本發(fā)明基于一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的方法。

背景技術(shù)：

這樣的方法由文獻(xiàn)wo2015/120939a1已知。如果期望在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的確定的內(nèi)壓或者在空穴中應(yīng)包圍具有確定的化學(xué)組分的氣體混合物，則通常在封裝微機(jī)械構(gòu)件時(shí)或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過(guò)程期間調(diào)節(jié)內(nèi)壓或化學(xué)組分。在封裝時(shí)例如將罩與襯底連接，由此罩和襯底共同包圍空穴。通過(guò)調(diào)節(jié)在封裝時(shí)在周圍環(huán)境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學(xué)組分，可以因此調(diào)節(jié)在空穴中的確定的內(nèi)壓和/或確定的化學(xué)組分。

借助由文獻(xiàn)wo2015/120939a1已知的方法可以有針對(duì)性地調(diào)節(jié)在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓。借助所述方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機(jī)械構(gòu)件，其中，在第一空穴中可以調(diào)節(jié)第一壓力和第一化學(xué)組分，第一壓力或者第一化學(xué)組分不同于在封裝時(shí)刻的第二壓力和第二化學(xué)組分。

在根據(jù)文獻(xiàn)wo2015/120939a1的用于有針對(duì)性地調(diào)節(jié)微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓的方法中，在罩中或在罩晶片中或在襯底中或在傳感器晶片中產(chǎn)生至空穴的窄的進(jìn)入通道。緊接著，空穴通過(guò)進(jìn)入通道以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓充滿。最后借助于激光局部加熱環(huán)繞進(jìn)入通道的區(qū)域，襯底材料局部液化并且在硬化時(shí)密封封閉進(jìn)入通道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的任務(wù)在于，通過(guò)相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械穩(wěn)健的以及具有長(zhǎng)壽命的微機(jī)械構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)緊湊的、機(jī)械穩(wěn)健的并且具有長(zhǎng)壽命的微機(jī)械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。借助根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械構(gòu)件此外也可能的是，實(shí)現(xiàn)如下微機(jī)械構(gòu)件，在所述微機(jī)械構(gòu)件中，在第一空穴中可以調(diào)節(jié)第一壓力和第一化學(xué)組分，而在第二空穴中可以調(diào)節(jié)第二壓力和第二化學(xué)組分。例如設(shè)置這樣的用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，對(duì)于所述微機(jī)械構(gòu)件有利的是，在第一空穴中包圍第一壓力而在第二空穴中包圍第二壓力，其中，第一壓力應(yīng)不同于第二壓力。那么這例如是如下情況，即在微機(jī)械構(gòu)件中應(yīng)集成用于轉(zhuǎn)速測(cè)量的第一傳感器單元并且在微機(jī)械構(gòu)件中應(yīng)集成用于加速度測(cè)量的第二傳感器單元。

所述任務(wù)通過(guò)以下方式來(lái)解決，即

在第四方法步驟中，在襯底的或罩的背向第一空穴的表面中在進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域中構(gòu)造凹槽，所述凹槽用于容納襯底的或罩的在第三方法步驟中轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域。

