專利名稱：電子部件制造方法和通過該方法制造的電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用在電子設(shè)備和電氣設(shè)備內(nèi)部的電子部件，特別涉及可抑制在對電子 部件所使用的金屬制端子進(jìn)行表面處理時因施加外力所導(dǎo)致晶須發(fā)生現(xiàn)象的電子部件制 造方法。
背景技術(shù)：
通常要對電子部件中所使用的端子進(jìn)行表面處理以確保其耐腐蝕性和耐久性。在 進(jìn)行表面處理時，首先形成底鍍層，然后在其該底鍍層上形成上層鍍層?？筛鶕?jù)上層鍍層在 端子部分的用途來選擇適當(dāng)?shù)纳蠈渝儗印＠?，如果上層鍍層用在與連接對象接觸的部分， 考慮到連接的穩(wěn)定性以及成本等因素，可以采用含金鍍層、銀鍍層、含錫鍍層等。此外，如果 上層鍍層用在與基板等接觸的部分，考慮到釬焊性能、環(huán)境問題及成本因素，可以采用含金 鍍層和含錫鍍層等。首先，作為抑制晶須產(chǎn)生的文獻(xiàn)，這里例舉專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3及 專利文獻(xiàn)4。其次，作為多層表面處理，這里例舉專利文獻(xiàn)5、專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7、專利文獻(xiàn) 8及專利文獻(xiàn)9。專利文獻(xiàn)1日本國專利申請公開公報(bào)“特開2006-127939號”根據(jù)專利文獻(xiàn)1的說明書摘要，其目的在于提供一種用于防止被實(shí)施了無鉛鍍錫 的扁平電纜等的導(dǎo)電體部件中承受外部應(yīng)力的部分產(chǎn)生晶須的導(dǎo)電體部件及其制造方法。 其中，對電連接部分提供其厚度大于等于0. 2 μ m小于1. 0 μ m的鍍錫2，通過熱處理使得在 鍍錫2中錫與導(dǎo)電體1的合金層4所占的比率達(dá)到50%以上；在鍍錫2中添加1. 0%以上 的鉍以提高釬料的潤濕性能；提供厚度為0. 1 μ m至2. 0 μ m的鍍鎳5作為襯底金屬以防止 導(dǎo)電體1的氧化劣化；將封孔處理劑涂在鍍錫2上，提高電連接的可靠性。專利文獻(xiàn)2日本國專利申請公開公報(bào)“特開2004-292944號”根據(jù)專利文獻(xiàn)2的說明書摘要，其目的在于提供一種防止晶須產(chǎn)生的用于半導(dǎo)體 的電子部件金屬材料，其特征在于，在對電子部件金屬材料的表面提供Sn鍍層時，首先對 該電子部件金屬材料的表面鍍敷厚度為0. 5 μ m至5 μ m的M層并在該M層上鍍敷厚度為 0. 5 μ m至5 μ m的Cu層作為襯底。專利文獻(xiàn)3日本國專利申請公開公報(bào)“特開2007-53039號”根據(jù)專利文獻(xiàn)3的說明書摘要，其目的在于提供一種電連接器的連接結(jié)構(gòu)，通過 對用于接合連接器和柔性線路板的接觸部提供其中含銀的錫基鍍層來抑制因施加在連接 部上的外部應(yīng)力所導(dǎo)致晶須產(chǎn)生現(xiàn)象，在用于柔性線路板1的電連接器的連接結(jié)構(gòu)中，具 有可插入柔性線路板1的連接部的連接孔，具有從該連接孔以對向電連接器6的外殼7的 內(nèi)部的方式形成的端子裝載空間上所裝載的多個金屬端子8、為使相鄰的金屬端子8不接 觸而將該金屬端子之間進(jìn)行電分離的分離壁、及將電連接器6的金屬端子壓接于柔性線路 板1的連接部的導(dǎo)電層4部，導(dǎo)電層4部中，預(yù)定厚度的銅紋上形成有預(yù)定厚度的含銀錫層。專利文獻(xiàn)4特開2007-103586號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)4的摘要，公開了一種目的在于提供抑制晶須產(chǎn)生的同時、既能確保與電子部件的連接性又能降低連接性的參差不齊的布線電路基板的制造方法，在基底絕 緣層BIL上形成由金屬薄膜31和導(dǎo)體層33所構(gòu)成的布線圖12，形成無電解鍍錫層34以覆 蓋布線圖形12，這里，對布線圖形12和鍍錫層34進(jìn)行熱處理。熱處理的溫度設(shè)定為175 225°C，熱處理的時間設(shè)定為2 10分鐘，通過實(shí)施熱處理，可形成銅和錫所構(gòu)成的混合層 35，之后，在基底絕緣層上面的預(yù)定區(qū)域形成阻焊SOL以覆蓋布線圖12和鍍錫層34，之后， 進(jìn)行阻焊SOL的熱固化處理。專利文獻(xiàn)5特開2006-161155號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)5的摘要，公開了一種結(jié)構(gòu)，在鎂合金上形成了鋅/銅/鎳/鋁4層 結(jié)構(gòu)的鍍膜的情況下，被鍍物的形狀很復(fù)雜時，由于鎳鍍膜的內(nèi)部應(yīng)力，鍍鋁之后鍍膜整體 的密合性降低，對于這種問題，在鎂合金上通過鍍覆方法從鎂合金的一側(cè)按順序形成具有 鎳/銅/鋁的3層結(jié)構(gòu)的覆膜，且進(jìn)一步將表面的鋁層的一部分陽極化處理。由于在鎳鍍 膜和鋁鍍膜之間形成有作為應(yīng)力緩和層的銅鍍膜，鎳鍍膜和鋁鍍膜上產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力得到 緩和，所以覆膜整體的密合性上升。專利文獻(xiàn)6特開2006-295114號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)6的摘要，公開了一種目的在于提供可以通過弱作用力將核心基板 從電子裝置用的基板側(cè)剝離、降低為使電極面從下面露出而使用化學(xué)或電化學(xué)溶解法或機(jī) 械研磨作業(yè)而產(chǎn)生的負(fù)荷、及進(jìn)一步縮小尺寸的用于電子裝置的基板及其制造方法、和電 子裝置及其制造方法，在由金屬形成的內(nèi)層基板101上，形成有裝載了電子部件的感光型 阻焊(PSR)膜102，在該P(yáng)SR膜102上，通過由金形成的鍍膜104、由鎳形成的鍍膜105及由 金形成的鍍膜106這3層構(gòu)成的多個金屬電極110以在厚度方向上貫穿PSR膜102的方式 形成在PSR膜102的預(yù)定位置的內(nèi)部，內(nèi)層基板101可在制造電子裝置的最后階段通過噴 射氯化鐵溶液被化學(xué)溶解并去除。