專利名稱：金屬掩膜的制造方法及金屬掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合用于各種電子器件的制造工序，尤其是電致發(fā)光(EL)元件的制造工序的金屬掩模的制造方法。
背景技術(shù)：
過去，在電致發(fā)光(EL)元件等電子器件的制造工序中，為了形成各種金屬的蒸鍍膜，采用在鉻、不銹鋼等的金屬膜上形成所要求的圖案的金屬掩模。
該金屬掩模采用以下的方法制造。
(1)在不銹鋼薄板等薄的金屬板上形成抗蝕劑膜，將該抗蝕劑膜曝光制成所要求的掩模圖案，用該掩模蝕刻不銹鋼薄板，制成形成所要求的圖案的金屬掩模。
(2)在不銹鋼等導(dǎo)電性材料的表面形成抗蝕劑膜，將該抗蝕劑膜曝光制成所要求的掩模圖案，然后，用電鍍法在該導(dǎo)電性材料的上面形成金屬鍍層，從前述導(dǎo)電性材料的上面剝離該金屬鍍層，制成形成有所要求的圖案的金屬掩模。
然而，在過去的金屬掩模制造方法中，由于曝光時掩模的精度和蝕刻的精度對作為最終制品的金屬掩模的圖案精度影響很大，故在各工序中必須高精度地管理圖案的尺寸精度?？墒?，在過去的方法中，由于在線膨脹系數(shù)大的鉻、不銹鋼等的金屬上形成金屬掩模，所以產(chǎn)生于金屬材料上的微小溫度差使制得的每個金屬掩模的尺寸精度不同，存在很難獲得相同尺寸精度的金屬掩模的問題。
另外，在要求多片高精度的尺寸精度、且尺寸偏差小的金屬掩模時，對構(gòu)成金屬掩模的材料、在制作金屬掩模時成為母材的不銹鋼等的金屬材料的尺寸隨時間的變化容易造成影響，存在很難穩(wěn)定地制作相同尺寸精度的金屬掩模的問題。
例如，制作多片掩模圖案的尺寸精度相同的金屬掩模時，制作的當初可獲得高精度且精度一致的金屬掩模，但隨著制作在尺寸上產(chǎn)生隨時間的變化而使尺寸精度漸漸降低，最終不僅尺寸的精度降低而且尺寸的偏差也變大。因此，很難得到多片高精度且偏差小的金屬掩模。
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的是提供制作工序中尺寸管理容易、可按相同的精度制作多片高精度的金屬掩模的金屬掩模的制造方法。
發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明的一個方案，其特征是，在透明板或透明薄膜的一個主面上形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后，在該導(dǎo)電膜上形成感光膜，再次前述導(dǎo)電膜作為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述感光膜曝光，在該感光膜上形成與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案，然后，在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層后制成金屬掩模。
本發(fā)明的另一方案，其特征是，準備在透明板或透明薄膜的一個主面上形成導(dǎo)電膜的基體材料，在該基體材料的導(dǎo)電膜上形成第1抗蝕劑膜，然后在第1抗蝕劑膜上形成第1掩模圖案，接著以該抗蝕劑膜為掩模，蝕刻前述導(dǎo)電膜，其后除去該第1抗蝕劑膜，接著在前述導(dǎo)電膜上形成第2抗蝕劑膜，以該導(dǎo)電膜為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述第2抗蝕劑膜曝光，在前述第2抗蝕劑膜上形成第2掩模圖案，通過電鍍在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層制成金屬掩模。
另外，前述第2抗蝕劑膜優(yōu)選是干膜。
此外，在前述第2抗蝕劑膜上形成的掩模圖案，含有上述導(dǎo)電膜上的空間隨著遠離導(dǎo)電膜而變得狹小的開口部分。
另外，本發(fā)明的另一方案，其特征是，準備在絕緣基板或透明板或透明薄膜的一個主面上形成導(dǎo)電膜的基體材料，在該基體材料的導(dǎo)電膜上形成第1抗蝕劑膜，然后，在該第1抗蝕劑膜上形成第1掩模圖案，接著以該抗蝕劑膜為掩模，蝕刻前述導(dǎo)電膜，其后除去該第1抗蝕劑膜，接著通過電鍍在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，制成具有與前述第1掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
