專利名稱：結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍著制作方法，尤其涉及一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制
作方法。
背景技術(shù)：
以往可供選用的電子產(chǎn)品的外觀，幾乎都大同小異或僅是單純幾何形狀的簡單變 化，并無法吸引消費者的購買欲望，但隨著繪圖軟件的不斷提升及模具的日益精進，在昔日 認(rèn)為不能制出的曲面造型或復(fù)雜形狀，皆逐一的被克服且不斷的有新產(chǎn)品被推出市場，且 獲得消費者普遍性的青睞與好評；然而，此等電子產(chǎn)品的外觀形狀固然重要，但是若能加上 顏色的搭配，則其產(chǎn)品可說是立于不敗的地位；因此，如何對此等電子產(chǎn)品進行表面的鍍著 處理，則是本發(fā)明所要解決的課題。 現(xiàn)有用于電子產(chǎn)品的表面處理方式有噴漆、印刷、涂裝、鍍著、蒸著等相當(dāng)繁多，其
中在物理氣相沉積(PVD及電著沉積(ED Coating)亦經(jīng)常被采用，此物理氣相沉積所形成
的鍍膜雖然具有較佳的耐磨耗等特性，但對于非平面狀的板體、殼體、不規(guī)則曲面或復(fù)雜形
狀時，其在側(cè)板及各板面的相接處所形成的鍍膜相當(dāng)?shù)南∈?，不僅造成抗磨耗效果不佳，更
嚴(yán)重的影響到產(chǎn)品的美觀性，且以物理氣相沉積方式來進行鍍膜時，因受到環(huán)境溫度及涂
料特性的限制，其對于顏色的變化較為鮮少，而不符合階段性的產(chǎn)品鍍膜需求。另，電著沉 積雖然具有較多的顏色變化等特性，但是其在耐磨耗等方面卻是不甚理想；著實有待加以
改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的，在于提供一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其是 可在被鍍物基材上形成一復(fù)合式均勻鍍膜。 為了達到上述的目的，本發(fā)明提供一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方
法，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材； b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；
c)在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層；及
d)在該導(dǎo)電層表面以一電著沉積形成有一外表層。 為了達到上述的目的，本發(fā)明提供另一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方
法，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材； b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層；及
c)在該導(dǎo)電層表面以一電著沉積形成有一外表層。 本發(fā)明對照現(xiàn)有技術(shù)具有以下功效，對于非平面狀被鍍物基材，由電著沉積方式 所形成的外表層，不僅可有效地改善物理氣相沉積所造成的鍍膜不均現(xiàn)象，進而提升產(chǎn)品遮瑕效果；更可利用此電著沉積在被鍍物基材外表面制作出各種不同顏色，而增加顏色的變化性及整體的美觀性；由于在電著沉積時各板面的接合處聚集有較多的電子，可在前述的接合處的位置形成有較厚的鍍膜，以有效解決物理氣相沉積所存在鍍膜稀疏問題。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明的方法的制作流程圖； 圖2為本發(fā)明應(yīng)用于手機前蓋的立體外觀圖； 圖3為圖2的剖視放大圖； 圖4為本發(fā)明的另一實施方法制作流程圖； 圖5為本發(fā)明的另一實施方法應(yīng)用于手機前蓋的剖視放大圖, 其中，附圖標(biāo)記 被鍍物基材10 外表面11 內(nèi)表面12 碳化層20 導(dǎo)電層30 外表層40
具體實施例方式
有關(guān)本發(fā)明的詳細說明及技術(shù)內(nèi)容，配合圖式說明如下，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。 請參閱圖1、圖2及圖3所示，分別為本發(fā)明的制作流程圖、應(yīng)用于手機前蓋的立體外觀圖及圖2的剖視放大圖，本發(fā)明提供一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材IO(如圖2所示)；在此步驟中，被鍍物基材10可為導(dǎo)電體或非導(dǎo)電體的材料所制成，本實施例的被鍍物基材10為一手機前蓋，其具有一外表面11及一內(nèi)表面12。 b)在該被鍍物基材10的 一 表面11以 一 物理氣相沉積(PhysicalV即orD印osition， PVD)形成有一碳化層20(如圖3所示)；在此步驟中，將被鍍物基材10置入一物理氣相蒸鍍機中(圖未示)，其靶材可為鈦靶、鉻靶及鋯靶的任一種，其工藝參數(shù)如下此蒸鍍機內(nèi)部設(shè)定參數(shù)為工作真空度0. 1 0. 2Pa，轉(zhuǎn)架速度為10 20Hz，內(nèi)部轟擊清洗氣體為氬(Ar)，轟擊清洗氣體流量為400 500SCCM，轟擊清洗時間5 15分鐘(min)，轟擊清洗偏壓為-500 -700V,中頻電流30 40A，中頻電壓500 700V，鍍膜偏壓-50 _20(^，鍍膜溫度150 30(TC，鍍膜氣體為氬(Ar)及乙炔(C2H2)混合氣體，其中氬(Ar)鍍膜氣體流量為60 70SCCM，而乙炔(C2H2)鍍膜氣體流量為450 650SCCM，鍍膜時間為40 45分鐘(min)。如此，即可在被鍍物基材10的外表面11形成有一碳化層20。 c)在該碳化層20表面再以另一物理氣相沉積(Physical V即or D印osition，PVD)形成有一導(dǎo)電層30(如圖3所示)；在此步驟中，相關(guān)參數(shù)及氬(Ar)鍍膜氣體流量維持不變，而改變鍍膜氣體中的乙炔(C2H2)流量為250 350SCCM，且鍍膜時間為1 2分鐘
(min)。如此，即可在被鍍物基材10的外表面11形成有一導(dǎo)電層30。 d)在該導(dǎo)電層30表面以一電著沉積(Electrod印osition Coating，ED Coating)
形成有一外表層40 (如圖3所示)，在此步驟中，將披覆有導(dǎo)電層30的半成品置入一電著涂
裝機中(圖未示)，而對此半成品施以電著沉積，此電著沉積所使用涂料必須是選自一陽離
子型電著涂料或一陰離子型電著涂料；以在此手機前蓋的側(cè)壁、側(cè)壁及面板的接合處形成
