本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝。

背景技術(shù)：

1、目前，具有雙層壓電層的晶圓，極大的豐富了壓電mems器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在雙層壓電層結(jié)構(gòu)中，有兩層壓電層，三層金屬層。在一些特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，需要這三層金屬層，各自獨(dú)立互聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)需要的器件構(gòu)型，為此，提出一種實(shí)現(xiàn)上述需求的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝解決上述出現(xiàn)的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在解決背景技術(shù)中提出的問(wèn)題，本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的目的在于提出基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，可在雙層壓電層的芯片上，實(shí)現(xiàn)三層金屬層兩兩獨(dú)立互聯(lián)，豐富器件構(gòu)型，擴(kuò)大芯片的應(yīng)用范圍。

2、基于上述目的，本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供了一種基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，包括以下步驟：準(zhǔn)備襯底，襯底具有相對(duì)的正面及背面，在襯底的正面依次間隔生長(zhǎng)金屬層和壓電層；刻蝕最上層金屬層，使最上層金屬層圖形化；刻蝕最上層壓電層，使最上層壓電層圖形化；在中間金屬層和最上層金屬層的表面生長(zhǎng)第一隔離層；刻蝕第一隔離層，使第一隔離層圖形化；刻蝕中間金屬層，使中間金屬層圖形化；刻蝕最下層壓電層，使最下層壓電層圖形化；刻蝕最下層金屬層，使最下層金屬層圖形化；在襯底的表面和最下層金屬層的表面生長(zhǎng)第二隔離層；刻蝕第二隔離層，使第二隔離層圖形化，刻蝕第一隔離層，使需要電連互通的金屬層裸露；在金屬層的表面生長(zhǎng)金屬連接層，刻蝕金屬連接層，使金屬連接層圖形化，并通過(guò)隔離層隔離，使金屬層兩兩互通，且電路獨(dú)立互不關(guān)聯(lián)。

3、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，所述隔離層包括氮化硅、氧化硅或氧化鋁中的一種或幾種組合。

4、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，所述襯底為硅襯底。

5、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，所述襯底為soi襯底。

6、下面根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例及附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的有益效果。

技術(shù)特征：

1.一種基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，其特征在于，所述隔離層(7，8)包括氮化硅、氧化硅或氧化鋁中的一種或幾種組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，其特征在于，所述襯底(1)為硅襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙層壓電層的mems芯片制備工藝，其特征在于，所述襯底(1)為soi襯底。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及基于雙層壓電層的MEMS芯片制備工藝，包括以下步驟：準(zhǔn)備襯底，依次間隔生長(zhǎng)金屬層和壓電層；刻蝕最上層金屬層和最上層壓電層；在中間金屬層和最上層金屬層的表面生長(zhǎng)第一隔離層；刻蝕第一隔離層；刻蝕中間金屬層、最下層壓電層和最下層金屬層；在襯底的表面和最下層金屬層的表面生長(zhǎng)第二隔離層；刻蝕第二隔離層；刻蝕第一隔離層，使需要電連互通的金屬層裸露；在金屬層的表面生長(zhǎng)金屬連接層，刻蝕金屬連接層，使金屬連接層圖形化，并通過(guò)隔離層隔離，使金屬層兩兩互通，且電路獨(dú)立互不關(guān)聯(lián)。本發(fā)明可在雙層壓電層的芯片上，實(shí)現(xiàn)三層金屬層兩兩獨(dú)立互聯(lián)，豐富器件構(gòu)型，擴(kuò)大芯片的應(yīng)用范圍。

技術(shù)研發(fā)人員：顧曉梅,詹同舟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥領(lǐng)航微系統(tǒng)集成有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23