專利名稱：金氰化鉀結(jié)晶的電解制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種冶煉貴金屬鹽結(jié)晶，特別是一種能獲得純度較高的結(jié)晶物，且能降低電解耗材成本的金氰化鉀結(jié)晶的電解制法。
以電路基板(PCB)的鍍金原料而言，該金氰化鉀的取得成本是目前此產(chǎn)業(yè)急需要解決的問題。如第一圖所示，傳統(tǒng)的金氰化鉀結(jié)晶的電解裝置，是以電解槽1’內(nèi)部利用一多氟樹脂半透膜11’予以區(qū)隔出正極電解槽12’，及負(fù)極電解槽13’，且正極電解槽12’及負(fù)極電解槽13’內(nèi)并分別設(shè)置有正電極14’、負(fù)電極15’及對電解液放電加熱的加熱器2’，因此當(dāng)電解槽1’內(nèi)盛裝氯化鉀(KCN)溶液，且以加熱器2’予以放電加熱時，該氰化鉀溶液產(chǎn)生電解反應(yīng)，于正電極14’電解生成錯離子，負(fù)電極15’電解生成氫(H2)氣體，且離子能借多氟樹脂半透膜11’的交換而達(dá)到導(dǎo)電目的，電解槽12內(nèi)與錯離子產(chǎn)生電解反應(yīng)，如此正極電解槽12’內(nèi)即能解析出金‘氰化鉀錯鹽，故以此制法便將此過飽和錯鹽予以結(jié)晶析出，即能再電鍍于電路基板(PCB)上作導(dǎo)線材料的用途。
上述金氰化鉀錯鹽的電解制法是分別在正極電解槽12’及負(fù)極電解槽13’內(nèi)需設(shè)置對電解液放電加熱的加熱器2’方式，致使電解槽1’內(nèi)能保持均勻的電解液溫度而實(shí)施電解反應(yīng)，如此該加熱器2’在長時間的加熱電解反應(yīng)過程中，會受到電解液的侵蝕作用而解析出其他游離雜質(zhì)與結(jié)晶物混合結(jié)晶的現(xiàn)象，導(dǎo)致正極電解槽12’內(nèi)所沉淀結(jié)晶物的純度受影響，且加熱器2’長時間受侵蝕會造成堪用，相對電鍍反應(yīng)一定期限就需更新加熱器2’的耗材，就增加電解耗材成本。
本發(fā)明的上述目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，包括下列步驟提供一氰化鉀(KCN)溶液注入一電解槽中；作為電解液的電解反應(yīng)處理；利用正極電解槽內(nèi)不設(shè)置加熱元件，而于電解槽的負(fù)極電解槽或外表底部設(shè)置加熱元件的方式，在電解槽內(nèi)進(jìn)行加溫處理，且令正極電解槽內(nèi)氰化鉀溶液為隔離間接導(dǎo)熱處理，供以正、負(fù)極電解槽的氰化鉀溶液能漸進(jìn)導(dǎo)熱達(dá)到電解反應(yīng)溫度；以正極電解槽內(nèi)進(jìn)行錯離子電解析出結(jié)晶處理，供以槽內(nèi)生成的錯離子與負(fù)極電解槽所產(chǎn)生穿透導(dǎo)入的負(fù)離子相互進(jìn)行電解反應(yīng)析出高純度的金氰化鉀錯鹽；將金氰化鉀過飽和錯離子溶液予以冷卻處理，供以析出完成金氰化鉀結(jié)晶物。
下面結(jié)合附圖
對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
附圖標(biāo)號說明電解槽1；多氣樹脂半透膜11；正極電解槽12；負(fù)極電解槽13；正電極14；負(fù)電極15；加熱器2；電解槽5；多氟樹脂半透膜51；正極電解槽52；負(fù)極電解槽53；正電極54；負(fù)電極55；電磁加熱器6；紅外線加熱器7；加熱器8。
在步驟1中，提供一氰化鉀(KCN)溶液注入一電解槽中作為電解液的電解反應(yīng)處理。如圖3至圖5所示，此電解槽5內(nèi)部以多氟樹脂半透膜51所區(qū)隔出至少一組正、負(fù)極電解槽52、53，而該正極電解槽52內(nèi)設(shè)置有一黃金板材的正電極54，負(fù)極電解槽53內(nèi)設(shè)有不銹鋼或 板材的負(fù)電極55，以利氰化鉀(KCN)溶液得于正負(fù)極電解槽52、53中產(chǎn)生電解反應(yīng)處理。
