專利名稱：電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔及使用它們形成電子電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過蝕刻進(jìn)行電路形成的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔以及使用它們形成電子電路的方法。
背景技術(shù)：
在電子設(shè)備和電氣設(shè)備中廣泛使用印刷電路用銅箔，該印刷電路用銅箔，一般通過膠粘劑、或者不使用膠粘劑而是在高溫高壓下膠粘到合成樹脂板或薄膜等基板上來制造覆銅箔層壓板，之后，為了形成目標(biāo)電路，通過抗蝕劑涂布及曝光工序印刷電路，并且經(jīng)過將銅箔的不需要部分除去的蝕刻處理，再焊接各種元件，由此形成電子器件用的印刷電路。這樣的印刷電路中使用的銅箔，根據(jù)其制造方法的種類的不同大致分為電解銅箔和壓延銅箔，兩種銅箔均可以根據(jù)印刷電路板的種類或品質(zhì)要求來使用。這些銅箔，具有與樹脂基板膠粘的面和非膠粘面，各自實(shí)施特殊的表面處理(卜 1J 一卜処理)。另外，也有時(shí)象多層印刷布線板的內(nèi)層中使用的銅箔那樣，雙面具有與樹脂膠粘的功能(夕'寸義卜U —卜処理)。電解銅箔一般是通過使銅電沉積在旋轉(zhuǎn)鼓上并將其連續(xù)地剝離而制造銅箔，該制造時(shí)與旋轉(zhuǎn)鼓接觸的面為光澤面，其相反側(cè)的面具有許多凹凸(粗糙面)。但是，在這樣的粗糙面上，為了進(jìn)一步提高與樹脂基板的膠粘性，一般附著約0. 2 μ m 約3 μ m的銅粒子。另外，在加強(qiáng)這樣的凹凸的基礎(chǔ)上為了防止銅粒子的脫落，有時(shí)也形成薄鍍層。這一系列工序稱為粗糙化處理。這樣的粗糙化處理，不僅電解銅箔需要，而且壓延銅箔也需要，在壓延銅箔上也實(shí)施同樣的粗糙化處理。使用以上的銅箔通過熱壓法或連續(xù)法制造覆銅箔層壓板。例如以熱壓法為例，該層壓板經(jīng)過如下工序制造合成環(huán)氧樹脂、在紙基材中浸滲酚醛樹脂并進(jìn)行干燥而制造預(yù)浸料坯，再將該預(yù)浸料坯和銅箔組合并使用壓機(jī)進(jìn)行熱壓成形，等。除此以外，還有在銅箔上將聚酰亞胺前體溶液干燥并固化，從而在所述銅箔上形成聚酰亞胺樹脂層的方法。為了形成目標(biāo)電路，這樣制造的覆銅箔層壓板，利用抗蝕劑涂布及曝光工序印刷電路，并且經(jīng)過除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理，但是，在進(jìn)行蝕刻以形成電路時(shí)，存在該電路不能達(dá)到擬定的寬度的問題。這是由于蝕刻后的銅箔電路的銅部分，從銅箔的表面向下、即朝向樹脂層的方向，以末端變寬的方式被蝕刻(產(chǎn)生下彎(夕' > ))。產(chǎn)生大的“下彎”的情況下，在樹脂基板附近有時(shí)銅電路短路，從而產(chǎn)生不合格品。需要盡力地減少這樣的“下彎”，為了防止這樣的末端變寬的蝕刻不良，也考慮了延長蝕刻時(shí)間，從而更多地進(jìn)行蝕刻，以減少該“下彎”。但是，此時(shí)產(chǎn)生的問題是，當(dāng)存在已經(jīng)達(dá)到規(guī)定寬度尺寸的部位時(shí)，該部分被進(jìn)一步蝕刻，因此該銅箔部分的電路寬度變得非常窄，從而不能得到電路設(shè)計(jì)上的目標(biāo)均勻線寬(電路寬度)，特別是在該部分(細(xì)線化的部分)會發(fā)熱，并根據(jù)情況產(chǎn)生斷線。
電子電路的精細(xì)圖案化在進(jìn)一步進(jìn)展當(dāng)中，目前這樣的蝕刻不良所引起的問題更明顯地出現(xiàn)從而在電路形成方面成為大的問題。本發(fā)明人為了改善這些方面，提出了在蝕刻面?zhèn)鹊你~箔上形成有蝕刻速度比銅低的金屬或合金層的銅箔(參考專利文獻(xiàn)1)。作為此時(shí)的金屬或合金，為鎳、鈷及它們的合