專利文獻(xiàn)7特開2007-9305號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)7的摘要，提供一種無電解鈀電鍍液，特征在于該無電解鈀電鍍液 在無電解鎳鍍膜/無電解鈀鍍膜/置換鍍金覆膜的3層鍍覆膜的端子上，僅通過操作簡單 的置換鍍金就能形成鍍金覆膜，即使采用通用性強(qiáng)的無電解鎳磷，也能具有在引線接合及 焊錫球接合兩者上都很優(yōu)秀的接合強(qiáng)度、并在流散性上也很優(yōu)秀，且至少包含成分(a)鈀 鹽有機(jī)絡(luò)合物、(b)含有硫醚基的單碳酸或其鹽、(c)次磷酸或其鹽。專利文獻(xiàn)8特開2007-88211號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)8的摘要，公開了一種目的在于提供和半導(dǎo)體裝置中用于密封的樹 脂之間的密合性不會降低、半導(dǎo)體裝置的信賴性得到維持、在引線框上實(shí)施了噴涂等粗化 處理的3層的引線框表面的粗化處理效果不會降低、且改善了密合性、具有引線可焊性、采 用了無鉛焊料的可實(shí)際安裝的引線框及其制造方法，用于無鉛焊料的該引線框的金屬板表 面上設(shè)置有鎳鍍膜，按順序在鎳鍍膜表面上設(shè)置鈀鍍膜、還在其表面上設(shè)置金鍍膜以形成 層結(jié)構(gòu)，其中鎳鍍膜的層厚不均勻，鈀鍍膜及金鍍膜都均勻地形成層厚，所述具有不均勻?qū)?厚的鎳鍍膜通過在其表面上進(jìn)行濕式噴涂粗化處理可以提高鎳鍍膜和封止樹脂之間的粘合強(qiáng)度。專利文獻(xiàn)9特開2007-115925號公布根據(jù)專利文獻(xiàn)9的摘要，公開了一種目的在于提供即使外引線間距很小也能可靠地與無鉛焊料進(jìn)行互潤鍍覆的引線框，在引線架材料9上設(shè)置四層的鍍覆，該鍍覆從最下 層按順序?yàn)榈族儗?Ni) 10/鈀鍍11/銀鍍12/金鍍13。

發(fā)明內(nèi)容
到目前為止，和對象物體的接觸部分中，考慮到連接穩(wěn)定性這點(diǎn)，通常使用了含金 材料鍍覆，但是由于成本及環(huán)境問題，開始逐漸使用圖7所示的含錫材料鍍覆(在說明中， 可以獲得基本沒有問題的連接穩(wěn)定性)。作為和對象物體的接觸部分，就要有外力施加在接觸部分上，因此如圖8所示就 會出現(xiàn)含錫材料鍍覆導(dǎo)致外力施加從而產(chǎn)生晶須這樣的問題。晶須一產(chǎn)生，如果相鄰端子 間隙狹小，就會在相連端子之間發(fā)生短接，導(dǎo)致連接不良。雖然專利文獻(xiàn)5至專利文獻(xiàn)9公開了多層的表面處理，但卻未公開可以防止合金 及鍍層的成分?jǐn)U散到最上層鍍層的勢壘中間層。此外，專利文獻(xiàn)1至專利文獻(xiàn)4中并未列 舉可以通過勢壘中間層來防止合金、鍍層的成分?jǐn)U散到最上層鍍層等抑制晶須的方法。因此，本發(fā)明人為了確認(rèn)晶須產(chǎn)生的起因，進(jìn)行了晶須部分的分析。因此，在銅合 金的材料上進(jìn)行鍍鎳(大約2μπι以上)作為襯底，還在上面進(jìn)行了含錫材料鍍覆(大約 1. 5μπι 以上)。從圖9及圖10可以看出，晶須部分除錫以外的成分還包括銅和鎳。銅是作為材料 的銅合金中的成分，鎳是鍍鎳中的成分，可以認(rèn)為是銅和鎳擴(kuò)散到含錫材料鍍覆中導(dǎo)致晶 須增長的加劇。圖9 (A)是從截面方向觀察晶須產(chǎn)生部分的截面圖(照片)，圖9(B)是(A) 的X部擴(kuò)大圖(照片)。圖9的圖(照片)為透射電子像。圖9 (B)的Y部覆蓋的點(diǎn)1及點(diǎn) 2由EDX (能量分散型元素分析裝置)進(jìn)行元素分析。Y部的點(diǎn)1是圖中看起來為黑色的析 出物(雜質(zhì))，Y部的點(diǎn)2是沒有析出物的區(qū)域。圖10(A)是點(diǎn)1的分析結(jié)果，圖10(B)是 點(diǎn)2的分析結(jié)果。圖10(A)中，如Z部所示除錫(Sn)以外，檢測出銅(Cu)和鎳(Ni)。但 是，點(diǎn)2上并未檢測出圖10(B)所示的錫(Sn)以外的元素。由此，可以判定上述說法。另外，如圖11所示在晶須產(chǎn)生部分，根部的錫(Sn)結(jié)晶變粗。這可以推測是含錫 材料層上負(fù)載了外力時，錫(Sn)原子容易透過材料層和襯底層的界面部分及鍍錫晶粒間 界向某個方向擴(kuò)散(晶粒間界及晶粒內(nèi)擴(kuò)散)，錫(Sn)原子的擴(kuò)散集中在某一錫(Sn)晶粒 上，導(dǎo)致變粗。可以認(rèn)為所述2個原因(銅(材料)及鎳(襯底鍍層)擴(kuò)散到含錫材料鍍覆上或 錫(Sn)原子的擴(kuò)散集中在某一錫(Sn)晶粒上變粗)互相作用，導(dǎo)致了晶須增長的加劇。本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有問題，旨在提供材料及襯底層的組成成分的原子不能擴(kuò)散到 含錫材料層上、且能抑制外力型晶須的電子部件的制造方法及通過該方法制造的電子部 件。如權(quán)利要求1所述，電子部件的制造方法是在材料70上進(jìn)行表面處理的制造方 法，包括在材料70表面進(jìn)行的襯底層72表面處理工序和在所述襯底層72的上方進(jìn)行的含 錫材料層74表面處理工序，其中，通過在設(shè)置所述含錫材料層74之前設(shè)置勢壘中間層76的工序，來達(dá)到防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74上、抑制所述含錫材料層74的表面負(fù)載了外力時的外力型晶須的產(chǎn)生的目的。此外，如權(quán)利要求2所述，電子部件的制造方法是在材料70上進(jìn)行表面處理的制 造方法，包括在材料70表面進(jìn)行的襯底層72表面處理工序和在所述襯底層72的上方進(jìn)行 的含錫材料層74表面處理工序，其中，通過在設(shè)置所述含錫材料層74之前設(shè)置勢壘中間層 76的工序，以達(dá)到通過使所述物質(zhì)和錫原子生成化合物來防止錫原子在所述襯底層72和 所述含錫材料層74的界面上擴(kuò)散、且抑制所述含錫材料層74的表面上負(fù)載了外力時的外 力型晶須的產(chǎn)生的目的，所述勢壘中間層76是含有易于和錫原子生成穩(wěn)定的化合物的物 質(zhì)的表面處理層。