專利名稱：一種二氧化鈦納米膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米膜及其制備方法，尤其涉及一種二氧化鈦納米膜及 其制備方法。
背景技術(shù)：
納米Ti02是一種重要的無機(jī)功能材料，具有高光催化活性、強(qiáng)紫外線屏 蔽能力，有較寬的禁帶寬度和穩(wěn)定的化學(xué)性能等特點(diǎn)，又有著耐酸堿、耐氧 化還原等優(yōu)良特性，在太陽能的儲存與利用、光電轉(zhuǎn)換、廢水處理、空氣凈 化、抗菌殺菌、防曬護(hù)膚、功能陶瓷等諸多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。但是目前的 Ti02材料存在比表面積小，對光的吸收能力較差和光的利用率較低等問題。
目前大多數(shù)都采用對Ti02進(jìn)行表面改性的方法得到性能良好的Ti02,國 內(nèi)外有不少文獻(xiàn)報(bào)道用CU20改性Ti02，但方法都局限于溶膠-凝膠法，噴涂 法等，這些方法制備的Ti02 /0120的納米膜比表面積較小，光電性能較弱，基 底與膜結(jié)合力差、易脫落，表面形貌雜亂無章。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是克服二氧化鈦納米膜的比表面積小、結(jié)合力 差、光電性能弱和表面形貌雜亂無章，從而提供一種比表面積大、基底與膜 結(jié)合力強(qiáng)、光電性能強(qiáng)和表面形貌均勻有序的二氧化鈦納米膜及其制備方 法。
本發(fā)明提供了一種二氧化鈦納米膜，包括鈦基層、二氧化鈦納米管層， 其中，二氧化鈦納米管內(nèi)和/或表面還包括氧化亞銅。
本發(fā)明還提供了一種二氧化鈦納米膜的制備方法，鈦片經(jīng)過陽極氧化形 成鈦基底二氧化鈦納米管，鈦基底二氧化鈦納米管再進(jìn)行電化學(xué)沉積氧化亞銅，形成鈦/二氧化鈦/氧化亞銅納米膜。
本發(fā)明的二氧化鈦納米膜表面形貌均勻有序，比表面積大，光電性能強(qiáng)。
另一方面，本發(fā)明直接在Ti片基底上生長一層納米膜，很好的解決了基底 和膜結(jié)合力差，易脫落的問題。


圖la是實(shí)施例l得到的Ti02納米管表面的SEM圖lb是實(shí)施例l得到的Ti02納米管側(cè)面的SEM圖2是實(shí)施例1得到的Ti/Ti02/Cu20納米膜的掃描電鏡圖3是實(shí)施例1得到的Ti/Ti02/Cu20異質(zhì)結(jié)的XRD圖4.是實(shí)施例1得到的Ti/Ti02/Cu20異質(zhì)結(jié)紫外可見吸收光譜。
具體實(shí)施例方式
一種二氧化鈦納米膜，包括鈦基層和位于鈦基層上的二氧化鈦納米管 層，二氧化鈦納米管上沉積有氧化亞銅，二氧化鈦納米管沿軸線方向垂直于 鈦基層。從附圖lb中可以清楚的看出二氧化鈦納米管沿軸線方向垂直于鈦 基層。
所述的二氧化鈦納米管層的二氧化鈦為多孔結(jié)構(gòu)，平均孔徑為 20-100nm，平均長度為0.2-2jam。 二氧化鈦納米膜的比表面積較大， 一般為 150m2/g-200m2/g。
所述的二氧化鈦納米管層的二氧化鈦是銳鈦型二氧化鈦。二氧化鈦有3 中晶型，銳鈦型、金紅石型和板鈦礦型。銳鈦型和金紅石型交正方晶系，而 板鈦礦型屬斜方晶系。用作光催化的主要是銳鈦型和金紅石型，其中銳鈦型 的活性最高。兩種晶型的結(jié)構(gòu)都可以看作由相互連接的Ti06八面體構(gòu)成。 二者的差別在于八面體的畸變程度和八面體間的相互連接方式不同，這種差
6異導(dǎo)致了兩種晶型不同的質(zhì)量密度及電子能帶結(jié)構(gòu)。銳鈦型的質(zhì)量密度略小 于金紅石型，帶隙略大于金紅石型。這些結(jié)構(gòu)特性上的差異導(dǎo)致了金紅石型 二氧化鈦表面吸附有機(jī)物及氧氣的能力不如銳鈦型，形成的光生電子和空穴 易復(fù)合，從而使催化能力下降。此外，晶格的缺陷也直接影響著二氧化鈦的
催化活性。經(jīng)研究金紅石二氧化鈦(001)晶面上的光解過程，發(fā)現(xiàn)氧空位 形成的缺陷是反應(yīng)中將水氧化成雙氧水過程的活性中心。其原理是Ti3+-Ti3+ 鍵間距比無缺陷的金紅石中的T產(chǎn)-T產(chǎn)鍵間距小的多，因而使吸附的活性羥 基反應(yīng)活性增加，反應(yīng)速率常數(shù)比無缺陷的金紅石型大5倍。雖然銳鈦型和 金紅石型二氧化鈦都可以用于制備本發(fā)明所述的納米膜，但是在本發(fā)明中 的二氧化鈦是銳鈦型二氧化鈦。
所述的二氧化鈦納米膜對波長為300-700nm范圍內(nèi)的紫外-可見光的利用 率比現(xiàn)有技術(shù)中的二氧化鈦納米膜對光的利用率提高了 10%-20%達(dá)到 12%-21%。
一種二氧化鈦納米膜的制備方法，鈦片經(jīng)過陽極氧化形成鈦基底二氧化 鈦納米管，鈦基底二氧化鈦納米管再進(jìn)行電化學(xué)沉積氧化亞銅，形成二氧化 鈦納米膜。
