專利名稱：電鍍緞面鎳添加劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電鍍鍛面鎳添加劑。
隨著我國國民經(jīng)濟的發(fā)展，物質(zhì)和文化生活水平不斷提高，人們對電鍍產(chǎn)品外觀的審美觀觀念也在不斷改變。由于全光亮產(chǎn)品產(chǎn)生的強光反射嚴(yán)重影響人的視力，且容易使人產(chǎn)生疲勞感；對于一些特殊的零件，如汽車零件、照相機及某些光學(xué)儀器的零件，不允許采用全光亮鍍層，于是各種弱反光外觀的產(chǎn)品應(yīng)運而生，緞面鎳就是其中一種。
緞面鎳又稱珍珠鎳、沙丁鎳、麻面鎳，外觀為乳白色，具有類似綢緞般低光澤表面，給人以柔和舒適的感覺。其鍍層應(yīng)用范圍很廣，如現(xiàn)代的各種高檔室內(nèi)裝飾，小五金產(chǎn)品、文教用品、餐飲器具、家用電器裝飾、汽車、摩托車、自行車零部件等均采用啞光鍍層。
電鍍緞面鎳一般采用乳化液型鍍鎳工藝，即在瓦特型鍍鎳溶液或高濃度鍍鎳溶液中加入某些非離子型表面活性劑，這些非離子表面活性劑的一個重要性質(zhì)就是在水溶液中具有反常的溶解度，即隨著溫度升高，表面活性劑中的親水基團與水分子結(jié)合力減弱，導(dǎo)致其溶解度降低，當(dāng)超過臨界溫度(濁點)時，溶液由澄清變得渾濁。也就是說，它們在室溫下完全溶解于鍍液中，當(dāng)溫度超過某一臨界溫度時，就會彌散成5-30μm不溶性的小液滴，懸浮于槽液中，電鍍時，當(dāng)鎳在陰極表面沉積時，表面活性劑液滴同時吸附在陰極表面，導(dǎo)致該處電流中斷，乳滴吸附處便沒有鎳沉積，乳滴脫附后就會在原表面留下一個半圓形的凹坑。隨時間的推移，由于表面活性劑在陰極表面反復(fù)吸附與脫附，沉積在陰極表面的鎳鍍層在外觀上就是凹凸不平的，宏觀上看呈現(xiàn)緞狀外觀。用這種方法產(chǎn)生的緞層色澤柔和、抗腐蝕性好。但以往工藝所得緞面鎳，鍍層不夠均勻、鍍層晶粒較大。
本發(fā)明的目的就是針對上述問題提供一種能使鍍層均勻、減小鍍層晶粒尺寸的電鍍緞面鎳添加劑。
本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種電鍍緞面鎳添加劑，由50～300克/每升添加劑的糖精、5～50克/每升添加劑的烯丙基磺酸鈉、5～30克/每升添加劑的苯亞磺酸鈉和5～20克/每升添加劑的炔丙基磺酸鹽類化合物組成，溶劑為水或蒸餾水。
本發(fā)明作為電鍍緞面鎳的添加劑，電鍍時加入鍍液中能使所得鍍層均勻、顯著減小鍍層晶粒尺寸，同時還可降低鍍層的張應(yīng)力和硬度、減小鍍層脆性、增加鍍層的延展性、擴大工藝的電流密度范圍、提高鍍液對雜質(zhì)的容忍性。而且在電鍍過程中免攪拌。
下面給出本發(fā)明的實施例。
實施例一每升添加劑含有50克糖精、50克烯丙基磺酸鈉、30克苯亞磺酸鈉和15克炔丙基磺酸鹽類化合物，其余為水或蒸餾水。
實施例二每升添加劑含有300克糖精、5克烯丙基磺酸鈉、10克苯亞磺酸鈉和20克炔丙基磺酸鹽類化合物，其余為水或蒸餾水。
實施例三每升添加劑含有100克糖精、30克烯丙基磺酸鹽、5克苯亞磺酸鈉和10克炔丙基磺酸鹽類化合物，其余為蒸餾水。
實施例四每升添加劑含有200克糖精、20克烯丙基磺酸鹽、20克苯亞磺酸鈉和5克炔丙基磺酸鹽類化合物，其余為蒸餾水。
按上述實施例分別稱取所需組成物質(zhì)，溶解于蒸餾水中，攪拌溶解、混合均勻，加水或蒸餾水稀釋至一升，攪勻即可。也可按本發(fā)明技術(shù)方案中的比例，任取一組按上述方法制取本發(fā)明所述添加劑。
將本發(fā)明提供的添加劑加入電鍍緞面鎳的鍍液中按常規(guī)方法進行電鍍，即可達到前述效果。
本發(fā)明推薦的鍍液為400～460g/L Ni5O4·7H2O、40～60g/LNiCl2·6H2O、35～45g/L H3BO3，使用時，本發(fā)明推薦的加入量為每升電鍍緞面鎳槽液中加入10～30ml本發(fā)明的添加劑。
本發(fā)明還可與其它添加劑配合使用。
權(quán)利要求
一種電鍍緞面鎳添加劑，由50～300克/每升添加劑的糖精、5～50克/每升添加劑的烯丙基磺酸鈉、5～30克/每升添加劑的苯亞磺酸鈉和5～20克/每升添加劑的炔丙基磺酸鹽類化合物組成，溶劑為水或蒸餾水。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電鍍緞面鎳添加劑,每升添加劑含有50～300克糖精、5～50克烯丙基磺酸鈉、5～30克苯亞磺酸鈉和5～20克炔丙基磺酸鹽類化合物。本發(fā)明能使鍍層均勻,顯著減小鍍層晶粒尺寸,降低鍍層的張應(yīng)力和硬度,減小鍍層脆性,增加鍍層的延展性,擴大工藝的電流密度范圍,提高鍍液對雜質(zhì)的容忍性。
文檔編號C25D3/12GK1327088SQ0110652
公開日2001年12月19日 申請日期2001年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月2日
發(fā)明者李衛(wèi)東, 左正忠, 周運鴻, 梁紅利, 胡進 申請人:武漢大學(xué)