專利名稱：用來(lái)制作壓模的電極材料和薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，本發(fā)明還涉及到用來(lái)制作壓模的電極材料，用作這種電極的材料。
CD和DVD之類的光盤(pán)是用稱為壓模的母盤(pán)大量產(chǎn)生的。圖8示出了常規(guī)的壓模制造方法。首先，如圖8A所示，用甩涂或其它工藝，在玻璃襯底101上制作光抗蝕劑膜102，然后如圖8B所示，用激光束對(duì)光抗蝕劑膜102進(jìn)行曝光，從而形成潛像102a。對(duì)光抗蝕劑膜102進(jìn)行顯影，從而形成圖8C所示的具有溝槽102b的圖形。然后如圖8D所示，用濺射、汽相淀積、或其他方法，在光抗蝕劑膜102和玻璃襯底101的表面上制作鎳薄膜103。接著，如圖8E所示，用鎳薄膜103作為電極，在鎳薄膜103表面上進(jìn)行鎳電鑄，從而形成鎳層104。如圖8F所示，將鎳層104從玻璃襯底101分離，并例如對(duì)圖8F的鎳層104的上表面進(jìn)行拋光，從而得到壓模104A。
在光盤(pán)中要求更高的記錄密度。為了滿足將來(lái)預(yù)期的在12cm直徑的光盤(pán)中確保幾十GB以上存儲(chǔ)容量的高記錄密度的要求，無(wú)法使用常規(guī)的激光束刻槽方法，從而注意到使用電子束的電子束刻槽作為替代激光束刻槽的方法。比之常規(guī)激光束刻槽方法，根據(jù)電子束刻槽方法能夠制作清晰度更高的圖形。
然而，為了電子束刻槽，必須改進(jìn)抗蝕劑材料的電子吸收靈敏度，并在抗蝕劑材料中加入氯、硫或氟之類的吸引電子的原子團(tuán)。但在鎳電鑄過(guò)程中，抗蝕劑材料中的電子吸引原子團(tuán)和鎳薄膜相互反應(yīng)，鎳薄膜受到損傷，從而降低壓模的質(zhì)量。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種用來(lái)制作壓模的薄膜，它不會(huì)由于與抗蝕劑材料中所含電子吸引原子團(tuán)反應(yīng)而降低壓模的質(zhì)量，并提供一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作這種電極的材料。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Ru。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cu。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素P。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Mg。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cr。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Au。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Si。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的電極材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ti。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的材料，是一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ag。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種電極材料，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Ru。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cu。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素P。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Mg。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cr。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Au。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Si。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ti。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。
