本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，并且更具體地涉及對微電子器件進行包封的領(lǐng)域，微電子器件的類型例如為mems(微機電系統(tǒng))和/或nems(納米機電系統(tǒng))和/或moems(微光機電系統(tǒng))和/或noems(納米光機電系統(tǒng))。本發(fā)明尤其涉及一種薄膜封裝(thinfilmpackaging，tfp)型的包封方法。
背景技術(shù)：
：在工業(yè)領(lǐng)域或日常生活工具中對例如mems或nems類型的微電子器件的集成越來越頻繁，對微型化和成本降低的需求越來越強。該集成通過封裝步驟來實現(xiàn)，在將微電子器件所遭受的應(yīng)力(振動)、溫度變化、對某些氣體的敏感性等考慮在內(nèi)的同時，封裝步驟所起的作用為：保護微電子器件并且在微電子器件的整個壽命內(nèi)確保其功能。這樣的封裝可通過薄膜包封產(chǎn)生，薄膜包封也被稱為薄膜封裝或tfp。該方法包括：使用微電子技術(shù)在微電子器件上生成保護性封殼，該保護性封殼被設(shè)置成盡可能接近該器件的有源部分。針對制作在同一襯底上的多個微電子器件，這樣的包封有利地以集合方式實施，從而被稱為襯底尺度封裝或者晶圓級封裝wlp。tfp方法首先包括在待保護的微電子器件上沉積并定位犧牲材料。然后，通常為無機型的包封層被沉積在犧牲材料上。然后，貫穿包封層制作釋放孔以使得主要通過干刻蝕能夠去除犧牲材料。犧牲材料的去除也被稱為微電子器件釋放步驟，并且制成了其中放置有微電子器件的腔體。然后，通過有利地采用氣密方式密封釋放孔以封閉腔體來完成該方法。該密封通過采用以下方式沉積密封層來得到：蒸鍍(pvd、pecvd等方法)一個或多個金屬層或無機層，或者旋涂聚合物。實施密封釋放孔步驟的困難之處在于不在腔體內(nèi)沉積密封材料，否則，會對微電子器件的正確操作帶來不利影響。因而，對釋放孔的直徑和數(shù)量進行限定以在短的釋放時間與密封的便利之間尋求折中，制作具有最大可能直徑的釋放孔將得到短的釋放時間，制作具有最小可能直徑的釋放孔將得到密封的便利。為了不受制于該折中，已經(jīng)提出了多種解決方案。文獻fr2948928a1描述了一種微電子器件包封結(jié)構(gòu)，其中，封蓋上設(shè)置有閥，該閥被配置成面對貫穿該封蓋的釋放孔。閥可根據(jù)其所經(jīng)受的溫度來密封或不密封該孔，因為該閥包括由不同熱膨脹系數(shù)的材料制成的兩部分。該閥在微電子器件釋放步驟期間處于打開位置，然后，在密封步驟期間進入位于釋放孔之下的封閉位置。因此，釋放孔可被制成具有大的直徑，因為在沉積密封材料期間，密封材料在被沉積在孔內(nèi)的同時壓抵閥，這將封閉通往腔體內(nèi)部的通道。文獻fr2864340a1也描述了一種包括形成在封蓋上的閥的包封結(jié)構(gòu)。文獻us2015/0266718a1描述了一種方法，在該方法中制作了穿過封蓋的不同尺寸的釋放孔。小尺寸的孔被制作在微電子器件的有源部分之上，并且大尺寸的孔被制作在微電子器件的非敏感部分之上。小尺寸的孔通過實施第一沉積來進行密封，第一沉積不會產(chǎn)生密封材料在微電子器件上的帶來麻煩的沉積。然而，第一沉積無法密封大尺寸的孔。對大尺寸的孔的密封則通過使用在較高壓強下進行沉積的方法來實現(xiàn)，這導(dǎo)致了犧牲材料在微電子器件上的重點沉積。