所述勢壘中間層76包括兩種方式在整個襯底層72上進(jìn)行設(shè)置；將表面處理的 金屬粒子在襯底層72上呈斑點(diǎn)狀散布。根據(jù)權(quán)利要求3的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1中記載的電子部件的制造方 法的特征在于，所述勢壘中間層76是含有含金材料761和/或鈀765的表面處理層。此外，根據(jù)權(quán)利要求4的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1、2或3、4中記載的電子 部件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76的表面處理的沉積量在0. 01mg/cm2以上。根據(jù)權(quán)利要求5的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1、2或3、4、5中記載的電子部 件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76的表面處理的厚度在0. 03 μ m以上。此外，根據(jù)權(quán)利要求6的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1 5的任意一項(xiàng)記載的 電子部件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76按照表面處理的金屬粒子在所述襯 底層72上斑點(diǎn)狀散布的方式設(shè)置。此外，根據(jù)權(quán)利要求7的電子部件的制造方法，權(quán)利要求3 6的任意一項(xiàng)記載的 電子部件的制造方法的特征在于，在進(jìn)行含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766時，至少 在所述含錫材料層74的界面部分形成錫和金的金屬間化合物層作為所述勢壘中間層76。此外，根據(jù)權(quán)利要求8的電子部件的制造方法，權(quán)利要求3 7的任意一項(xiàng)記載的 電子部件的制造方法的特征在于，所述含金材料761是純金或金基合金。此外，權(quán)利要求9記載的電子部件的特征在于，使用金屬端子的電子產(chǎn)品中，首先 在所述端子的表面進(jìn)行襯底層72表面處理，其次設(shè)置表面處理的沉積量在0. 01mg/cm2以 上的勢壘中間層76，最后設(shè)置含錫材料層74，來防止所述端子的材料及所述襯底層72的組 成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74上及錫原子在所述襯底層和所述含錫材料層的界 面上擴(kuò)散，抑制所述含錫材料層74的表面上負(fù)載了外力時的外力型晶須的產(chǎn)生。如以上說明所詳述，根據(jù)本發(fā)明的電子部件的制造方法及通過該方法制造的電子 部件，可取得以下優(yōu)良且顯著的效果。(1)如權(quán)利要求1所記載，電子部件的制造方法是在材料70上進(jìn)行表面處理的方 法，包括在材料70表面進(jìn)行的襯底層72表面處理工序和在所述襯底層72的上方進(jìn)行的含 錫材料層74表面處理工序，其中，由于具有在設(shè)置所述含錫材料層74之前設(shè)置可以防止所 述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74上且抑制所述含 錫材料層74的表面負(fù)債了外力的情況下產(chǎn)生外力型晶須的勢壘中間層76，所以可以防止 所述材料70和所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，且抑制錫原子 的擴(kuò)散從而防止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。
(2)如權(quán)利要求2所記載，電子部件的制造方法是在材料70上進(jìn)行表面處理的方 法，包括在材料70表面進(jìn)行的襯底層72表面處理工序和在所述襯底層72的上方進(jìn)行的含 錫材料層74表面處理工序，其中，具有在設(shè)置所述含錫材料層74之前設(shè)置勢壘中間層76 的工序，該勢壘中間層76是含有易于與錫原子生成穩(wěn)定化合物的物質(zhì)的表面處理層，通過 使錫原子與所述物質(zhì)產(chǎn)生化合物來防止錫原子在所述襯底層72和所述含錫材料層74的界 面上擴(kuò)散，抑制所述含錫材料層74的表面上負(fù)載了外力的情況下產(chǎn)生外力型晶須，所以物 質(zhì)易與錫(Sn)結(jié)合，形成金屬間化合物層，從而更能防止所述材料70及所述襯底層72的 組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74中，并且通過鍍覆易于與錫原子生成穩(wěn)定化合 物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制錫原子在鎳鍍層和含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò) 散，防止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。
