物在基材上相分離得到垂直于基底、貫穿整個(gè)薄膜厚度的納米 結(jié)構(gòu)，形成納米結(jié)構(gòu)的圖形。
[0012] 優(yōu)選的，所述嵌段共聚物包含L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的共聚物嵌段；
[0013] 所述第三單體在所述共聚物嵌段中的含量為m，0<m< 100%。
[0014] 優(yōu)選的，所述第三單體包括e_己內(nèi)酯、乙交酯、乙丙交酯、a-羥基異丁酸交酯和 環(huán)狀碳酸酯中的一種或多種。
[0015]優(yōu)選的，所述嵌段共聚物為AB型兩嵌段共聚物、ABA型三嵌段共聚物或BAB型三 嵌段共聚物，所述嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的共聚物，B嵌 段包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚2-乙烯基吡啶、聚4-乙烯基吡啶、聚丙烯酸甲酯、 聚二甲基硅氧烷、聚異戊二烯、聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚e-己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚乙丙 交酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇 酯、聚氟乙烯中的一種或多種；
[0016]所述A嵌段占所述嵌段共聚物體積分?jǐn)?shù)為5 %?95 %。
[0017]優(yōu)選的，所述嵌段共聚物包括第一嵌段共聚物和第二嵌段共聚物，所述第一嵌段 共聚物為AB型兩嵌段共聚物、ABA型三嵌段共聚物或BAB型三嵌段共聚物，所述第一嵌段 共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的聚合物，B嵌段包括聚苯乙烯、聚甲 基丙烯酸甲酯、聚2-乙烯基吡啶、聚4-乙烯基吡啶、聚丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚異 戊二烯、聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚e-己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚丙烯腈、聚丁 二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚氟乙烯中的一 種或多種；所述A嵌段占第一嵌段共聚物體積分?jǐn)?shù)為5%?95% ;所述A嵌段中L-丙交酯 形成的重復(fù)單元摩爾分?jǐn)?shù)為P，〇〈P< 100% ;
[0018]所述第二嵌段共聚物為AB型兩嵌段共聚物、ABA型三嵌段共聚物或BAB型三嵌段 共聚物，所述第二嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的聚合物，B嵌 段包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚2-乙烯基吡啶、聚4-乙烯基吡啶、聚丙烯酸甲酯、 聚二甲基硅氧烷、聚異戊二烯、聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚e-己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚乙丙 交酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇 酯、聚氟乙烯中的一種或多種；所述A嵌段占第二嵌段共聚物體積分?jǐn)?shù)為5%?95% ;所述 A嵌段中D-丙交酯形成的重復(fù)單元摩爾分?jǐn)?shù)為q，0〈q彡100%。
[0019]優(yōu)選的，所述材料還包括不同于所述嵌段共聚物的聚合物。
[0020] 優(yōu)選的，所述誘導(dǎo)具體為：對(duì)所述嵌段共聚物進(jìn)行熱退火處理；所述熱退火處理 的溫度為50°c?250°C，退火時(shí)間為1分鐘?7天。
[0021] 優(yōu)選的，所述誘導(dǎo)具體為：對(duì)所述嵌段共聚物進(jìn)行溶劑退火處理；所述溶劑退火 處理的溶劑包括丙酮、甲苯、四氫呋喃、氯苯、苯、二氯甲烷、水、甲醇、乙醇、三氯甲烷、四氯 乙烷、N，N'-二甲基乙酰胺、N，N'-二甲基甲酰胺、乙醚、乙二醇、異丙醇、正庚烷、石油 醚、正己烷、二氧六環(huán)、四氯化碳、乙腈、苯醚、二甲苯、吡啶、三乙胺中的一種或多種，所述退 火溫度為20°C?200°C，退火時(shí)間為1分鐘?7天。
[0022] 優(yōu)選的，所述基材上的圖案為納米尺寸的兩親性二維化學(xué)圖案或納米級(jí)高度的點(diǎn) 陣或線型的三維圖案。
[0023] 優(yōu)選的，還包括：
[0024] 去除所述嵌段共聚物中的一個(gè)嵌段，以未去除的嵌段為作為模板將圖形轉(zhuǎn)刻到待 制作圖案的基材上。
[0025] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明首先在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料， 所述嵌段共聚物包含能形成立體復(fù)合物的嵌段；然后誘導(dǎo)所述嵌段共聚物在基材上發(fā)生微 相分離得到相疇垂直于基材、貫穿整個(gè)薄膜厚度的納米結(jié)構(gòu)，形成納米結(jié)構(gòu)的圖形。由于所 述嵌段共聚物包含可生成立體復(fù)合物的嵌段，能夠使兩嵌段共聚物表現(xiàn)出三嵌段共聚物的 特性，在圖案周期比聚合物相分離周期大90%的化學(xué)圖案上依然排列形成無缺陷的納米結(jié) 構(gòu)，從而便于后續(xù)復(fù)雜圖案的制備。在本發(fā)明提供的方法中，使用包含能夠形成立體復(fù)合物 的嵌段的兩嵌段共聚物時(shí)，無需加入均聚物即可獲得相區(qū)區(qū)域拉伸程度較大的納米結(jié)構(gòu)， 并且無缺陷。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本發(fā)明提供的方法僅利用兩嵌段共聚物即可得到相區(qū)區(qū)域被 拉伸高達(dá)60%以上、垂直于基底的無缺陷納米結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1為嵌段共聚物的理論模擬相形態(tài)；