雖然Ti02具有許多優(yōu)良的特性，但是它的激發(fā)必須要在高能量的紫外光 下才能進(jìn)行，而到達(dá)地面的太陽能中只有3-4%的紫外光，這就給Ti02的利用 太陽能進(jìn)行降解帶來了很大的困難。為提高其實(shí)用性，必須擴(kuò)大其激發(fā)波長 范圍，降低Ti02的帶隙能。對Ti02的修飾進(jìn)行研究，無論是對光催化降解有 機(jī)物還是對太陽能的轉(zhuǎn)化和利用都將具有很大的意義。
氧化亞銅是能直接被可見光激發(fā)的半導(dǎo)體材料，無毒，制備成本低，多
晶態(tài)的CU20可以重復(fù)使用不會(huì)被氧化或還原。更重要的是，其導(dǎo)帶比Ti02 的要高出很多，當(dāng)二者結(jié)合時(shí)，可見光激發(fā)的電子就從CU20的導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移到
Ti02的導(dǎo)帶上去，形成T產(chǎn)中心和Qi20空穴中心，能提高對光的利用效率。所以常用Ql20對Ti02進(jìn)行修飾。
所述的陽極氧化是在電解液中以鈦片為陽極，石墨為對電極采用恒壓進(jìn)
行陽極氧化，氧化時(shí)間為l 3h。所述的鈦片是純鈦片，所述的純鈦片是指純 度^99.5%的鈦片。
所述的電解液是NaN03、 NaF、 Na2S04、 K2S04、 Na2C03、 HN03、 H2S04
中的一種或幾種的水溶液。
所述的恒壓為5-50V。所述恒壓是采用逐步升壓法得到的，升壓速率為 0.05-lV/s。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)陽極氧化電壓是影響氧化鈦形貌的最主要因素，本發(fā) 明采用的逐步升壓后恒壓的方法，得到的二氧化鈦納米管均勻有序且穩(wěn)定性 較高。
所述的二氧化鈦納米管為多孔結(jié)構(gòu)，孔徑為20-100nm，長度為0.2-2pm。 完成陽極氧化后采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，然后用去離
子水超聲清洗、干燥。所述的高純氮?dú)馐堑獨(dú)饧兌却笥诘扔?9.999%的氮?dú)狻?在所述的陽極氧化后還要進(jìn)行煅燒，得到銳鈦礦型的Ti02納米管。所
述的煅燒是在空氣條件進(jìn)行。所述的煅燒的溫度為350 50(TC，煅燒時(shí)間為
l~3h。
所述的電化學(xué)沉積以鈦基底二氧化鈦納米管作為工作電極，鉑作為對電 極，在混合溶液中采用恒電位進(jìn)行的電化學(xué)沉積反應(yīng)。
所述的混合溶液包括0.1-lmol/lCu2SOjB 0.01-5mol/l乳酸。所述的混合 溶液還包括PH調(diào)節(jié)劑，所述的混合溶液還包括PH調(diào)節(jié)劑5-20mol/l的氫氧 化鈉。所述的混合溶液的pH為8-14，發(fā)明人在大量的實(shí)驗(yàn)后總結(jié)得到PH 為9.5時(shí)的效果最好。
所述的電化學(xué)沉積的溫度為50-70°C，電化學(xué)沉積的時(shí)間為1-3小時(shí)。
所述的化學(xué)電沉積的電壓為(-0.2) - (-1.145) V。
在所述的電化學(xué)沉積之前，煅燒之后須將帶有鈦基底納米管陣列浸泡在
8混合溶液中12~30h。
在進(jìn)行陽極氧化之前還要用金相砂紙磨拋鈦片，拋光后的鈦片依次在不 同溶液中超聲清洗表面，去除油脂，去除油污后的Ti片在特定混合溶液中 超聲化學(xué)處理，再用去離子水超聲清洗。所述超聲清洗的溶液依次為去離 子水、丙酮、異丙醇、甲醇。清洗時(shí)間每次5-10min;所用特定溶液為NaOH (0.02 mol/L~0.1 mol/L)與H202(5 wt°/o 20%)，處理時(shí)間為10min。
實(shí)施例l
選用工業(yè)純鈦片(純度299.5%)，用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子 水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在 0.06mol/LNaOH與15 ^%11202的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去 離子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在l wt%NaF、 1 mol/LNa2S04和l mol/LH2SO4電解液中采用升壓速率為0.1 V/s的 逐步升壓法，升壓到20V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。完成后 采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻妫儆萌ルx子水超聲清洗、干燥。 將制備的Ti02納米管在空氣中450 "C條件下煅燒2小時(shí)。將鈦基底納米管浸泡 在0.4 mol/L Cu2S04和3 mol/L乳酸的混合溶液中浸泡24小時(shí)，并用10mol/L NaOH調(diào)整pH-9.5。用Pt作為對電極，60 "C下采用電壓為-0.5V進(jìn)行電化學(xué) 沉積2小時(shí)得到Ti/Ti02/Qi20納米膜。
對比例l