于步驟2中，以電解槽內(nèi)進(jìn)行加溫處理，且令正極電解槽內(nèi)氰化鉀溶液為隔離間接導(dǎo)熱處理，供以正、負(fù)極電解槽的氯化鉀溶液能漸進(jìn)導(dǎo)熱達(dá)到正、負(fù)離子電解反應(yīng)溫度。如圖3或圖4所示，此隔離間接導(dǎo)熱處理乃利用電解槽5外表底部直接采用電磁加熱器6或紅外線加熱器7的設(shè)置，利用電磁加熱器6能產(chǎn)生電磁波或遠(yuǎn)紅外線加熱器7能產(chǎn)生紅外線等加熱能源漸進(jìn)對電解槽5的正、負(fù)極電解槽52、53達(dá)到隔離間接導(dǎo)熱處理，致使正、負(fù)極電解槽52、53的氰化鉀溶液能漸進(jìn)持續(xù)加熱達(dá)到電解反應(yīng)溫度，且該正極電解槽52內(nèi)的氰化鉀溶液需要求至80±10℃的電解反應(yīng)溫度，始可令電解槽5內(nèi)達(dá)到均勻電解反應(yīng)溫度，進(jìn)而完全生成大量錯離子電解析出結(jié)晶處理。
在步驟3中，以正極電解槽內(nèi)進(jìn)行正、負(fù)離子電解析出結(jié)晶處理。此電解析出結(jié)晶處理乃于正、負(fù)極電解槽52、53的氰化鉀溶液達(dá)到均勻的電解反應(yīng)溫度時，其正電極54及負(fù)電極55始可分別電解生成黃金鹽錯離子，且負(fù)極電解槽53所產(chǎn)生的負(fù)離子可穿透多氟樹脂半透膜51而進(jìn)入正極電解槽52內(nèi)，如此以正極電解槽52內(nèi)生成的錯離子與負(fù)極電解槽53所產(chǎn)生穿透導(dǎo)入的負(fù)離子相互進(jìn)行電解反應(yīng)結(jié)晶處理，供以電解槽5底部析出高純度的過飽和金氰化鉀。
于步驟4中，將過飽和金氰化鉀予以冷卻處理，供以析出完成金氰化鉀結(jié)晶物，以利取出再電鍍于電路基板(PCB)上作導(dǎo)線材料的用途。
由上述得知，本發(fā)明所提供金氰化鉀結(jié)晶的電解制法乃以正極電解槽5內(nèi)采以不設(shè)置加熱元件的設(shè)計，進(jìn)而令正極電解槽52內(nèi)氰化鉀溶液具有隔離間接導(dǎo)熱處理而獲得均勻電解反應(yīng)溫度。避免傳統(tǒng)以正極電解槽內(nèi)直接以加熱元件加熱電解液的制程方式，以避免電解反應(yīng)作用時有解析出其他游離雜質(zhì)混合結(jié)晶的現(xiàn)象，進(jìn)而確保電解反應(yīng)結(jié)晶物的純度。同時也能降低電解耗材的成本等效益。
又，本發(fā)明所提供金氟化鉀結(jié)晶的電解制法。為了加快電解槽5內(nèi)獲得氰化鉀溶液均勻的電解反應(yīng)溫度，乃采用如圖5的電解裝置，圖中的電解裝置5以兩組多氟樹脂半透膜51區(qū)隔出一組正極電解槽52及兩組負(fù)極電解槽53，而負(fù)極電解槽53內(nèi)各設(shè)有加熱器8，如此加熱器8直接對負(fù)極電解槽53的氰化鉀溶液進(jìn)行加熱處理，致使負(fù)極電解槽53內(nèi)的負(fù)電極55上電解生成離子，且負(fù)極電解槽53內(nèi)所生的熱能以熱傳導(dǎo)進(jìn)入正極電解槽5中，加快正極電解槽5中的氰化鉀溶液持續(xù)導(dǎo)熱以獲得均勻電解反應(yīng)溫度，如此，正極電解槽5內(nèi)的氰化鉀溶液只需獲得60±10℃的電解反應(yīng)溫度，即能讓電解槽5內(nèi)達(dá)完全生成大量黃金錯離子進(jìn)行后續(xù)電解析出結(jié)晶處理，同時負(fù)極電解槽53內(nèi)電解反應(yīng)作用所解析出其他雜質(zhì)受多氟樹脂半透膜51阻隔而無法進(jìn)入正極電解槽52內(nèi)，供以電解槽5析出高純度的過飽和金氰化鉀。
權(quán)利要求