用來(lái)制作本發(fā)明的壓模的薄膜，是一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料表面上的電極，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ag。
根據(jù)用來(lái)制作壓模的這種薄膜，由于電極材料中的Ni與抗蝕劑材料中所含的電子吸引原子團(tuán)之間的反應(yīng)被抑制，故能夠防止壓模質(zhì)量降低。而且形成平整度極好的電極，從而可以提高光盤(pán)的信噪比。
為了易于理解本發(fā)明，附圖中的參考號(hào)括在括弧中，但必須注意，本發(fā)明不僅僅局限于所述各個(gè)實(shí)施方案。


圖1A-1F示出了利用制作壓模的薄膜來(lái)制造用以制作光盤(pán)的壓模的工藝，其中圖1A剖面圖示出了涂敷抗蝕劑的狀態(tài)，圖1B剖面圖示出了形成潛像的狀態(tài)，圖1C剖面圖示出了顯影之后的狀態(tài)，圖1D剖面圖示出了形成鎳合金薄膜之后的狀態(tài)，圖1E剖面圖示出了形成鎳層的狀態(tài)，而圖1F剖面圖示出了壓摸。
圖2示出了利用制作壓模的薄膜來(lái)制造用以制作光盤(pán)的壓模的工藝的細(xì)節(jié)。
圖3示出了利用制造光盤(pán)的壓模來(lái)制造光盤(pán)的工藝。
圖4示出了純Ni薄膜和Ni合金薄膜在氯化鈉水溶液中的抗高溫性與抗?jié)裥约铀贉y(cè)試結(jié)果。
圖5示出了Ni合金薄膜在氯化鈉水溶液中的抗高溫性和抗?jié)裥约铀贉y(cè)試結(jié)果。
圖6示出了利用光盤(pán)鏡面區(qū)再生信號(hào)的光盤(pán)噪聲測(cè)量方法。
圖7示出了光盤(pán)噪聲測(cè)量結(jié)果。
圖8A-8F示出了利用制作壓模的薄膜來(lái)制造用以制作光盤(pán)的壓模的常規(guī)工藝，其中圖8A剖面圖示出了涂敷抗蝕劑的狀態(tài)，圖8B剖面圖示出了形成潛像的狀態(tài)，圖8C剖面圖示出了顯影之后的狀態(tài)，圖8D剖面圖示出了形成鎳合金薄膜之后的狀態(tài)，圖8E剖面圖示出了形成鎳層的狀態(tài)，而圖8F剖面圖示出了壓摸。
下面參照?qǐng)D1A-圖7來(lái)描述本發(fā)明的用來(lái)制作壓模的薄膜的優(yōu)選實(shí)施方案。圖1A-1F剖面圖示出了利用制作此實(shí)施方案壓模的薄膜來(lái)制造用以制作光盤(pán)的壓模的工藝，而圖2示出了此工藝的細(xì)節(jié)。
首先，如圖1A和圖2所示，對(duì)玻璃襯底1進(jìn)行拋光和清洗，并利用甩涂或其它方法，在玻璃襯底1上形成電子束抗蝕膜2。對(duì)電子束抗蝕膜2進(jìn)行預(yù)烘焙，并如圖1B所示，用電子束對(duì)電子束抗蝕膜2進(jìn)行曝光，從而形成潛像2a(圖2中的“信號(hào)記錄”)。對(duì)電子束抗蝕膜2進(jìn)行顯影，從而形成圖1C所示的溝槽2b，并對(duì)電子束抗蝕膜2進(jìn)行后烘焙。
接著，如圖1D所示，用濺射、汽相淀積、或無(wú)電鍍方法，在電子束抗蝕膜2和玻璃襯底的表面1上制作鎳合金薄膜3。稍后描述鎳合金薄膜的材料。
如圖1E所示，用鎳合金薄膜3作為電極，在鎳合金薄膜3的表面上進(jìn)行鎳電鑄，從而形成鎳層4。如圖1F所示，從玻璃襯底1分離鎳層4，并例如對(duì)圖1F中的鎳層4的上表面進(jìn)行拋光，從而得到母壓模4A。順便說(shuō)一下，可以用電鑄方法制作鎳合金層，并用分離的鎳合金層代替鎳層4作為壓模。
如圖2所示，借助于用電鑄方法在母壓模4A上再次涂敷鎳，得到反型的子壓模。進(jìn)一步，借助于用電鑄方法在子壓模上涂敷鎳，得到與母壓模同型的次子壓模。
圖3示出了利用母壓摸4A或次子壓模來(lái)制造光盤(pán)的工藝。如圖3所示，在利用壓模注入模塑物之后，制作反射膜和保護(hù)膜，從而制得光盤(pán)。圖3中的工藝與通常的制造工藝相同，故略去詳細(xì)描述。
鎳合金薄膜的材料是一種鎳合金，它包含作為主要成分的元素鎳，并加入小于50％重量比的下列元素之一Ru、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、Ti、Ag。在本實(shí)施方案中，借助于用含有至少上述元素之一的鎳合金來(lái)形成鎳合金薄膜3，能夠防止用電鑄方法制作鎳層4時(shí)損傷鎳合金薄膜3。
在鎳合金薄膜3的材料中，至少加入P、Mg、Si中的一種元素，而當(dāng)這些元素的含量小于25％重量比時(shí)，這些元素不與主要成分Ni反應(yīng)，除非被加熱到至少大約400-500℃。此外，在薄膜狀態(tài)下，P、Mg、或Si淀積在Ni的晶粒邊界上，并與氧鍵合而在非惰性的其它氣氛中被氧化。此時(shí)，在合金薄膜主要由Ni組成的狀態(tài)下，加入的P、Mg、或Si的氧化膜不僅淀積在Ni晶粒邊界上，而且也淀積在薄膜表面上。結(jié)果，淀積在薄膜表面上的表面氧化膜成為非導(dǎo)體，對(duì)于進(jìn)入的活潑金屬或非金屬元素與Ni之間的反應(yīng)起勢(shì)壘材料的作用，且已經(jīng)證實(shí)Ni合金的耐老化能力得到了提高。然而，諸如P、Mg、或Si之類的添加的元素可能與氧和與其它活潑的非金屬元素鍵合，因此，若添加過(guò)量，反而會(huì)降低耐老化能力。因此，添加小于25％重量比看來(lái)是適當(dāng)?shù)摹?br> 同樣，當(dāng)Ti加入到主要成分Ni中時(shí)，除了當(dāng)也在高溫氣氛中加熱由反應(yīng)形成化合物外，Ti淀積在Ni晶粒邊界上。這種Ni與Ti的合金不形成非導(dǎo)體，但由于Ti在氯中穩(wěn)定，故能夠抑制活潑元素滲入到Ni晶粒中或化學(xué)反應(yīng)，從而看來(lái)可防止Ni晶粒上的化學(xué)反應(yīng)。