由此通過(guò)簡(jiǎn)單并且成本有利的方式提供用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，借助所述方法，被硬化的材料區(qū)域相對(duì)于表面沉降到襯底或罩中地可制造。與不構(gòu)造凹槽的方法相比，根據(jù)本發(fā)明的方法例如具有如下優(yōu)點(diǎn)，被硬化的材料區(qū)域不太遠(yuǎn)地突出表面，從而被硬化的材料區(qū)域?qū)τ跈C(jī)械沖擊提供較小的作用面由此，被硬化的材料區(qū)域和/或在被硬化的材料區(qū)域與剩余襯底或剩余罩之間的邊界面和/或環(huán)繞邊界面的區(qū)域不易于裂紋形成。換言之，被硬化的材料區(qū)域通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法例如在制造流程中不易于損壞和不期望的接觸并且因此很少是裂紋的原因和起點(diǎn)。如果襯底材料僅僅局部受加熱并且經(jīng)加熱的材料不僅在硬化時(shí)而且在相對(duì)于環(huán)境冷卻時(shí)收縮，則借助根據(jù)本發(fā)明的方法也是不太成問(wèn)題的。因此在封閉區(qū)域中可以產(chǎn)生非常大的拉應(yīng)力也不太成問(wèn)題，因?yàn)橥ㄟ^(guò)被硬化的材料區(qū)域的下降使得相對(duì)于機(jī)械沖擊的作用面最小化。因此，根據(jù)壓力和材料出現(xiàn)的自發(fā)性裂紋形成也不大可能。在進(jìn)一步處理中或者在現(xiàn)場(chǎng)微機(jī)械構(gòu)件的熱負(fù)荷或機(jī)械負(fù)荷下裂紋形成也不太可能，因?yàn)榻?jīng)封閉的入口開(kāi)口的區(qū)域被更好地保護(hù)。尤其借助根據(jù)本發(fā)明的方法不太關(guān)鍵的是，在材料區(qū)域基于再結(jié)晶動(dòng)態(tài)性硬化時(shí)在熔化區(qū)域中心處或者在被硬化的材料區(qū)域中心處構(gòu)成尖端或者尖端突出襯底的或罩的表面的突出部。這樣的尖端的損壞概率或者在尖端的進(jìn)一步制造流程中的不期望的接觸可以通過(guò)凹槽的使用來(lái)有效降低。尤其根據(jù)本發(fā)明有利地可能的是，尖端位于罩的或襯底的否則(亦即除進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域以外)基本上平坦的表面之下。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法是一種降低如下概率的有效可能性，即尖端是裂紋的原因或起點(diǎn)。因此，通過(guò)簡(jiǎn)單并且成本有利的方式提供一種用于制造相比于現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械穩(wěn)健的并且具有長(zhǎng)壽命的微機(jī)械構(gòu)件的方法。

與本發(fā)明相關(guān)地，可以如此理解術(shù)語(yǔ)“微機(jī)械構(gòu)件”，即所述術(shù)語(yǔ)包括不僅微機(jī)械構(gòu)件而且微機(jī)電構(gòu)件。

本發(fā)明優(yōu)選設(shè)置用于制造或者用于具有一個(gè)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。然而本發(fā)明例如也設(shè)置用于具有兩個(gè)空穴或具有兩個(gè)以上——亦即三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)或六個(gè)以上的空穴的微機(jī)械構(gòu)件。

優(yōu)選地，通過(guò)借助于激光器引入能量或熱量到襯底的或罩的吸收所述能量或所述熱量的部分中來(lái)封閉進(jìn)入開(kāi)口。在此優(yōu)選地將能量或熱量在時(shí)間上依次地分別引入到多個(gè)微機(jī)械構(gòu)件的襯底的或罩的吸收部分中，所述微機(jī)械構(gòu)件例如被共同制造在晶片上。然而替代地也設(shè)置在時(shí)間上并行地將能量或熱量引入到多個(gè)微機(jī)械構(gòu)件的襯底的或罩的相應(yīng)吸收部分中，例如在使用多個(gè)激光射束或激光裝置的情況下。

本發(fā)明有利的設(shè)計(jì)方案和擴(kuò)展方案可由從屬權(quán)利要求以及參照附圖的描述得出。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，所述罩連同所述襯底包圍第二空穴，其中，在所述第二空穴中存在第二壓力并且包圍具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。

本發(fā)明的另一主題是一種用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，所述微機(jī)械構(gòu)件具有襯底和與所述襯底連接并且連同所述襯底包圍第一空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一壓力并且包圍具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，

在第一方法步驟中，在所述襯底中或在所述罩中構(gòu)造連接所述第一空穴與所述微機(jī)械構(gòu)件的周圍環(huán)境的進(jìn)入開(kāi)口；其中，

在第二方法步驟中，調(diào)節(jié)所述第一空穴中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分；其中，