1.一種金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，包括下列步驟提供一氰化鉀(KCN)溶液注入一電解槽中；作為電解液的電解反應(yīng)處理；利用正極電解槽內(nèi)不設(shè)置加熱元件，而于電解槽的負(fù)極電解槽或外表底部設(shè)置加熱元件的方式，在電解槽內(nèi)進(jìn)行加溫處理，且令正極電解槽內(nèi)氰化鉀溶液為隔離間接導(dǎo)熱處理，供以正、負(fù)極電解槽的氰化鉀溶液能漸進(jìn)導(dǎo)熱達(dá)到電解反應(yīng)溫度；以正極電解槽內(nèi)進(jìn)行錯離子電解析出結(jié)晶處理，供以槽內(nèi)生成的錯離子與負(fù)極電解槽所產(chǎn)生穿透導(dǎo)入的負(fù)離子相互進(jìn)行電解反應(yīng)析出高純度的金氰化鉀錯鹽；將金氰化鉀過飽和錯離子溶液予以冷卻處理，供以析出完成金氰化鉀結(jié)晶物。
2.如權(quán)利要求1所述的金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，其中該電解槽內(nèi)部是以多氟樹脂半透膜所區(qū)隔出至少一組正負(fù)極電解槽，而該正極電解槽內(nèi)設(shè)置有一黃金板材的正電極，負(fù)極電解槽內(nèi)設(shè)有不銹鋼或鈦板材的負(fù)電極，以利氰化鉀(KCN)溶液得于正、負(fù)極電解槽中產(chǎn)生電解反應(yīng)處理。
3.如權(quán)利要求1所述的金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，其中該電解槽外表底部設(shè)置的加熱元件為電磁加熱器或紅外線加熱器，以產(chǎn)生加熱能源漸進(jìn)對電解槽的正、負(fù)極電解槽達(dá)到隔離間接導(dǎo)熱處理，且該正極電解槽內(nèi)的氮化鉀溶液只需至80±10℃的電解反應(yīng)溫度，始可令電解槽內(nèi)達(dá)到均勻電解反應(yīng)溫度，進(jìn)而完全生成過量錯離子進(jìn)行后續(xù)電解析出結(jié)晶處理。
4.如權(quán)利要求1所述的金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，其中該電解槽的負(fù)極電解槽內(nèi)設(shè)置的加熱元件為加熱器，以產(chǎn)生加熱能源借電場電流的流動對電解槽的正極電解槽達(dá)到隔離間接導(dǎo)熱處理，且該正極電解槽內(nèi)的氰化鉀溶液只需至60±10℃的電解反應(yīng)溫度，始可令電解槽內(nèi)達(dá)到均勻電解反應(yīng)溫度，進(jìn)而完全生成大量黃金錯離子(Au(Cn-2))進(jìn)行後續(xù)冷卻析出結(jié)晶處理。
全文摘要
本發(fā)明是一種金氰化鉀結(jié)晶的電解制法，包括有下列步驟提供一氰化鉀(KCN)溶液注入一電解槽中，作為電解液的電解反應(yīng)處理；利用正極電解槽內(nèi)不設(shè)置加熱元件，而于電解槽的負(fù)極電解槽或外表底部設(shè)置加熱元件的方式，在電解槽內(nèi)進(jìn)行加溫處理，且令正極電解槽內(nèi)氯化鉀溶液為隔離間接導(dǎo)熱處理，供以正負(fù)極電解槽的氰化鉀溶液能漸進(jìn)導(dǎo)熱達(dá)到電解反應(yīng)溫度；以正極電解槽內(nèi)進(jìn)行錯離子電解析出結(jié)晶處理，供以槽內(nèi)生成的錯離子與負(fù)極電解槽所產(chǎn)生穿透導(dǎo)入的負(fù)離子相互進(jìn)存電解反應(yīng)析出高純度的金氰化鉀錯鹽，將金氰化鉀過飽和錯離子溶液予以冷卻處理，供以析出完成金氰化鉀結(jié)晶物。
文檔編號C25D1/00GK1420211SQ0113995
公開日2003年5月28日 申請日期2001年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月21日
發(fā)明者蔡振桂 申請人:蔡振桂