此外，掩模圖案在前述第1抗蝕劑膜上的形成，優(yōu)選采用電子束曝光法或激光束曝光法。
另外，掩模圖案在前述第1抗蝕劑膜上的形成，優(yōu)選采用使用了母掩模的曝光法。
另外，本發(fā)明的另一方案，其特征是在透明板或透明薄膜的一個主面上形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜。然后，在該導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，制成具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
此外，本發(fā)明的另一方案，其特征是在絕緣基板的一個主面上形成具有規(guī)定的掩模圖案的導(dǎo)電膜，在該導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，獲得具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
另外，前述導(dǎo)電膜由以鉻為主成分的金屬膜構(gòu)成為好。
此外，前述導(dǎo)電膜優(yōu)選由ITO膜構(gòu)成。
另外，本發(fā)明的另一方案是關(guān)于采用上述的制造方法制造的金屬掩模的方案。
此外，本發(fā)明的另一方案，其特征是，它是將在具有形成于絕緣基板上的規(guī)定的掩模圖案的導(dǎo)電膜上形成的金屬鍍層剝離而獲得的金屬掩模，該金屬掩模具有由所剝離的面向相反一側(cè)擴展成錐狀的開口，最寬闊的開口部分位于所剝離的面一側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明，在透明板或透明薄膜的一主面形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后，在該導(dǎo)電膜上形成感光膜，接著以前述導(dǎo)電膜為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述感光膜曝光，在該感光膜上形成與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案。由此，可在透明板或透明薄膜上的沒有導(dǎo)電膜的區(qū)域形成感光膜。因此，作為透明板或透明薄膜，選擇玻璃等熱膨脹率小的材質(zhì)是容易的，沒有掩模圖案的尺寸隨時間的變化。據(jù)此，金屬掩模制造工序中的掩模圖案的尺寸管理變得容易。
另外，以感光膜為掩模，在導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，通過剝離該金屬鍍層，容易得到具有與感光膜上所形成的掩模圖案相同形狀的圖案的金屬掩模。
在此，通過反復(fù)實施在導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層、剝離該金屬鍍層的工序，可制作多片且相同精度的高精度的金屬掩模。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在絕緣基板的一主面形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后，在該導(dǎo)電膜上形成具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬鍍層，剝離該金屬鍍層制成金屬掩模。據(jù)此，作為絕緣基板，可采用玻璃和陶瓷等熱膨脹率小的材料，于是，金屬掩模制造工序中的掩模圖案的尺寸管理變得容易。另外，由于采用該方法可簡化工序，故可降低制造成本。
此外，金屬掩模開口部分的側(cè)面成為錐狀，可提高掩模圖案的精度。尤其是通過在靠近導(dǎo)電膜的一側(cè)構(gòu)成金屬掩模，并使開口最小，掩模圖案準確地與導(dǎo)電膜相同。
另外，通過使感光膜形成為錐狀，可容易獲得開口為錐狀的金屬掩模。
附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明第1實施方案的金屬掩模的制造方法的圖。
圖2是表示第1實施方案的詳細工藝的圖。
圖3是說明使用了擴散板的工藝的圖。
圖4是說明開口為錐狀的金屬掩模的圖。
圖5是表示第1實施方案的變形例的工藝的圖。
圖6是表示本發(fā)明第2實施方案的金屬掩模的制造方法圖。
圖7是表示第2實施方案的詳細工藝的圖。
圖8是表示第2實施方案得到的金屬掩模的開口部分的形狀的圖。
圖9是表示第3實施方案的金屬掩模的制造方法圖。
