中，可以根據(jù)在圖1-8中介紹和討論的實(shí)施例來說明該方法。在備選示例實(shí)施例中，可以用多種其他順序來執(zhí)行這些框圖。方法開始于塊902，在損壞密封之前測(cè)量MEMS器件內(nèi)的內(nèi)部環(huán)境的參數(shù)。接下來，在塊904中，用校準(zhǔn)解封能量來損壞密封。然后，在塊906中，當(dāng)密封損壞時(shí)，形成耦合內(nèi)部環(huán)境與外部環(huán)境的通路。在塊908中，在密封損壞之后測(cè)量?jī)?nèi)部環(huán)境的參數(shù)。以及，然后在塊910中，基于測(cè)量來校準(zhǔn)MEMS器件。
[0056]還可以用一個(gè)或更多個(gè)下述塊來增強(qiáng)該方法，下述塊以非特定順序示出。在塊912中，測(cè)量以下參數(shù)組成的組中的至少一個(gè)參數(shù):空腔壓力、諧振頻率和電容。在塊914中，在對(duì)MEMS器件進(jìn)行晶圓處理之后進(jìn)行測(cè)量。在塊916中，在對(duì)MEMS器件進(jìn)行晶圓切割之后進(jìn)行測(cè)量。在塊918中，在對(duì)MEMS器件進(jìn)行封裝之后進(jìn)行測(cè)量。
[0057]除非明確陳述了特定順序，否則可以用任意順序執(zhí)行包括以上附圖中的流程的框。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到盡管現(xiàn)在僅討論了一個(gè)示例實(shí)施例，說明書中的材料可以用各種方式組合，以得到其他示例。將在由這【具體實(shí)施方式】部分和其他部分所提供的上下文內(nèi)理解接下來討論的方法。
[0058]在一些示例實(shí)施例中，上述方法步驟被實(shí)現(xiàn)為功能和軟件指令，該功能和軟件指令體現(xiàn)為為一組可執(zhí)行的指令，所述可執(zhí)行的指令在計(jì)算機(jī)或機(jī)器上執(zhí)行，計(jì)算機(jī)或機(jī)器由所述可執(zhí)行指令編程和控制。加載這些指令，以供在處理器(例如一個(gè)或更多個(gè)CPU)上執(zhí)行。處理器包括微處理器、微控制器、處理器模塊或子系統(tǒng)(包括一個(gè)或更多個(gè)微處理器或微控制器)或其他控制或計(jì)算設(shè)備。處理器可以指單個(gè)組件或多個(gè)組件。
[0059]在其他示例中，這里所示的方法和與其相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)和指令在相應(yīng)存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)，相應(yīng)存儲(chǔ)設(shè)備被實(shí)現(xiàn)為一個(gè)或更多個(gè)非瞬時(shí)機(jī)器可讀或計(jì)算機(jī)可讀或計(jì)算機(jī)可使用的存儲(chǔ)媒體或介質(zhì)。這種計(jì)算機(jī)可讀或計(jì)算機(jī)可使用的存儲(chǔ)介質(zhì)或媒體被認(rèn)為是產(chǎn)品(或制造產(chǎn)品)的一部分。產(chǎn)品或制造產(chǎn)品可以指任意制造的單個(gè)組件或多個(gè)組件。如這里定義的，非瞬時(shí)機(jī)器可讀或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或媒體排除了信號(hào)，但是這種媒體或介質(zhì)可以能夠接收和處理來自信號(hào)和/或其他瞬時(shí)介質(zhì)的信息。存儲(chǔ)媒體包括不同形式的存儲(chǔ)器，包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，例如DRAM或SRAM、可擦除和可編程的只讀存儲(chǔ)器(EPR0M)、電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M)和閃存，磁盤(例如固定的、軟盤和可移除光盤)、包括磁帶在內(nèi)的其他磁性介質(zhì)，以及光學(xué)介質(zhì)(例如壓縮光盤(CD)或數(shù)字多功能光盤)。
[0060]在本說明書中，已經(jīng)按照所選的細(xì)節(jié)集合介紹了示例實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以實(shí)施包括這些細(xì)節(jié)的不同的選定集合的許多其它示例實(shí)施例。意圖在于，所附權(quán)利要求書覆蓋所有可能的示例實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS器件，包括: 具有內(nèi)部環(huán)境的空腔； 密封，所述密封將所述內(nèi)部環(huán)境與所述MEMS器件外的外部環(huán)境相隔離，其中所述密封易于響應(yīng)于校準(zhǔn)解封能量而被損壞，并且，在所述密封損壞時(shí)，形成耦合所述內(nèi)部環(huán)境與所述外部環(huán)境的通路；以及， 校準(zhǔn)電路，所述校準(zhǔn)電路能夠在所述密封損壞之前以及在所述密封損壞之后測(cè)量所述內(nèi)部環(huán)境。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括: 氣密密封的第二器件；以及 其中所述校準(zhǔn)電路能夠響應(yīng)于在所述密封損壞之前和在所述密封損壞之后測(cè)量所述內(nèi)部環(huán)境而生成用于所述第二器件的校準(zhǔn)值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS器件， 其中所述第二器件是壓力傳感器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述MEMS器件被嵌入在封裝中；以及 其中當(dāng)在所述封裝內(nèi)時(shí)，所述密封易于響應(yīng)于所述校準(zhǔn)解封能量而被損壞。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述解封能量是以下各項(xiàng)組成的組中的至少一個(gè):熱源和穿刺器。