一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法。所述方法包括：在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，所述第一空腔上方形成第一懸空薄膜，所述第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，所述懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜；在所述第一懸空薄膜上形成與所述第一懸空薄膜電連接的第一電極，在所述懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上形成與之電連接的第二電極，以及在襯底上方形成與所述襯底電連接的襯底電極。本發(fā)明還提供了電容式復(fù)合傳感器，實(shí)現(xiàn)了工藝流程簡單且可以避免粘附現(xiàn)象的效果，實(shí)現(xiàn)了電容式復(fù)合傳感器可以具有晶圓級自檢測功能。
【專利說明】
一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前生產(chǎn)電容式復(fù)合傳感器通常采用帶有犧牲層的表面微機(jī)械加工工藝。表面微機(jī)械加工工藝含有犧牲層，需要使用濕法腐蝕技術(shù)去除犧牲層以釋放可動(dòng)結(jié)構(gòu)，由于電容式傳感器本身設(shè)計(jì)要求，犧牲層通常很薄，導(dǎo)致濕法腐蝕的時(shí)候容易發(fā)生粘附現(xiàn)象，致使器件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法，實(shí)現(xiàn)了制備工藝流程簡單且可以避免粘附現(xiàn)象的效果。此外，實(shí)現(xiàn)的電容式復(fù)合傳感器可以具有晶圓級自檢測功能。
[0004]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法，包括:
[0005]在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接，襯底與第二懸空薄膜間或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接;進(jìn)行電隔離處理，在第一懸空薄膜表面、懸空薄膜區(qū)域表面以及襯底表面形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化；
[0006]形成掩膜層，其中，掩膜層將第一凹槽密封；
[0007]圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上以及襯底上形成第二凹槽；
[0008]形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽；
[0009]在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽；
[0010]沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上放以及襯底上的第三凹槽；
[0011]形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽；
[0012]圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0013]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電容式復(fù)合傳感器，該電容式復(fù)合傳感器采用本發(fā)明任一實(shí)施例電容式復(fù)合傳感器制造方法制造而成。
[0014]本發(fā)明提供的技術(shù)方案，通過在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接，襯底與第二懸空薄膜間或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接;進(jìn)行電隔離處理，形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化;形成掩膜層，將掩膜層將第一凹槽密封；圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上方以及襯底上方形成第二凹槽;形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽;在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽;沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上方放以及襯底上方的第三凹槽;形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽；圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。解決了現(xiàn)有技術(shù)中用犧牲層技術(shù)得到的電容式傳感器工作流程比較復(fù)雜，且使用該技術(shù)容易發(fā)生粘附現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)了制備工藝流程簡單且可以避免粘附現(xiàn)象的效果，實(shí)現(xiàn)的電容式復(fù)合傳感器可以具有晶圓級自檢測功能。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖；
[0016]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SllO對應(yīng)的俯視圖；
[0017]圖2b為沿圖2a中A1A2方向的剖面圖；