實施發(fā)明的最佳方案根據(jù)


本發(fā)明的金屬掩模的制造方法的各實施方案。
第1的實施方案根據(jù)圖1說明本發(fā)明第1實施方案的EL元件用蒸鍍用金屬掩模的制造方法。
首先，如圖1(a)所示，通過蒸鍍或濺射在玻璃基板1的表面(一個主面)形成作為導(dǎo)電材料的例如厚0.1μm的Cr(鉻)膜(導(dǎo)電膜)2，采用旋轉(zhuǎn)式涂布法在該Cr膜2上，形成例如厚0.7μm的感光材料(第1的抗蝕劑膜)3。
然后，用電子束曝光法、激光束曝光法，在感光材料3上直接形成掩模圖案3a。接著以該感光材料3為掩模，蝕刻Cr膜2，如圖1(b)所示，在該Cr膜2上形成與前述掩模圖案3a相同形狀的掩模圖案2a，其后，剝離(除去)感光材料3。在該工藝中，一般可適當選擇使用已知的方法。例如，用上述的電子束曝光法或激光束曝光法，在感光材料3的規(guī)定的區(qū)域掃描電子束或激光束，使其區(qū)域感光。另外，也可以使用母掩模，只對規(guī)定的區(qū)域照射光，將感光材料3進行感光。
然后，在該Cr膜2上層壓(形成)厚50μm的干膜4，以該Cr膜2為掩7膜，從玻璃基板1一側(cè)照射光5，將干膜4曝光。結(jié)果，如圖1(c)所示，在干膜4上形成與掩模圖案2a相同形狀的掩模圖案4a。
接著，如圖1(d)所示，對Cr膜2進行前處理后，通過電鍍在該Cr膜2上形成例如由Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金等構(gòu)成的金屬鍍層6。金屬鍍層6的厚度是30μm～50μm左右。其后，剝離該金屬鍍層6，制成形成了與掩模圖案4a相同形狀的掩模圖案7a的金屬掩模7。
再者，如果反復(fù)進行圖1(c)～圖1(d)的工序，則可制作多片且相同精度的高精度的金屬掩模7。
采用本實施方案的金屬掩模的制造方法，在玻璃基板1的表面形成具有掩模圖案2a的Cr膜2，在該Cr膜2上層壓干膜4，以該Cr膜2為掩模，從玻璃基板1一側(cè)照射光5將干膜4曝光，在干膜4上形成與掩模圖案2a相同形狀的掩模圖案4a，通過玻璃基板1成為Cr膜2的基礎(chǔ)(壁)，可以使掩模圖案的尺寸隨時間的變化喪失。其結(jié)果，可容易地進行金屬掩模制造工序中的掩模圖案的尺寸管理。
再者，玻璃基板1的熱膨脹率是1μm/℃左右，是不銹鋼等的1/8左右，通過使用玻璃基板1可以抑制因熱產(chǎn)生的精度惡化。另外，玻璃的材質(zhì)也可使用各種玻璃，但鈉鈣玻璃等因價廉而優(yōu)選。另一方面，石英玻璃價格高，但具有熱膨脹率小、光的透過好、難于損傷等的優(yōu)點。
另外，通過電鍍在Cr膜2上形成金屬鍍層6，其后，剝離該金屬鍍層6，可容易獲得形成了與掩模圖案4a相同形狀的掩模圖案7a的金屬掩模7。
此外，通過反復(fù)實施該工序，可制作多片且相同精度的高精度的金屬掩模7。
以下，用圖2更詳細地說明利用形成了Cr膜2的玻璃基板1制造金屬掩模時的順序。
首先，對形成Cr膜2的玻璃基板1，進行除去其殘留于表面的金屬鍍層6的殘渣等污染物的表面處理(S11)。該表面處理，在洗滌器中，例如，通過與硝酸(HNO3)的20％溶液接觸5分鐘而進行。然后，通過水噴啉洗凈表面(S12)。例如，通過在洗滌機中進行2次30秒左右的噴淋，進行該洗凈，該洗凈后，進行干燥處理(S13)。例如用干燥機吹60℃的熱風(fēng)5分鐘進行該干燥。該干燥處理完成后，進行預(yù)加熱(S14)。例如，在燃燒室內(nèi)在45℃保持5分鐘進行該預(yù)加熱。
這樣，對形成了Cr膜2的玻璃基板1，完成洗凈及預(yù)加熱時，在Cr膜2上層壓形成干膜(干膜光子抗蝕劑)4(S15)。該干膜的層壓，例如通過干膜層壓機，在100℃下進行。另外，干膜4的厚度為50μm左右。
然后，對干膜4由背面進行曝光(S16)。即，通過從玻璃基板1的背面照射規(guī)定的光(能量80mJ)，以Cr膜2為掩模將干膜4進行感光。于是，將感光的干膜4顯影，除去未感光的部分(S17)。例如，使之與碳酸鈉(NaCO3)的1％溶液接觸40秒進行該顯影。通過樣地顯影，Cr膜2露出，關(guān)于其他的部分，干膜4殘留。即，Cr膜2是0.1μm左右，干膜4是50μm左右，在Cr膜2的周圍形成干膜4的壁。
接著，用干燥機干燥全部(S18)。該干燥，例如定為在45℃干燥5分鐘。然后，用顯微鏡檢查干燥后的干膜4的殘留部分是否恰當(S19)。該檢查如果是NG，則除去干膜4(S20)，返回到S11。