在第三方法步驟中，通過(guò)借助于激光器引入能量或熱量到所述襯底的或所述罩的吸收部分中來(lái)封閉所述進(jìn)入開(kāi)口，其中，

在第四方法步驟中，在所述襯底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中在所述進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域中構(gòu)造凹槽，所述凹槽用于容納所述襯底的或所述罩的在所述第三方法步驟中轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，如此構(gòu)造所述凹槽，使得被硬化的材料區(qū)域布置在基本上沿所述表面延伸的平面與所述第一空穴之間。由此有利地能夠?qū)崿F(xiàn)：被硬化的材料區(qū)域完全沒(méi)有突出表面，從而被硬化的材料區(qū)域?qū)τ跈C(jī)械沖擊提供還更小的作用面。由此，被硬化的材料區(qū)域和/或在被硬化的材料區(qū)域與剩余襯底或剩余罩之間的邊界面和/或環(huán)繞邊界面的區(qū)域還更不易于裂紋形成。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，如此構(gòu)造所述凹槽，使得所述凹槽到基本上沿所述表面延伸的平面上的投影的第一面積大于所述襯底的或者所述罩的所述被硬化的材料區(qū)域或所述吸收部分到所述平面上的投影的第二面積。由此有利地能夠?qū)崿F(xiàn)：如果凹槽相對(duì)于表面平地深置至少在沒(méi)有凹槽的方法中可預(yù)期的材料區(qū)域的超出表面的突出部的高度，則防止被硬化的材料區(qū)域突出表面。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，如此構(gòu)造所述凹槽，使得所述凹槽到基本上沿所述表面延伸的平面上的投影的第一面積小于所述襯底的或者所述罩的所述被硬化的材料區(qū)域或所述吸收部分到所述平面上的投影的第二面積。由此通過(guò)有利的方式能夠?qū)崿F(xiàn)：襯底的或罩的轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域的量是可減少的，并且從而通過(guò)引入能量而產(chǎn)生的熔池可以更好地融合，無(wú)需為了構(gòu)造凹槽而要求不必要多的表面面積。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，在基本上平行于所述表面延伸的平面中關(guān)于所述進(jìn)入通道或關(guān)于所述材料區(qū)域或關(guān)于所述襯底的或者所述罩的吸收部分基本上旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地構(gòu)造所述凹槽。由此能夠?qū)崿F(xiàn)：熔池可以特別有利地融合。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，將所述凹槽各向異性地刻蝕到所述表面中。由此有利地能夠?qū)崿F(xiàn)：可以各向異性地或狹長(zhǎng)地設(shè)置凹槽——在凹槽較大延展的意義上基本上垂直于表面而不是平行于表面地或者在凹槽較小延展的意義上基本上垂直于表面而不是平行于表面地——構(gòu)造。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，在時(shí)間上在第一方法步驟之后實(shí)施第四方法步驟。由此有利地能夠?qū)崿F(xiàn)：可以將凹槽引入到具有存在的進(jìn)入通道的表面中。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，

在第四方法步驟中，在表面中在進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域中構(gòu)造另一凹槽或優(yōu)選地多個(gè)另外的凹槽，用于容納襯底的或罩的在第三方法步驟中轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，借助于硬掩膜結(jié)構(gòu)化凹槽或另一凹槽或多個(gè)另外的凹槽。

此外，本發(fā)明的另一主題是微機(jī)械構(gòu)件，所述微機(jī)械構(gòu)件具有襯底和與所述襯底連接并且連同所述襯底包圍第一空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一壓力并且包圍具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，所述襯底或所述罩包括封閉的進(jìn)入開(kāi)口，其中，所述襯底或所述罩包括在所述襯底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中并且在所述進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域中布置的凹槽，所述凹槽用于容納所述襯底的或所述罩的在所述進(jìn)入開(kāi)口封閉期間轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，所述罩連同所述襯底包圍第二空穴，其中，在所述第二空穴中存在第二壓力并且包圍具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。