(3)根據(jù)權(quán)利要求3的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1記載的電子部件的制造方 法的特征在于，所述勢壘中間層76是包括含金材料761和/或鈀765的表面處理層，因此， 可以防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，從而 抑制晶須的產(chǎn)生。如果所述勢壘中間層76是含金材料鍍覆761及鈀鍍765，則能充分防止 所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，且通過抑制錫 原子的擴(kuò)散防止錫(Sn)晶粒的粗大化(參照后面附圖3(A))。此外，權(quán)利要求2記載的電子部件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76 是含有含金材料和/或鈀的表面處理層，因此，易與錫(Sn)結(jié)合，形成錫與金·銅的所謂 錫-金(Sn-Au)或錫-鈀(Sn-Pd)等金屬間化合物層，從而更能防止所述材料70及所述襯 底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74中，且通過鍍覆易于與錫原子生成穩(wěn) 定化合物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳和含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò)散，防 止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。(4)根據(jù)權(quán)利要求4的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1、2或3記載的電子部件的 制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76的表面處理的沉積量在0. 01mg/cm2以上，因此， 可以防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，且通 過鍍覆易于與錫原子生成穩(wěn)定化合物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳鍍層和 含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò)散，防止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。如果所述勢 壘中間層76的沉積量為0. 01mg/cm2以上，則能充分防止所述材料70及所述襯底層72的組 成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，且通過鍍覆易于與錫原子生成穩(wěn)定化合物的金 屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳鍍層和含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò)散，防止錫(Sn) 晶粒的粗大化。(5)根據(jù)權(quán)利要求5的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1 4的任意一項(xiàng)記載的電 子部件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76的表面處理的厚度在0. 03 μ m以上，因 此，可以防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散， 且通過鍍覆易于與錫原子生成穩(wěn)定化合物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳鍍 層和含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò)散，防止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。如果所 述勢壘中間層76的厚度為0. 03 μ m以上，則能充分防止所述材料70及所述襯底層72的組 成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散(請參照后附圖5)，且通過鍍覆易于與錫原子生成 穩(wěn)定化合物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳鍍層和含錫材料鍍層的界面上的擴(kuò)散，防止錫(Sn)晶粒的粗大化。(6)根據(jù)權(quán)利要求6的電子部件的制造方法，權(quán)利要求1 5的任意一項(xiàng)記載的電 子部件的制造方法的特征在于，所述勢壘中間層76按照表面處理的金屬粒子在所述襯底 層72上斑點(diǎn)狀散布的方式設(shè)置，因此能夠防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的 原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散，從而抑制晶須的產(chǎn)生。如果表面處理的金屬粒子呈斑點(diǎn)狀 散布的所述勢壘中間層76是含金材料沖擊鍍766及鈀沖擊鍍，則能充分防止所述材料70 及所述襯底層72的組成成分的原子向所述含錫材料層74擴(kuò)散(參照后面附圖3(B))。(7)根據(jù)權(quán)利要求7的電子部件的制造方法，權(quán)利要求3 6的任意一項(xiàng)記載的電 子部件的制造方法的特征在于，在進(jìn)行含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766時，至少在 所述含錫材料層74的界面部分上形成錫和金的金屬間化合物層作為所述勢壘中間層76， 因此，含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766時，金(Au)易與含錫材料層74的錫(Sn) 結(jié)合，形成錫和金的所謂錫_金(Sn-Au)金屬間化合物層，更能防止所述材料70及所述襯 底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74中(參照附圖6)。并且，通過鍍覆易 于與錫原子生成穩(wěn)定化合物的金屬(例如，純金和金基合金)來抑制在鎳鍍層和含錫材料 鍍層的界面上的擴(kuò)散，防止錫(Sn)晶粒的粗大化，抑制晶須的產(chǎn)生。圖6是含金材料鍍覆 761或含金材料沖擊鍍766之后，進(jìn)行聚集離子束(FIB)加工后的鍍層截面上的二次離子 (SIM)像。(8)根據(jù)權(quán)利要求8的電子部件的制造方法，權(quán)利要求3 7的任意一項(xiàng)記載的電 子部件的制造方法的特征在于，所述含金材料761是純金或金基合金，因此，使用純金或金 基合金時，金(Au)易與含錫材料層74的錫(Sn)結(jié)合，形成錫和金的所謂錫-金(Sn-Au) 金屬間化合物，更能防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫 材料層74中，抑制晶須的產(chǎn)生。