本發(fā)明涉及一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控制備高準(zhǔn)直度硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的方法，特別涉及一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的新方法，屬于飛秒激光應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

作為納米技術(shù)的一個(gè)重要組成部分，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)具有其它大塊材料所沒(méi)有的獨(dú)特的物理化學(xué)特性，例如：量子尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、宏觀(guān)量子隧道效應(yīng)等。所以納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)在量子器件、納電子器械、場(chǎng)發(fā)射器和生物分子納米感應(yīng)器等領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用前景，成為當(dāng)代國(guó)際前沿的研究熱點(diǎn)。目前比較成熟的制備方法有：激光燒蝕法、化學(xué)氣相沉積法、熱氣相沉積法、模板法、水熱法等生長(zhǎng)方法。

硅晶體材料是目前較重要的半導(dǎo)體材料，可控形貌和排列的硅表面微納結(jié)構(gòu)在微電子、光子、光電伏、微流體、潤(rùn)濕特性、太陽(yáng)能電池及傳感器等領(lǐng)域有著極其重要的應(yīng)用。通過(guò)光刻技術(shù)、納米壓印技術(shù)和干法刻蝕技術(shù)等，可以得到不同形貌的硅表面微納結(jié)構(gòu)。

隨著研究的進(jìn)展，飛秒激光加工技術(shù)被認(rèn)為是在固體材料上精密加工微納結(jié)構(gòu)的最有效的加工工具，具有高精度、低重鑄層、無(wú)接觸、熱影響區(qū)小和加工靈活等優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)飛秒激光直寫(xiě)技術(shù)，可以得到微孔、微槽、微凸起、微納復(fù)合結(jié)構(gòu)和納米顆粒等形態(tài)的微納結(jié)構(gòu)。特別地，為更好地控制微納結(jié)構(gòu)形態(tài)，在飛秒激光加工技術(shù)的基礎(chǔ)上引入了化學(xué)刻蝕輔助加工。傳統(tǒng)的飛秒激光加工技術(shù)在加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)時(shí)，激光光束為單脈沖且聚焦平面處的光強(qiáng)分布為高斯分布，與本發(fā)明所提及經(jīng)過(guò)空域整形而得到的貝塞爾光束的橫向光強(qiáng)分布相比，光束主瓣直徑大，故導(dǎo)致加工所得結(jié)構(gòu)尺寸寬度較大且未對(duì)電子動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)控從而導(dǎo)致被加工材料表面化學(xué)特性的改性程度不同，而后造成經(jīng)過(guò)化學(xué)刻蝕制備的硅納米線(xiàn)的準(zhǔn)直度較低，低準(zhǔn)直度會(huì)對(duì)硅納米線(xiàn)在微電子方面的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)產(chǎn)生影響，無(wú)法制備所期望的集成電路。傳統(tǒng)的飛秒激光加工技術(shù)未對(duì)激光作用區(qū)域的局部瞬時(shí)電子動(dòng)態(tài)(主要為自由電子密度分布)進(jìn)行調(diào)控，因而在接下來(lái)的化學(xué)刻蝕步驟中所需時(shí)間更長(zhǎng)、化學(xué)試劑的使用量更大，故導(dǎo)致效率較低、成本較高。而在使用一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控制備高準(zhǔn)直度硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的方法后，硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的尺寸寬度突破光學(xué)衍射極限(可到達(dá)100nm以下)，并且準(zhǔn)直度也得到了很大提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有飛秒激光硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)加工的效率較低、成本較高、準(zhǔn)直度不滿(mǎn)足使用要求且難度較大等問(wèn)題，提出了一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助飛秒激光可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法。

本發(fā)明的原理是通過(guò)以下技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的：將飛秒激光通過(guò)時(shí)域、空域整形得到雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束，直接動(dòng)態(tài)掃描輻照材料表面，調(diào)控激光輻照區(qū)域瞬態(tài)的電子密度，改變材料局部的化學(xué)活性，進(jìn)而調(diào)控化學(xué)刻蝕過(guò)程中改性區(qū)的刻蝕速率，實(shí)現(xiàn)高準(zhǔn)直度、小尺寸的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)制備。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法，具體步驟如下：