[0027] 圖2為嵌段共聚物PS-b-PI的實(shí)際相形態(tài)；
[0028] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例2提供的納米結(jié)構(gòu)的SEM電鏡照片；
[0029] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例3提供的納米結(jié)構(gòu)的SEM電鏡照片；
[0030] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例3提供的堿液處理后的納米結(jié)構(gòu)的SEM電鏡照片；
[0031] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例10提供的納米結(jié)構(gòu)的SEM電鏡照片；
[0032] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例13提供的納米結(jié)構(gòu)的SEM電鏡照片。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 本發(fā)明提供了一類嵌段共聚物納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法，包括以下步驟：
[0034] 在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料，所述嵌段共聚物包含能形成立 體復(fù)合物的嵌段；
[0035] 誘導(dǎo)所述嵌段共聚物在基材上相分離得到垂直于基底、貫穿整個(gè)薄膜厚度的納米 結(jié)構(gòu)，形成納米結(jié)構(gòu)的圖形。
[0036] 本發(fā)明在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料，誘導(dǎo)所述嵌段共聚物材 料形成有相分離相疇的薄膜，即可得到相區(qū)區(qū)域被拉伸〇%?90%的納米結(jié)構(gòu)。
[0037] 本發(fā)明對(duì)所述具有圖案的基材沒有特殊限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的基材，例如， 線型結(jié)構(gòu)、六方點(diǎn)陣、四方點(diǎn)陣、T交叉、轉(zhuǎn)角均可。本發(fā)明對(duì)所述基材上的圖案沒有特殊 限制，優(yōu)選為納米尺寸的兩親性二維化學(xué)圖案或納米級(jí)高度的點(diǎn)陣或線型的三維圖案。本 發(fā)明對(duì)所述具有圖案的基材的來源沒有特殊限制，可以直接從市場(chǎng)上購買得到，也可以通 過在基底上形成圖案制備得到。本發(fā)明對(duì)在基材上形成圖案的方法沒有特殊限制，可以為 本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的化學(xué)、拓?fù)洹⒐鈱W(xué)、電子束、機(jī)械等所有可以選擇蝕刻基材的方法，例 如，可以通過以下方法形成化學(xué)圖案：在基底上涂覆低分子量聚合物，加熱后在基底表面形 成分子刷；將光敏材料涂覆于所述分子刷上，用光刻法或電子束蝕刻法對(duì)所述光材料進(jìn)行 刻蝕，得到需要的圖案；對(duì)刻蝕后的基底進(jìn)行顯影處理，然后用等離子體選擇性氧化曝光區(qū) 域，得到具有圖案的基材。在上述方法中，所述低分子量聚合物可以為無規(guī)共聚物、均聚物、 不同均聚物的混合物、嵌段共聚物等，本發(fā)明對(duì)此并無特殊限制；所述低分子量聚合物的分 子量?jī)?yōu)選為lk?12k。具體而言，所述低分子量聚合物可以為無規(guī)共聚物PS-r-PMMA、均聚 物PS-0H、可交聯(lián)PS、嵌段共聚物PS-b-PLA等。
[0038] 本發(fā)明在具有圖案的基材涂覆包含嵌段共聚物的材料，誘導(dǎo)所述材料形成有相分 離相疇的薄膜，即可得到相區(qū)區(qū)域被拉伸的納米結(jié)構(gòu)。其中，所述嵌段共聚物包含能夠形成 立體復(fù)合物的嵌段。
[0039] 作為優(yōu)選，所述嵌段共聚物包含L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的共聚物嵌段； 所述第三單體在所述共聚物嵌段中的含量為m，0 <m< 100%。其中，含有7個(gè)以上L-丙 交酯單元的聚合物和含有7個(gè)以上D-丙交酯單元的聚合物共混能夠形成立體復(fù)合物，從而 使包含L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的無規(guī)或嵌段共聚物嵌段的嵌段共聚物形成立體 復(fù)合，使得相區(qū)區(qū)域被極大的拉伸。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第三單體在所述共聚物嵌段中的 摩爾含量為m，0<m< 100 %;在另外一個(gè)實(shí)施例中，0 <m< 50 %;在其他實(shí)施例中，0 <m < 10%。本發(fā)明對(duì)所述第三單體的種類沒有特殊限制，能夠跟L-丙交酯和D-丙交酯形成 共聚物即可，包括但不限于e-己內(nèi)酯、乙交酯、乙丙交酯、a-羥基異丁酸交酯和環(huán)狀碳酸 酯中的一種或多種。
[0040] 具體而言，所述嵌段共聚物可以為單一組分，其可以為AB型兩嵌段共聚物、ABA型 三嵌段共聚物或BAB型三嵌段共聚物，此時(shí)，所述嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙 交酯和第三單體的共聚物，優(yōu)選為具有式（I)結(jié)構(gòu)的L-丙交酯和D-丙交酯的共聚物：

【權(quán)利要求】