[0018]圖2c為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SI20對應(yīng)的俯視圖；
[0019]圖2d為沿圖2c中A1A2方向的剖面圖；
[0020]圖2e為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SI30對應(yīng)的剖面圖；
[0021 ]圖2f為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S140對應(yīng)的俯視圖；
[0022]圖2g為沿圖2f中A1A3方向的剖面圖；
[0023]圖2h為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S150對應(yīng)的剖面圖；
[0024]圖2i為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S160對應(yīng)的剖面圖；
[0025]圖2j為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S170對應(yīng)的剖面圖；
[0026]圖2k為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S180對應(yīng)的俯視圖；
[0027]圖21為沿圖2k中A1A3方向的剖面圖；
[0028]圖2m為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S180加保護(hù)層對應(yīng)的俯視圖；
[0029]圖2n為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S190對應(yīng)的俯視圖；
[0030]圖2o為沿圖2n中A1A3方向的剖面圖，參見圖2n和圖2ο;
[0031 ]圖2ρ為本發(fā)明實(shí)施例一形成保護(hù)蓋后的剖面圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖；
[0033]圖4a為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S210第二圖形為圓形對應(yīng)的俯視圖；
[0034]圖4b為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S220對應(yīng)的剖面圖；
[0035]圖4c為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S230對應(yīng)的剖面圖；
[0036]圖4d為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S240對應(yīng)的俯視圖；
[0037]圖4e為沿圖4d中A1A2方向的剖面圖；
[0038]圖4f為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4g為本發(fā)明實(shí)施例二提供的又一種第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖；
[0041 ]圖6a為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S310對應(yīng)的俯視圖；
[0042]圖6b為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S320對應(yīng)的剖面圖；
[0043]圖6c為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S330對應(yīng)的俯視圖；
[0044]圖6d為沿圖6c中A1A2方向的剖面圖；
[0045]如圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供一種電容式復(fù)合傳感器；
[0046]如圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種電容式復(fù)合傳感器。
【具體實(shí)施方式】
[0047]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0048]實(shí)施例一
[0049]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖，圖2a為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SllO中懸空薄膜區(qū)域包含三個(gè)第二懸空薄膜對應(yīng)的俯視圖，圖2b為沿圖2a中A1A2方向的剖面圖，參見圖2a和圖2b。
[0050]S110、在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接。
[0051]具體的，襯底10中形成獨(dú)立的第一空腔11和第二空腔12，在第一空腔11上方形成第一懸空薄膜13，在第二空腔12上方形成懸空薄膜區(qū)域14，其中，懸空薄膜區(qū)域14內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，可以是一個(gè)第二懸空薄膜也可以是兩個(gè)或者三個(gè)第二懸空薄膜。示例性的懸空薄膜區(qū)域14內(nèi)包括三個(gè)第二懸空薄膜，即第二懸空薄膜15、第二懸空薄膜16和第二懸空薄膜17，襯底10與第一懸空薄膜13間形成第一凹槽18且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)19連接，第二懸空薄膜15、第二懸空薄膜16、第二懸空薄膜17之間以及與襯底10之間形成第一凹槽18且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)19連接。其中襯底10優(yōu)選為硅晶圓襯底，硅晶圓襯底的晶向可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要具體區(qū)別選擇，例如使用〈100>晶向的硅晶圓襯底。