然而，由于大尺寸的孔位于微電子器件的非敏感部分之上，將密封材料沉積在腔體中不利于微電子器件的操作。與之前所述的需要密封閥的方法相比，該方法能在較高的壓強下使腔體封閉。文獻us2008/0079142a1描述了制作一種封蓋，該封蓋由間隔開的兩層形成，并且每層被釋放孔穿透。穿過所述層中的每層所形成的釋放孔不重疊，從而在腔體的外部與內(nèi)部之間形成彎道(chicane)網(wǎng)。封蓋的最靠近微電子器件的層充當(dāng)了針對密封材料的保護層。與傳統(tǒng)的包封方法相比，上述所有方法共同的主要缺點在于：它們需要實施附加的步驟，特別是光刻和刻蝕。此外，這些附加的步驟還會對被包封器件的最終成本產(chǎn)生重要影響。與大尺寸的孔的密封相關(guān)的另一缺點在于：除了在密封之前添加旨在減小這些孔的尺寸的其他附加沉積步驟之外，在相對高的壓強(幾百毫托)下并且在存在化學(xué)前體的情況下，要對密封材料進行例如sacvd或pecvd沉積。此外，這與低壓強下和/或惰性氣氛下的微電子器件的包封不兼容。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提出一種用于包封微電子器件的方法，該方法不受制于與釋放孔的尺寸有關(guān)的折中，與傳統(tǒng)包封方法相比該方法在包封期間不必須實施附加的步驟，并且該方法與低溫下和/或惰性氣氛下的包封相兼容。為此，本發(fā)明提出了一種用于包封至少一個微電子器件的方法，該方法包括至少以下步驟；生成覆蓋至少所述微電子器件的至少一個犧牲材料部分；生成覆蓋至少所述犧牲材料部分的至少一個封蓋，所述封蓋包括具有各自的材料并且具有不同殘余應(yīng)力和/或不同熱膨脹系數(shù)的至少兩個重疊層；穿過所述封蓋刻蝕至少一個溝槽，該至少一個溝槽在所述封蓋的上表面上的圖案包括至少一條曲線和/或相互不平行且在交點處連接的至少兩條直線段；穿過所述溝槽刻蝕所述犧牲材料部分，以使得在該刻蝕期間所述封蓋由所述溝槽限定的部分在所述封蓋的至少兩個層的殘余應(yīng)力和/或熱膨脹所產(chǎn)生的機械應(yīng)力的作用下變形，并且增大所述溝槽的尺寸；至少部分地消除所述機械應(yīng)力；至少在所述溝槽上沉積至少一種密封材料。該方法巧妙地利用了用于形成封蓋的材料的機械和/或熱機械特性，從而不受制于現(xiàn)有技術(shù)的方法中必須進行的與釋放孔的尺寸有關(guān)的折中。實際上，所生成的特定溝槽限定了封蓋的形成舌部的部分，該舌部在刻蝕犧牲材料部分期間在封蓋的各材料的殘余應(yīng)力和/或熱膨脹的作用下能夠變形。因此，在刻蝕犧牲材料部分期間，溝槽形成了大尺寸的釋放孔，從而使得能夠快速進行犧牲材料的刻蝕，并且因而能夠快速進行微電子器件的釋放。在該刻蝕結(jié)束時，由于該舌部變形之后機械應(yīng)力被至少部分地消除，舌部恢復(fù)到其初始位置或接近其初始位置的位置。然后，溝槽也恢復(fù)到比舌部變形時的尺寸小的尺寸，此時這使得能夠在沒有將犧牲材料沉積到包封腔體中的風(fēng)險的情況下，進行溝槽的密封。此外，由于封蓋直接由具有不同殘余應(yīng)力和/或不同熱膨脹系數(shù)的材料制成，所以無需特定的成型以對封蓋在刻蝕犧牲材料期間變形的部分進行限定。即使封蓋包括多個層，也可在單個光刻和刻蝕步驟中刻蝕溝槽。關(guān)于實施步驟的數(shù)量，考慮到刻蝕溝槽對應(yīng)于制作釋放孔的步驟，該方法可包括與傳統(tǒng)包封方法相似數(shù)量的步驟(特別是光刻和刻蝕)。