專利名稱：用于無電電鍍?nèi)芤旱姆€(wěn)定劑及該穩(wěn)定劑的使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無電鍍鎳溶液，特別是涉及用于無電鍍鎳溶液的穩(wěn)定劑及該穩(wěn)定劑的使用方法。
典型的無電鍍鎳溶液通常包括水溶性鎳鹽、水溶性合金鹽(如果存在合金時)、還原劑、螯合劑或絡(luò)合劑。也可以相當(dāng)?shù)偷臐舛忍砑犹砑觿?，以增?qiáng)鍍覆溶液的不同特性。對于無電鍍鎳溶液的持續(xù)要求之一為增加該溶液穩(wěn)定性的需求。然而，發(fā)現(xiàn)在某些情形下，為符合需求而添加穩(wěn)定劑會妨礙鎳鍍層的形成，在鎳鍍層形成過程中，促進(jìn)劑會共同沉積在鎳之中。并且已知若干穩(wěn)定劑會造成沉積物變色。例如，鉛或鎘可作為穩(wěn)定劑，但其添加會使沉積物發(fā)亮。此外，已熟知穩(wěn)定劑會導(dǎo)致-或-鍍覆。假如穩(wěn)定劑的濃度太高時，甚至?xí)耆璧K沉積的引發(fā)。因此在本技藝中對用于無電鍍鎳溶液而不會對沉積制程產(chǎn)生不利影響的有效穩(wěn)定劑仍存在著持續(xù)不斷的需求。
一種包含鎳、還原劑、絡(luò)合劑和促進(jìn)劑的無電鍍鎳組合物，其中該促進(jìn)劑是以可促進(jìn)該組合物沉積速率之足夠量存在的介離子化合物。該介離子化合物可包含硫。該介離子化合物最佳為具有結(jié)構(gòu)(I)之三唑鎓化合物， 其中，R1為具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烯基、硫烷氧基、或烷氧羰基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；R2為具有0至25個碳原子的取代或未取代的胺基；具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烯基或烷氧基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有2至25個碳原子的取代或未取代的酰氧基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代的雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至25個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；R3為具有0至25個碳原子的取代或未取代的胺基；具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基或烯基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有2至25個碳原子的取代或未取代的酰氧基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子并且一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至25個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；該R1、R2和R3彼此間可進(jìn)一步結(jié)合形成5、6或7員環(huán)；及X為共價鍵結(jié)至該環(huán)且可帶負(fù)電的基團(tuán)，例如硫原子或氧原子的查耳酮。
或者，該介離子化合物為具有結(jié)構(gòu)(II)的四唑鎓化合物。 其中R1、R2和X定義同上。
于另一實(shí)施方案中，被覆制品的制造方法包括使該制品表面與上述涂料組合物接觸，較佳在pH為大約3至大約11及的大約40至95℃的升高溫度下進(jìn)行。該方法特別適用于容易暴露在腐蝕條件或是在罕見的磨損或承受壓力下與其它表面容易產(chǎn)生滑動或摩擦的制品表面涂敷。
另一實(shí)施方案包括在具有表面的制品上沉積鍍層，其中該鍍層包含大約95至大約99.9重量百分率的鎳和大約5至0.1重量百分率的硼，或大約85至大約99重量百分率的鎳和大約15至大約1重量百分率的磷。
圖2是于60℃、pH4.8時比較相同濃度的硫醇三唑鎓(A)以及硫氰酸鈉(C)的電鍍速率(微米/10分鐘)。
具體實(shí)施例方式