[0052]圖2c為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S120對應(yīng)的俯視圖；圖2d為沿圖2c中A1A2方向的剖面圖；參見圖2c和圖2d。
[0053]S120、進(jìn)行電隔離處理，在第一懸空薄膜表面、懸空薄膜區(qū)域表面以及襯底表面形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化。
[0054]對步驟SllO形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行電隔離處理，具體的可以是將上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱氧化處理，在第一懸空薄膜13表面、懸空薄膜區(qū)域14表面即第二懸空薄膜15表面、第二懸空薄膜16表面和第二懸空薄膜17表面以及襯底10表面形成表面電隔離層120，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)19完全絕緣化。
[0055]圖2e為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SI30對應(yīng)的剖面圖，參見圖2e。
[0056]S130、形成掩膜層，其中，掩膜層將第一凹槽密封。
[0057]掩膜層121將第一凹槽18密封。掩膜層121例如可以是外延生長的多晶硅，掩膜層121覆蓋了整個(gè)襯底10上方，這一步驟可以將第一凹槽18以及熱氧化后表面可能存在的針孔結(jié)構(gòu)密封，防止后續(xù)步驟有液體流入第一空腔11和第二空腔12中。
[0058]圖2f為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S140對應(yīng)的俯視圖；圖2g為沿圖2f中A1A3方向的剖面圖；
[0059]S140、圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上方以及襯底上方形成第二凹槽。
[0060]具體的，光刻圖形，去除第一懸空薄膜13表面、第二懸空薄膜15表面、第二懸空薄膜16表面、第二懸空薄膜17表面上方以及襯底10上方的部分掩膜層121和部分表面電隔離層120，形成第二凹槽122，露出部分第一懸空薄膜13、第二懸空薄膜15、第二懸空薄膜16、第二懸空薄膜17以及部分襯底10。
[0061 ]圖2h為本發(fā)明實(shí)施例一步驟SI50對應(yīng)的剖面圖，參見圖2h。
[0062]S150、形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽。
[0063]導(dǎo)電層123填充并覆蓋第二凹槽122?？蛇x的導(dǎo)電層123可以采用外延生長的摻雜多晶硅材料。
[0064]圖2i為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S160對應(yīng)的剖面圖，參見圖2i。
[0065]S160、在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽。
[0066]刻蝕導(dǎo)電層123和掩膜層121，露出部分表面電隔離層120，形成電隔離溝槽124。
[0067]圖2j為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S170對應(yīng)的剖面圖，參見圖2j。
[0068]S170、沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方的第三凹槽。
[0069]沉積絕緣層125后，在電隔離溝槽124區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層125，露出部分導(dǎo)電層123，形成位于第一懸空薄膜13、第二懸空薄膜15、第二懸空薄膜16、第二懸空薄膜17上方以及襯底10上方第三凹槽126。絕緣層125可以是利用低壓化學(xué)氣相淀積的氧化硅材料。
[0070]圖2k為本發(fā)明實(shí)施例一步驟S180對應(yīng)的俯視圖；圖21為沿圖2k中A1A3方向的剖面圖。
[0071]S180、形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽。
[0072]具體的，分別用第一電極127、第二電極128、第二電極129、第二電極130以及襯底電極131填充覆蓋第一懸空薄膜13上方、第二懸空薄膜15上方、第二懸空薄膜16上方、第二懸空薄膜17上方以及襯底10上方對應(yīng)的第三凹槽126。
[0073]此外，可選的，形成第一電極127、第二電極128、第二電極129、第二電極130以及襯底電極131后，還可以進(jìn)行退火處理，實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，降低接觸電阻。
[0074]優(yōu)選的，還可以在形成第一電極127、第二電極128、第二電極129、第二電極130以及襯底電極131之后，形成保護(hù)層132。圖2m為本發(fā)明實(shí)施例一沉積保護(hù)層后的剖面圖，參見圖2m，沉積圖形化保護(hù)層132，第一電極127、第二電極128、第二電極129、第二電極130以及襯底電極131上方的保護(hù)層132均顯露出部分電極，以實(shí)現(xiàn)封裝時(shí)的電連接。
[0075]圖2η為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S190對應(yīng)的俯視圖，圖2ο為沿圖2η中A1A3方向的剖面圖，參見圖2η和圖2ο。