最后，由于在沉積密封材料之前，使封蓋的部分變形的機械應(yīng)力被至少部分地消除，這意味著溝槽恢復(fù)到其初始尺寸，或恢復(fù)到接近其初始尺寸的尺寸，或者至少恢復(fù)到比舌部發(fā)生變形時的尺寸小的尺寸，所以可在不必采用高壓和/或特定的化學(xué)前體的情況下，進行密封材料的沉積。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法與低壓(例如，介于大約10pa與105pa之間)下和/或惰性氣氛(例如，經(jīng)由pvd)下的包封相兼容。在沉積密封材料之前，機械應(yīng)力被至少部分地消除。在沉積密封材料期間，如果殘余應(yīng)力所產(chǎn)生的變形不阻礙密封，則可以容忍該殘余應(yīng)力。當(dāng)封蓋的部分未變形時，與溝槽在封蓋的上表面處的最小尺寸相對應(yīng)的溝槽寬度可以為微米量級，或者介于大約1微米與2微米之間。此外，當(dāng)封蓋的部分變形時，封蓋的部分的變形可使得溝槽的寬度介于4微米與10微米之間。在對犧牲材料部分進行刻蝕期間，封蓋的部分的變形可使得封蓋的部分的自由端移動到腔體外部，也就是說朝向腔體的外部移動。在一變體中，該變形可使得封蓋的部分的自由端朝向腔體的內(nèi)部移動。封蓋的兩個層中的第一層設(shè)置在犧牲材料部分與封蓋的兩個層中的第二層之間，包括與封蓋的兩個層中的第二層的殘余應(yīng)力的值和/或類型(壓應(yīng)力或張應(yīng)力)不同的殘余應(yīng)力。有利地，封蓋的兩個層中的第一層包括殘余壓應(yīng)力，并且封蓋的兩個層中的第二層包括殘余張應(yīng)力。因此，當(dāng)封蓋的部分由犧牲材料釋放時，封蓋的部分可經(jīng)受總體殘余應(yīng)力，有利地，該總體殘余應(yīng)力可使封蓋的部分變形以使得該部分的自由端移動到腔體外部。根據(jù)一變體，封蓋的兩個層可各自包括殘余壓應(yīng)力。在這種情況下，為了使得封蓋的部分的自由端在刻蝕犧牲材料部分期間移動到腔體外部，第二層的殘余壓應(yīng)力可以小于第一層的殘余壓應(yīng)力。根據(jù)另一變體，封蓋的兩個層可各自包括殘余張應(yīng)力。在這種情況下，為了使得封蓋的部分的自由端在刻蝕犧牲材料部分期間移動到腔體外部，第二層的殘余張應(yīng)力可以大于第一層的殘余張應(yīng)力。根據(jù)另一變體，封蓋的兩個層中的第一層可包括殘余張應(yīng)力，并且封蓋的兩個層中的第二層可包括殘余壓應(yīng)力。在這種情況下，在對犧牲材料部分進行刻蝕期間，封蓋的部分的自由端朝向腔體的內(nèi)部移動。封蓋的兩個層中的第一層可包括sio2，并且封蓋的兩個層中的第二層可包括鎳。該配置能夠在第一層和第二層中分別得到殘余壓應(yīng)力和殘余張應(yīng)力。封蓋的兩個層中的第二層包括以下兩者的堆疊體：覆蓋封蓋的兩個層中的第一層的含有鈦的亞層，以及覆蓋該亞層的鎳層。這樣的鈦亞層具有以下優(yōu)點：提高封蓋的兩個層中的第二層在封蓋的兩個層中的第一層上的附著性。至少部分地消除使封蓋的部分變形的機械應(yīng)力可包括對封蓋的兩個層中的第二層的至少一部分進行移除。當(dāng)封蓋的部分的變形由封蓋的兩個層中的第二層產(chǎn)生時，該移除步驟使得封蓋的部分恢復(fù)到大體未變形位置。當(dāng)封蓋的第二層包括鎳時，該移除步驟可特別地包括移除鎳。