在高壓反應(yīng)容器中將納米Ti02粉體與濃度約為10 mo1/ L NaOH溶液中 進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)溫度控制在110 120 'C,反應(yīng)結(jié)束后對所得產(chǎn)品進(jìn)行酸洗、水 洗、高溫?zé)崽幚淼燃吹米罱K產(chǎn)品Ti02納米管。
將電解池分為陰極室和陽極室，在陰極室中注滿0.1mol/L的氫氧化鈉溶液，陽極室注入上述得到的二氧化鈦和0.1mol/L的氫氧化鈉和0.1mol/L氯化 鈉，加熱電解池并不斷攪拌陽極室，使二氧化鈦充分分散。待溫度達(dá)到7(TC 后，開始反應(yīng)。通直流電0.8A，邊通電邊不斷攪拌陽極液。陽極液的顏色由 白色變?yōu)榻埸S色，最后變?yōu)榇u紅色。40分鐘后，停止反應(yīng)，取出陽極液，立 即洗滌至上層清液中不再含有Cl-，得到沉淀物即為Ti02-Cu20納米材料。
實(shí)施例2
選用工業(yè)純鈦片(純度299.5%),用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子 水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在 0.06mol/LNaOH與15wt。/。H2O2的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去離 子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在 lwt%NaF、 lmol/LNa2S04禾口lmol/LH2SO4電解液中采用升壓速率為0.05V/s 的逐步升壓法，升壓到5V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。完成后 采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，再用去離子水超聲清洗、干燥。 將制備的Ti02納米管在空氣中45(TC條件下煅燒2小時(shí)。將帶有Ti基底納米 管陣列浸泡在0.2mol/LCu2SO4和2mol/L乳酸的混合溶液中24小時(shí)，并用IO mol/LNaOH調(diào)整pH為8.5。用Pt作為對電極，50 。C下采用電壓為-0.2V進(jìn)行電 化學(xué)沉積2小時(shí)得到Ti/Ti02/Qi20納米膜。
實(shí)施例3
選用工業(yè)純鈦片(純度^99.5%)，用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子 水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在 0.06mol/LNaOH與15wt。/。H2O2的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去離 子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在 lwt%NaF、 lmol/LNa2S04和lmol/LH2SO4電解液中采用升壓速率為0.06V/s的逐步升壓法，升壓到10V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。完成 后采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，再用去離子水超聲清洗、干燥。 將制備的Ti02納米管在空氣中450 'C條件下煅燒2小時(shí)。將帶有Ti基底納米管 陣列浸泡在0.3 mol/L Cu2S04和3 mol/L乳酸的混合溶液中24小時(shí)，并用 10mol/LNaOH調(diào)整pH為9。用Pt作為對電極，70 T下采用電壓為-0.8V進(jìn)行 電化學(xué)沉積2小時(shí)得到Ti/Ti02/Qi20納米膜。
實(shí)施例4
選用工業(yè)純鈦片(純度^99.5%),用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子 水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在 0.06mol/L NaOH與15wt。/。H2O2的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去離 子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在 lwt%NaF、 lmol/LNa2S04禾卩l(xiāng)mol/L濃度H2S04電解液中采用升壓速率為 0.08V/s的逐步升壓法，升壓到15V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。 完成后采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，再用去離子水超聲清洗、 干燥。將制備的Ti02納米管在空氣中45(TC條件下煅燒2小時(shí)。將鈦基底納米 管陣列浸泡在0.35 mol/L Cu2S04和3.5 mol/L乳酸的混合溶液中24 h，并用 10mol/LNaOH調(diào)整p1^9。用Pt作為對電極，55 "C下采用電壓為-0.9V進(jìn)行電 化學(xué)沉積2小時(shí)得至ljTi/Ti02/Cu20納米膜。