1. 一種納米結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)組裝方法，包括以下步驟： 在具有圖案的基材上涂覆包含嵌段共聚物的材料，所述嵌段共聚物包含能形成立體復(fù) 合物的嵌段； 誘導(dǎo)所述嵌段共聚物在基材上相分離得到垂直于基底、貫穿整個(gè)薄膜厚度的納米結(jié) 構(gòu)，形成納米結(jié)構(gòu)的圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述嵌段共聚物包含L-丙交酯、 D-丙交酯和第三單體的共聚物嵌段； 所述第三單體在所述共聚物嵌段中的摩爾分?jǐn)?shù)為m，0 < m < 100%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述第三單體包括e-己內(nèi)酯、 乙交酯、乙丙交酯、a -羥基異丁酸交酯和環(huán)狀碳酸酯中的一種或多種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述嵌段共聚物為AB型兩嵌段 共聚物、ABA型三嵌段共聚物或BAB型三嵌段共聚物，所述嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙 交酯、D-丙交酯和第三單體的共聚物，B嵌段包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚2-乙 烯基吡啶、聚4-乙烯基吡啶、聚丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚異戊二烯、聚乙二醇、聚乙 烯、聚丙烯、聚e -己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、 聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚氟乙烯中的一種或多種； 所述A嵌段占所述嵌段共聚物體積分?jǐn)?shù)為5 %?95 %。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述嵌段共聚物包括第一嵌段 共聚物和第二嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物為AB型兩嵌段共聚物、ABA型三嵌段共聚 物或BAB型三嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙交酯和第三 單體的聚合物，B嵌段包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚2-乙烯基吡啶、聚4-乙烯基 吡啶、聚丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚異戊二烯、聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚e -己內(nèi) 酯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、 聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚氟乙烯中的一種或多種；所述A嵌段占第一嵌段共聚物體積分 數(shù)為5%?95% ;所述A嵌段中L-丙交酯形成的重復(fù)單元摩爾分?jǐn)?shù)為p，0〈p彡100% ; 所述第二嵌段共聚物為AB型兩嵌段共聚物、ABA型三嵌段共聚物或BAB型三嵌段共 聚物，所述第二嵌段共聚物的A嵌段包括L-丙交酯、D-丙交酯和第三單體的聚合物，B嵌 段包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚2-乙烯基吡啶、聚4-乙烯基吡啶、聚丙烯酸甲酯、 聚二甲基硅氧烷、聚異戊二烯、聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚e -己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚乙丙 交酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚環(huán)氧丙烷、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇 酯、聚氟乙烯中的一種或多種；所述A嵌段占第二嵌段共聚物體積分?jǐn)?shù)為5%?95% ;所述 A嵌段中D-丙交酯形成的重復(fù)單元摩爾分?jǐn)?shù)為q，0〈q彡100%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5任意一項(xiàng)所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述材料還包括不 同于所述嵌段共聚物的聚合物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述誘導(dǎo)具體為：對(duì)所述嵌段共 聚物進(jìn)行熱退火處理；所述熱退火處理的溫度為50°C?250°C，退火時(shí)間為1分鐘?7天。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述誘導(dǎo)具體為：對(duì)所述嵌段共 聚物進(jìn)行溶劑退火處理；所述溶劑退火處理的溶劑包括丙酮、甲苯、四氫呋喃、氯苯、苯、二 氯甲烷、水、甲醇、乙醇、三氯甲烷、四氯乙烷、N，N'-二甲基乙酰胺、N，N'-二甲基甲酰胺、 乙醚、乙二醇、異丙醇、正庚烷、石油醚、正己烷、二氧六環(huán)、四氯化碳、乙腈、苯醚、二甲苯、批 啶、三乙胺中的一種或多種，所述退火溫度為20°C?200°C，退火時(shí)間為1分鐘?7天。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，所述基材上的圖案為納米尺寸 的兩親性二維化學(xué)圖案或納米級(jí)高度的點(diǎn)陣或線型的三維圖案。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)組裝方法，其特征在于，還包括： 去除所述嵌段共聚物中的一個(gè)嵌段，以未去除的嵌段為作為模板將圖形轉(zhuǎn)刻到待制作 圖案的基材上。
【文檔編號(hào)】B82B3/00GK104370274SQ201410636657
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月10日
【發(fā)明者】季生象, 劉亞棟, 李曉, 保羅·富蘭克林·內(nèi)利 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所