此外，本發(fā)明的另一主題是微機(jī)械構(gòu)件，所述微機(jī)械構(gòu)件具有襯底和與所述襯底連接并且連同所述襯底包圍第一空穴和第二空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一壓力并且包圍具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，在所述第二空穴中存在第二壓力并且包圍具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物，其中，所述襯底或所述罩包括封閉的進(jìn)入開(kāi)口，其中，所述襯底或所述罩包括在所述襯底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中并且在所述進(jìn)入開(kāi)口的區(qū)域中布置的凹槽，所述凹槽用于容納所述襯底的或所述罩的在所述進(jìn)入開(kāi)口封閉期間轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域。由此通過(guò)有利的方式提供具有所調(diào)節(jié)的第一壓力和第二壓力的緊湊的、機(jī)械穩(wěn)健的并且成本有利的微機(jī)械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的方法的所述優(yōu)點(diǎn)相應(yīng)地也適用于根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械構(gòu)件。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，如此構(gòu)造所述凹槽，使得被硬化的材料區(qū)域布置在基本上沿所述表面延伸的平面與所述第一空穴之間。因此通過(guò)有利的方式提供相對(duì)于機(jī)械沖擊特別穩(wěn)健的微機(jī)械構(gòu)件。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案設(shè)置，第一壓力小于第二壓力，其中，在第一空穴中布置用于轉(zhuǎn)速測(cè)量的傳感器單元，而在第二空穴中布置用于加速度測(cè)量的第二傳感器單元。由此通過(guò)有利的方式提供一種用于轉(zhuǎn)速測(cè)量和加速度測(cè)量的具有不僅對(duì)于第一傳感器單元而且對(duì)于第二傳感器單元優(yōu)化的運(yùn)行條件的機(jī)械穩(wěn)健的微機(jī)械構(gòu)件。

附圖說(shuō)明

圖1：在示意圖中示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式的具有敞開(kāi)的進(jìn)入開(kāi)口的微機(jī)械構(gòu)件；

圖2：在示意圖中示出根據(jù)圖1的具有封閉的進(jìn)入開(kāi)口的微機(jī)械構(gòu)件；

圖3：在示意圖中示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式的用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法；

圖4：在示意圖中示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性的實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件的襯底的或罩的材料區(qū)域；

圖5：在示意圖中示出在根據(jù)本發(fā)明的方法的不同時(shí)刻根據(jù)本發(fā)明的示例性的第三實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件；

圖6：在示意圖中示出在根據(jù)本發(fā)明的方法的不同時(shí)刻根據(jù)本發(fā)明的示例性的第四實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件；

圖7：在示意圖中示出在根據(jù)本發(fā)明的方法的不同時(shí)刻根據(jù)本發(fā)明的示例性的第五實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件。

具體實(shí)施方式

在不同圖中，相同部分總是設(shè)有相同的附圖標(biāo)記并且因此通常也分別僅命名或提到一次。

在圖1和圖2中示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件1的示意圖，所述微機(jī)械構(gòu)件在圖1中具有敞開(kāi)的進(jìn)入開(kāi)口11而在圖2中具有封閉的進(jìn)入開(kāi)口11。在此，微機(jī)械構(gòu)件1包括襯底3和罩7。襯底3和罩7相互優(yōu)選密封連接并且共同包圍第一空穴5。微機(jī)械構(gòu)件1例如如此構(gòu)造，使得襯底3和罩7附加地共同包圍第二空穴。然而，第二空穴在圖1中和在圖2中未示出。

例如在第一空穴5中、尤其在如圖2中所示的封閉的進(jìn)入開(kāi)口11的情況下存在第一壓力。此外，在第一空穴5中包圍具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物。此外，例如在第二空穴中存在第二壓力并且在第二空穴中包圍具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。優(yōu)選地，進(jìn)入開(kāi)口11布置在襯底3中或罩7中。在這里的本實(shí)施例中，進(jìn)入開(kāi)口11示例性地布置在罩7中。然而，根據(jù)本發(fā)明對(duì)此替代地也可以設(shè)置，進(jìn)入開(kāi)口11布置在襯底3中。

例如設(shè)置，第一空穴5中的第一壓力小于第二空穴中的第二壓力。例如也設(shè)置，在第一空穴5中布置在圖1中和圖2中未示出的用于轉(zhuǎn)速測(cè)量的第一微機(jī)械傳感器單元，而在第二空穴中布置在圖1和圖2中未示出的用于加速度測(cè)量的第二微機(jī)械傳感器單元。