^^ O在電路設(shè)計(jì)時(shí)，蝕刻液從抗蝕劑涂布側(cè)、即銅箔的表面浸滲，因此如果在緊接在抗蝕劑下面具有蝕刻速度低的金屬或合金層，則其附近的銅箔部分的蝕刻受到抑制，而其它銅箔部分的蝕刻進(jìn)行，因此具有可以減少“下彎”、可以形成寬度更均勻的電路的效果。結(jié)果，從現(xiàn)有技術(shù)來看，是很大的進(jìn)步。在此，在進(jìn)行進(jìn)一步改善的階段，又產(chǎn)生了幾個(gè)問題。這些問題是在形成電路后， 需要除去樹脂、并且需要通過軟蝕刻除去用于防止“下彎”而形成的蝕刻速度低的金屬或合金層；另外，在以帶有所述蝕刻速度低的金屬或合金層(鎳或鎳合金層)的銅箔作為覆銅箔層壓板形成電子電路的工序中，需要在樹脂的粘貼等工序中對銅箔進(jìn)行高溫處理。關(guān)于前者，為了盡可能縮短蝕刻除去的時(shí)間，并且干凈地除去，需要使鎳或鎳合金層的厚度盡可能薄。另外，后者的情況下，由于受熱，鎳或鎳合金層被氧化(由于變色，因此通稱為“燒灼(X ’ )”)、抗蝕劑的涂布性(均勻性、密合性)不良或蝕刻時(shí)的界面氧化物的過量蝕刻等，由此存在產(chǎn)生圖案蝕刻中的蝕刻性、短路、電路寬度的控制性等不良的問題，因此要求進(jìn)一步進(jìn)行改良或者置換為其它材料。在此，銅箔受熱的情況下，可以看到幾項(xiàng)發(fā)明中為了抑制耐熱氧化性而在印刷電路用銅箔的光澤面上形成鋅或鋅合金等。例如，專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5、專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7。另外，還提出了不在蝕刻側(cè)而是在與樹脂膠粘的一側(cè)覆蓋鎳、鎳合金的方法。但是，這些技術(shù)的提出并非是在進(jìn)行基于蝕刻的銅箔電路設(shè)計(jì)時(shí)，為了防止或抑制銅箔的蝕刻部分從銅箔的表面向下以末端變寬的方式被蝕刻(產(chǎn)生下彎)的問題，因此不能解決上述問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-176242號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平5-140765號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開平6-85416號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開平6-85417號公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開平6-280047號公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本特開平7-74464號公報(bào)專利文獻(xiàn)7 日本特開平7-278883號公報(bào)專利文獻(xiàn)8 日本特開2005-15861號公報(bào)專利文獻(xiàn)9 日本特開2006-261270號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔以及使用它們形成電子電路的方法，所述銅箔在通過蝕刻對覆銅箔層壓板進(jìn)行電路形成時(shí)，可以防止蝕刻造成的下彎，形成目標(biāo)電路寬度均勻的電路，盡可能縮短通過蝕刻形成電路的時(shí)間，并且可以盡力使鎳合金層的厚度減小從而通過軟蝕刻容易地除去，并且可以防止蝕刻后覆蓋層的溶解殘留物，以及可以在受熱時(shí)抑制氧化，防止通稱“燒灼”的變色，并且可以提高圖案蝕刻中的蝕刻性，可以防止產(chǎn)生短路或電路寬度的不良。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在壓延銅箔或電解銅箔的蝕刻面形成鎳合金層，并且調(diào)節(jié)銅箔的厚度方向的蝕刻速度，可以形成無下彎的電路寬度均勻的電路，并且可以在受熱時(shí)防止氧化，可以防止稱為“燒灼”的變色，其它設(shè)計(jì)電子電路時(shí)的幾個(gè)問題可以同時(shí)解決?；谠摪l(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供1. 一種電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其通過蝕刻進(jìn)行電路形成，其特征在于，該壓延銅箔或電解銅箔具有在蝕刻面?zhèn)刃纬傻奈g刻速度比銅低的鎳合金層，該鎳合金層含有鋅或鋅氧化物。另外，本發(fā)明提供2.如上述1所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，關(guān)于所述蝕刻速度比銅低的鎳合金層，該鎳合金層中的鎳比率超過50重量％。