無電鍍鎳涂料組合物包括鎳、還原劑、以及絡(luò)合劑，該絡(luò)合劑可藉由添加介離子化合物作為穩(wěn)定劑而加以改善，介離子化合物的添加量較佳為每公升約0.05至約10毫克(mg/l)。該介離子化合物可包括硫。尤其，該介離子化合物以具有如下結(jié)構(gòu)(I)的1，2，4-三唑為特佳 其中R1為具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烷基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的烯基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有6至33個碳原子(較佳為6至12碳原子)的取代或未取代的芳基；或具有1至28個碳原子(較佳為1至14碳原子)及一或多個雜原子(例如N，O以及/或S)的取代或未取代的雜環(huán)。取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、以及羥基。烷基的示例包含甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基等；烯基的示例包含烯丙基；以及環(huán)烷基的示例包含取代及未取代的環(huán)戊基以及環(huán)己基；芳基的示例包含苯基、4-甲撐二氧基苯基、3-胺磺?；交?；雜環(huán)的示例為4-啶基。
R1進(jìn)一步可為烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的芳香環(huán)(例如苯基或基)上的苯氧基；或烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的雜環(huán)(該雜環(huán)具有1至25個，較佳為2至10碳原子，且含有一或多個雜原子，例如N，O以及/或S)上的苯氧基；芳香環(huán)或雜環(huán)的取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、以及羥基。
R2為具有0至25個碳原子(較佳為0至8碳原子)的取代或未取代的胺基；具有2至25個碳原子(較佳為2至8碳原子)的取代或未取代的酰氧基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烷氧基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烷基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烯基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有6至33個碳原子(較佳為6至12碳原子)的取代或未取代的芳基；或具有1至28個碳原子(較佳為1至14碳原子)及一或多個雜原子(例如N，O以及/或S)的取代或未取代的雜環(huán)。
這些取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、羥基及其組合。胺基的示例包含胺基、甲胺基、乙胺基、或2-乙基己基胺基；酰氧基的示例包含乙酰氧基及苯甲酰氧基；烷氧基的示例包含甲氧基；烷基的示例包含甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基等；烯基的示例包含烯丙基；以及環(huán)烷基的示例包含取代及未取代的環(huán)戊基以及環(huán)己基；芳基的示例包含苯基、4-甲撐二氧基苯基、3-胺磺?；交?；以及雜環(huán)的示例為4-吡啶基或2-吡啶基。
R2進(jìn)一步可為例如烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的芳香環(huán)(例如苯基或基)上的苯氧基；或烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的雜環(huán)(該雜環(huán)具有1至25個，較佳為2至10碳原子，且含有一或多個雜原子，例如N，O以及/或S)上的苯氧基；芳香環(huán)或雜環(huán)的取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、羥基(例如2-(1’，5’-二甲基-1’，2’，4’-三唑-3’-硫醇-4’-)乙基)，及其組合。
R3為具有0至25個碳原子(較佳為0至8碳原子)的取代或未取代的胺基；具有2至25個碳原子(較佳為2至8碳原子)的取代或未取代的酰氧基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烷氧基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烷基；具有1至28個碳原子(較佳為1至8碳原子)的取代或未取代的烯基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有6至33個碳原子(較佳為6至12碳原子)的取代或未取代的芳基；或具有1至28個碳原子(較佳為1至14碳原子)及一或多個雜原子(例如N，O以及/或S)的取代或未取代的雜環(huán)。
這些取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、羥基及其組合。胺基的示例包含胺基、甲胺基、乙胺基、或2-乙基己基胺基；酰氧基的示例包含乙酰氧基及苯甲酰氧基；烷氧基的示例包含甲氧基；烷基的示例包含甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基等；烯基的示例包含烯丙基；以及環(huán)烷基的示例包含取代及未取代的環(huán)戊基以及環(huán)己基；芳基的示例包含苯基、4-甲撐二氧基苯基、3-胺磺?；交?；以及雜環(huán)的示例為4-吡啶基或2-吡啶基。