在圖3中在示意圖中示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式的用于制造微機(jī)械構(gòu)件1的方法。在此，

-在第一方法步驟101中，在所述襯底3中或在所述罩7中構(gòu)造連接所述第一空穴5與所述微機(jī)械構(gòu)件1的周圍環(huán)境9的、尤其狹長(zhǎng)的進(jìn)入開(kāi)口11。圖1示例性地示出在第一方法步驟101之后的微機(jī)械構(gòu)件1。此外，

-在第二方法步驟102中，調(diào)節(jié)第一空穴5中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分或者使第一空穴5通過(guò)進(jìn)入通道以具有所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓充滿。此外例如：

-在第三方法步驟103中，通過(guò)借助于激光器引入能量或熱量到所述襯底3的或所述罩7的吸收部分21中來(lái)封閉所述進(jìn)入開(kāi)口11。例如替代地也設(shè)置：

-在第三方法步驟103中，僅僅優(yōu)選通過(guò)激光器局部加熱環(huán)繞進(jìn)入通道的區(qū)域并且密封封閉進(jìn)入通道。因此有利地可能的是，使根據(jù)本發(fā)明的方法也設(shè)有其他能量源而不是激光器來(lái)封閉進(jìn)入開(kāi)口11。圖2示例性地示出第三方法步驟103之后的微機(jī)械構(gòu)件1。

在時(shí)間上在第三方法步驟103之后，可以在圖2中示例性示出的橫向區(qū)域15中在表面19上以及在垂直于橫向區(qū)域15到表面19上的投影的深度上、也即沿進(jìn)入開(kāi)口11并且朝微機(jī)械構(gòu)件1的第一空穴5的方向出現(xiàn)機(jī)械應(yīng)力。機(jī)械應(yīng)力、尤其局部機(jī)械應(yīng)力尤其存在于如下邊界面上及其附近，所述邊界面位于罩7的在第三方法步驟103中過(guò)渡為液態(tài)物態(tài)并且在第三方法步驟103之后過(guò)渡為固態(tài)物態(tài)的并且封閉進(jìn)入開(kāi)口11的材料區(qū)域13與罩7的在第三方法步驟103期間保留在固態(tài)物態(tài)的剩余區(qū)域之間。在此，在圖2中，罩7的封閉進(jìn)入開(kāi)口11的材料區(qū)域13僅僅可視為示意性的或者示意性地示出，尤其關(guān)于其橫向的、尤其平行于表面19延伸的擴(kuò)展部或成形部并且尤其關(guān)于其垂直于橫向擴(kuò)展部、尤其垂直于表面19延伸的大小或配置。

如在圖3中示例性地示出的那樣，附加地：

-在第四方法步驟104中，在襯底3的或罩7的背向第一空穴5的表面19中在進(jìn)入開(kāi)口11的區(qū)域中構(gòu)造凹槽17，所述凹槽用于容納或部分容納襯底3的或罩7的在第三方法步驟103中轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域13或者至少部分轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的吸收部分21。如在圖3中示例性地示出的那樣，例如在時(shí)間上在第一方法步驟101之后并且在時(shí)間上在第二方法步驟102之前實(shí)施第四方法步驟104。然而替代地也設(shè)置，在時(shí)間上在第一方法步驟101之前或者在時(shí)間上在第二方法步驟102之后實(shí)施第四方法步驟104。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法可以有利地通過(guò)簡(jiǎn)單方式匹配于不同的制造過(guò)程。

尤其設(shè)置，在激光再密封之前或者在時(shí)間上在第一方法步驟101之前將在進(jìn)入通道的區(qū)域或進(jìn)入開(kāi)口11中的結(jié)構(gòu)或凹槽17或多個(gè)凹槽17引入到表面19或硅表面中，以便使封閉平面或材料區(qū)域13降低或深置，從而在熔池硬化時(shí)產(chǎn)生的突出部位于晶片表面或表面19之下。