封蓋的兩個層中的第一層設(shè)置在犧牲材料部分與封蓋的兩個層中的第二層之間，可包括比封蓋的兩個層中的第二層的熱膨脹系數(shù)大的熱膨脹系數(shù)，并且其中，刻蝕犧牲材料部分在封蓋的部分由于兩個層的熱膨脹而產(chǎn)生變形的溫度下執(zhí)行。為了得到這樣的熱膨脹，封蓋的兩個層中的第一層可包括鋁，并且封蓋的兩個層中的第二層可包括鈦。在這種情況下，至少部分地消除使封蓋的部分變形的機械應(yīng)力可包括停止使封蓋的層經(jīng)受使得封蓋的部分由于兩個層的熱膨脹而產(chǎn)生變形的溫度。對密封材料的沉積可在室溫下實施，當(dāng)封蓋的部分的變形由于具有不同熱膨脹系數(shù)的兩個層的熱膨脹導(dǎo)致時，這將消除產(chǎn)生該變形的機械應(yīng)力。穿過封蓋刻蝕溝槽的步驟也可刻蝕出孔，該孔穿過封蓋并且能夠具有與溝槽的寬度大體近似的至少一個尺寸(在圓形截面的孔的情況下，該尺寸例如為直徑，或者在多邊形截面的孔的情況下，該尺寸例如為一個邊的尺寸)。因此，這樣的孔可有助于進一步加速對犧牲材料部分的刻蝕。有利地，孔可貫穿所述封蓋的在刻蝕所述犧牲材料部分期間變形的部分。因此，這些孔有助于封蓋的部分的變形更快結(jié)束。封蓋可具有小于或等于大約10微米的厚度，或者更有利地，具有小于或等于大約5微米的厚度。當(dāng)所述封蓋的各個層中被設(shè)置成緊靠所述犧牲材料部分的一個層(上文中被稱為第一層)包括至少一種吸氣劑材料時，所述方法在沉積所述密封材料之后還可包括熱活化所述吸氣劑材料的步驟。附圖說明根據(jù)閱讀參考附圖的僅作為示例給出并且決不限制的示例性實施例的說明，將更好地理解本發(fā)明，在附圖中：圖1至圖12示出了根據(jù)第一實施方式對微電子器件進行包封的方法(即為本發(fā)明的主題)的步驟。下文描述的不同附圖的相同的、相似的或等價的部分具有相同的附圖標(biāo)記，以使得更易于從一個附圖到另一個附圖。附圖中示出的不同部分不一定按相同比例示出，以便使附圖更易讀。各種可能性(變體和實施方式)應(yīng)當(dāng)被理解為不相互排斥并且能夠相互結(jié)合。具體實施方式圖1至圖12示出了根據(jù)第一實施例對微電子器件100進行包封的方法的步驟。首先，在本文中為mems或nems型的微電子器件100被制作在襯底102上，襯底102例如包括諸如硅的半導(dǎo)體。然后，犧牲材料部分104被形成在襯底102上，以使得犧牲材料部分覆蓋器件100，并且使得犧牲材料部分的體積基本對應(yīng)于用于包封器件100的腔體的體積(圖1)。該部分104例如通過執(zhí)行沉積犧牲材料層來得到，犧牲材料例如為聚合物，犧牲材料的厚度對應(yīng)于用于包封器件100的腔體的期望高度，通常介于大約1微米與10微米之間，并且例如等于大約5微米。然后，犧牲材料層被刻蝕以使得僅該部分104被保留在襯底102上。如圖2所示，然后生成覆蓋上述部分104(并且在所描述的示例中也覆蓋該部分104附近的襯底102)的封蓋106。該封蓋106包括具有不同殘余應(yīng)力的至少兩個層。在所描述的第一實施例中，封蓋106包括采用pecvd沉積的sio2第一層108，并且第一層的厚度可介于大約1微米與2微米之間。該第一層108具有低的殘余壓應(yīng)力，例如介于大約20mpa與100mpa之間。封蓋106還包括第二層110，此處第二層110對應(yīng)于采用pvd沉積的多種金屬的堆疊體。例如，該金屬堆疊體可包括厚度例如等于大約200納米的鈦亞層，以及厚度例如等于大約400納米的鎳層。鈦亞層使得能夠提高鎳層在上述部分104上的附著性。