R3進(jìn)一步可為例如烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的芳香環(huán)(例如苯基或萘基)上的苯氧基；或烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或連接于取代或未取代的雜環(huán)(該雜環(huán)具有1至25個，較佳為2至10碳原子，且含有一或多個雜原子，例如N，O以及/或S)上的苯氧基；芳香環(huán)或雜環(huán)的取代基的示例包含，但非限于具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至6個碳原子的硫烷氧基、具有2至8個碳原子的烷氧羰基、氰基、羧基、胺基、羥基及其組合。
R1、R2及R3彼此間可進(jìn)一步組合而形成5-、6-或7-員環(huán)。
X為共價鍵結(jié)至環(huán)且可帶負(fù)電的基團(tuán)，例如查耳酮(chalcone)，如硫原子、硒原子、或氧原子。以硫及氧較佳。
另外，該介離子化合物為具有結(jié)構(gòu)(II)的四唑鎓化合物 其中，R1、R2及X系如上所定義。
亦可使用其它含有氧、氮、以及/或硫的介離子化合物，包含斯德酮(sydnones)。適當(dāng)?shù)乃沟峦氖纠秊榫哂薪Y(jié)構(gòu)(III)者 其中R1系如上所定義。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可藉由根據(jù)其它化合物的性質(zhì)、其它化合物的量、欲電鍍?nèi)芤旱臏囟取⒂婂兊奈锲返榷菀椎貨Q定介離子化合物的量。通常，介離子化合物的有效濃度為約0.05至約10，較佳為0.5至約4mg/l。
無電鍍鎳涂層組合物的鎳成分可衍生自含有鹽類的可溶性鎳。該鹽類的陰離子成分較佳為不會對涂覆程序產(chǎn)生抗性者。例如氧化酸的鹽，例如氯酸鹽為較不適當(dāng)者，因為其會與被覆浴中的還原劑反應(yīng)。氯化鎳、硫酸鹽、甲酸鹽、乙酸鹽及其它鹽類，這些陰離子實(shí)質(zhì)上對被覆浴中的其它相關(guān)成分為具有良好的惰性。通常系使用硫酸鎳及氯化鎳。
可藉由于溶液中分別添加水溶性鹽而提供其它金屬離子。再者，這些金屬鹽類具有陰離子成分，其不會對被覆程序產(chǎn)生抗性，通常適合的鹽類為，例如硫酸金屬鹽、甲酸鹽、乙酸鹽及其它鹽類，這些陰離子實(shí)質(zhì)上對被覆浴中的其它相關(guān)成分為具有良好的惰性。
適合的還原劑實(shí)例包含次磷酸、如次磷酸鈉的次磷酸鹽、硼氫化物、二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、肼、硫代硫酸鹽及抗壞血酸，其中任一者皆可當(dāng)作還原劑摻混。示范性硫代硫酸鹽系硫代硫酸銨、硫代硫酸鈉及硫代硫酸鉀。
該硼氫化物還原劑可選自具有良好程度的水溶性及于水溶液中的穩(wěn)定性的習(xí)知硼氫化物。較佳系硼氫化鈉。另外，可使用取代的硼氫化物當(dāng)中取代的硼氫化物的氫原子不多于三個者。例證系三甲氧硼氫化鈉(NaB(OCH3)3H)及三甲氧硼氫化鉀(KB(OCH3)3H)。
絡(luò)合或多價螯合劑系用以限制或防止該鎳及其它任何金屬離子的沉淀。該金屬離子絡(luò)合劑亦可用以降低金屬離子反應(yīng)性，因為于整體溶液中經(jīng)絡(luò)合或螯合的金屬離子與該還原劑具有極低的反應(yīng)性但與該溶液接觸時會在基材的催化表面反應(yīng)。
適合的絡(luò)合劑包含，例如，氨及含一或多個以下官能團(tuán)的有機(jī)絡(luò)合物形成試劑伯氨基、仲氨基、叔氨基、亞氨基、羧基及羥基。有復(fù)數(shù)種金屬離子絡(luò)合試劑系此技藝眾所知者，例如乙二胺、二乙三胺、三乙四胺、三乙三胺、如蘋果酸、丁二酸、乳酸、草酸、檸檬酸、酒石酸及乙二胺四醋酸的有機(jī)酸類及其水溶性鹽類，以及如氨基乙酸、丙氨酸、亞胺二醋酸、藻酸及谷氨酸的氨基酸類。
其它習(xí)知的穩(wěn)定劑可視情況需要而使用。示范性穩(wěn)定劑系如醋酸鉛的水溶性鉛鹽及如硫代二乙醇酸的硫化合物。
以上無電渡鎳涂料組合物中各成分的用量可由本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易地決定，端視，例如，該沉積涂層的所欲特征、所欲之涂布速率、該等成分之本性、該等成分之相關(guān)用量、涂布時該溶液之溫度、欲涂布之對象、催化物種等而定。通常，鎳離子的有效濃度約0.01至約1摩爾/升，更佳約0.05至約0.2摩爾/升。通常，該還原劑的有效濃度約0.05至約0.5摩爾/升。通常，該金屬離子絡(luò)合劑的有效濃度約0.01至2摩爾/升，更佳約0.05至約1摩爾/升。視情況而添加的加速劑較佳用量約0.5至約4毫克/升。