當(dāng)Cu或Au被加入Ni時(shí)，證實(shí)了一種穩(wěn)定而完全的固溶體。此時(shí)，加入的元素Cu和Au的抗氯性都極好，因而與固溶體中的Ni原子鍵合，從而形成主要成分Ni晶體結(jié)構(gòu)的畸變。在這種Ni固溶體合金中，由于與氯的鍵合性質(zhì)依賴于加入的元素而被減弱，故在存在氯時(shí)不總是在任何情況下都穩(wěn)定。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，在這種固溶體中不形成氯化。
而且，借助于將Ru、Ag、或Cr加入Ni，形成特定含量的固溶體，至少小于10％重量比，并已證實(shí)與加入Cu或Au時(shí)相同的固溶體。當(dāng)加入10％重量比以上的Ru、Ag、或Cr時(shí)，超過(guò)了固溶限，整個(gè)加入的含量不溶解，而是Ru、Ag、或Cr淀積在固溶體的晶粒邊界上。然而，在此情況下，比之純Ni，也提高了抗氯化能力。
而且，Ni與Ru、Ag和Cr之一組成的合金薄膜不僅改進(jìn)了抗氯化能力，而且提高了薄膜的平整度。薄膜的平整度已經(jīng)在用這種合金薄膜制作的壓模所制造的光盤(pán)的重放信號(hào)特性中得到證實(shí)。當(dāng)加入的Ru、Ag、或Cr凝固形成固溶體時(shí)，已經(jīng)證實(shí)主要成分Ni的晶體結(jié)構(gòu)被畸變成微小薄膜顆粒。而且，在超過(guò)固溶限的組分組成的Ni合金中，有可能抑制Ni固溶體合金晶粒的生長(zhǎng)，且存在于晶粒邊界中的添加元素的非凝固添加含量可以被認(rèn)為能夠促進(jìn)應(yīng)力弛豫。
實(shí)施方案所述的鎳合金的組合物，在延展性和可加工性方面與純Ni同樣優(yōu)異，還具有抗氯化能力和抗溴化能力，因而可用于各種用途以及由于純Ni可能與氯或溴反應(yīng)的特性而迄今受到限制的各種應(yīng)用技術(shù)。
實(shí)施例制備Ni以及添加金屬Ru、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、Ti、和Ag的濺射靶，特定元素的濺射靶與Ni被置于射頻磁控濺射裝置中，并在石英襯底上制作薄膜。濺射靶的直徑為3英寸(7.62cm)，厚度為5mm，而濺射靶到襯底的距離約為90mm。在利用對(duì)Ni和特定元素濺射靶饋送射頻功率而控制金屬原子的發(fā)射量的情況下，二種金屬同時(shí)被堆積在襯底上。作為薄膜制作條件，最終真空度為3×10-5Pa，而制作薄膜時(shí)的氣壓為0.7-1Pa。依賴于合金的組成，射頻饋送功率的變化范圍為100-500W。于是，Ni-Ru合金薄膜、Ni-Cu合金薄膜、Ni-P合金薄膜、Ni-Mg合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、Ni-Au合金薄膜、Ni-Si合金薄膜、Ni-Ti合金薄膜、Ni-Ag合金薄膜就被制作在襯底上。在各個(gè)合金中，Ru、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、Ti、和Ag的含量在1％、5％、10％、20％和25％這5種濃度中變化。作為參考，用相同的裝置在襯底上制作純Ni薄膜(見(jiàn)圖4和圖5)。
具有用上述方法堆積在其上的薄膜的石英襯底，被浸入氯化鈉水溶液中停留一定時(shí)間，圖4和圖5示出了觀察到的隨時(shí)間的改變。氯化鈉水溶液中所含氯化鈉的體積比是5％，而在不加熱的常溫下，石英襯底被浸入水溶液中大約96小時(shí)。停留96小時(shí)之后，用肉眼觀察薄膜隨時(shí)間的改變，并用光譜儀檢查薄膜的反射率之類的光學(xué)特性，以及評(píng)估薄膜的表面狀態(tài)改變。
結(jié)果，當(dāng)純Ni被浸入氯化鈉水溶液中時(shí)，端部由于氯化反應(yīng)而發(fā)黑。此外，由于抗高溫和抗?jié)裥约铀贉y(cè)試，除了端部發(fā)黑之外，可看到薄膜剝離。
相反，在Ni-Ru合金、Ni-Cu合金、Ni-P合金、Ni-Mg合金、Ni-Cr合金、Ni-Au合金、Ni-Si合金、Ni-Ti合金、和Ni-Ag合金中，氯化反應(yīng)被總體抑制，抗高溫和抗?jié)裥约铀贉y(cè)試引起的改變也得到控制。然而，在Ni-25％重量比Ru、Ni-25％重量比Cu、Ni-25％重量比Mg、Ni-25％重量比Cr、Ni-25％重量比Au、和Ni-25％重量比Si中，由于浸入氯化鈉水溶液中，可觀察到端部的輕微發(fā)黑。在其它的合金薄膜中，未觀察到改變。而且，在Ni-20％重量比Ru、Ni-25％重量比Ru、Ni-20％重量比Cu、Ni-25％重量比Cu、Ni-20％重量比P、Ni-25％重量比P、Ni-25％重量比Cr、和Ni-25％重量比Si中，由于抗高溫和抗?jié)裥约铀贉y(cè)試，可觀察到端部的輕微發(fā)黑。