金基合金中金(Au)的含量在50%以上。(9)權(quán)利要求9記載的電子部件的特征在于，在使用金屬的端子的電子部件中，首 先在所述端子的表面上進(jìn)行襯底層72的表面處理，其次設(shè)置表面處理的沉積量在0. Olmg/ cm2以上的勢壘中間層76，最后設(shè)置含錫材料層，以防止所述端子的材料和所述襯底層72 的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74中及錫原子在所述襯底層和所述含錫材料層 的界面上擴(kuò)散，并抑制所述含錫材料層74的表面上負(fù)載了外力的情況下產(chǎn)生外力型晶須， 因此，可以防止所述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74 中，抑制晶須的產(chǎn)生，即使相鄰端子間隙狹小，相鄰的端子之間也不會發(fā)生短路，也不會發(fā) 生連接不良。


圖1㈧是使用了進(jìn)行了抑制外力型晶須的方法的表面處理的端子的連接器的斜 視圖。圖1 (B)是從(A)的連接器拔出1個端子的狀態(tài)下的連接器及端子的斜視圖。圖1 (C)是將連接器在某個端子部分剖面后的截面圖。圖2是連接器上施加有外力的部分的表示了本申請的表面處理的放大截面圖。圖3(A)是表示勢壘中間層使用了含金材料鍍覆時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖3(B)是表示勢壘中間層使用了含金材料沖擊鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。
圖4(A)是表示勢壘中間層使用了鈀鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖4(B)是表示勢壘中間層使用了鉬鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖4(C)是表示勢壘中間層使用了銀鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。
圖5(A)是表示勢壘中間層使用了含金材料鍍層時，不同的含金材料鍍層的厚度 所對應(yīng)的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖5(B)是表示不同的含金材料鍍層的厚度所對應(yīng)的負(fù)載了外力時的晶須總長度 的圖。圖6是含金材料鍍覆或含金材料沖擊鍍之后，進(jìn)行聚焦離子束(FIB)加工之后的 鍍層截面上的二次離子(SIM)像。圖7是表示了施加有外力部分的現(xiàn)有表面處理的放大截面圖。圖8是表示圖7的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖9㈧是從截面方向觀察晶須產(chǎn)生部分的截面圖(照片)。圖9 (B)是(A)的X部放大圖(照片)。圖10 (A)是銅和鎳擴(kuò)散狀態(tài)下的點(diǎn)1的分析結(jié)果。圖10⑶是點(diǎn)2的分析結(jié)果。圖11是現(xiàn)有的表面處理負(fù)載了外力之后，晶須產(chǎn)生部分的聚焦離子束(FIB)加工 之后的鍍層截面上的二次離子(SIM)像。圖12是對在由銅形成的材料上按順序形成由鎳構(gòu)成的襯底層、由含銅材料鍍覆 構(gòu)成的勢壘中間層及含錫材料層的電子部件的一部分截面，使用透射型電子顯微鏡(TEM) 進(jìn)行放大并觀察的照片。圖13(A)是通過能量分散型X光光譜分析裝置(EDS)對圖12中的金屬間化合物 層的一部分(區(qū)域A)進(jìn)行分析所得到的衍射線的峰值的圖。圖13 (B)是通過能量分散型X光光譜分析裝置(EDS)對區(qū)域A進(jìn)行半定量分析所 得到的各元素的分布的圖。圖14㈧是通過能量分散型X光光譜分析裝置(EDS)對圖12中的金屬間化合物 層的一部分(區(qū)域B)進(jìn)行分析所得到的衍射線的峰值的圖。圖14 (B)是通過能量分散型X光光譜分析裝置(EDS)對區(qū)域B進(jìn)行半定量分析所 得到的各元素的分布的圖。優(yōu)選實(shí)施方式首先，與現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行對比的同時，基于圖2至圖5對本發(fā)明的外力型晶須的抑制 方法進(jìn)行說明。圖2是表示連接器上施加有外力的部分的本申請中的表面處理的放大截面 圖。圖3(A)是勢壘中間層使用了含金材料鍍覆時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖，圖3(B)是勢壘中間 層使用了含金材料沖擊鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖4(A)是勢壘中間層使用了鈀鍍時的 晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖，圖4(B)是勢壘中間層使用了鉬鍍時的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的圖。圖5(A)是 勢壘中間層使用了含金材料鍍覆時，不同的含金材料鍍覆的厚度所對應(yīng)的晶須產(chǎn)生狀態(tài)的 圖，圖5(B)是不同的含金材料鍍層的厚度所對應(yīng)的負(fù)載了外力時的晶須總長度的圖。圖6 是進(jìn)行含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766之后，進(jìn)行聚焦離子束(FIB)加工之后的 鍍層截面上的二次離子(SIM)像。如上所述(圖9所示)，可以看出材料70及襯底層72的原子擴(kuò)散到含錫材料層74上導(dǎo)致了晶須增長的加劇。因此，本發(fā)明人認(rèn)為在襯底層72和含錫材料層74之間設(shè)置 可以防止材料70及襯底層72的原子向含錫材料層74擴(kuò)散的勢壘中間層76。因此，如圖2 所示，在材料70 (銅合金)上進(jìn)行1. 0 2. 0 μ m的襯底層表面處理72 (鎳鍍721)，在其上 設(shè)置0. 