該鍍覆組合物的其它特征，例如pH，可依需要調(diào)整，端視特定成分而定。該無電鎳鍍覆溶液pH通常可能系約3至約11，且通常于鍍覆期間調(diào)整pH，因為該液浴可能會因為質(zhì)子而變酸。溶液pH的調(diào)整可藉由添加各式各樣的礦物酸或其溶液或氨水而完成。
典型地藉由形成適當(dāng)量金屬鹽類的水溶液，添加該絡(luò)合劑及穩(wěn)定劑，視需要調(diào)整pH，過濾，然后于該基材導(dǎo)入該溶液的前，立即添加所需用量的還原劑而制備該鍍覆組合物。該鍍覆組合物亦可藉由添加本領(lǐng)域中習(xí)知的濃縮物而形成。
本發(fā)明提供于基材上沉積鎳層的方法，該方法包括的步驟為使該基材與上述的組合物接觸。適用于無電沉淀的基材系具有催化活性表面的基材，包含由鎳、鈷、鐵、鋼、鋁、鋅、鈀、鉑、銅、黃銅、鉻、鎢、鈦、錫、銀、碳、石墨及含至少一前述金屬的合金的基材。此等材料藉由該還原劑催化性地引發(fā)鍍覆浴中金屬離子的還原且造成與該鍍覆浴接觸的基材表面的金屬合金沉積。只要以直流電引發(fā)就可使用非催化性金屬，藉由對該對象施加電力直到引發(fā)還原沉積。換言之，預(yù)先鍍覆上述的催化性金屬被覆層之后，即于非催化性金屬對象上進(jìn)行無電鍍覆。如玻璃、陶瓷及塑料的非催化性基材一般系非催化性的。然而，此等物質(zhì)可于該物質(zhì)的表面上產(chǎn)生其中之一催化性材料的薄膜使該物質(zhì)變成具催化活性的。此等可藉由一般熟于此藝之士所習(xí)知的各種技術(shù)而完成。一較佳步驟牽涉將玻璃、陶瓷或塑料對象的表面浸泡于氯化錫溶液中，然后使經(jīng)處理的表面與氯化鈀溶液接觸。藉以使鈀薄層以還原態(tài)沉積于經(jīng)處理的表面上。然后該對象可置放或借著與如下所述的涂布液浴接觸而被覆該鎳組合物。
欲涂布或鍍覆的對象可根據(jù)金屬鍍覆技藝的標(biāo)準(zhǔn)施行方法，藉由機(jī)械清洗、去脂、陽極-堿性清潔，然后泡在酸浴而制備。如果只要在選擇表面上沉積該金屬合金，可對該基材加以屏蔽。盡管本被覆層通常具有優(yōu)良的黏著力而能適當(dāng)?shù)刂苽浠谋砻?，有時候被覆層黏著力系重要的或者碰到某些黏著力問題時，經(jīng)?？捎谑┯帽救芤褐?，以電化學(xué)方式于該基材表面沉積鎳而增強(qiáng)該被覆層的黏著力。
無電鍍覆系本領(lǐng)域中眾所皆知的方法，此等方法于美國專利第5,109,613號案；美國專利第3,338,726號案；美國專利第3,096,182號案；美國專利第3,045,334號案；美國專利第3,378,400號案；及美國專利第2,658,841號案中廣泛地揭示，以其全部內(nèi)容并入本文中供參考之用。于典型的步驟中，經(jīng)清潔或以其它方法制備表面的對象系浸于該熱(約40至約95℃)鍍覆組合物中引發(fā)該涂布程序。涂布持續(xù)到該被覆層的沉積達(dá)所欲的厚度或直到溶液中的金屬離子耗盡為止。沉積速率隨所在條件而變，通常每小時約0.1密爾(0.001英時，25微米)至約1.5密爾。較佳鍍覆速率約每小時1密爾。


圖1系顯示于90℃且pH4.8時比較同等濃度的硫羥酸三唑鎓(A)、硫脲(B)及硫代氰酸鈉(C)的鍍覆速率(每10分鐘微米數(shù))的圖形。圖2系顯示比較的圖形。圖2系顯示于60℃且pH4.8時比較同等濃度的硫羥酸三唑鎓(A)及硫代氰酸鈉(C)的鍍覆速率(每10分鐘微米數(shù))的圖形。由此等圖形中，可見到比起使用同等用量的硫或硫代氰酸鈉穩(wěn)定劑，包括中離子穩(wěn)定劑的無電鎳鍍覆溶液具有增強(qiáng)的鍍覆速率。另外，可見到僅需要極小量就有效，由該等觀點(diǎn)顯現(xiàn)出該鍍覆速率較固定(與濃度無關(guān))。因此使用介離子化合物更易于維持(或控制)該鍍覆溶液。
該無電鎳被覆層具有優(yōu)良的硬度及相隨的耐磨耗性。該被覆層極易延展，使該被覆層能隨該基材屈曲，同時維持對該被覆材料的強(qiáng)力黏結(jié)。該被覆層以無定形或非孔隙性的形式存在。
該無電鎳鍍覆具有廣泛的應(yīng)用。對象的被覆表面具有特殊的效用，于平常使用時碰到高溫度/壓力下高度研磨、擦拭或滑動的狀況。經(jīng)發(fā)現(xiàn)于許多工具的結(jié)構(gòu)點(diǎn)處此等高度磨耗狀況，包含氣體渦輪引擎、運(yùn)送及各式各樣的重設(shè)備結(jié)構(gòu)的內(nèi)燃機(jī)。
本發(fā)明復(fù)藉由以下的非限定實(shí)施例說明，其并非企圖以任何方式限制本發(fā)明的范圍。
用12克/升蘋果酸、24克/升乳酸、12克/升乙酸、1.8克/升四硼酸鈉、30克/升次磷酸鈉、1毫克/升鉛鹽、2毫升3-硫羥酸-1，4，5-三甲基-1，2，4-三唑及25毫克/升EDTA于1升水中制成無電鍍覆溶液。將pH調(diào)整至4.8，且于90℃時以每小時21.6微米的鍍覆速率鍍覆基材。