圖6示出了利用光盤(pán)鏡面區(qū)重放信號(hào)的光盤(pán)噪聲測(cè)量方法，而圖7示出了測(cè)量結(jié)果。如圖6所示，抗蝕劑層12被制作在玻璃襯底11上，并在其上制作純Ni薄膜和Ni-5％重量比Ru薄膜13作為電極材料，從而制備了測(cè)量用的母盤(pán)。如圖7所示，用薄膜13作為反射層，以3m/s的線速度旋轉(zhuǎn)測(cè)量用母盤(pán)，用通過(guò)透鏡14的光束從玻璃襯底11的側(cè)面照射，并接收從抗蝕劑層12與薄膜13的界面反射的光。在反射光中，1MHz分量的電平被測(cè)量作為噪聲分量，結(jié)果示于圖7。如圖7所示，在使用純Ni作為薄膜13材料的情況下，光盤(pán)噪聲為-74.3dB，而在使用Ni-5％重量比Ru作為薄膜13材料的情況下，光盤(pán)噪聲為-79.7dB。因此，比之純Ni的情況，在Ni-5％重量比Ru的情況下，信噪比改善了5dB以上。這一結(jié)果表明，Ni-5％重量比Ru薄膜的平整度優(yōu)于純Ni的平整度，呈現(xiàn)出作為制造母盤(pán)的材料的優(yōu)異適應(yīng)性。
權(quán)利要求
1.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Ru。
2.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cu。
3.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素P。
4.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Mg。
5.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cr。
6.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Au。
7.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Si。
8.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ti。
9.一種用來(lái)制作壓模的電極材料，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)的材料，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ag。
10.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Ru。
11.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cu。
12.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素P。
13.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Mg。
14.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Cr。
15.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Au。
16.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于25％重量比的元素Si。
17.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ti。
18.一種用來(lái)制作壓模的薄膜，用作形成在圖形化抗蝕劑材料(2)表面上的電極(3)，用來(lái)電鑄壓模材料，其中元素Ni是主要成分，并加入小于50％重量比的元素Ag。
全文摘要
提供了一種用來(lái)制作壓模的材料,它不存在由與抗蝕劑材料中所含電子吸引原子團(tuán)反應(yīng)所造成的壓模質(zhì)量降低。制作在圖形化抗蝕劑膜2表面上的用來(lái)電鑄壓模材料的電極,由含有作為主要成分的元素Ni和小于25%重量比的添加元素Ru的鎳合金薄膜3組成。
文檔編號(hào)C25D1/10GK1341928SQ0111690
公開(kāi)日2002年3月27日 申請(qǐng)日期2001年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月12日
發(fā)明者勝村昌廣, 飯?zhí)镎茉? 上野崇 申請(qǐng)人:日本先鋒公司, 株式會(huì)社Furuya金屬