封蓋106包括上表面114，此處上表面114由第二層110的上表面形成。第二鎳層具有高的殘余張應(yīng)力，例如介于大約100mpa與1000mpa之間。封蓋106的第二層110中存在的鎳層的殘余張應(yīng)力被添加到封蓋106的第一層108的殘余壓應(yīng)力上。因此，考慮到封蓋106所經(jīng)受的總體殘余應(yīng)力，這將使得在本方法的其余步驟中得到封蓋106的部分朝向?qū)馄骷?00的腔體的外部(也就是說，沿著從器件100到封蓋106的該部分的方向)的變形。層108、110的殘余應(yīng)力由于所使用的材料而得到，但是也可經(jīng)由沉積層108、110期間所使用的沉積參數(shù)(溫度、速度、等離子功率)來增強或減小。這些沉積后的熱處理也可有助于得到期望的殘余應(yīng)力。然后，在封蓋106的上表面114處，制作穿過封蓋106的整個厚度的溝槽112(圖3)。圖4示出了根據(jù)第一示例性實施例制作溝槽112所穿過的封蓋106上表面114的俯視圖。在該第一示例性實施例中，溝槽112在上表面114處的圖案對應(yīng)于曲線，例如圓弧。封蓋106的對應(yīng)于溝槽112所限定的凹側(cè)的部分116因而形成了舌部，該舌部能夠變形并且包括能夠朝向器件100的包封結(jié)構(gòu)外部移動的自由端119。在溝槽112位于封蓋106的上表面114處的圖案對應(yīng)于圓弧的情況下，部分116具有與圓盤的一部分相對應(yīng)的圖案。因此，在溝槽的圖案大體對應(yīng)于半圓的圖4的示例中，部分116具有與半圓盤大體對應(yīng)的圖案。上述部分116可具有介于大約20微米與1毫米之間的長度(在圖4的示例中，該長度對應(yīng)于穿過上表面114的尺寸并且大體垂直于連接溝槽112的圖案的兩個端部的直線)。此外，溝槽112可具有微米量級的寬度(對應(yīng)于上表面114處溝槽112的最小尺寸)。圖5示出了根據(jù)第二示例性實施例所制作的溝槽112所穿過的封蓋106上表面114的俯視圖。在該第二示例性實施例中，溝槽112在上表面114處的圖案對應(yīng)于兩條線段，所述兩條線段互不平行或沿兩個不同方向取向并且在該兩條線段之一的一端處彼此相連。在溝槽112的這樣的圖案的情況下，部分116在封蓋106的上表面114處具有三角形圖案，部分116的自由端對應(yīng)于靠近形成溝槽112的兩條線段的連接點定位的一部分。通常來說，溝槽112在封蓋106的上表面114處的圖案使得該圖案在封蓋106中限定了包括至少一個自由端的部分116，該至少一個自由端能夠移動以使得該部分116的上表面在封蓋106的材料所施加的殘余應(yīng)力的作用下伸出封蓋106的上表面114所在的平面。溝槽112的圖案可包括至少一條曲線和/或相互不平行且在交點處連接在一起的至少兩條直線段。當(dāng)部分104的位于部分116之下的一部分例如通過干刻蝕被除去時，部分116則被釋放。在圖6中，該刻蝕在溝槽112附近形成了位于封蓋106之下的空間118，從而釋放了與部分104相對的部分116。由于部分116不再被保持，所以封蓋106的材料中所存在的殘余應(yīng)力使部分116變形，并且部分116的自由端119朝向器件100的包封結(jié)構(gòu)的外部移動，也就是說沿著從器件100到部分116的方向移動。部分116的變形增大了刻蝕劑通過溝槽112的通道的截面，這能夠增加封蓋106之下的空間與器件100的包封結(jié)構(gòu)的外部之間的交流，并且能夠減少刻蝕部分104所需的時間。