參照示范性實(shí)施例說明本發(fā)明時，熟于此藝之士應(yīng)了解其可以進(jìn)行各種變化且可以同等物取代其成分而不會違離本發(fā)明的范圍。另外，可進(jìn)行許多修飾使特定情況或材料符合本發(fā)明的教旨而不會違離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍。因此，本發(fā)明并非企圖受限于預(yù)期為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式所述的特定實(shí)施例，而系本發(fā)明將包含所有揭示范圍內(nèi)的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種無電鍍鎳鍍敷組合物，包括鎳、還原劑、絡(luò)合劑和促進(jìn)劑，其中該促進(jìn)劑是以可促進(jìn)該組合物沉積速率的足夠量存在的介離子化合物。
2.如權(quán)利要求1的組合物，其中該介離子化合物包含硫。
3.如權(quán)利要求1或2的組合物，其中該介離子化合物選自具有結(jié)構(gòu)(I)的三唑鎓化合物， 和具有結(jié)構(gòu)(II)的四唑鎓化合物， 其中，R1為具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烯基、硫烷氧基、或烷氧羰基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；R2為具有0至25個碳原子的取代或未取代的胺基；具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烯基或烷氧基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有2至25個碳原子的取代或未取代的酰氧基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至25個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；R3為具有0至25個碳原子的取代或未取代的胺基；具有1至28個碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基或烯基；具有3至28個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基；具有2至25個碳原子的取代或未取代的酰氧基；具有6至33個碳原子的取代或未取代的芳基；具有1至28個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)；結(jié)合至取代或未取代的芳環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烯基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；或結(jié)合至具有1至25個碳原子與一個或多個如N、O及/或S的雜原子的取代或未取代雜環(huán)的烷基、環(huán)烷基、烷氧烷基、芳基或苯氧基；該R1、R2和R3彼此間可進(jìn)一步結(jié)合形成5、6或7員環(huán)；及X為共價鍵結(jié)至該環(huán)且可帶負(fù)電的基團(tuán)。
4.如權(quán)利要求3的組合物，其中X為硫或氧原子。
5.如權(quán)利要求1至4任一項的組合物，其中該促進(jìn)劑為斯德酮。
6.如權(quán)利要求1至5任一項的組合物，其中該介離子化合物以大約0.05至大約10mg/L的濃度存在。
7.如權(quán)利要求1至6任一項的組合物，其中該鎳來自選自氯化鎳、硫酸鎳、甲酸鎳及乙酸鎳的可溶性鎳鹽。
8.如權(quán)利要求1至7任一項的組合物，其中該還原劑選自次磷酸、次磷酸鹽、氫硼化物、二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、肼、硫代硫酸鹽及抗壞血酸鹽。
9.如權(quán)利要求1至8任一項的組合物，其中該絡(luò)合劑選自氨及含有一種或多種官能團(tuán)的有機(jī)絡(luò)合形成劑，該官能團(tuán)選自伯氨基、仲氨基、叔氨基、亞氨基、羧基與羥基。
10.一種在基材上沉積無電鍍鎳的方法，該方法包括使該基材與權(quán)利要求1至9項中任一項的組合物接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及無電鍍鎳溶液，尤其是用于無電鍍鎳溶液的穩(wěn)定劑及該穩(wěn)定劑的使用方法。提供一種含有鎳、還原劑、絡(luò)合劑和促進(jìn)劑的無電鍍鎳組合物，其中該促進(jìn)劑是以可促進(jìn)該組合物沉積速率的足夠量存在的介離子化合物。
文檔編號C25D3/60GK1425799SQ02146350
公開日2003年6月25日 申請日期2002年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月24日
發(fā)明者J·黑伯, A·艾格利 申請人:希普利公司