實(shí)施例5
選用工業(yè)純鈦片(純度299.5%)，用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子 水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在 0.06mol/L NaOH與15^%11202的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去離 子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在lwt%NaF、 lmol/LNa2S04和lmol/L濃度H2S04電解液中采用升壓速率為0.09V/s的逐步升壓法，升壓到30 V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。完成后采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，再用去離子水超聲清洗、干燥。將制備的Ti02納米管在空氣中450 'C條件下煅燒2小時(shí)。將帶有Ti基底納米管陣列浸泡在0.5mol/LCu2SO4禾卩4.5 mol/L乳酸的混合溶液中24小時(shí)，并用10mol/LNaOH調(diào)整pH-10。用Pt作為對電極，60 ""C下采用電壓為-1.0V進(jìn)行電化學(xué)沉積2小時(shí)得到Ti/Ti02/Cu20納米膜。
實(shí)施例6
選用工業(yè)純鈦片(純度299.5%)，用金相砂紙磨拋表面，依次用去離子水、丙酮、異丙醇、甲醇超聲清洗表面，每次10分鐘。去除油污后的Ti片在0.06mol/L NaOH與15wt。/。H2O2的混合溶液中超聲化學(xué)處理10分鐘，再用去離子水超聲清洗。室溫下以處理后的鈦片為陽極，石墨板作對電極，在lwt%NaF、 lmol/LNa2S04和lmol/LH2SO4電解液中采用升壓速率為1.0V/s的逐步升壓法，升壓到40V后恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化時(shí)間為2小時(shí)。完成后采用去離子水沖洗并以高純氮?dú)獯蹈杀砻?，再用去離子水超聲清洗、干燥。將制備的Ti02納米管在空氣中450 'C條件下煅燒2小時(shí)。將鈦基底納米管陣列浸泡在0.6 mol/L Cu2S04和5 mol/L乳酸的混合溶液中24 h，并用10mol/LNaOH調(diào)整pH為10.5。用Pt作為對電極，65"C下采用電壓為-1.14V進(jìn)行電化學(xué)沉積2小時(shí)得到Ti/Ti(VCu20納米膜。
測試方法
采用RigaKu D/max 2550VB+18 kW轉(zhuǎn)靶X射線衍射儀(Cu Ka!， ？1=0.15406nm)和JSM-6360LV掃描電子顯微鏡(SEM)對實(shí)施例l制備的樣品表面進(jìn)行微觀形貌分析。紫外可見吸收光譜采用紫外可見吸收光譜儀(Varian, Cary
125000)。
測試結(jié)果見附圖1~4。其中，圖la是實(shí)施例1得到的Ti02納米管表面的SEM圖，圖lb是實(shí)施例1得到的Ti02納米管側(cè)面的SEM圖。從圖la和圖lb中可以得到所述的二氧化鈦納米管為多孔結(jié)構(gòu)，表面形貌均勻有序，平均長度為0.2-2pm。圖2是實(shí)施例1得到的Cii20/Ti02膜的掃描電鏡圖，從圖2中可以得到膜的比表面積大，平均孔徑為20-100nm。圖3是實(shí)施例1得到的Ti/Cu20/Ti02異質(zhì)結(jié)的XRD圖，從圖3中可以得到所述的二氧化鈦納米管為無定形結(jié)構(gòu)。圖4.是實(shí)施例1得到的Ti/Ti02/Cu20異質(zhì)結(jié)紫外可見吸收光譜，從圖4中可以得到制得的氧化鈦復(fù)合膜具有量子效應(yīng)。通過測試可知采用該方法制備得到的Ti/Ti02/Cu20納米膜異質(zhì)結(jié)表面形貌均勻有序，較Ti02對紫外-可見光的吸收明顯加強(qiáng)，可見光利用率提高。
實(shí)施例2-6的得到的Ti02納米管表面的SEM圖、Ti02納米管側(cè)面的SEM圖、Ti/Ti02/Cii20納米膜的掃描電鏡圖、Ti/Ti02/Oi20異質(zhì)結(jié)的XRD圖和Ti/Ti02/Cii20異質(zhì)結(jié)紫外可見吸收光譜和實(shí)施例l基本一樣，在這里就不再描述。
權(quán)利要求