另一方面，在S19的判斷中，如果是OK，則Cr膜2露出，所以進行預(yù)加熱(S21)后，以Cr膜2為電極，外加直流電壓，將金屬鍍層6電鍍在Cr膜2上(S22)。例如，在電鍍浴中用4小時電鍍鎳(Ni)。
在此，由于在Cr膜2上方以外的部分，殘留干膜4，所以利用該干膜4的壁，可形成金屬鍍層6，可準確地規(guī)定金屬鍍層6的形狀。
然后，從Cr膜2上，剝離作為遮蔽屏(金屬掩模)的Ni的金屬鍍層6(S23)。具有剝離了金屬掩模的Cr膜2的玻璃基板1進行藥品洗凈后，除去干膜4(S24)，返回到S11。
對在S23中所得的金屬掩模經(jīng)在洗滌機中的水洗(S25)、用干燥機進行的干燥(S26)后，在測定器中進行各種測定(S27)。
在該S27的測定中，如果是NG，則其金屬掩模不能使用，故廢棄(S28)。在S27的判定中，是OK時，再用彩色激光顯微鏡等，檢查金屬掩模是否有孔等的缺陷(S29)。在該S29的判定中，是NG時，也轉(zhuǎn)移到S28，廢棄其金屬掩模。
另一方面，在S29的判定中，是OK時，將其金屬掩模進行包裝(S30)、出廠(S31)。
在此，在S16中將干膜4進行感光時，通過移動玻璃基板1，利用從玻璃基板1的背面所照射的光來形成，并且使被感光的干膜4的區(qū)域慢慢地擴展為好。即，如果照射的光不是完全的平行光，則通過移動玻璃基板1，所照射的光會有一些繞入Cr膜2的背側(cè)，感光的區(qū)域擴展。另外，使照射的光在Cr膜2的附近對焦，其后即使擴展一些地設(shè)定可進行同樣的感光。又，在玻璃基板1的背面一側(cè)設(shè)置衍射板或散射板。由此，使照射光轉(zhuǎn)換成使平行光線朝向各種方向的散射光而進行曝光也可以。據(jù)此，從Cr膜2的開口通過的光從開口擴展后，可將干膜4感光。
另外，曝光時，如圖3所示，在干膜4的與玻璃基板1相反的方向配置漫反射板10，對干膜4照射由該漫反射板(擴散板)10產(chǎn)生的反射光也是優(yōu)選的。即，通過這種構(gòu)成，使穿過干膜4的光被漫反射板10反射，再次向玻璃基板1照射。因此，隨著離開玻璃基板1，被感光的區(qū)域擴大。
又，通過適當選擇干膜4的蝕刻方法，可進行這種錐狀的干膜4的蝕刻。
并且，這樣一來，在S17的顯影中，如圖4(a)所示，朝上方可殘留更寬闊面積的干膜4。因此，通過電鍍而形成的金屬鍍層6，如圖4(b)所示，在Cr膜2上具有面積最寬闊、向上方面積變小的錐狀的側(cè)面。為此，由被剝離的金屬鍍層6構(gòu)成的金屬掩模7，如圖3所示，開口最小的地方變成與Cr膜2同樣的形狀，從此處向厚度方向(圖中的上方)開口變大。
這樣的金屬掩模，在使用時規(guī)定開口是開口最小的情況，此時，與Cr膜2相同地被形成。因此，可得到精度非常高的金屬掩模。
又，這樣的金屬掩模，在蒸鍍掩模中利用時，可進行適當?shù)恼翦?。即，EL面板增大時，進行蒸鍍的基板也增大。在這樣的大基板上進行蒸鍍時，如果金屬掩模的開口是筆直的孔，則在周邊部分和中心部分，在蒸鍍量上容易產(chǎn)生差別。然而，使金屬掩模的開口成錐狀，在周邊部分可蒸鍍來自斜方向的蒸發(fā)物，可謀求蒸鍍量的均勻化。再者，金屬掩模以開口小的一側(cè)為基板側(cè)進行蒸鍍。據(jù)此，進行蒸鍍的面積本身可維持到準確的狀態(tài)。
再者，S24在S23的金屬掩模的剝離工序之前進行也可以。即，如圖5所示，在S22中進行電鍍后，除去干膜4(S24)。然后，在除去干膜4后，剝離金屬掩模7(S23)。然后玻璃基板1直接返回到S11的表面處理。再者，此時，要使在S24中使用的藥品對金屬掩模7沒有影響。
第2的實施方案根據(jù)圖6說明本發(fā)明第2實施方案的EL元件用蒸鍍用金屬掩模的制造方法。
首先，與上述的第1實施方案的制造方法一樣，如圖6(a)所示，例如在厚0.1μm的Cr膜2上，形成例如厚0.7μm的感光材料(第1的抗蝕劑膜)3。
然后，用電子束曝光法、激光束曝光法等，直接在感光材料3上形成掩模圖案3a。接著以該感光材料3為掩模，蝕刻Cr膜2，如圖6(b)所示，在該Cr膜2上形成與前述掩模圖案3a相同形狀的掩模圖案2a，其后，剝離(除去)感光材料3。
接著，如圖6(c)所示，對該Cr膜2進行前處理后，通過電鍍在該Cr膜2上形成金屬鍍層11。該金屬鍍層11，例如由Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金等構(gòu)成，形成與掩模圖案2a相同形狀的掩模圖案11a。
其后，如圖6(d)所示，從Cr膜2上剝離金屬鍍層11，制成形成了與掩模圖案2a相同形狀的掩模圖案12a的金屬掩模12。