03 0. 1 μ m的勢壘中間層76 (金鍍761)，最后設(shè)置2. 0 3. 0 μ m的含錫材料層， 作為試樣1。此外，將設(shè)置含金材料沖擊鍍766代替含金材料鍍覆761，其作為試樣1-1。通過氧化鋯簡易負(fù)載測試法對上述試樣1施加外力，確認(rèn)晶須的產(chǎn)生狀態(tài)之后， 在含錫材料層74的正下方進(jìn)行含金材料鍍覆761作為中間層76，則如圖3(A)所示可以抑 制晶須的產(chǎn)生。此外，如果通過氧化鋯簡易負(fù)載測試法對上述試樣1-1施加外力，確認(rèn)晶須 的產(chǎn)生狀態(tài)之后，在含錫材料層74的正下方進(jìn)行含金材料沖擊鍍作為勢壘中間層76，則如 圖3(B)所示也能抑制晶須的產(chǎn)生。這里所指的含金材料是純金或金基合金(含金50%以 上)。因此，本發(fā)明人對鈀765、鉬762及鎳767進(jìn)行了同樣的試驗(yàn)。將使用了鉬鍍762 的勢壘中間層76作為試樣2，使用了鈀鍍765的勢壘中間層76作為試樣4，使用了銀鍍767 的勢壘中間層76作為試樣8。通過氧化鋯簡易負(fù)載測試法對每個試樣施加外力，確認(rèn)晶須 的產(chǎn)生狀態(tài)，結(jié)果如圖4所述。S卩，如圖4(A)所示，可以觀察到鈀765具有抑制晶須產(chǎn)生的 效果。另外，如圖4(B)及圖4(C)所示，可以觀察到鉬762(圖4⑶)及銀767(圖4(C))不 具有抑制晶須產(chǎn)生的效果。
從圖3及圖4的結(jié)果可知，抑制晶須產(chǎn)生的勢壘中間層76優(yōu)選含金材料鍍覆761 或含金材料沖擊鍍766。使用含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766時，如圖6所示，金 (Au)易與含錫材料層74的錫(Sn)結(jié)合，形成錫(Sn)和金(Au)的金屬間化合物層，能更好 地防止材料70及襯底層72的原子擴(kuò)散到含錫材料層74上，抑制晶須的產(chǎn)生。這里，圖12是使用透射型電子顯微鏡(TEM)對電子部件的一部分截面進(jìn)行放大并 觀察所得到的照片(明視場圖像)，在該電子部件中，在由銅構(gòu)成的材料70上形成由Ni構(gòu) 成的襯底層72，在該襯底層72上形成由含Au材料鍍覆構(gòu)成的勢壘中間層76，在該勢壘中 間層76上形成含錫材料層74。如圖12所示，所述勢壘中間層76和所述含錫材料層74之 間，形成有金屬間化合物層。此外，通過能量分散型X光光譜分析裝置(EDS)對該金屬間化 合物層的一部分(圖12的區(qū)域A)進(jìn)行分析后得到的能譜如圖13(A)所示。結(jié)果，所述金 屬間化合物的一部分如圖13㈧所示，可以看到Au及Sn的峰值，并形成Au-Sn金屬間化合 物。此外，從圖13(B)中表示各元素分布的表可以看出該Au-Sn金屬間化合物是AuSn4 (金 屬間化合物層1)。另外，從通過EDS所得到的能譜(圖14(A))及各元素的分布(圖14(B)) 可以得知所述襯底層72 (Ni)和金屬間化合物層1之間(區(qū)域B)存在AuSn2這種物質(zhì)(金 屬間化合物層2)。原因在于Au和Sn反應(yīng)時，先形成亞穩(wěn)相的AuSn2,再形成穩(wěn)相的AuSrv然后，確定含金材料鍍覆761的設(shè)置程度，以具有抑制晶須產(chǎn)生的效果。準(zhǔn)備好不 同厚度的含金材料鍍覆761的試樣，將厚度為0. 03 μ m的作為試樣5，厚度為0. 05 μ m的作 為試樣6，厚度為0. Iym的作為試樣7。通過氧化鋯簡易負(fù)載測試法對每個試樣施加外力， 確認(rèn)晶須的產(chǎn)生狀態(tài)，結(jié)果如圖5(A)所示。〇記號代表良好，Δ記號代表中等，X代表不 好。從圖5(B)可知，勢壘中間層76的厚度越大越能抑制晶須的產(chǎn)生。圖5(B)表示負(fù)載了 外力時的晶須總長度?？傊?，可以得知設(shè)置至少0. 03 μ m厚的含金材料鍍覆761來作為勢壘中間層76就能抑制晶須的產(chǎn)生。所述0.03 μ m的厚度僅為可測定厚度的界限，如圖3 (B)所示，表面處理呈斑點(diǎn)狀 散布的含金材料沖擊鍍也具有抑制晶須產(chǎn)生的效果。因此，確定上述試樣1-1的沉積量 (mg/mm2)的界限為 0. 01mg/cm2。從以上結(jié)果可知，對于外力型晶須的抑制方法，在含錫材料層74的下方設(shè)置勢 壘中間層76，可以抑制晶須的產(chǎn)生。即，對于可測定的最低限度的厚度，通過設(shè)置至少 0. 03μ m的勢壘中間層76，就可以防止材料70及襯底層表面處理72的原子向含錫材料層 74擴(kuò)散?？紤]到晶須的抑制、成本及焊料的潤濕性能，優(yōu)選0.03 0.1 μ m。此外，對于不 可測定的厚度(包括鍍層為點(diǎn)狀散布的情形)，通過設(shè)置至少0. 01mg/cm2的沉積量的勢壘 中間層76，可以防止材料70及襯底層表面處理72的原子向含錫材料層74擴(kuò)散。如圖6所示，進(jìn)行含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766時，金(Au)易與含錫 材料層74的錫(Sn)結(jié)合，形成錫和金的所謂錫-金(Sn-Au)金屬間化合物層，更能防止所 述材料70及所述襯底層72的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層74上，從而抑制晶須 的產(chǎn)生。圖6是含金材料鍍覆761或含金材料沖擊鍍766之后，進(jìn)行聚焦離子束(FIB)加 工之后的鍍層截面上的二次離子(SIM)像。以下，對使用了上述外力型晶須的抑制方法的連接器進(jìn)行說明。圖1 (A)是使用了進(jìn)行了抑制外力型晶須的方法的表面處理的端子的連接器的斜 視圖，圖1 (B)是從(A)的連接器拔出1個端子的狀態(tài)下的連接器及端子的斜視圖，圖1 (C) 是將連接器在某個端子部分進(jìn)行剖面處理的剖面圖。本實(shí)施例中的連接器主要具備外殼12、轉(zhuǎn)動部件18及端子14。首先，基于圖1對端子14進(jìn)行說明。該端子14為金屬制成的端子，通過沖壓加工 這樣的公眾所知的技術(shù)制成。由于要求所述端子14的材質(zhì)具有彈性及導(dǎo)電性等，所以可以 使用黃銅、鈹銅、磷青銅等銅合金。