3.如上述1或2所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，所述鎳合金層中所含的以鋅或鋅氧化物形式存在的鋅含量以金屬鋅換算為30 μ g/dm2 1000 μ g/ dm2 ο另外，本發(fā)明提供4.如上述1 3中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 所述鎳合金層中所含的鎳量為100 μ g/dm2 3000 μ g/dm2。5.如上述1 4中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 所述鎳合金層中含有磷、硼、鉬、鎢或鈷的一種或兩種以上。6.如上述1 5中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 在所述鎳合金層上，還具有鉻層或鉻酸鹽層或硅烷處理層。另外，本發(fā)明提供7.如上述6所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，具有所述鉻層或鉻酸鹽層時(shí)，鉻量以金屬鉻換算為100 μ g/dm2以下。8.如上述6或7所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，具有所述硅烷處理層時(shí)，以硅單質(zhì)換算為20 μ g/dm2以下。另外，本發(fā)明提供9. 一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，在銅箔的蝕刻面?zhèn)刃纬珊袖\或鋅氧化物的鎳合金層，然后，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對該銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅箔的不需要部分除去，從而形成銅的電路。另外，本發(fā)明提供10. 一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對上述1 8的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅箔的不需要部分除去，從而形成銅的電路。發(fā)明效果本發(fā)明具有如下效果在通過蝕刻對覆銅箔層壓板的銅箔進(jìn)行電路形成時(shí)，可以形成目標(biāo)電路寬度更均勻的電路。另外，本發(fā)明具有如下效果可以防止蝕刻導(dǎo)致的下彎的產(chǎn)生，可以縮短通過蝕刻形成電路的時(shí)間，并且可以盡力減小鎳或鎳合金層的厚度，并且可以在受熱時(shí)抑制氧化，可以防止通稱為“燒灼”的變色。由此，本發(fā)明具有如下效果可以提供能夠提高圖案蝕刻中的蝕刻性，可以防止短路或電路寬度不良的產(chǎn)生的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，可以提供優(yōu)良的電子電路形成方法。


圖1是蝕刻因子(EF)的計(jì)算方法的概略說明圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的通過蝕刻進(jìn)行電路形成的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，具有在壓延銅箔或電解銅箔的蝕刻面?zhèn)刃纬傻淖鳛槲g刻速度比銅低的合金的鎳合金層，通過該鎳合金層，可以抑制由蝕刻引起的下彎的產(chǎn)生。另外，該鎳合金層含有鋅或鋅氧化物，因此鎳合金層同時(shí)具有作為耐熱層的功能。將該壓延銅箔或電解銅箔與樹脂接合得到覆銅箔層壓板。該銅箔可以應(yīng)用電解銅箔及壓延銅箔中的任意一種。另外，也同樣可以應(yīng)用粗糙化面(M面)或光澤面(S面)。通常使用光澤面?zhèn)?。壓延銅箔中存在高純度銅箔或者使強(qiáng)度提高的合金銅箔，本發(fā)明包括全部這些銅箔。用于抑制蝕刻的鎳或鎳合金，位于靠近銅箔上的抗蝕劑部分的位置，抗蝕劑側(cè)的銅箔的蝕刻速度受到該鎳合金的層抑制，相反，隨著遠(yuǎn)離鎳合金層，銅的蝕刻以通常的速度進(jìn)行。由此，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)基本垂直地進(jìn)行蝕刻，從而形成矩形的銅箔電路。