1.一種MEMS芯片封裝結構，其特征在于，包括：
基板，具有彼此相對的正面以及背面；
MEMS芯片，具有彼此相對的正面以及背面，所述MEMS芯片的背面貼合于所述基板的正面上；
ASIC芯片，位于所述基板的背面；
互連線路，設置于所述基板上，所述MEMS芯片與所述ASIC芯片分別與所述互連線路電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述MEMS芯片與所述ASIC芯片沿基板的厚度方向上相互對齊。
3.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，還包括：
封蓋，具有收容腔；
所述MEMS芯片的正面具有功能區(qū)和位于功能區(qū)周邊的多個焊墊，所述焊墊與所述功能區(qū)電連接，所述封蓋覆蓋于所述MEMS芯片的正面上，所述收容腔罩住所述功能區(qū)。
4.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述基板的背面上設置有焊接凸起，所述焊接凸起與所述互連線路電連接，所述焊接凸起用于與外部電路電連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述焊接凸起的高度大于所述ASIC芯片的高度。
6.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述基板的正面設置有與所述互連線路電連接的第一焊墊，所述焊墊與所述第一焊墊通過金屬線電連接。
7.根據(jù)權利要求6所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，還包括：塑封層，所述塑封層包覆所述MEMS芯片以及所述金屬線。
8.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述ASIC芯片倒裝于所述基板上。
9.根據(jù)權利要求1所述的MEMS芯片封裝結構，其特征在于，所述基板的材質(zhì)為硅基底或者陶瓷或者玻璃基板或者PCB板。
10.一種MEMS芯片封裝方法，其特征在于，包含如下步驟：
提供MEMS芯片，具有彼此相對的正面以及背面；
提供基板，具有彼此相對的正面以及背面，所述基板上設置有互連線路；
提供ASIC芯片；
將所述MEMS芯片的背面貼合于所述基板的正面并將所述MEMS芯片與所述互連線路電連接；
將所述ASIC芯片貼合于所述基板的背面并將所述ASIC芯片與所述互連線路電連接。
11.根據(jù)權利要求10所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述MEMS芯片與所述ASIC芯片沿基板的厚度方向上相互對齊。
12.根據(jù)權利要求10所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，在將所述MEMS芯片與所述基板貼合之前包含如下步驟：
提供封蓋，所述封蓋具有收容腔；
所述MEMS芯片的正面具有功能區(qū)和位于功能區(qū)周邊的多個焊墊，所述焊墊與所述功能區(qū)電連接，將所述封蓋覆蓋于所述MEMS芯片的正面上，所述收容腔罩住所述功能區(qū)。
13.根據(jù)權利要求12所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述MEMS芯片通過如下步驟實現(xiàn)與所述互連線路電連接，包括：
所述基板的正面設置有與所述互連線路電連接的第一焊墊，采用引線鍵合工藝將所述焊墊與所述第一焊墊通過金屬線電連接。
14.根據(jù)權利要求13所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，將所述MEMS芯片與所述互連線路電連接之后，采用塑封工藝形成塑封層，所述塑封層包覆所述MEMS芯片以及所述金屬線。
15.根據(jù)權利要求14所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，在形成塑封層之后，還包含如下步驟：
采用倒裝工藝將所述ASIC芯片倒裝于所述基板的背面上；
采用絲網(wǎng)印刷工藝或植球工藝或電鍍工藝在所述基板的背面形成焊接凸起，所述焊接凸起用于與外部電路電連接。
16.根據(jù)權利要求14所述的MEMS芯片封裝方法，其特征在于，在形成塑封層之后，還包含如下步驟：
采用絲網(wǎng)印刷工藝或植球工藝或電鍍工藝在所述基板的背面形成焊接凸起，所述焊接凸起用于與外部電路電連接；
采用倒裝工藝將所述ASIC芯片倒裝于所述基板的背面上。