如圖I(C)所示，所述端子14上施加負(fù)載作為外力的部分是與FPC64接觸的A部、 由所述轉(zhuǎn)動部件18的推壓部54推壓的B部、及將所述端子14壓入到所述外殼12的壓入 部分。有必要至少在這些施加負(fù)載作為外力的部分，按照上面所述那樣，設(shè)置勢壘中間層 76在含錫材料層74下。總之，本實(shí)施例中，在作為材料70的磷青銅上進(jìn)行鍍鎳721作為 襯底層表面處理72，在其上進(jìn)行含金材料鍍覆761 (這里，使用除金以外含有大約0.3%的 鈷(Co)的材料)作為勢壘中間層76，最后設(shè)置含錫材料層74，并將該工序作為整體進(jìn)行， 而并非部分進(jìn)行。所述端子14如圖I(B)所示大致呈橫向的H形，至少具備和所述FPC 64接觸的接 觸部26 (圖1 (B)的上側(cè))、與基板等連接的連接部40、用于固定在所述外殼12上的固定部 38、連結(jié)支點(diǎn)部30及由轉(zhuǎn)動部件18推壓的受壓部32。所述接觸部26和所述受壓部32設(shè) 置在板狀片的第一片22的兩端，所述受壓部32的前端設(shè)置有向內(nèi)側(cè)突出的突出部42，此 夕卜，還具有第二片24，其一端設(shè)置有沿著與所述接觸部26相對的方向延伸的延伸部36，另 一端設(shè)置有與基板連接的連接部40。所述第一片22和所述第二片24基本上在中間位置附 近由連結(jié)支點(diǎn)部30連結(jié)。所述接觸部26、所述連結(jié)支點(diǎn)部30和所述連接部40呈大致的曲 柄形，所述轉(zhuǎn)動部件18的推壓部54可在所述受壓部32和所述連接部40之間轉(zhuǎn)動?？紤]基板的連接位置、基板的圖形位置及狹小的空間等來適當(dāng)?shù)嘏渲盟鲞B接部40的位置。本實(shí)施例中，所述端子14的所述連接部40設(shè)置在所述受壓部32的相對側(cè)。所 述接觸部26按照易與FPC 64接觸的方式呈凸部形狀，雖然本實(shí)施例中的所述連接部40為 如圖1所示的表面貼裝式(SMT)，但采用DIP式亦可。也可以根據(jù)所述FPC 64的樣式在所 述接觸部26的相對側(cè)設(shè)置接觸部26。即設(shè)置兩個接觸部26、26以夾持所述FPC 64亦可。所述連結(jié)支點(diǎn)部30和所述受壓部32在插入所述FPC 64時，是起到以下作用的部 分。所述FPC 64插入所述外殼12的嵌合口 20內(nèi)后，所述轉(zhuǎn)動部件18的推壓部54在所述 端子14的連接部40和受壓部32之間轉(zhuǎn)動，所述受壓部32 從而所述接觸部26被推壓到所述FPC 64側(cè)。所述連 結(jié)支點(diǎn)部30和所述受壓部32的大小和形狀按照能起到如上效果的方式適當(dāng)設(shè)置。此外， 優(yōu)選在所述端子14的受壓部32的前端設(shè)置突出部42，使所述轉(zhuǎn)動部件18的推壓部54在 所述端子14的受壓部32和連接部40之間轉(zhuǎn)動時，使所述突出部42與所述轉(zhuǎn)動部件18的 卡合孔58卡合，從而抵抗對所述轉(zhuǎn)動部件18的轉(zhuǎn)動的強(qiáng)大斥力。所述突出部42的大小按 照能夠起到如上作用且所述轉(zhuǎn)動部件18的卡合孔可以卡住的程度適當(dāng)設(shè)置。下面對轉(zhuǎn)動部件18進(jìn)行說明。該轉(zhuǎn)動部件18由電絕緣塑料制成，使用射出成型這 樣的公知技術(shù)進(jìn)行制造，考慮到尺寸穩(wěn)定性、加工性及成本等適當(dāng)?shù)剡x擇該材質(zhì)，一般可列 舉出聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酰胺(66PA、46PA)、液晶聚合物(LCP)、聚碳酸酯(PC) 以及這些物質(zhì)的合成材料。所述轉(zhuǎn)動部件18主要包括可轉(zhuǎn)動地安裝在所述外殼12上的軸部分、推壓所述端 子14的受壓部32的推壓部54、用于所述端子14的突出部42卡合的卡合孔58及操作部 56。所述軸是轉(zhuǎn)動部件18的轉(zhuǎn)動支點(diǎn)。轉(zhuǎn)動部件18以可轉(zhuǎn)動的方式適當(dāng)?shù)匕惭b在外殼12 的長度方向的兩側(cè)。此外為使所述推壓部54轉(zhuǎn)動時旋轉(zhuǎn)軸72改變，基于所述軸和所述外 殼12的軸承部的關(guān)系設(shè)置間隙。此外，在長度方向的兩側(cè)設(shè)置有與外殼12卡合的鎖定部， 以使推壓所述端子14的受壓部32時轉(zhuǎn)動部件18不在厚度(附圖的上方)方向上被抬升。 鎖定部的形狀、大小等，按照能與外殼12嚙合的方式設(shè)計(jì)即可，但也要考慮上述效果、連接 器10的尺寸及強(qiáng)度等問題適當(dāng)設(shè)置。所述轉(zhuǎn)動部件18的所述推壓部54是推壓所述端子14的受壓部32的部分，形狀 優(yōu)選為細(xì)長的形狀，本實(shí)施例中采用橢圓形。這樣，采用橢圓形可以使推壓部54在所述端 子14的受壓部32和連接部40之間轉(zhuǎn)動，根據(jù)推壓部54的尺寸的變化抬升所述端子14的 受壓部32，使FPC 64壓向所述端子14的接觸部26側(cè)。推壓部54的形狀只要是可在所述 端子14的受壓部32和連接部40之間轉(zhuǎn)動、且根據(jù)長軸和短軸等不同長度可以抬升所述端 子14的受壓部32的形狀即可。在轉(zhuǎn)動所述轉(zhuǎn)動部件18時，由于對所述轉(zhuǎn)動部件18的轉(zhuǎn)動的斥力很大，所以，獨(dú) 立設(shè)置有供所述端子14的突出部42卡合的卡合孔58。通過獨(dú)立設(shè)置所述卡合孔58，能夠 增大所述轉(zhuǎn)動部件18的強(qiáng)度，并能夠防止所述轉(zhuǎn)動部件18在轉(zhuǎn)動時的變形。上述轉(zhuǎn)動部件18可自由轉(zhuǎn)動地安裝在所述外殼12的嵌合口 20的相對側(cè)(所述 端子14的連接部側(cè))。最后，對外殼12進(jìn)行說明。