這樣，在進(jìn)行電路的蝕刻時(shí)，蝕刻液從抗蝕劑涂布側(cè)、即銅箔的表面滲透，因此在本申請發(fā)明中，雖然在鎳合金層中含有鋅及鋅的氧化物作為合金成分，但是，該鋅或鋅的氧化物不具有與鎳同等的功能。在設(shè)計(jì)電路的情況下，倒是鋅或鋅氧化物容易被蝕刻，因此從現(xiàn)有的技術(shù)常識來看，會使上述的“下彎”增加。但是，預(yù)料不到的是，在銅箔上形成的作為蝕刻速度低的金屬的鎳層中含有鋅或鋅氧化物而得到鎳合金層，由此，得到如下確證可以防止燒灼，并且可以形成目標(biāo)電路寬度均勻的電路。這具有極大的效果。覆銅箔層壓板在形成電子電路的樹脂粘貼等工序中需要進(jìn)行高溫處理，此時(shí)，鎳金屬單獨(dú)層的情況下，其被氧化，容易產(chǎn)生抗蝕劑的涂布性(均勻性、密合性)不良。另外， 蝕刻時(shí)，加熱時(shí)形成的界面氧化物容易產(chǎn)生蝕刻的變動，成為引起短路或電路寬度不均勻的原因。在專利文獻(xiàn)9中，提出了控制氧濃度的覆銅箔層壓板的制造工序，認(rèn)為今后會進(jìn)一步尋求針對高溫處理的耐氧化性。在此，本申請發(fā)明的鎳合金層中含有的鋅或鋅氧化物
6是具有耐熱氧化性的材料，因此，僅僅通過額外地含有它作為合金元素，就可以提供顯著提高耐熱氧化、防變色的效果。通過形成厚的鎳金屬的單獨(dú)層，可以抑制熱氧化的影響，但是，形成厚的鎳層本身存在問題。這意味著在蝕刻后必須除去鎳，因此，在形成厚鎳層的情況下，該除去工序要花時(shí)間。不過，通過使鎳中含有鋅或鋅氧化物，可以顯著提高耐熱性，因此，可以得到能夠減小鎳合金層的厚度的顯著效果。由此，得到通過軟蝕刻可以非常容易地除去鎳合金層的效果?？梢姡嚮蜴嚭辖鹱鳛槲g刻速度比銅低的金屬層特別有效果，對于一般用于在覆銅箔層壓板上形成電子電路圖案的蝕刻液(氯化銅水溶液、氯化鐵水溶液等)，如果是以鎳為主成分的合金，則蝕刻速度與鎳相同程度，或者雖然比鎳大但也比銅小，因此具有改善蝕刻因子的效果。如上所述，鋅是容易被蝕刻的金屬，因此從量上來說需要減小。本申請發(fā)明中，原則上說，使電路的蝕刻寬度均勻從而使得不產(chǎn)生“下彎”是主要目的，因此必須避免鋅等容易腐蝕的金屬的量多。從該意義上來說，鎳合金層中需要以鎳為主成分。這樣，作為蝕刻速度比電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔低的合金的鎳合金中所含的合金成分，如果是通常已知的合金，則可以使用任意一種。例如，與選自磷、硼、鉬、鎢或鈷的至少一種以上的合金，其蝕刻速度比銅低，具有改善蝕刻因子的效果。本發(fā)明的合金層，是以鎳為主成分的鎳鋅合金，如上所述，磷、硼、鉬、鎢或鈷金屬與鎳具有類似的效果，因此可以用這些金屬代替鎳的一部分。其量對于磷和硼而言，這些一種成分或兩種成分的合計(jì)量根據(jù)需要可以含有以鎳換算的鎳量(重量％)的5%以下。另外，鉬、鎢或鈷的一種成分或者它們中的兩種成分或者三種成分的合計(jì)量根據(jù)需要可以含有以鎳換算的鎳量(重量％)的10%以下。但是，本發(fā)明的合金層到底屬于以鎳為中心成分的鎳鋅合金，如果可以代替的磷、 硼、鉬、鎢或鈷金屬添加必要量以上(大量)，則從合金層的調(diào)節(jié)和得到上述蝕刻因子的改善效果來看是不適當(dāng)?shù)?。因此，設(shè)定為上述范圍。此時(shí)，鎳合金中所含的鋅，不僅是金屬鋅，而且包括氫氧化鋅或氧化鋅狀態(tài)的鋅。 在所述鎳合金層上，可以進(jìn)一步形成鉻層或鉻酸鹽層或硅烷處理層。此時(shí)，有可能產(chǎn)生對圖案蝕刻液的蝕刻速度的差異，但是，通過適當(dāng)選擇其量，同樣地可以抑制鎳合金的表面氧化，因此可以形成穩(wěn)定的電路寬度的圖案。本發(fā)明的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔中所述鎳合金層中所含的合計(jì)鋅含量，以金屬鋅換算期望為30 μ g/dm2 1000 μ g/dm2，并且不超過鎳的合計(jì)量。低于30 μ g/dm2時(shí)，無耐氧化性(燒灼性改善)效果。另外，超過1000 μ g/dm2時(shí)， 效果飽和，并且抵消鎳的效果。因此，以金屬鋅換算優(yōu)選設(shè)定為30 μ g/dm2 1000 μ g/dm2。另外，電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔中所述鎳合金層中所含的鎳量期望設(shè)定為100 μ g/dm2 3000 μ g/dm2。