[0076]S190、圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0077]圖形化刻蝕絕緣層125、導(dǎo)電層123、掩膜層121、電隔離層120、第二懸空薄膜15、第二懸空薄膜16和第二懸空薄膜17，(若有電極保護(hù)層132則也刻蝕電極保護(hù)層132)，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)，其中，三個(gè)第二懸空薄膜會(huì)形成扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)133并通過扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)133與襯底10連接，且第二懸空薄膜15和第二懸空薄膜16沿扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)133對稱。
[0078]需要說明的是，上述的方法步驟同樣也適用于懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括一個(gè)或者兩個(gè)第二懸空薄膜的情況。
[0079]本發(fā)明實(shí)施例通過在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，所述第一空腔上方形成第一懸空薄膜，所述第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，所述懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜;在所述第一懸空薄膜上形成與所述第一懸空薄膜電連接的第一電極，在所述懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上形成與之電連接的第二電極，以及在襯底上方形成與所述襯底電連接的襯底電極。解決了現(xiàn)有技術(shù)中用犧牲層技術(shù)得到的電容式傳感器工作流程比較復(fù)雜，且使用該技術(shù)容易發(fā)生粘附現(xiàn)象的問題，實(shí)現(xiàn)了工藝流程簡單且可以避免粘附現(xiàn)象的效果;實(shí)現(xiàn)的電容式復(fù)合傳感器可以具有晶圓級自檢測功能。
[0080]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選的，在圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)之后，還包括:
[0081 ]在所述第二電極128、第二電極129、第二電極130上方形成保護(hù)蓋134。圖2ρ為本發(fā)明實(shí)施例一形成保護(hù)蓋后的剖面圖，參見圖2ρ，保護(hù)蓋134用于保護(hù)電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)，保護(hù)蓋可以通過鍵合方式實(shí)現(xiàn)與復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)的固連。
[0082]實(shí)施例二
[0083]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖。圖4a為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S210第二圖形為圓形對應(yīng)的俯視圖，參見圖4a。
[0084]S210、在襯底上形成第一圖樣和第二圖樣，第一圖樣和第二圖樣包括多個(gè)第一圖形。
[0085]具體的，在襯底20上形成第一圖樣21、第二圖樣22，第一圖樣21和第二圖樣22包括多個(gè)第一圖形213。第一圖形213可以為圓形或多邊形(本實(shí)施例示例性的設(shè)置第一圖形213為圓形)。
[0086]圖4b為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S220對應(yīng)的剖面圖，參見圖4b。
[0087]S220、刻蝕第一圖形形成多個(gè)第四凹槽。
[0088]刻蝕第一圖樣21和第二圖樣22的多個(gè)第一圖形213形成多個(gè)第四凹槽23，其中，第四凹槽23的槽深均為h。
[0089]圖4c為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S230對應(yīng)的剖面圖，參見圖4c。
[0090]S230、進(jìn)行無氧退火處理，使第四凹槽閉合，形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域。
[0091]具體的，在高溫(例如1000°C-1300°C)無氧(例如氫氣或氬氣)環(huán)境下退火(5-60mins)，無氧退火的溫度和時(shí)間可具體根據(jù)上述第一圖形213的孔徑(圓形)和相鄰第一圖形213間距具體設(shè)置。由于高溫下表面原子迀移的物理現(xiàn)象，第四凹槽23閉合，形成獨(dú)立的第一空腔24和第二空腔25，第一空腔24上方形成第一懸空薄膜26，第二空腔25上方形成懸空薄膜區(qū)域27。
[0092]圖4d為本發(fā)明實(shí)施例二步驟S240對應(yīng)的俯視圖，圖4e為沿圖4d中A1A2方向的剖面圖，參見圖4d和4e。
[0093]S240、圖形化刻蝕第一懸空薄膜和懸空薄膜區(qū)域形成多個(gè)第一凹槽，其中，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接。
