專利名稱：鎂制品鍍膜電解液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種鎂制品鍍膜電解液。
技術(shù)背景鎂合金材料因其比重小、電磁屏蔽性能優(yōu)良、適合壓鑄大批量生產(chǎn)等優(yōu)點，在工業(yè)上已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。但是，由于鎂及鎂合金材料的化學(xué)性質(zhì)活潑，鎂制品必須進行適當?shù)谋砻姹Ｗo處理，以提高鎂合金材料表面的耐腐蝕性及耐磨性。
故而目前業(yè)界有采用鎂合金微弧氧化技術(shù)對鎂合金材料進行鍍膜，如中國專利申請?zhí)?6108405所揭示的一種鎂制品的鍍覆方法及所用的電解液，其采用堿金屬硅酸鹽(如硅酸鉀)、堿金屬氫氧化物(如氫氧化鉀)及氟化物(如氟化鉀)組成水溶液電解液，在浸于電解液中的鎂制品與輔助陰極間加電壓，通過火花放電，在鎂合金表面形成覆層，使鎂制品的耐蝕性、耐磨性有顯著的提高。但是，該方法所采用的電解液所形成的陶瓷質(zhì)膜為氧化鎂陶瓷膜，顏色為白色，對于外觀要求為黑色的產(chǎn)品則需要再噴漆，在產(chǎn)品磨損掉漆后，白色陶瓷膜外露，破壞產(chǎn)品外觀。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一種可生成黑色鍍膜的鎂制品鍍膜電解液。
一種鎂制品鍍膜電解液，包括基礎(chǔ)液、發(fā)黑劑及絡(luò)合劑，所述發(fā)黑劑包括主發(fā)黑劑及輔助發(fā)黑劑，所述主發(fā)黑劑含量為0.3～9g/l，所述輔助發(fā)黑劑含量為0.1～8g/l，所述絡(luò)合劑含量為0.5～20g/l。
通過在鎂制品鍍膜電解液中加入發(fā)黑劑及絡(luò)合劑，使生成的鎂制品鍍膜為黑色，滿足鎂制品黑色外觀需求。
具體實施方式本發(fā)明鎂制品鍍膜電解液應(yīng)用于鎂合金材料，將鎂合金基體材料作為陽極浸于鎂制品鍍膜電解液中，和浸于鎂制品鍍膜電解液中的陰極(如不銹鋼或其它不溶性惰性金屬)之間加電壓直至金屬表面產(chǎn)生電火花放電，在鎂合金基體材料上形成黑色鍍膜。鎂制品鍍膜電解液包括基礎(chǔ)液、主發(fā)黑劑、輔助發(fā)黑劑、絡(luò)合劑及緩蝕劑。鎂制品鍍膜電解液溫度范圍10～60℃。
基礎(chǔ)液包括強堿、氟化物、硅酸鹽及水。強堿為氫氧化鉀、氫氧化鈉的一種或其組合，其濃度為2～25g/l。氟化物可以是氟化鉀、氟化鈉、氟化銨等含氟離子的化合物的一種或幾種的組合，其濃度為1～30g/l。硅酸鹽為硅酸鉀、硅酸鈉、氟硅酸鉀、氟硅酸鈉等的一種或幾種的組合，其含量為1～35g/l。
主發(fā)黑劑主要為銅鹽，為氫氧化銅、堿式碳酸銅、焦磷酸銅、檸檬酸銅及其它含銅的金屬鹽的一種或幾種的組合，其含量在0.3～9g/l。
輔助發(fā)黑劑為硝酸鎳、鉬酸銨、偏釩酸銨及其它含氧酸的一種或幾種的組合，其含量為0.1～8g/l。
絡(luò)合劑為氨水、乙二胺四乙酸(EDTA)、檸檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺等的酸類或鹽類的一種或幾種的組合，含量為0.5～20g/l。
緩蝕劑可增加黑度、防止腐蝕，其為含有-NH2或-OH或-NO3等吸附型基團的硫脲、間硝基苯磺酸鈉、烏洛托品等的一種或幾種的組合，含量為0～5g/l。
下列各實施例是實施本發(fā)明所使用的代表性鎂制品鍍膜電解液及溫度實施例1氫氧化鈉 25g/l硅酸鈉 1g/l氟化鉀 10g/l焦磷酸銅 4g/l硝酸鎳 0.1g/l檸檬酸鈉 8g/l硫脲 1g/l溫度35℃；鎂制品鍍膜膜厚10μm，黑色。
實施例2氫氧化鈉 13g/l硅酸鈉 8g/l氟化鉀 13g/l焦磷酸銅 1.8g/l硝酸鎳 0.1g/l
檸檬酸鈉 5g/l硫脲 0.1g/l溫度25℃；鎂制品鍍膜膜厚14μm，黑色。
實施例3氫氧化鉀 2g/l硅酸鈉35g/l氟化鉀1g/l焦磷酸銅 6g/l硝酸鎳0.1g/l乙二胺四乙酸二鈉 3g/l烏洛托品 0.1g/l溫度60℃；鎂制品鍍膜膜厚14μm，黑色略偏紅。
實施例4氫氧化鈉 15g/l硅酸鈉 21g/l氟化鉀 10g/l氫氧化銅 0.3g/l鉬酸銨 1g/l乙二胺 0.5g/l硫脲 1g/l溫度35℃；鎂制品鍍膜膜厚8μm，黑色。
實施例5氫氧化鈉 3g/l硅酸鈉 4g/l氟化鉀 30g/l氫氧化銅 4.5g/l鉬酸銨 0.6g/l乙二胺 0.5g/l