在圖4中在示意圖中示出根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的襯底3的或罩7的已經(jīng)被硬化的材料區(qū)域13。在此，被硬化的材料區(qū)域13或尖端突出罩7的表面19。在圖5、圖6和圖7中在示意圖中示出在根據(jù)本發(fā)明的不同時(shí)刻根據(jù)示例性的第三、第四和第五實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件1。在此提出多個(gè)不同結(jié)構(gòu)或凹槽17的結(jié)構(gòu)，其中，所述結(jié)構(gòu)優(yōu)選各向異性地被刻蝕到表面19或硅表面中。在此示例性地，罩7包括在罩7的背向第一空穴5的表面19中布置的凹槽17。在圖7中示出的實(shí)施例中，罩7包括多個(gè)凹槽17。此外，凹槽17或多個(gè)凹槽17布置在進(jìn)入開(kāi)口11的區(qū)域中用于容納罩7的在進(jìn)入開(kāi)口11封閉期間轉(zhuǎn)換為液態(tài)物態(tài)的材料區(qū)域13。在所有在圖5、圖6和圖7中示出的實(shí)施例中，凹槽17或多個(gè)凹槽17如此構(gòu)造，使得被硬化的材料區(qū)域13布置在基本上沿表面19延伸的平面與第一空穴5之間。

圖5示出在根據(jù)本發(fā)明的方法期間在不同時(shí)刻的微機(jī)械構(gòu)件1，其中，如此構(gòu)造凹槽17，使得凹槽17到基本上沿表面19延伸的平面上的投影的第一面積大于襯底3的或者罩7的被硬化的材料區(qū)域13或吸收部分21到所述平面上的投影的第二面積。例如附加地或替代地也設(shè)置，為了降低再密封突出部，有利地環(huán)繞進(jìn)入通道借助于各向異性的刻蝕來(lái)刻蝕大于熔化區(qū)域的平面區(qū)域。在此，刻蝕深度例如為至少要預(yù)期的突出部的高度。此外，例如如此選擇平面區(qū)域的大小，使得熔化區(qū)域在包括所有公差的情況下總是位于所述平面區(qū)域內(nèi)。

此外，圖6示出在根據(jù)本發(fā)明的方法期間在不同時(shí)刻的微機(jī)械構(gòu)件1，其中，如此構(gòu)造所述凹槽17，使得所述凹槽17到基本上沿所述表面19延伸的平面上的投影的第一面積大于所述襯底3的或者所述罩7的所述被硬化的材料區(qū)域13或吸收部分21到所述平面上的投影的第二面積。

此外，圖7示出在根據(jù)本發(fā)明的方法期間在不同時(shí)刻的微機(jī)械構(gòu)件1，其中，在基本上平行于所述表面19延伸的平面中關(guān)于所述進(jìn)入通道11或關(guān)于所述材料區(qū)域13或關(guān)于所述襯底3的或者所述罩7的吸收部分21基本上旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地構(gòu)造所述凹槽17。尤其在圖7示出的實(shí)施例中，將凹槽17或多個(gè)凹槽17各向異性地刻蝕到表面19中。

在圖6和7中示例地示出，可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)經(jīng)刻蝕的單結(jié)構(gòu)如此減少在激光再密封時(shí)熔化的材料量，使得熔池可以融合并且在硬化之后不再突出晶片表面19。所述結(jié)構(gòu)進(jìn)入到硅表面19中的深度可以匹配于在熔化區(qū)域內(nèi)的刻蝕面積的部分。除去的材料越多，必須越淺地實(shí)現(xiàn)刻蝕。然而必須確保：剩余材料足夠用于封閉進(jìn)入通道11。

最后優(yōu)選地設(shè)置，使大于熔化區(qū)域的區(qū)域平地深置至少要預(yù)期的突出部的高度或者通過(guò)一個(gè)或多個(gè)刻蝕到表面19中的單結(jié)構(gòu)減少在熔化區(qū)域中的熔化的材料量，從而熔池可以融合。在所述情況下，所述結(jié)構(gòu)進(jìn)入到硅表面19中的深度可以為幾個(gè)微米直至超過(guò)硅的罩7的或襯底3的熔化深度。例如也設(shè)置，將凹槽17或多個(gè)凹槽17或結(jié)構(gòu)與用于壓力釋放的結(jié)構(gòu)組合。