步驟一：產(chǎn)生飛秒激光脈沖，脈寬介于30飛秒到100飛秒之間；

步驟二：調(diào)節(jié)激光能量：利用半波片-偏振片組合調(diào)節(jié)激光能量，調(diào)整步驟一得到的飛秒激光脈沖能量，使得能量介于被加工樣品的改性能量閾值與燒蝕能量閾值之間，且激光脈沖能量能夠連續(xù)調(diào)節(jié)；

步驟三：把步驟二所得到的飛秒激光脈沖利用軸棱鏡方法空間整形為飛秒激光貝塞爾光束，進(jìn)一步地，利用邁克爾遜干涉儀形成雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束，脈沖延時(shí)為t₂，進(jìn)行時(shí)域整形加工；

步驟四：將被加工材料固定在六自由度移動(dòng)平臺(tái)上，調(diào)節(jié)移動(dòng)平臺(tái)使雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束通過(guò)20×物鏡聚焦于被加工材料表面，控制移動(dòng)平臺(tái)帶動(dòng)被加工樣品運(yùn)動(dòng)，利用激光聚焦點(diǎn)對(duì)樣品進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描加工，形成線(xiàn)性改性區(qū)域；

步驟五：將步驟四中雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束加工后的樣品置于恒溫特定濃度下的堿性溶液中，經(jīng)刻蝕時(shí)間t₁后，得到高質(zhì)量硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，具有表面光滑、均勻、高一致性且高準(zhǔn)直度的特點(diǎn)；

作為優(yōu)選，通過(guò)控制所述激光通量、刻蝕時(shí)間t₁能夠得到尺寸寬度突破光學(xué)衍射極限的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，并能通過(guò)控制雙脈沖延時(shí)t₂來(lái)精密調(diào)控硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的尺寸寬度。

作為優(yōu)選，步驟四所述被加工材料為硅。

作為優(yōu)選，步驟四所述被加工材料為100晶向的N型不摻雜單晶硅。

作為優(yōu)選，步驟五所述堿性刻蝕溶液為氫氧化鉀(KOH)溶液。

作為優(yōu)選，為加速化學(xué)刻蝕速度，將步驟五所述恒溫特定濃度的堿性溶液進(jìn)行超聲振動(dòng)。

作為優(yōu)選，步驟五所述堿性刻蝕溶液的濃度為25wt％，恒溫溫度為55℃，刻蝕時(shí)間t₁介于5s到30s之間。

有益效果

對(duì)比現(xiàn)有硅納米線(xiàn)加工技術(shù)，本發(fā)明提出的一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法具有以下特點(diǎn)：

1、本發(fā)明所使用飛秒激光為經(jīng)過(guò)時(shí)域、空域整形的雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束，通過(guò)雙脈沖輻照形成局部改性區(qū)，利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕，利用貝塞爾光束聚焦的特性，加工所得到的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸小、表面質(zhì)量高；

2、對(duì)飛秒激光加工后的硅樣品使用堿性溶液刻蝕，利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控能夠精密調(diào)控飛秒激光作用區(qū)域的局部材料特性以及調(diào)控化學(xué)刻蝕速率等；

3、通過(guò)調(diào)整飛秒激光能量大小、脈沖延時(shí)t₂、堿性溶液刻蝕時(shí)間t₁結(jié)合電子動(dòng)態(tài)調(diào)控，加工所得到的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)表面質(zhì)量好、準(zhǔn)直度高。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的方法步驟示意圖。

圖3為本發(fā)明一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的雙脈沖產(chǎn)生示意圖。

附圖標(biāo)記：

圖1：1-飛秒激光系統(tǒng)、2-半波片、3-偏振分光棱鏡、4-連續(xù)衰減片、5-反射鏡、6-邁克爾遜干涉儀、7-機(jī)械快門(mén)、8-錐透鏡、9-二向色鏡、10-平凸透鏡、11-聚焦顯微物鏡、12-加工材料、13-六維精密位移平臺(tái)、14-二向色鏡A、15-平凸透鏡、16-CCD圖像傳感器、17-成像照明光源。

圖3：A-反射鏡、B-反射鏡、C-分束鏡、D-反射鏡、E-反射鏡。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步說(shuō)明。