檸檬酸鈉 8g/l硫脲 1.5g/l溫度35℃；鎂制品鍍膜膜厚12μm，黑色。
實施例6氫氧化鉀 15g/l硅酸鈉21g/l氟化鉀10g/l氫氧化銅 1g/l焦磷酸銅 8g/l偏釩酸銨 4g/l乙二胺5g/l檸檬酸鈉 15g/l硫脲 1g/l溫度35℃；鎂制品鍍膜膜厚18μm，黑色略偏藍。
實施例7氫氧化鉀 15g/l硅酸鈉3g/l氟化鉀15g/l焦磷酸銅 1g/l偏釩酸銨 8g/l乙二胺2g/l酒石酸鉀鈉12g/l溫度35℃；鎂制品鍍膜膜厚11μm，黑色。
實施例8氫氧化鉀 25g/l硅酸鈉11g/l氟化鉀10g/l氫氧化銅 1g/l
焦磷酸銅 2g/l偏釩酸銨 2g/l乙二胺1g/l檸檬酸鈉 8g/l硫脲 1g/l烏洛托品 4g/l溫度10℃；鎂制品鍍膜膜厚5μm，黑色。
權(quán)利要求
1.一種鎂制品鍍膜電解液，包括基礎(chǔ)液，其特征在于所述鎂制品鍍膜電解液還包含有發(fā)黑劑及絡(luò)合劑，所述發(fā)黑劑包括主發(fā)黑劑及輔助發(fā)黑劑，所述主發(fā)黑劑含量為0.3～9g/l，所述輔助發(fā)黑劑含量為0.1～8g/l，所述絡(luò)合劑含量為0.5～20g/l。
2.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述基礎(chǔ)液包括含量為2～25g/l的強堿、含量為1～30g/l的氟化物及含量為1～35g/l的硅酸鹽。
3.如權(quán)利要求2所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述強堿為氫氧化鉀、氫氧化鈉的一種或其組合。
4.如權(quán)利要求2所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述氟化物為氟化鉀、氟化鈉、氟化銨的一種或其幾種的組合。
5.如權(quán)利要求2所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述硅酸鹽為硅酸鉀、硅酸鈉、氟硅酸鉀、氟硅酸鈉的一種或其幾種的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述主發(fā)黑劑為銅鹽。
7.如權(quán)利要求6所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述銅鹽為氫氧化銅、堿式碳酸銅、焦磷酸銅、檸檬酸銅的一種或其幾種的組合。
8.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述輔助發(fā)黑劑為含氧酸。
9.如權(quán)利要求8所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述含氧酸為硝酸鎳、鉬酸銨、偏釩酸銨的一種或其幾種的組合。
10.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述絡(luò)合劑為氨水、乙二胺四乙酸、檸檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺的酸類或鹽類的一種或幾種的組合。
11.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述鎂制品鍍膜電解液還包括緩蝕劑，所述緩蝕劑為含有吸附型基團的硫脲、間硝基苯磺酸鈉、烏洛托品的一種或幾種的組合，含量為0～5g/l，所述吸附型基團為-NH2或-OH或-NO3。
12.如權(quán)利要求1所述的鎂制品鍍膜電解液，其特征在于所述鎂制品鍍膜電解液溫度范圍為10～60℃。
全文摘要
一種鎂制品鍍膜電解液，包括基礎(chǔ)液、發(fā)黑劑及絡(luò)合劑，所述發(fā)黑劑包括主發(fā)黑劑及輔助發(fā)黑劑，所述主發(fā)黑劑含量為0.3～9g/l，所述輔助發(fā)黑劑含量為0.1～8g/l，所述絡(luò)合劑含量為0.5～20g/l。
文檔編號C25D11/30GK101058893SQ20061006039
公開日2007年10月24日 申請日期2006年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月19日
發(fā)明者羅忠無, 林軍, 簡琳, 彭鐵強 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司