再者，反復(fù)實施圖6(c)～圖6(d)的工序，則可用簡單的工序制作多片、相同精度的金屬掩模12。
根據(jù)本實施方案的金屬掩模的制造方法，通過電鍍在Cr膜2上形成金屬鍍層11，其后從前述Cr膜2上剝離金屬鍍層11，可以容易地進行金屬掩模制造工序中的掩模圖案的尺寸管理。而且，由于工序被簡化，故可降低制造成本。
在該第2實施方案中，將利用形成了Cr膜2的玻璃基板1來制造金屬掩模時的順序示于圖7。
如上所述，在本第2實施方案中，沒有干膜4的層壓形成及曝光、顯影等的工序。因此，與圖2相比，S14～S20的處理被省略，同時沒有S24的處理。剩余的工序基本上在與第1實施方案同樣的條件下進行。
在此，S22的電鍍在沒有干膜4的狀態(tài)下進行。因此，金屬鍍層11在Cr膜2上被形成，如圖8所示，也延伸到Cr膜2的側(cè)方。因此，在S23中獲得的金屬掩模的形狀達不到與Cr膜2準確地相同的形狀。因此，在該第2實施方案中，形成Cr膜2時，考慮通過電鍍使開口部分變小的情況而確定尺寸為好。
第3的實施方案在上述的第1實施方案，使用干膜4形成了成為金屬鍍層6的導(dǎo)向物的掩模圖案4a。也可以用濕的抗蝕劑代替之。根據(jù)圖9(a)～圖9(d)說明該工藝。
首先，如圖9(a)所示，采用蒸鍍或濺射，在玻璃基板1的表面形成例如厚0.1μm的Cr膜2。用旋轉(zhuǎn)涂布法等在該Cr膜2上形成例如厚0.7μm的感光材料3。
然后，用電子束曝光法、激光束曝光法，在感光材料3上直接形成掩模圖案3a。接著以該感光材料3為掩模，蝕刻Cr膜2，如圖9(b)所示，在該Cr膜2上形成與前述掩模圖案3a相同形狀的掩模圖案2a。
其后，如圖9(b)所示，從感光材料3的上形成第2的感光材料8。該第2感光材料8是液體狀，也可遍及到掩模圖案2a、3a的開口中。并且，在該狀態(tài)下，從玻璃基板1的背面進行曝光。據(jù)此，與Cr膜2的掩模圖案2a對應(yīng)的第2感光材料8被曝光。
然后，在該曝光完成后，由上方進行干蝕刻。此時，第2感光材料8，其未曝光的部分被蝕刻。另外，感光材料3被蝕刻。因此，通過干蝕刻，如圖9(c)所示，第2感光材料的曝光的部分作為掩模圖案8a被形成。
接著，通過進行電鍍，在Cr膜2上形成金屬鍍層6，將其剝離，獲得金屬掩模7。
根據(jù)該實施方案，在不利用干膜的情況下，使用濕的感光材料，可獲得金屬掩模7。
以上制得的金屬掩模，適合作為EL板的蒸鍍掩模而被利用。即，EL面板在玻璃基板上按象素具有EL元件。該EL元件在陰極與陽極間有電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層。另外，有源型的EL面板，為了控制各EL元件中的發(fā)光，與各EL元件對應(yīng)，具有薄膜晶體管(TFT)。在形成具有這樣EL元件的EL面板中，按規(guī)定的圖案順次層壓所需的材料層。并且，從象素越小越能進行高精細的顯示，所以本發(fā)明的金屬掩模適合用作材料層壓中的掩模。
尤其是，作為金屬掩模，通過使用鎳等的磁性體，可用磁力固定金屬掩模，可容易地在將材料層壓的表面固定金屬掩模。因此，本發(fā)明的金屬掩模適合作為EL面板用的蒸鍍掩模使用。
以上，基于附明對本發(fā)明的金屬掩模的制造方法的各實施方案進行了說明。但具體的構(gòu)成并不限定于上述的各實施方案，在不超出本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)可進行設(shè)計的變更等。
例如，在第1及第2實施方案的金屬掩模的制造方法中，雖然定為使用了玻璃基板1的構(gòu)成，但該玻璃基板1只要是可將Cr等導(dǎo)電材料成膜即可，除該玻璃基板1以外，也可以很好地使用耐熱性樹脂板、耐熱性樹脂薄膜等。再者，在第2實施方案中，未從玻璃基板1的背面進行曝光。因此，也可以使用不透明的基板代替玻璃基板1。例如，可以采用陶瓷基板等。
另外，代替采用電子束曝光法、激光束曝光法等在感光材料3上直接形成掩模圖案3a，使用母掩模將感光材料3進行曝光，在該感光材料3上形成掩模圖案3a也可以。
此外，制成在玻璃基板1的表面，順序形成Cr膜2及感光材料3的構(gòu)成，事先，在玻璃基板1的表面?zhèn)浜眯纬蒀r膜2的基體材料，在該基體材料的Cr膜2上形成感光材料3也可以。另外，也可以形成以Cr為主成分的Cr基合金、或ITO膜代替Cr膜2。
另外，此處使用了干膜4，但該干膜4只要是具有感光性的材料即可，例如也可以用液體狀的抗蝕劑等的液體感光樹脂等。
