專利名稱：電鍍起鍍層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域的電鍍工藝，是一種新型的用于電鍍工藝的電鍍起鍍層的制作方法。
背景技術：
電鍍工藝是半導體制造過程中常用的一種工藝流程，尤其在微波固態(tài)集成電路制造中，電鍍工藝經(jīng)常用于金屬加厚，背面金屬化等方面。根據(jù)電鍍工藝的要求，電鍍器件的表面需涂敷一層金屬作為陰極，這層金屬稱為起鍍層。
起鍍層金屬大部分為金，但是金在半導體襯底材料表面的粘附性不好，易脫落，目前的起鍍層多使用Ti/Au(鈦/金)的結構，先濺射粘附性好的Ti再使用Au。而這種方法有一些缺陷，由于大部分情況下，微電子工藝的電鍍起鍍層上會涂光刻膠，光刻膠在金表面的附著不好，很容易出現(xiàn)掉膠現(xiàn)象，影響電鍍的質量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的內(nèi)容在于提出一種電鍍起鍍層的制作方法，其具有工藝簡單，可靠性好，粘附性好，便于操作的優(yōu)點。
本發(fā)明一種電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟a)在半導體襯底上制作第一層鈦金屬；b)在第一層鈦金屬上制作一層金屬金；c)在金屬金上制作第二層鈦屬金，完成起鍍層的制作。
其中第一層鈦金屬的厚度為300。
其中電鍍時電鍍區(qū)域頂層第二層金屬鈦使用腐蝕方法去除。
其中金屬金的厚度為500-1500。
其中第二鈦金屬的厚度為200。


為進一步說明本發(fā)明的技術內(nèi)容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中圖1是本發(fā)明的結構示意圖。
具體實施例方式
為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的起鍍層結構使用Ti/Au/Ti的結構如圖1所示，其制作過程為使用磁控濺射的方法濺射到依次濺射一定厚度的Ti或Au。
請參閱圖1所示，本發(fā)明，一種電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟a)在半導體襯底1上制作第一層鈦金屬2，該第一層鈦金屬2的厚度為300；b)在第一層鈦金屬2上制作一層金屬金3，該金屬金3的厚度為500-1500；c)在金屬金3上制作第二層鈦屬金4，該第二鈦金屬4的厚度為200，完成起鍍層的制作。
其中電鍍時電鍍區(qū)域頂層第二層4金屬鈦使用腐蝕方法去除。
本發(fā)明中第一層Ti金屬2為中間過渡層，濺射約300Ti，因為金屬Ti具有良好的浸潤性與粘附性可以很好的附著于半導體材料表面，同時由于Au具有很好的結合性能，充當粘接層，使得起鍍層能夠牢固的粘接在襯底。金屬Au層3濺射在第一層Ti金屬2表面，該層為電鍍Au的關鍵一層，Au的電鍍沉積開始于本層，按照不同的電鍍要求，該層的厚度可選為500-1500，這一層也是關鍵的低阻層，在電鍍中，低阻起鍍層可以達到更好的電鍍質量與均勻性。最后是第二層Ti金屬4約200的Ti，這層Ti金屬充當Au與光刻膠結合的過渡層，利用Ti可以和光刻膠及Au緊密結合的特點，這層Ti的使用保證了起鍍層上涂膠的牢固，可靠。根據(jù)需要還可以在第二層Ti金屬4上涂光刻膠5。按照電鍍工藝的要求，電鍍是必須將作為陰極的Au露出，本發(fā)明中起鍍層的使用利用腐蝕液將電鍍區(qū)域金屬Ti腐蝕的方法將電鍍區(qū)起鍍層中的Au露出。
本發(fā)明所述起鍍層在試驗觀察中，起鍍層與襯底的粘附很牢固，為發(fā)生脫落現(xiàn)象，同時，由于頂層Ti的引入，解決了起鍍層上涂膠經(jīng)常發(fā)生的光刻膠脫落現(xiàn)象。
權利要求
1.一種電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟a)在半導體襯底上制作第一層鈦金屬；b)在第一層鈦金屬上制作一層金屬金；c)在金屬金上制作第二層鈦屬金，完成起鍍層的制作。
2.根據(jù)權利要求1所述的電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，其中第一層鈦金屬的厚度為300。
3.根據(jù)權利要求1所述的電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，其中電鍍時電鍍區(qū)域頂層第二層金屬鈦使用腐蝕方法去除。
4.根據(jù)權利要求1所述的電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，其中金屬金的厚度為500-1500。
5.根據(jù)權利要求1所述的電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，其中第二鈦金屬的厚度為200。
全文摘要
一種電鍍起鍍層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟a)在半導體襯底上制作第一層鈦金屬；b)在第一層鈦金屬上制作一層金屬金；c)在金屬金上制作第二層鈦屬金，完成起鍍層的制作。
文檔編號C25D7/12GK1670262SQ20041003969
公開日2005年9月21日 申請日期2004年3月16日 優(yōu)先權日2004年3月16日
發(fā)明者劉新宇, 孫海峰, 和致經(jīng), 邵剛 申請人:中國科學院微電子研究所