有一復(fù)合式均勻鍍膜。 請參閱圖4及圖5所示，分別為本發(fā)明另一實施例制作流程圖及應(yīng)用于手機前蓋的剖視放大圖，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材10(如第五圖所示)；在此步驟中，被鍍物基材10可為導(dǎo)電體或非導(dǎo)電體的材料所制成，本實施例的被鍍物基材10為一手機前蓋。
b)在該被鍍物基材10的一表面以一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層30 ;在此步驟中，將被鍍物基材10置入一物理氣相蒸鍍機中(圖未示)，其靶材可為鈦靶、鉻靶及鋯靶的任一種，其工藝參數(shù)如下此蒸鍍機內(nèi)部設(shè)定參數(shù)為工作真空度0. 1 0. 2Pa，轉(zhuǎn)架速度為10 20Hz，內(nèi)部轟擊清洗氣體為氬(Ar)，轟擊清洗氣體流量為400 500SCCM，轟擊清洗時間5 15分鐘(min)，轟擊清洗偏壓為-500 -700V,中頻電流30 40A，中頻電壓500 700V，鍍膜偏壓-50 _20(^，鍍膜溫度150 300。C，鍍膜氣體為氬(Ar)及乙炔(C2H2)混合氣體，其中氬(Ar)鍍膜氣體流量為60 70SCCM，而乙炔(C2H2)鍍膜氣體流量為300 500SCCM，鍍膜時間為30 35分鐘(min);如此，即可在被鍍物基材10的表面形成有一導(dǎo)電層30。 c)在該導(dǎo)電層30表面以一 電著沉積形成有一外表層40 (如圖5所示)，在此步驟
中，在此步驟中，將披覆有導(dǎo)電層30的半成品置入一電著涂裝機中(圖未示)，而對此半成
品施以電著沉積，此電著沉積所使用涂料必須是選自一陽離子型電著涂料或一陰離子型電
著涂料。以在此手機前蓋的側(cè)壁、側(cè)壁及面板的接合處形成有一復(fù)合式均勻鍍膜。 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟
悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變
形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步驟包括a)提供一被鍍物基材；b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；c)在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層；及d)在該導(dǎo)電層表面以一電著沉積形成有一外表層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟a)中的被鍍物基材為導(dǎo)電體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟a)中的被鍍物基材為非導(dǎo)電體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的耙材為鈦耙、鉻耙或鋯耙。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體為氬及乙炔混合氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體氬的流量為60 70SCCM。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體乙炔的流量為450 650SCCM。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5、6或7所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在 于，步驟b)中的鍍膜時間為40 45分鐘。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟c)中鍍膜氣體為氬及乙炔混合氣體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟c)中鍍膜氣體乙炔的流量為250 350SCCM。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在 于，步驟c)中鍍膜時間為1 2分鐘。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟d)中所使用涂料必須是選自一陽離子型電著涂料或一陰離子型電著涂料。
13. —種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步驟包括a) 提供一被鍍物基材；b) 在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層；及c) 在該導(dǎo)電層表面以一電著沉積形成有一外表層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟a)中的被鍍物基材為導(dǎo)電體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟a)中的被鍍物基材為非導(dǎo)電體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟b)中的耙材為鈦耙、鉻耙或鋯耙。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟b)中的鍍膜氣體為氬及乙炔混合氣體。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟b)中的鍍膜氣體氬的流量為60 70SCCM。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟b)中的鍍膜氣體乙炔的流量為300 500SCCM。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17、18或19所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特 征在于，步驟b)中的鍍膜時間為30 35分鐘。
21. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于， 步驟c)中所使用涂料必須是選自一陽離子型電著涂料或一陰離子型電著涂料。
全文摘要
本發(fā)明公開一種結(jié)合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其步驟包括提供一被鍍物基材；在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層表面以一電著沉積形成有一外表層；為此，可在被鍍物基材上形成一復(fù)合式均勻鍍膜。
文檔編號C25D13/00GK101760740SQ20081018734
公開日2010年6月30日 申請日期2008年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者莊欣穎 申請人:及成企業(yè)股份有限公司