專利名稱：一種微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種微型片式元件端頭處理裝置的改進(jìn)，尤其涉及的是 一種微型片式元件端頭處理裝置中滾筒裝置的改進(jìn)，特別適合微型片式多
層陶瓷電容器MLCC，微型片式多層陶瓷電感器MLCI,微型片式電阻器 Chip-R，片式變壓器MLCT，片式壓敏MLCV，片式熱敏電阻Chip thermistor 等元件端電極鍍鎳處理及鍍錫處理過程的微型片式元件端頭處理裝置改 進(jìn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在對微型片式元件進(jìn)行生產(chǎn)的過程中，由于微型的片式電 容MLCC,片式電感MLCI或片式電阻Chip-R等元件尺寸4艮小，所處理的 產(chǎn)品三維尺寸長(L)寬(W)厚(H)可以達(dá)到01005(0.4mm*0.2mm*0.2mm), 0201(0.6mm*0.3mm*0.3mm)， 0402(1.Omm*0.5mm*0.5mm)，因此在生產(chǎn)工 藝過程中，通常需要采用自動的生產(chǎn)線流程來進(jìn)行加工。
尤其是在對這些微型片式元件進(jìn)行端電極的鍍鎳處理及鍍錫處理過程 中，現(xiàn)有技術(shù)的處理過程有
振動鍍用于0402尺寸以上的產(chǎn)品電鍍。將產(chǎn)品放在一個開放式的機 械或電磁振動盆內(nèi)，盆的下部連接電源陰極。產(chǎn)品在振動力的作用下在有 規(guī)則的運動過程中被電鍍。但該方法不能完成0201以下尺寸產(chǎn)品的電鍍， 而且經(jīng)常會有卑品停止移動，發(fā)生端黑(未鍍)，或端粗(過鍍)現(xiàn)象，微型產(chǎn) 品的飄浮問題也容易發(fā)生。
滾筒鍍用于0402尺寸以上的產(chǎn)品電鍍。采用封閉式的滾筒平臥式轉(zhuǎn)動，用水泵將鍍液壓入滾桶內(nèi)，滾筒內(nèi)的幾個陰極與產(chǎn)品連接。但該方法 在對微型產(chǎn)品的處理時，由于滾筒內(nèi)鍍液的表面漲力會使產(chǎn)品懸浮，滾筒 內(nèi)的離子濃度與漕體內(nèi)的離子濃度差別過大，導(dǎo)致產(chǎn)品離散性過高，經(jīng)常 發(fā)生端黑(未鍍)現(xiàn)象。
噴鍍利用鍍液的移動將所處理的產(chǎn)品帶到一定的高度，元件在重力的 作用下向下移動的過程中與陰極環(huán)接觸進(jìn)行電鍍。該方法存在的缺陷是陰 極維護(hù)是個難題，而且鍍液也會存在老化的問題，電鍍小于0402的產(chǎn)品也 會存在產(chǎn)品良品率無保證，且電鍍過程的成^f艮高。
離心鍍被鍍的產(chǎn)品在滾筒內(nèi)靠滾筒高速轉(zhuǎn)動產(chǎn)生的離心力，將產(chǎn)品移 動到筒壁附近與陰極連接被鍍。這種方式也存在嚴(yán)重的鍍液老化問題，高 速轉(zhuǎn)動可能是間歇式的，可以鍍0201以下產(chǎn)品，但對產(chǎn)品的良率也無保證， 且電鍍過程的成本很高。
因此，現(xiàn)有4支術(shù)還存在缺陷，而有待于改進(jìn)和發(fā)展。

實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒 裝置，改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)中的滾筒鍍所存在的滾筒缺陷，提高滾筒鍍的產(chǎn)品良 率。
本實用新型的4支術(shù)方案包括
一種微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置，用于適配一微型片式元 件端頭處理裝置的滾筒基座，其中，所述滾筒采用底部開放式結(jié)構(gòu)。
所述的滾筒裝置，其中，所述滾筒側(cè)壁上設(shè)置有密集橫紋槽，所述橫紋 槽寬度與所加工的片式元件尺寸相關(guān)。
所述的滾筒裝置，其中，所述橫紋槽與所述滾筒側(cè)壁一體設(shè)置。
所述的滾筒裝置，其中，所述橫紋槽設(shè)置在一層墊片上，與所述滾筒側(cè) 壁貼合設(shè)置。所述的滾筒裝置，其中，所述滾筒為圓筒形狀。 所述的滾筒裝置，其中，所述滾筒為多邊形筒形狀。
本實用新型所提供的一種^t型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置，由 于采用了在開放式滾筒結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了在滾筒運動時能夠保證滾筒內(nèi)的鍍液 均勻?qū)Υ庸ぴ鹱饔?，提高了產(chǎn)品的良率。