[0094]在第一懸空薄膜26和懸空薄膜區(qū)域27形成多個(gè)第一凹槽28，其中，懸空薄膜區(qū)域27內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，示例性的懸空薄膜區(qū)域27內(nèi)包括三第二懸空薄膜，即第二懸空薄膜29、第二懸空薄膜210、第二懸空薄膜211當(dāng)然也可以是一個(gè)或者兩個(gè)第二懸空薄膜。第一懸空薄膜26與襯底20間形成第一凹槽28且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212連接，第二懸空薄膜29、第二懸空薄膜210、第二懸空薄膜211之間以及與襯底20形成第一凹槽28且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212連接。
[0095]進(jìn)一步，可選的，第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212為柱體、蛇形梁結(jié)構(gòu)或應(yīng)力釋放梁結(jié)構(gòu)中的任意一種。圖4d和圖4e示意性的設(shè)置第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212為柱體。圖4f為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4f中第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212為蛇形梁結(jié)構(gòu)，第一懸空薄膜26與襯底20通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212連接，第二懸空薄膜29、第二懸空薄膜210、第二懸空薄膜211之間以及與襯底20通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212連接。圖4g為本發(fā)明實(shí)施例二提供的又一種第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4g中第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212為應(yīng)力釋放梁結(jié)構(gòu)。
[0096]需要說明的是，第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212的數(shù)量根據(jù)具體設(shè)計(jì)確定，設(shè)計(jì)原則是經(jīng)過刻蝕后，第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)212有足夠的剛度防止刻蝕或者后續(xù)工藝引起第一懸空薄膜26與襯底20發(fā)生粘附以及第二懸空薄膜29、第二懸空薄膜210、第二懸空薄膜211與襯底20發(fā)生粘附。
[0097]S250、進(jìn)行電隔離處理，在第一懸空薄膜表面、懸空薄膜區(qū)域表面以及襯底表面形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化。
[0098]S260、形成掩膜層，其中，掩膜層將第一凹槽密封；
[0099]S270、圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上方以及襯底上方形成第二凹槽；
[0100]S280、形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽；
[0101]S290、在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽；
[0102]S2100、沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方的第三凹槽；
[0103]S2110、形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽；
[0104]S2120圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0105]需要說明的是，步驟S250-S2120與上述實(shí)施例一S120-S190的過程類似，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。
[0106]本發(fā)明實(shí)施例通過刻蝕多個(gè)第一圖形，然后進(jìn)行無氧退火以及電隔離處理在襯底中形成第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域通過沉積后續(xù)各膜層以及圖形化刻蝕形成電容式復(fù)合傳感器，本實(shí)施例方法實(shí)現(xiàn)了工藝流程簡單且可以避免粘附現(xiàn)象的效果。實(shí)現(xiàn)的電容式復(fù)合傳感器可以具有晶圓級自檢測功能。
[0107]同樣的在圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)之后，可選的，形成保護(hù)蓋，該保護(hù)蓋用以保護(hù)電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0108]實(shí)施例三
[0109]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種電容式復(fù)合傳感器的制造方法的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例為上述實(shí)施例一基礎(chǔ)上的進(jìn)一步優(yōu)化。
[0110]圖6a為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S310對應(yīng)的俯視圖，參見圖6a。
[0111]S310、在襯底上形成第三圖樣、至少一個(gè)第四圖樣，在第三圖樣和第四圖樣邊緣包括多個(gè)第二圖形，第二圖形內(nèi)部包括多個(gè)第三圖形，第二圖形尺寸大于第三圖形尺寸。