該外殼12是電絕緣塑料制成，使用射出成型這樣的公 知技術(shù)進(jìn)行制造，考慮到尺寸穩(wěn)定性、加工性及成本等適當(dāng)?shù)剡x擇該材質(zhì)，一般可以列舉出聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酰胺(66PA、46PA)、液晶聚合物(LCP)、聚碳酸酯(PC)、以 及這些物質(zhì)的合成材料。所述外殼12中設(shè)置有所需數(shù)量的端子14可插入的插入槽48，通過壓裝、切縫、焊 接等方式固定。此外，所述外殼12上設(shè)置有所述FPC 64可插入的嵌合口 20，所述嵌合口 20的大小按照所述FPC 64可插入、且所述FPC 64插入時可以由所述旋轉(zhuǎn)部件18推壓到所 述端子14上的方式適當(dāng)設(shè)置。在所述外殼12的長度方向兩側(cè)，按照所述轉(zhuǎn)動部件18的軸 可轉(zhuǎn)動地安裝的方式設(shè)置有軸承部。所述軸和所述軸承之間設(shè)置有使所述旋轉(zhuǎn)部件18的 推壓部54按照如上所述可緊湊地轉(zhuǎn)動的間隙。該軸承部的形狀、大小等，按照轉(zhuǎn)動部件18 可轉(zhuǎn)動且所述推壓部54被安裝為可緊湊旋轉(zhuǎn)的方式設(shè)置即可，此外還要考慮該作用、外殼 12的強(qiáng)度及大小等適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)計(jì)。所述外殼12上設(shè)置有覆蓋所述端子14的接觸部26的頂棚部50。所述頂棚部50 用于提高所述端子14的防塵性，其大小及形狀根據(jù)該作用、所述外殼12的強(qiáng)度、所述轉(zhuǎn)動 部件18的轉(zhuǎn)動性及強(qiáng)度等適當(dāng)設(shè)置。工業(yè)上的可利用性
對于本發(fā)明的實(shí)用例，可適用于電氣設(shè)備、電子設(shè)備內(nèi)部使用了金屬端子的電子 部件，特別是可提供對電子部件中使用的金屬端子進(jìn)行表面處理時加載外力的制造方法。
權(quán)利要求
電子部件的制造方法，該制造方法是對材料實(shí)施表面處理的方法，包括對材料表面進(jìn)行的襯底層表面處理工序、和在所述襯底層的上方進(jìn)行的含錫材料層表面處理工序，其中，所述方法具有在設(shè)置所述含錫材料層之前設(shè)置勢壘中間層的工序，以防止所述材料及所述襯底層的組成成分的原子擴(kuò)散到所述含錫材料層中，并抑制所述含錫材料層的表面負(fù)載了外力時的外力型晶須的產(chǎn)生。
2.電子部件的制造方法，該制造方法是對材料實(shí)施表面處理的方法，包括在材料表面 進(jìn)行的襯底層表面處理工序、和在所述襯底層的上方進(jìn)行的含錫材料層表面處理工序，其 中，所述方法具有在設(shè)置所述含錫材料層之前設(shè)置勢壘中間層的工序，所述勢壘中間層是 含有易于和錫原子產(chǎn)生穩(wěn)定化合物的物質(zhì)的表面處理層，通過使錫原子與所述物質(zhì)產(chǎn)生化 合物來防止錫原子在所述襯底層和所述含錫材料層的界面擴(kuò)散，來抑制所述含錫材料層的 表面負(fù)載了外力時的外力型晶須的產(chǎn)生。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述勢壘中間層是含 有含金材料和/或鈀的表面處理層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述勢壘中間層 上，表面處理的沉積量在0. 01mg/cm2以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述勢壘中間層 上，表面處理的厚度在0. 03 μ m以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任意一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述勢 壘中間層按照表面處理的金屬粒子在所述襯底層上斑點(diǎn)狀散布的方式設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求3 6中的任意一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于，作為所 述勢壘中間層，在含金材料鍍覆或含金材料沖擊鍍時，至少在所述含錫材料層的界面部分， 形成錫和金的金屬間化合物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3 7中的任意一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述含 金材料是純金或金基合金。
9.一種電子部件，在使用金屬端子的電子部件中，在所述端子的表面，首先進(jìn)行襯底層 表面處理，其次設(shè)置表面處理的沉積量為0. 01mg/cm2以上的勢壘中間層，最后設(shè)置含錫材 料層，防止所述端子材料及所述襯底層的組成成分的原子向所述含錫材料層擴(kuò)散及錫原子 在所述襯底層和所述含錫材料層的界面上擴(kuò)散，從而抑制所述含錫材料層的表面上負(fù)載了 外力時的外力型晶須的產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明提供了材料(70)及襯底層(72)的組成成分的原子不能擴(kuò)散到含錫材料層(74)中且抑制外力型晶須的電子部件的制造方法及通過該方法制造的電子部件。本發(fā)明的電子部件的制造方法是在材料(70)上進(jìn)行表面處理的制造方法，包括在材料(70)的表面上進(jìn)行襯底層(72)的表面處理、和在襯底層(72)的上方進(jìn)行含錫材料層(74)的表面處理的工序，其中，具有在設(shè)置含錫材料層(74)之前設(shè)置勢壘中間層(76)的工序，以達(dá)到防止材料(70)及襯底層(72)的組成成分的原子擴(kuò)散到含錫材料層(74)中且抑制含錫材料層(74)的表面上負(fù)載了外力時的外力型晶須的產(chǎn)生的目的。
文檔編號C25D7/00GK101821431SQ20088010340
公開日2010年9月1日 申請日期2008年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日
發(fā)明者中野芳一, 御子貝英一, 森內(nèi)裕之, 田所義浩 申請人:第一電子工業(yè)株式會社