再者，構(gòu)成金屬鍍層6、11的金屬，只要是能通過電鍍而形成的金屬即可，并不限定于Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金。例如，可采用Ta(鉭)、Mo(鉬)、W(鎢)等。
另外，在上述的實施方案中，利用了電鍍，但也可以采用非電解的鍍敷。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如以上說明，采用本發(fā)明，在透明板或透明薄膜的一主面形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后，在該導(dǎo)電膜上形成感光膜，接著以前述導(dǎo)電膜為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述感光膜進行曝光，形成與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案。由此，在透明板或透明薄膜上的沒有導(dǎo)電膜的區(qū)域可形成感光膜。因此，作為透明板或透明薄膜，選擇玻璃等熱膨脹率小的材質(zhì)是容易的，掩模圖案的尺寸隨時間的變化變得沒有。據(jù)此，金屬掩模制造過程中的掩模圖案的尺寸管理變得容易。
另外，以感光膜作為掩模，在導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，通過剝離該金屬鍍層，容易獲得具有與感光膜上所形成的掩模圖案相同形狀的圖案的金屬掩模。
在此，通過反復(fù)實施在導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層的工序，可制作多片且相同精度的高精度的金屬掩模。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在絕緣基板的一主面形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜。然后，在該導(dǎo)電膜上形成具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，制成金屬掩模。據(jù)此，作為絕緣基板，可以用玻璃和陶瓷等熱膨脹率小的材料。因此，在金屬掩模的制造工序中的掩模圖案的尺寸管理變得容易。再者，采用該方法，工序被簡化，故可降低制造成本。
此外，通過金屬掩模的開口部分的側(cè)面變成錐狀，可提高掩模圖案的精度。尤其是，通過在靠近導(dǎo)電膜的一側(cè)使開口最小地構(gòu)成金屬掩模，掩模圖案準確地與導(dǎo)電膜一致。
另外，使感光膜形成為錐狀，可容易獲得開口為錐狀的金屬掩模。
由以上看出，采用本發(fā)明，可制作多片、相同精度的在制造工序中的尺寸管理容易、高精度的金屬掩模，并且可降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，在透明板或透明薄膜的一個主面上，形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后在該導(dǎo)電膜上形成感光膜，接著以前述導(dǎo)電膜為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述感光膜曝光，在該感光膜上形成與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案，接著，在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層從而制成金屬掩模。
2.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，準備在透明板或透明薄膜的一個主面上形成了導(dǎo)電膜的基體材料，在該基體材料的導(dǎo)電膜上形成第1抗蝕劑膜，然后在該第1抗蝕劑膜上形成第1掩模圖案，接著以該抗蝕劑膜為掩模，蝕刻前述導(dǎo)電膜，其后除去該第1抗蝕劑膜，接著，在前述導(dǎo)電膜上形成第2抗蝕劑膜，以該導(dǎo)電膜為掩模，從前述透明板或透明薄膜一側(cè)將前述第2抗蝕劑膜曝光，在前述第2抗蝕劑膜上形成第2掩模圖案，通過電鍍在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層從而制成金屬掩模。
3.權(quán)利要求2記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，前述第2抗蝕劑膜是干膜。
