本申請涉及晶圓加工，尤其涉及一種晶圓腔體制備方法及晶圓。

背景技術(shù)：

1、目前，微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件的芯片生產(chǎn)工藝中需要用到各種腔體結(jié)構(gòu)。例如腔體濾波器為采用諧振腔體結(jié)構(gòu)的微波濾波器，腔體能夠等效成電感并聯(lián)電容，從而形成一個諧振級，實現(xiàn)微波鋁箔功能。

2、空腔的制作需要一個臨時填充材料，支撐上層覆蓋材料不坍塌，之后采用濕法刻蝕溶液將臨時填充材料去除干凈，然后進行干燥工藝，形成空腔結(jié)構(gòu)。

3、然而，空腔的干燥過程中，空腔中具有氣體和液體，氣體易于揮發(fā)至環(huán)境，而空腔中的液體去除緩慢，容易造成空腔結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變，甚至導致器件的破損。

4、綜上，空腔干燥過程中，晶圓容易受作用力而產(chǎn)生變形或損壞是亟需解決的問題

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供的一種晶圓腔體制備方法及晶圓，能夠避免腔體干燥過程中晶圓的變形或損壞。

2、本申請實施例的第一方面，提供一種晶圓腔體制備方法，包括：

3、利用腐蝕液去除犧牲層，以在晶圓上形成腔體；

4、利用去離子水和異丙醇清洗腔體，以去除腔體中的腐蝕液；

5、將晶圓置入干燥裝置，干燥裝置用于向腔體中注入呈液態(tài)的超臨界流體；

6、將超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)；

7、控制干燥裝置停止加熱和釋放壓力，以使超臨界流體至少以氣態(tài)的形式逸出至腔體外。

8、在一些實施方式中，利用去離子水和異丙醇清洗腔體，包括：

9、利用去離子水清洗腔體，腔體中包括混合液，混合液包括殘留的腐蝕液和去離子水；

10、將異丙醇注入至腔體中，以浸泡腔體；

11、其中，異丙醇用于與混合液中的水分子結(jié)合。

12、在一些實施方式中，注入異丙醇至腔體的次數(shù)為至少兩次。

13、在一些實施方式中，將異丙醇注入至腔體中，以浸泡腔體，包括：

14、對腔體進行第一次通入異丙醇，腔體的第一次浸泡時間為第一時間；

15、對腔體進行第二次通入異丙醇，腔體的第二次浸泡時間為第二時間。

16、在一些實施方式中，第一時間和第二時間的范圍均為5-10min。

17、在一些實施方式中，注入去離子水至腔體的次數(shù)為至少兩次；

18、其中，去離子水的單次注入時間范圍為5-10min。

19、在一些實施方式中，腐蝕液包括氫氟酸；和/或

20、超臨界流體包括液態(tài)二氧化碳。

21、在一些實施方式中，將超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)，包括：

22、控制干燥裝置將超臨界流體的溫度加熱至所述超臨界流體對應的超臨界溫度和超臨界壓力。

23、在一些實施方式中，腔體的深度小于或等于1μm；和/或

24、干燥裝置為超臨界干燥機；和/或

25、犧牲層的材料包括二氧化硅。

26、本申請實施例的第二方面，提供一種晶圓，是應用上述任一的晶圓腔體制備方法制備得到的。

27、本申請的有益效果為：

28、超臨界流體使得腔體中不存在表面張力，從而腔體對應的壁面不會受表面張力的作用而產(chǎn)生形變，也即不會損傷器件。待腔體中的流體排盡后，即完成了晶圓腔體的干燥工藝。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓腔體制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述利用去離子水和異丙醇清洗所述腔體，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，注入異丙醇至所述腔體的次數(shù)為至少兩次。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述將異丙醇注入至所述腔體中，以浸泡腔體，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述第一時間和所述第二時間的范圍均為5-10min。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，注入去離子水至所述腔體的次數(shù)為至少兩次；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述將所述超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述腔體的深度小于或等于1μm；和/或

10.一種晶圓，其特征在于，應用如權(quán)利要求1至9中任一項所述的晶圓腔體制備方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種晶圓腔體制備方法及晶圓，涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免腔體干燥過程中晶圓的變形或損壞。本申請的晶圓腔體制備方法包括利用腐蝕液去除犧牲層，以在晶圓上形成腔體；利用去離子水和異丙醇清洗所述腔體，以去除所述腔體中的所述腐蝕液；將所述晶圓置入干燥裝置，所述干燥裝置用于向所述腔體中注入呈液態(tài)的超臨界流體；將所述超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)；控制所述干燥裝置停止加熱和釋放壓力，以使所述超臨界流體至少以氣態(tài)的形式逸出至所述腔體外。本申請的晶圓是通過晶圓腔體制備方法制備的。

技術(shù)研發(fā)人員：卜德沖,范坤,郭大飛,秦若涵,張興龍,耿峰磊
受保護的技術(shù)使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23