圖7和圖8示出了與圖4和圖5相同的、但是在與部分104相對的部分116被釋放之后的視圖。形成了空間118的刻蝕被擴展到完全去除上述部分104，從而形成其中設(shè)置有器件100的腔體120，該腔體120由襯底102和封蓋106來界定(圖9)。然后，封蓋106的對應(yīng)于本文所述的第一實施例中的第二層110的層被去除，該層的殘余應(yīng)力即為引起部分116變形之后的機械應(yīng)力。然后，僅由該刻蝕結(jié)束時所剩余的層(此處為第一層108)形成的部分116松弛到其最小應(yīng)力形式，同時返回至其最初位置(或者根據(jù)剩余層的材料中的殘余應(yīng)力而輕微變形)，最初位置大體對應(yīng)于沉積第一層108期間的位置(圖10)。然后，部分116的自由端119變得與封蓋106的其余部分大體對齊。溝槽112恢復(fù)到其初始形狀和尺寸。第二層110可通過實施干刻蝕來去除。在所述的第一實施例中，第二層110對應(yīng)于鈦亞層與鎳層的堆疊體。假如部分116的變形是由鎳層所引入的殘余張應(yīng)力導(dǎo)致的，可想到的是，僅去除鎳層以使得部分116恢復(fù)到其初始位置。通常來說，所實施的用在部分116變形之后去除材料的刻蝕對于腔體120中存在的材料具有反向選擇性，從而特別地避免損壞器件100。溝槽112已經(jīng)恢復(fù)到其初始位置，溝槽112介于腔體120與包封結(jié)構(gòu)的外部之間的通道的截面被減小，這能夠密封該溝槽112，而沒有將犧牲材料沉積到腔體120中(特別是器件100上)的風(fēng)險。在圖11中，通過采用pvd在整個封蓋106上沉積鋁層122來密封溝槽112。在一變體中，可通過在溝槽112上局部沉積密封材料來實現(xiàn)對溝槽112的密封。在上文描述的實施例中，對部分104的材料的刻蝕能夠釋放相對的部分116，從而使得犧牲材料僅穿過溝槽112。在一變體中，除了溝槽112之外，制作可穿過封蓋106，有利地如圖12所示的示例中那樣穿過部分116的孔124，孔124的尺寸大體近似于溝槽112的寬度。因此，更快地實現(xiàn)用于釋放部分116的部分104的一部分的去除，這能夠使部分116在溝槽112的尺寸擴大的位置處的變形更快地結(jié)束。在部分116變形后，這些孔124也有助于刻蝕部分104。這樣的孔124也可在整個封蓋106或其一部分上制作，而不是必須定位在部分116處。在上文所述的第一實施例中，由于封蓋106的材料中所存在的殘余應(yīng)力，也就是說由于形成封蓋106的材料之間的不同機械應(yīng)力，才得到部分116的變形。在第二實施例中，部分116的該變形可通過以下事實來得到：形成封蓋106的材料包括不同的熱機械特性，并且在刻蝕部分104期間，部分116經(jīng)受了足以產(chǎn)生該變形的溫度。根據(jù)該第二實施例并且再次針對上文中參考圖1至圖12所述的包封結(jié)構(gòu)，通過生成封蓋106以使得層108和110由具有不同熱膨脹系數(shù)的材料制成，可得到部分116的大體相似的變形。在該情況下，緊靠犧牲部分104沉積的第一層108包括熱膨脹系數(shù)比第二層110的第二材料的熱膨脹系數(shù)大的第一材料?？筛鶕?jù)j.jouanneau在techniquesdel’ingénieur的r2540-1至r2540-10上的文獻“pyromètresàbilames”來選擇形成這樣的封蓋106的材料以及部分116的幾何尺寸。