本實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的裝置包括：飛秒激光系統(tǒng)1、半波片2、偏振分光棱鏡3、連續(xù)衰減片4、反射鏡5、邁克爾遜干涉儀6、機(jī)械快門(mén)7、錐透鏡8、二向色鏡9、平凸透鏡10、聚焦顯微物鏡11、六維精密位移平臺(tái)13及化學(xué)刻蝕所需的水浴加熱裝置和承載刻蝕溶液的玻璃燒杯器皿。

其連接關(guān)系如圖1和圖2所示，圖3所示為圖1中6-邁克爾遜干涉儀裝置示意圖。飛秒激光系統(tǒng)1、半波片2、偏振分光棱鏡3、連續(xù)衰減片4依次平行、同軸放置；反射鏡5與連續(xù)衰減片4同軸并且互成45°放置；邁克爾遜干涉儀6與反射鏡5同軸并且互成45°；邁克爾遜干涉儀6、機(jī)械快門(mén)7與錐透鏡8依次平行、同軸放置；二向色鏡9的中心位于錐透鏡8的中心軸與平凸透鏡10中心軸的焦點(diǎn)位置，并成45°放置；平凸透鏡10與聚焦顯微物鏡11依次平行、同軸放置；激光光軸經(jīng)二向色鏡9反射依次通過(guò)平凸透鏡10、聚焦顯微物鏡11、加工材料12的中心。為便于操作人員實(shí)時(shí)監(jiān)控加工過(guò)程，在上述裝置上增加成像照明光源和圖像傳感器，二者組成正面成像系統(tǒng)對(duì)加工過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)成像；照明光源17位于六維精密位移平臺(tái)的上方，其發(fā)出的照明光依次透射二向色鏡14、二向色鏡9、平凸透鏡10，經(jīng)聚焦顯微物鏡11照射在六維精密位移平臺(tái)13上的加工材料12上，被加工材料12反射后經(jīng)聚焦顯微物鏡11、平凸透鏡10、二向色鏡9被二向色鏡14反射后經(jīng)平凸透鏡15聚焦進(jìn)入CCD圖像傳感器16形成實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)圖像。

飛秒激光1產(chǎn)生中心波長(zhǎng)為800nm的超短脈沖飛秒激光，利用半波片2和偏振分光棱鏡3的組合能夠較大范圍內(nèi)調(diào)控激光脈沖通量，而后使用連續(xù)衰減片4可進(jìn)一步連續(xù)改變激光通量，通過(guò)反射鏡5來(lái)改變激光光束的方向，邁克爾遜干涉儀6用來(lái)產(chǎn)生雙脈沖飛秒激光光束，機(jī)械快門(mén)7用來(lái)控制激光光束的通過(guò)與否，從而控制激光光束能否實(shí)現(xiàn)加工；使用錐透鏡8來(lái)產(chǎn)生雙脈沖貝塞爾激光光束，脈沖延時(shí)為t₂；使用平凸透鏡10及聚焦顯微物鏡11形成4f系統(tǒng)對(duì)雙脈沖貝塞爾光束進(jìn)行搬運(yùn)和聚焦，實(shí)現(xiàn)突破衍射極限的高分辨率加工；加工材料12固定在六維精密位移平臺(tái)13上，通過(guò)加工光路上方的成像照明光源17產(chǎn)生照明白光，照明光經(jīng)過(guò)二向色鏡14、二向色鏡9、平凸透鏡10和聚焦物鏡11到達(dá)加工材料表面，而后被加工材料12反射的照明光線(xiàn)沿原路徑返回，被二向色鏡14反射后進(jìn)入CCD圖像傳感器16成像，在激光加工過(guò)程中能夠?qū)庸げ牧媳砻孢M(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。飛秒激光輻照加工材料12表面形成局部改性區(qū)域后，置入恒溫(55℃)的堿性溶液中，例如氫氧化鉀(KOH)溶液等，進(jìn)行化學(xué)刻蝕，從而能夠得到高質(zhì)量的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。

邁克爾遜干涉儀6產(chǎn)生雙脈沖飛秒激光光束，其基本過(guò)程為：當(dāng)一束光穿過(guò)反射鏡A前端的光闌，并依次到達(dá)反射鏡A、B后，光束在分束鏡C處被分為能量比為1:1的兩束光，即沿CE方向的透射光和沿CD的反射光。其中D和E為兩個(gè)同型號(hào)銀鏡，它們隨后又分別將透射光和反射光按原路返回，并在C處合束并輸出。為方便展示起見(jiàn)，CD與CE處本該按原路返回的兩束光特意畫(huà)成了平行光。