4.權(quán)利要求1～3的任1項記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，在前述第2抗蝕劑膜上形成的掩模圖案，含有上述導(dǎo)電膜上的空間隨著遠離導(dǎo)電膜而變得狹小的開口部分。
5.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，準備在透明板或透明薄膜的一個主面上形成了導(dǎo)電膜的基體材料，在該基體材料的導(dǎo)電膜上形成第1抗蝕劑膜，然后在該第1抗蝕劑膜上形成第1掩模圖案，接著以該抗蝕劑膜為掩模，蝕刻前述導(dǎo)電膜、其后除去該第1抗蝕劑膜，接著，通過電鍍在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，從而制成具有與前述第1掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
6.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，準備在絕緣基板的一個主面上形成了導(dǎo)電膜的基體材料，在該基體材料的導(dǎo)電膜上形成第1抗蝕劑膜，然后在該第1抗蝕劑膜上形成第1掩模圖案，接著以該抗蝕劑膜為掩模，蝕刻前述導(dǎo)電膜，其后除去該第1抗蝕劑膜。接著，通過電鍍在前述導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，從而制成具有與前述第1掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
7.權(quán)利要求2～6的任1項記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，掩模圖案在前述第1抗蝕劑膜上的形成是采用電子束曝光法或激光束曝光法來進行的。
8.權(quán)利要求2～6的任1項記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，掩模圖案在前述第1抗蝕劑膜上的形成，是采用使用了母掩模的曝光法來進行的。
9.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，在透明板或透明薄膜的一個主面上形成具有掩模圖案的導(dǎo)電膜，然后在該導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，制成具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
10.一種金屬掩模的制造方法，其特征在于，在絕緣基板的一個主面上形成具有所規(guī)定的掩模圖案的導(dǎo)電膜，在該導(dǎo)電膜上形成金屬鍍層，剝離該金屬鍍層，制成具有與前述掩模圖案相同形狀的掩模圖案的金屬掩模。
11.權(quán)利要求1～10的任1項記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，前述導(dǎo)電膜由以鉻為主成分的金屬膜構(gòu)成。
12.權(quán)利要求1～10的任1項記載的金屬掩模的制造方法，其特征在于，前述導(dǎo)電膜由ITO膜構(gòu)成。
13.一種金屬掩模，其特征在于，它是采用權(quán)利要求1～12的任1項所記載的制造方法來制造的。
14.一種金屬掩模，其特征在于，它是將在具有形成于絕緣基板上的所規(guī)定的掩模圖案的導(dǎo)電膜上形成的金屬鍍層剝離而獲得的金屬掩模，金屬掩模具有從所剝離的面向相反一側(cè)擴展成錐狀的開口，最寬闊的開口部分位于所剝離的面一側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供可制作多片、相同精度的在制造工序中的尺寸管理容易、高精度的金屬掩模的金屬掩模的制造方法。該制造方法的特征在于，在玻璃基板1的表面形成具有掩模圖案2a的Cr膜2，然后在Cr膜2上形成干膜4，接著以Cr膜2為掩模，從玻璃基板1一側(cè)將干膜4曝光，在干膜4上形成與掩模圖案2a相同形狀的掩模圖案4a，接著在Cr膜2上形成金屬鍍層6，剝離該金屬鍍層6從而制成金屬掩模7。
文檔編號C25D1/08GK1392905SQ01802920
公開日2003年1月22日 申請日期2001年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月26日
發(fā)明者小川潔 申請人:伊斯曼柯達公司