[0112]在襯底30上圖形化形成第三圖樣31、至少一個(gè)第四圖樣32，該第四圖樣32可以為一個(gè)，也可以為兩個(gè)或者三個(gè)。圖6a示例性給出襯底30上圖形化形成三個(gè)第四圖樣32。在第三圖樣31和第四圖樣32邊緣包括多個(gè)第二圖形311，第二圖形內(nèi)部包括多個(gè)第三圖形312，第二圖形311尺寸大于第三圖形312尺寸。圖6a示例性的設(shè)置第三圖樣31和第四圖樣32為矩形，也可以為圓形或者其他形狀，具體的取決于想要得到的懸空薄膜的形狀，第二圖形311和第三圖形312為圓形，而并非對本發(fā)明實(shí)施例的限定，在其他實(shí)施方式中，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用。第二圖形311和第三圖形312還可以是多邊形等其他形狀，只要保證第二圖形311的尺寸大于所以第三圖形312的尺寸即可。
[0113]圖6b為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S320對應(yīng)的剖面圖，參見圖6b。
[0114]S320、刻蝕第二圖形和第三圖形分別形成第五凹槽和第六凹槽。
[0115]具體的，第五凹糟33和第六凹槽34的槽深均為h。
[0116]圖6c為本發(fā)明實(shí)施例三步驟S330對應(yīng)的俯視圖，圖6d為沿圖6c中A1A2方向的剖面圖，參見圖6c和圖6d。
[0117]S330、進(jìn)行無氧退火處理，使第六凹槽閉合，形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，第五凹槽收縮形成第一凹槽，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或者每個(gè)第二懸空薄膜之間通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接。
[0118]具體的，在高溫?zé)o氧環(huán)境下退火，由于高溫下表面原子迀移的物理現(xiàn)象，第六凹槽34閉合，形成獨(dú)立的第一空腔35和第二空腔36，第一空腔35上方形成第一懸空薄膜37，第二空腔上方形成第二懸空薄膜381、第二懸空薄膜382和第二懸空薄膜383。第五凹槽33收縮形成第一凹槽39，襯底30與第一懸空薄膜37通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)310連接，第二懸空薄膜381、第二懸空薄膜382、第二懸空薄膜383之間以及與襯底30之間通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)310連接。
[0119]通過直接高溫退火形成了第一懸空薄膜37和第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)310，第二懸空薄膜381、第二懸空薄膜382、第二懸空薄膜383和第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)310，避免了步驟S240刻蝕或者刻蝕后的后續(xù)工藝可能產(chǎn)生的粘附問題。
[0120]S340、進(jìn)行電隔離處理，在第一懸空薄膜表面、懸空薄膜區(qū)域表面以及襯底表面形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化。
[0121]S350、形成掩膜層，其中，掩膜層將第一凹槽密封；
[0122]S360、圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上方以及襯底上方形成第二凹槽；
[0123]S370、形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽；
[0124]S380、在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽；
[0125]S390、沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方的第三凹槽；
[0126]S3100、形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽；
[0127]S3110圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0128]需要說明的是，步驟S340-S3110與上述實(shí)施例二S250-S2120的過程類似，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。
[0129]可選的，在圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)之后，形成保護(hù)蓋，該保護(hù)蓋用以保護(hù)電容式復(fù)合傳感器的加速度傳感器。
[0130]本制作方法同樣也適用于一個(gè)或者兩個(gè)第二懸空薄膜的情況。
[0131]本發(fā)明實(shí)施例的方法避免了第二實(shí)施例中刻蝕或者刻蝕后的后續(xù)工藝可能產(chǎn)生的粘附的問題。
[0132]實(shí)施例四
[0133]如圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供一種電容式復(fù)合傳感器，該電容式復(fù)合傳感器可由上述任一實(shí)施例的方法制作獲得。