實(shí)施例

本實(shí)施例中的飛秒激光系統(tǒng)采用美國(guó)光譜物理(Spectra Physics)公司生產(chǎn)的激光器，激光中心波長(zhǎng)為800nm，脈沖寬度35fs，重復(fù)頻率1KHz可調(diào)，單脈沖最大能量3mJ，光強(qiáng)分布為高斯型，線(xiàn)偏振。

加工材料12為N型無(wú)摻雜晶向100的單晶硅，其尺寸為10mm×10mm×1mm。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員知道，實(shí)際加工物不限于單晶硅，其可以是任何其它可以通過(guò)激光輻照改變化學(xué)特性的物質(zhì)。

本發(fā)明提出的一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法，加工光路圖和實(shí)驗(yàn)步驟示意圖分別如圖1和圖2所示，具體加工步驟如下：

步驟一：利用飛秒激光系統(tǒng)1產(chǎn)生飛秒脈沖激光，既可用半波片2和偏振分光棱鏡3調(diào)節(jié)單脈沖激光通量在0.13J/cm²，也可用連續(xù)衰減片4調(diào)節(jié)激光通量達(dá)到相應(yīng)值。通過(guò)控制機(jī)械快門(mén)7的開(kāi)與關(guān)來(lái)控制激光光束是否能夠進(jìn)行加工。

步驟二：利用邁克爾遜干涉儀6，通過(guò)調(diào)節(jié)鏡片CD及CE間距，從而得到不同脈沖延時(shí)t₂的雙脈沖飛秒激光(時(shí)域整形)。而后利用軸棱鏡方法空間整形為雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束。在本實(shí)施例后面的實(shí)驗(yàn)中，也使用未經(jīng)時(shí)域、空域整形的單脈沖飛秒激光光束來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)與結(jié)果比較，具體的實(shí)驗(yàn)光路的調(diào)整為：選擇遮住圖3中的E反射鏡或D反射鏡中的一個(gè)，并借助功率計(jì)的幫助，通過(guò)調(diào)整能量衰減裝置，使得單脈沖的能量與所需要的雙脈沖的總能量相同；移去錐透鏡從而得到未經(jīng)時(shí)域、空域整形的飛秒激光光束。

步驟三：把通過(guò)空域、時(shí)域整形的雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束垂直入射進(jìn)入20×聚焦顯微物鏡11(Olympus，NA＝0.45)，聚焦后的激光光斑直徑約為2.2μm。

步驟四：將100晶向的單晶硅樣品12固定在六維精密位移平臺(tái)13上，用計(jì)算機(jī)程序控制六維精密位移平臺(tái)13的上下移動(dòng)，使得被加工樣品12表面處于飛秒激光聚焦平面內(nèi)。借助成像照明光源17和圖像傳感器16組成正面成像系統(tǒng)，實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)加工過(guò)程。

步驟五：利用動(dòng)態(tài)勻速掃描方法，調(diào)節(jié)飛秒激光重復(fù)頻率至100Hz，通過(guò)控制六維精密位移平臺(tái)13的移動(dòng)速度(0～2000μm/s可調(diào))，實(shí)現(xiàn)硅納米線(xiàn)局部改性區(qū)域的高效率加工。

步驟六：將濃度為25wt％的KOH溶液置入水浴加熱裝置中，當(dāng)溫度達(dá)到55℃時(shí)停止加熱并控制溫度恒定為55℃，將步驟五中飛秒激光輻照后的硅樣品置于刻蝕溶液中恒溫刻蝕t₂時(shí)間，而后分別使用丙酮、酒精、蒸餾水超聲清洗5min，即可得到尺寸寬度小、表面質(zhì)量高及高準(zhǔn)直度的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員知道，堿性刻蝕溶液KOH是基于加工樣品單晶硅的化學(xué)特性而選擇的，對(duì)于其它材料可根據(jù)對(duì)應(yīng)材料的化學(xué)特性選擇合適的刻蝕溶液。