圖1為本實用新型所述滾筒裝置的立體示意圖2為本實用新型所述滾筒裝置與其驅(qū)動^L構(gòu)的連接示意圖3為本實用新型所述滾筒裝置的局部剖視示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，將對本發(fā)明的各較佳實施例進(jìn)行更為詳細(xì)的說明。 本 實用新型所述^t型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置，如圖1所示 的，所述滾筒110設(shè)計為底部開放式的，可以安裝到微型片式元件端頭處 理裝置上，所述樣l型片式元件端頭處理裝置通常是設(shè)置在生產(chǎn)流水線上的 一個動力驅(qū)動裝置，如圖2所示，為一具體的^f效型片式元件端頭處理裝置 結(jié)構(gòu)示意，本實用新型所述滾筒110是設(shè)置在一具有陰極管的滾筒基座120 上的，所述滾筒110在工作時是將待加工的微型片式元件浸潤在鍍液中的。 本實用新型所述滾筒110由所述微型片式元件端頭處理裝置控制驅(qū)動， 在所述鍍液中采用一定的運動軌跡進(jìn)行反復(fù)滾動運動。本實用新型所述運 動軌跡可以由所述微型片式元件端頭處理裝置的控制系統(tǒng)預(yù)先設(shè)定，由其 中的多個驅(qū)動電機，在不同的維度上進(jìn)行配合運動，從而實現(xiàn)復(fù)雜的運動 處理過程。
本實用新型所述滾筒裝置110的主要改進(jìn)點在于，將所述滾筒設(shè)計成為 底部開放式，并在滾筒壁上設(shè)置有橫紋槽部111,并在所述橫紋槽部111內(nèi)設(shè)置有大量通孔112，如圖3所示，這樣，本實用新型所述滾筒裝置110在 實際的工作過程中，由所述微型片式元件端頭處理裝置驅(qū)動搖擺轉(zhuǎn)動時， 在鍍液內(nèi)的運動可以使鍍液濃度均勻，保證在所述滾筒內(nèi)的加工產(chǎn)品能夠 充分浸潤到鍍液中，保證了被鍍產(chǎn)品的品質(zhì)均勻，即減少了欠鍍的情形， 又減少了過鍍的情況。
本實用新型所述開放式細(xì)槽圓型或多邊型滾筒裝置，可以采用圓形滾筒 或多邊形滾筒，采用圓形滾筒可以避免多邊形滾筒愣邊產(chǎn)生雜質(zhì)的現(xiàn)象發(fā) 生。所述^t紋槽可以采用機械加工形成，也可以通過加墊片的方法形成， 即在所述滾筒內(nèi)外增加具有橫紋槽的墊片形成。所述橫紋槽的寬度與所鍍 產(chǎn)品尺寸有關(guān)， 一般可控制在0.1mm-0.3mm之間。采用本實用新型開放式 滾筒裝置，保證了滾筒內(nèi)離子濃度的一致性。
本實用新型所述滾筒裝置110，在所述滾筒將以搖擺的、平動的、螺旋 線等等的復(fù)合軌跡往復(fù)運動情況下，其所處理的產(chǎn)品在本實用新型開放式 的橫紋槽式滾筒內(nèi)運動，結(jié)合陰才及電涑的交替通電，平移及搖擺的同步控 制，確保所處理的產(chǎn)品全部均勻的被處理，不會發(fā)生黑端(未鍍)現(xiàn)象，不會 產(chǎn)生結(jié)團(tuán)(連錄)現(xiàn)象。
本實用新型滾筒在80轉(zhuǎn)/分以下的轉(zhuǎn)速運動大大地降低了對鍍液的破 壞力，開放式橫紋槽滾筒能確保被鍍產(chǎn)品周圍的離子濃度，保證產(chǎn)品的均 勻上鍍；平移及搖擺的同步保證了被鍍產(chǎn)品始終處在鍍槽的中央地帶，確 保橫流電鍍的過程中電源電壓的過大波動不會帶來不利的影響。
應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本實用新型較佳實施例的描述較為具體，并不 能因此而理解為對本實用新型專利保護(hù)范圍的限制，本實用新型的專利保 護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置，用于適配一微型片式元件端頭處理裝置的滾筒基座，其特征在于，所述滾筒采用底部開放式結(jié)構(gòu)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的滾筒裝置，其特征在于，所述滾筒側(cè)壁上設(shè)置有密集橫紋槽，所述橫紋槽寬度與所加工的片式元件尺寸相關(guān)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的滾筒裝置，其特征在于，所述橫紋槽與所述滾筒側(cè)壁一體設(shè)置。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的滾筒裝置，其特征在于，所述橫紋槽設(shè)置在一層墊片上，與所述滾筒側(cè)壁貼合設(shè)置。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的滾筒裝置，其特征在于，所述滾筒為圓筒形狀。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的滾筒裝置，其特征在于，所述滾筒為多邊形筒形狀。
專利摘要本實用新型公開了一種微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置，用于適配一微型片式元件端頭處理裝置的滾筒基座，其中，所述滾筒采用底部開放式結(jié)構(gòu)。本實用新型微型片式元件端頭處理裝置中的滾筒裝置由于采用了在所述滾筒上設(shè)置的溝槽及溝槽中的鏤空結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了在滾筒運動時能夠保證滾筒內(nèi)的鍍液均勻起作用，提高了產(chǎn)品的良率。
文檔編號C25D17/16GK201362749SQ20082014719
公開日2009年12月16日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者初殿生 申請人:深圳市宇陽科技發(fā)展有限公司