下表也給出了可用于生成封蓋106的幾種金屬以及這些材料的熱膨脹系數(shù)α和楊氏模量e的數(shù)值。金屬α(10-6/℃)e(gpa)al23.170cu16.5130ni13.4200pt8.8168ti8.6116zr5.768例如，第一層108可包括鋁，并且第二層110可包括鈦。在這種情況下，當(dāng)在足夠高的溫度(通常在大約100℃以上并且例如為200℃)下實施對部分104的犧牲材料的刻蝕時，部分116則會變形，因而增大了犧牲材料的刻蝕劑的通道的截面。一旦部分104的刻蝕結(jié)束，包封結(jié)構(gòu)將經(jīng)受室溫，使得部分116能夠恢復(fù)到其初始位置。然后，可進行溝槽112的密封。當(dāng)密封在比使部分116變形的溫度高的溫度下進行時，封蓋106的各個層中參與部分116的變形的一層可在實施該密封之前被去除，以避免部分116在密封期間發(fā)生變形。當(dāng)密封在比使部分116變形的溫度低的溫度下進行時，封蓋106的各個層都可被保留。當(dāng)?shù)谝粚?08包括鈦時，或者更通常地包括吸氣劑材料時，考慮到這一材料的吸氣劑特性，即該材料吸附或吸收諸如h2o、h2、co、co2、n2、o2分子的氣體分子的能力，能夠通過采用以下方式活化第一層108的材料來調(diào)節(jié)腔體120中的最終壓強：加熱至高于或等于該材料的活化溫度的溫度，通常介于大約250℃與400℃之間。上文中針對第一實施例所描述的變體也同樣適用于第二實施例。上文所述的兩個實施例可以相互結(jié)合。因此，封蓋106可由具有不同殘余應(yīng)力并且具有不同熱膨脹系數(shù)的材料的多個層來生成。特別地，這可以通過將第一層和第二層108、110中的每一層生成為多層或者生成為多種不同材料的堆疊體來得到。因此，通過將由于材料中存在的殘余應(yīng)力的作用而產(chǎn)生的變形與由于材料的熱膨脹的作用而產(chǎn)生的變形合并仍然可以得到部分116的充分變形，并且即使對部分104的犧牲材料進行刻蝕的溫度受限或者即使形成封蓋106的材料具有中等的殘余應(yīng)力或熱膨脹系數(shù)，也依然如此。在上文所述的兩個實施例中，選擇形成封蓋的材料的機械特性(殘余應(yīng)力)或熱機械特性(熱膨脹系數(shù))，以使得在刻蝕部分104的犧牲材料期間，部分116變形，從而使得部分116的自由端119朝向包封結(jié)構(gòu)的外部移動。在一變體中，可能的是，選擇封蓋106的材料，以使得它們的機械特性和/或熱機械特性在刻蝕部分104的犧牲材料期間，通過使部分116的自由端119朝向包封結(jié)構(gòu)的內(nèi)部或者腔體120的內(nèi)部(也就是說，沿著從該部分116到器件100的方向)移動，來使部分116變形。根據(jù)前述兩個實施例的變體，可能的是，封蓋具有一個或多個附加層，該一個或多個附加層被設(shè)置在具有不同機械特性和/或熱機械特性的層之上和/或之下。在這種情況下，制作溝槽112以使得溝槽也貫穿這一附加層或這些附加層。此外，這一附加層或這些附加層的厚度以及這一附加層或這些附加層的材料的性質(zhì)使得這一附加層或這些附加層的緊靠部分116設(shè)置的部分能夠在部分116的變形之后變形，以使得刻蝕劑通過溝槽112的通道的截面在部分116的變形期間實際上增大。當(dāng)前第1頁12