實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)利用邁克爾遜干涉儀6產(chǎn)生單脈沖時(shí)，經(jīng)過(guò)單脈沖飛秒激光貝塞爾光束輻照及堿性溶液刻蝕后得到的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)在尺寸寬度、表面質(zhì)量及準(zhǔn)直度方面不盡人意。但當(dāng)利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控，即通過(guò)使用邁克爾遜干涉儀6得到雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖延時(shí)t₂(0～50ps可調(diào))，而后控制六維精密位移平臺(tái)13的移動(dòng)，最后通過(guò)堿性溶液刻蝕所得到的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)在尺寸寬度、表面質(zhì)量及準(zhǔn)直度方面得到了明顯的提升。例如，當(dāng)使用0.10J/cm²的脈沖激光通量，脈沖延時(shí)100fs，化學(xué)刻蝕時(shí)間20s，動(dòng)態(tài)勻速掃描速度10μm/s，重復(fù)頻率100Hz，則可得到硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其尺寸寬度132nm，高度約為60nm。通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖激光通量、脈沖延時(shí)t₂、化學(xué)刻蝕時(shí)間t₁、重復(fù)頻率、動(dòng)態(tài)勻速掃描速度參數(shù)，可以得到不同結(jié)構(gòu)尺寸、表面質(zhì)量的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。

為了加工得到硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，鑒于貝塞爾光束的聚焦特性，本發(fā)明實(shí)驗(yàn)所使用的為雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束。本發(fā)明的加工為飛秒激光輻照改性加工，能量非常小，因此對(duì)刻蝕時(shí)間t₁要求非常高，因?yàn)槿绻涛g時(shí)間過(guò)短，在被加工材料表面未能形成硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)；刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，由于本發(fā)明所希望得到的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸寬度小于100nm，故極容易將刻蝕過(guò)程中形成的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)部分刻蝕，從而降低硅納米線(xiàn)表面質(zhì)量及準(zhǔn)直度。因此，本發(fā)明所選用刻蝕時(shí)間t1范圍為：5s～30s，能夠得到尺寸寬度小于100nm的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)且高度在50nm～150nm之間。進(jìn)一步的，將刻蝕溶液進(jìn)行超聲振動(dòng)可以提高刻蝕速度。

上述發(fā)明提出的一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法，加工原理如下：利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控，將通過(guò)時(shí)域、空域整形的脈沖延時(shí)為t₂的雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束通過(guò)20×物鏡聚焦后作用于硅樣品表面，在飛秒激光超快、超強(qiáng)的特性的影響下，利用脈沖延時(shí)t₂重新調(diào)控被加工材料內(nèi)部的自由電子密度分布，從而影響被加工材料的化學(xué)特性，本發(fā)明中脈沖延時(shí)t₂分別為200fs、400fs、600fs等(0～50ps可調(diào))。在不同脈沖延時(shí)t₂下，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)飛秒激光對(duì)被加工材料的化學(xué)特性的影響也不一樣，而后通過(guò)KOH溶液刻蝕，并與單脈沖飛秒激光貝塞爾光束的實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比，可以得到尺寸寬度小、表面質(zhì)量高及高準(zhǔn)直度的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。

此外，相比于傳統(tǒng)的化學(xué)刻蝕輔助飛秒激光加工的方法，本發(fā)明提出的是一種利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控化學(xué)刻蝕輔助雙脈沖飛秒激光貝塞爾光束可控加工硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)新方法，即利用電子動(dòng)態(tài)調(diào)控以及貝塞爾光束的聚焦特性，調(diào)高了整體的加工效率，實(shí)現(xiàn)了尺寸寬度突破衍射極限、表面質(zhì)量好及高準(zhǔn)直度的硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的加工，改善了傳統(tǒng)硅納米線(xiàn)加工的缺陷，是一種有效、實(shí)用的加工方法。

為了說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容及實(shí)施方法，本說(shuō)明書(shū)給出了一個(gè)具體實(shí)施例。在實(shí)施例中引入細(xì)節(jié)的目的不是限制權(quán)利要求書(shū)的范圍，而是幫助理解本發(fā)明所述方法。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解：在不脫離本發(fā)明及其所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)，對(duì)最佳實(shí)施例步驟的各種修改、變化或替換都是可能的。因此，本發(fā)明不應(yīng)局限于最佳實(shí)施例及附圖所公開(kāi)的內(nèi)容。