[0134]該電容式復(fù)合傳感器包括:在襯底40中形成獨(dú)立的第一空腔41和第二空腔42，第一空腔41上方形成懸空薄膜43，第二空腔42上方形成懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46。襯底40與懸空薄膜43、襯底40和懸空薄膜44、懸空薄膜45、懸空薄膜46以及懸空薄膜之間形成第一凹槽47且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接;在懸空薄膜43表面、懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46以及襯底40表面形成表面電隔離層48，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化；在表面電隔離層48上形成掩膜層49，圖形化刻蝕掩膜層49和表面電隔離層48，分別在懸空薄膜43、懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46上方以及襯底40上方形成第二凹槽410;在掩膜層49上形成導(dǎo)電層411，填充并覆蓋第二凹槽410;在第二凹槽410周圍刻蝕導(dǎo)電層411和掩膜層49，形成電隔離溝槽412;在導(dǎo)電層411上沉積絕緣層413，并在電隔離溝槽412區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層413，形成分別位于懸空薄膜43、懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46上方以及襯底40上方的第三凹槽414;用電極415、電極416、電極417、電極418以及襯底電極419分別填充覆蓋懸空薄膜43、懸空薄膜44、懸空薄膜45、懸空薄膜46上方以及襯底40上方對應(yīng)的第三凹槽414;在絕緣層413上方形成保護(hù)層420，圖形化刻蝕保護(hù)層420、絕緣層413、導(dǎo)電層411、掩膜層49、電隔離層48和懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)并形成扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)，此外，可以形成保護(hù)蓋421，以保護(hù)電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0135]該電容式復(fù)合傳感器的工作原理:
[0136]襯底40與懸空薄膜43以及襯底40懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46形成的可變電容中，其中襯底40為可變電容的固定電極即襯底電極419，懸空薄膜43、懸空薄膜44、懸空薄膜45和懸空薄膜46及上面的淀積材料形成可變電容的可動(dòng)電極即電極415、電極416、電極417和電極418;其中，電極416和電極417與襯底電極419構(gòu)成加速度傳感器的差分檢測電容，電極418與襯底電極419構(gòu)成晶圓級自檢測功能的加電壓電容，通過給這個(gè)電容加電壓，導(dǎo)致電極416和電極417繞扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)從而引起電極416、電極417分別與襯底電極419形成的檢測電容形成差分輸出，從而實(shí)現(xiàn)晶圓級檢測；電極415與襯底電極419構(gòu)成壓力檢測電容，當(dāng)壓力引起活動(dòng)電極415變形后，會(huì)引起壓力檢測電容變化，從而測試壓力大小。
[0137]該電容式復(fù)合傳感器可以實(shí)現(xiàn)晶圓級檢測。
[0138]如圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種電容式復(fù)合傳感器，該電容式復(fù)合傳感器可由上述任一實(shí)施例的方法制作獲得。
[0139]該電容式復(fù)合傳感器包括:在襯底50中形成獨(dú)立的第一空腔51和第二空腔52，第一空腔51上方形成懸空薄膜53，第二空腔52上方形成懸空薄膜54，襯底50與懸空薄膜53、襯底50與懸空薄膜54間形成第一凹槽55且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接;在懸空薄膜53表面、懸空薄膜54表面以及襯底50表面形成表面電隔離層56，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化;在表面電隔離層56上形成掩膜層57，圖形化刻蝕掩膜層57和表面電隔離層56，分別在懸空薄膜53、懸空薄膜54上方以及襯底50上方形成第二凹槽58;在掩膜層57上形成導(dǎo)電層59，填充并覆蓋第二凹槽58;在第二凹槽58周圍刻蝕導(dǎo)電層59和掩膜層57，形成電隔離溝槽510;在導(dǎo)電層59上沉積絕緣層511，并在電隔離溝槽510區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層511，形成分別位于懸空薄膜53、懸空薄膜54上方以及襯底40上方的第三凹槽512;用電極513、電極514以及襯底電極515分別填充覆蓋懸空薄膜53、懸空薄膜54上方以及襯底50上方對應(yīng)的第三凹槽512;在絕緣層511上方形成保護(hù)層516，圖形化刻蝕保護(hù)層516、絕緣層511、導(dǎo)電層59、掩膜層57、電隔離層56和和懸空薄膜54，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。此外，可以形成保護(hù)蓋517，以保護(hù)電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
[0140]該電容式復(fù)合傳感器的工作原理:
[0141]襯底50與懸空薄膜53和懸空薄膜54形成的可變電容中，其中襯底50為可變電容的固定電極即襯底電極515，懸空薄膜53、懸空薄膜54及上面的淀積材料形成可變電容的可動(dòng)電極即電極513、電極514;其中，電極514與襯底電極515構(gòu)成加速度計(jì)的檢測電容，當(dāng)有加速度輸入時(shí)，由于慣性力導(dǎo)致加速計(jì)可動(dòng)電極變形，引起加速度檢測電容變化，從而實(shí)現(xiàn)加速度的檢測。可動(dòng)電極513與襯底電極515構(gòu)成壓力檢測電容。當(dāng)壓力引起可動(dòng)電極變形，弓丨起壓力檢測電容的變化，從而實(shí)現(xiàn)壓力檢測。