1、一種二氧化鈦納米膜，包括鈦基層和位于鈦基層上的二氧化鈦納米管層，二氧化鈦納米管上沉積有氧化亞銅，二氧化鈦納米管沿軸線方向垂直于鈦基層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦納米膜，所述的二氧化鈦納米管的 平均孔徑為20-100nm，平均長度為0.2-2jim。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦納米膜，所述的二氧化鈦納米管層 的二氧化鈦是銳鈦型二氧化鈦。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦納米膜，所述的二氧化鈦納米膜的 比表面積為150m2/g-200m2/g。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦納米膜，所述的二氧化鈦納米膜對 波長為300-700nm范圍內(nèi)的紫外-可見光的利用率為12%-21%。
6、 一種二氧化鈦納米膜的制備方法，鈦片經(jīng)過陽極氧化形成鈦基底二 氧化鈦納米管，鈦基底二氧化鈦納米管再進(jìn)行電化學(xué)沉積氧化亞銅，形成二 氧化鈦納米膜。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的陽極氧 化是在電解液中以鈦片為陽極，石墨為對電極采用恒壓進(jìn)行陽極氧化，氧化 時(shí)間為1 3 h。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的電解液是 NaN03、 NaF、 Na2S04、 K2S04、 Na2C03、 HN03、 112804中的一種或一種以 上的水溶液。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的恒壓為 5國50V。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7或9所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，其中，所 述恒壓是采用逐步升壓法得到的，升壓速率為0.05-lV/s。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的二氧化 鈦納米管為多孔結(jié)構(gòu)，平均孔徑為20-100nm，平均長度為0.2-2pm。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，在所述陽極氧 化后還要進(jìn)行煅燒。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的煅燒 是在空氣條件下進(jìn)行，所述的煅燒的溫度為350-500°C，煅燒時(shí)間為l 3h。
14、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的電化學(xué) 沉積以鈦基底二氧化鈦納米管作為工作電極，鉑作為對電極，在混合溶液中 采用恒電位進(jìn)行的電化學(xué)沉積反應(yīng)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的混合 溶液包括0.1-lmol/10i2S04和0.05-5mol/l乳酸。
16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的混合溶 液還包括PH調(diào)節(jié)劑。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的PH 調(diào)節(jié)劑是5-20mo1/1氫氧化鈉。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的混合 溶液的pH為8-14。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的電化 學(xué)沉積的溫度是50-70°C，電化學(xué)沉積的時(shí)間為1-3小時(shí)。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，所述的電化 學(xué)沉積電壓為(-0.2)畫(-1.145) V。
21、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的二氧化鈦納米膜的制備方法，在所述電化 學(xué)沉積之前，煅燒之后須將帶有鈦基底納米管陣列浸泡在混合溶液中12~30 h。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種二氧化鈦納米膜，包括鈦基層和位于鈦基層上的二氧化鈦納米管層，二氧化鈦納米管上沉積有氧化亞銅，二氧化鈦納米管沿軸線方向垂直于鈦基層。本發(fā)明還涉及這種二氧化鈦納米膜的制備方法，鈦片經(jīng)過陽極氧化形成鈦基底二氧化鈦納米管，鈦基底二氧化鈦納米管再進(jìn)行電化學(xué)沉積氧化亞銅，形成二氧化鈦納米膜。本發(fā)明的二氧化鈦納米膜表面形貌均勻有序，比表面積大，光電性能強(qiáng)。另一方面，本發(fā)明直接在鈦片基底上生長一層納米膜，很好的解決了基底和膜結(jié)合力差，易脫落的問題。
文檔編號C25D11/02GK101684566SQ200810216650
公開日2010年3月31日 申請日期2008年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月27日
發(fā)明者戈 張 申請人:比亞迪股份有限公司