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS器件， 其中所述熱源是以下各項(xiàng)組成的組中的至少一個(gè):電流和激光。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封是熔絲；以及 其中所述熔絲能夠響應(yīng)于電流而損壞所述密封。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封易于受到的損壞包括以下各項(xiàng)組成的組中的至少一項(xiàng):破裂、裂口、斷裂、壓裂、龜裂、剝離、壓人、穿刺、鉆孔、蒸發(fā)、燒蝕和熔化。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括熱隔離區(qū)域，所述熱隔離區(qū)域降低損壞所述密封所需的解封能量的功率。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件， 其中所述密封包括具有每單位面積的功率耗散的區(qū)域，其降低損壞所述密封所需的解封能量的功率。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括導(dǎo)線和隔離溝。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括具有彎曲形狀的導(dǎo)線。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 還包括將所述空腔耦合到所述密封的通道； 其中所述通道具有的寬度比空腔的寬度小一個(gè)數(shù)量級(jí)。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 還包括將所述空腔的拐角耦合到所述密封的通道。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件， 還包括將所述空腔耦合到所述密封的通道； 其中所述通道包括主通道和以下各項(xiàng)組成的組中的至少一個(gè):閉塞的側(cè)通道和尖角。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中， 所述MEMS器件是壓力傳感器； 所述空腔被膜覆蓋；以及 所述密封是由與膜相同的材料形成的。17.一種校準(zhǔn)MEMS器件的方法，所述MEMS器件具有將所述MEMS器件內(nèi)的內(nèi)部環(huán)境與所述MEMS器件外的外部環(huán)境相隔離的密封，所述方法包括: 在所述密封損壞之前測(cè)量所述MEMS器件內(nèi)的內(nèi)部環(huán)境的參數(shù)； 用校準(zhǔn)解封能量損壞所述密封； 其中，當(dāng)所述密封損壞時(shí)，形成耦合所述內(nèi)部環(huán)境與所述外部環(huán)境的通路； 在所述密封損壞之后測(cè)量所述內(nèi)部環(huán)境的參數(shù)；以及 基于所述測(cè)量來校準(zhǔn)所述MEMS器件。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法， 其中，所述MEMS器件包括氣密密封的第一器件和校準(zhǔn)器件；以及所述方法還包括:響應(yīng)于在第二器件上的密封損壞之前和在第二器件上的密封損壞之后測(cè)量所述第二器件的內(nèi)部環(huán)境，來校準(zhǔn)所述第一器件。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量包括: 測(cè)量以下參數(shù)組成的組中的至少一個(gè)參數(shù):空腔壓力、諧振頻率、品質(zhì)因子、電容、電容-電壓響應(yīng)、電容壓力響應(yīng)和電容溫度響應(yīng)。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量包括: 在對(duì)所述MEMS器件進(jìn)行晶圓處理之后進(jìn)行測(cè)量。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量包括: 在對(duì)所述MEMS器件進(jìn)行晶圓切割之后進(jìn)行測(cè)量。22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量包括: 在對(duì)所述MEMS器件進(jìn)行封裝之后進(jìn)行測(cè)量。23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量包括: 在將所述MEMS器件最終組裝在最終應(yīng)用中的印刷電路板上之后進(jìn)行測(cè)量。
【專利摘要】一個(gè)示例公開了一種MEMS器件，所述MEMS器件包括：具有內(nèi)部環(huán)境的空腔；將所述內(nèi)部環(huán)境與所述MEMS器件外的外部環(huán)境相隔離的密封，其中所述密封易于響應(yīng)于校準(zhǔn)解封能量而被損壞，并且，在所述密封損壞時(shí)，形成耦合所述內(nèi)部環(huán)境與所述外部環(huán)境的通路；以及，能夠在所述密封損壞之前和在所述密封損壞之后測(cè)量所述內(nèi)部環(huán)境的校準(zhǔn)電路。
【IPC分類】B81C99/00, B81B7/00
【公開號(hào)】CN105293422
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510317079
【發(fā)明人】馬特吉·戈森斯, 威廉·弗雷德里克·亞德里亞內(nèi)斯·貝什林, 皮特·杰勒德·斯蒂內(nèi)肯, 卡斯珀·范德阿奧斯特, 雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮內(nèi)伯格
【申請(qǐng)人】ams國際有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年6月10日
【公告號(hào)】EP2955151A1, US20150362395, WO2015189288A1