[0142]本發(fā)明實(shí)施例提供的電容式復(fù)合傳感器使用以上任意制作方法制得，并且避免采用傳統(tǒng)犧牲層技術(shù)利用濕法腐蝕釋放器件的表面微機(jī)械加工工藝，可靠性高。
[0143]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電容式復(fù)合傳感器制造方法，其特征在于，包括: 在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜間或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接； 進(jìn)行電隔離處理，在第一懸空薄膜表面、懸空薄膜區(qū)域表面以及襯底表面形成表面電隔離層，并使第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)絕緣化； 形成掩膜層，其中，掩膜層將第一凹槽密封； 圖形化刻蝕掩膜層和表面電隔離層，分別在第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)懸空薄膜上方以及襯底上方形成第二凹槽； 形成導(dǎo)電層，填充并覆蓋第二凹槽； 在第二凹槽周圍刻蝕導(dǎo)電層和掩膜層，形成電隔離溝槽； 沉積絕緣層，并在電隔離溝槽區(qū)域內(nèi)刻蝕絕緣層，形成分別位于第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方的第三凹槽； 形成第一電極、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上的第二電極以及襯底電極，第一電極、第二電極以及襯底電極分別填充覆蓋第一懸空薄膜上方、懸空薄膜區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二懸空薄膜上方以及襯底上方對應(yīng)的第三凹槽； 圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜，用于釋放電容式復(fù)合傳感器的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接，包括: 在襯底上形成第一圖樣、第二圖樣，第一圖樣和第二圖樣包括多個(gè)第一圖形； 刻蝕第一圖形形成多個(gè)第四凹槽； 進(jìn)行無氧退火處理，使第四凹槽閉合，形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域； 圖形化刻蝕第一懸空薄膜和懸空薄膜區(qū)域形成多個(gè)第一凹槽，其中，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或者每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，第一圖形為圓形或多邊形。4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，第一凹槽間隙為柱體、蛇形梁結(jié)構(gòu)或應(yīng)力釋放梁結(jié)構(gòu)中的任意一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，在襯底中形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或每個(gè)第二懸空薄膜之間形成第一凹槽且通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接，包括: 在襯底上形成第三圖樣、至少一個(gè)第四圖樣，在第三圖樣和第四圖樣邊緣包括多個(gè)第二圖形，第二圖形內(nèi)部包括多個(gè)第三圖形，第二圖形尺寸大于第三圖形尺寸； 刻蝕第二圖形和第三圖形分別形成第五凹槽和第六凹槽； 進(jìn)行無氧退火處理，使第六凹槽閉合，形成獨(dú)立的第一空腔和第二空腔，第一空腔上方形成第一懸空薄膜，第二空腔上方形成懸空薄膜區(qū)域，懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)第二懸空薄膜，第五凹槽收縮形成第一凹槽，襯底與第一懸空薄膜、襯底和第二懸空薄膜或者每個(gè)第二懸空薄膜之間通過第一凹槽間隙結(jié)構(gòu)連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征在于，相鄰第二圖形的間距大于相鄰第三圖形的間距。7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征在于，第二圖形為圓形或多邊形；第三圖形為圓形或多邊形。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，包括:懸空薄膜區(qū)域內(nèi)包括三個(gè)第二懸空薄膜，在圖形化刻蝕絕緣層、導(dǎo)電層、掩膜層、電隔離層和第二懸空薄膜之后，三個(gè)第二懸空薄膜會(huì)形成扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)并通過扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)與襯底連接，且其中兩個(gè)第二懸空薄膜沿扭轉(zhuǎn)梁結(jié)構(gòu)對稱。9.一種電容式復(fù)合傳感器，其特征在于，采用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)電容式復(fù)合傳感器制造方法制造而成。
【文檔編號】G01D18/00GK105883713SQ201610031107
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年1月18日
【發(fā)明人】周志健, 朱二輝, 陳磊, 楊力建, 鄺國華
【申請人】上海芯赫科技有限公司