這是抑制電路蝕刻時(shí)產(chǎn)生下彎，進(jìn)行均勻的電路蝕刻所必需的量。低于100 μ g/dm2時(shí)，其效果不存在。優(yōu)選為200 μ g/dm2以上。另外，上限設(shè)定為 3000μ g/dm2。過多的情況下，在進(jìn)行軟蝕刻時(shí)，除去鎳或鎳合金層的工序的負(fù)荷變大，根據(jù)情況會產(chǎn)生處理殘留物，成為銅電路設(shè)計(jì)上的障礙。因此，需要設(shè)定為上述范圍。另外，本發(fā)明的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔中，在設(shè)計(jì)所述鉻層或鉻酸鹽層的情況下，以金屬鉻換算的鉻量設(shè)定為100μ g/dm2以下。另外，在形成所述硅烷處理層的情況下，以硅單質(zhì)換算期望設(shè)定為20 μ g/dm2以下。這是因?yàn)榭梢砸种飘a(chǎn)生對圖案蝕刻液的蝕刻速度的差異。但是，適度的量對于防止鎳或鎳合金層的熱氧化是有效的。另外，本發(fā)明可以提供一種電子電路的形成方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，在銅箔的蝕刻面?zhèn)刃纬勺鳛槲g刻速度比銅低的合金的鎳合金層，然后，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電路。蝕刻液可以使用任意一種，特別是氯化鐵水溶液是有效的。這是因?yàn)榧?xì)微電路的蝕刻耗時(shí)，氯化鐵水溶液比氯化銅水溶液的蝕刻速度更快。另外，本發(fā)明可以提供一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對上述1 8的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅的不需要部分除去，從而形成銅的電路。該方法中，可以使用上述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔中的任意一種。另外，在對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路的方法中，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對上述1 8的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅的不需要部分除去，然后進(jìn)行抗蝕劑除去，再進(jìn)行軟蝕刻，由此也可以除去殘留的鎳層。以下例示優(yōu)良的鍍敷條件。(鍍鎳_鋅合金、其一)此時(shí)，基本上得到金屬、合金狀態(tài)的鍍膜。Ni:5 40g/LZn 0. 5 25g/LpH :3 3· 7溫度常溫 60°C電流密度 Dk :2 50A/dm2時(shí)間1 4秒(鍍鎳_鋅合金、其二)此時(shí)，Zn包括0價(jià)的金屬狀態(tài)和2價(jià)的氧化狀態(tài)(氧化物或氫氧化物)，該鎳_鋅鍍層中合計(jì)鋅中的0價(jià)金屬狀態(tài)的鋅的比率為50%以下。另外，鍍后通過在浴中保持約1 秒 約20秒來控制Zn的化學(xué)狀態(tài)(金屬鋅/氧化鋅比)。Ni:10 40g/LZn :0· 5 7g/LH2SO4 :2 20g/L溫度常溫 60°C電流密度 Dk 10 50A/dm20094]時(shí)間1 4秒
0095](鍍鎳-鈷-鋅合金)
0096]Ni:l 20g/L
0097]Co:l 20g/L
0098]Zn :0. 1 10g/L
0099]pH 2. 5 3· 5
0100]溫度常溫 60°C
0101]電流密度 Dk :1 15A/dm2
0102]時(shí)間1 10秒
0103](鍍鎳_磷-鋅合金)
0104]Ni 50 100g/L
0105]P:1 25g/L
0106]ΗΒ03:0 30g/L
0107]Zn:3 20g/L
0108]ρΗ:0·5 2.5
0109]溫度常溫 95 °C
0110]電流密度 Dk 5 40A/dm2
0111]時(shí)間1 10秒
0112](鍍鎳_鉬-鋅合金)
0113]Ni:5 25g/L
0114]Mo 0. 01 ~ 5g/L
0115]Na2P2O7 :160g/L
0116]Zn :0· 1 10g/L
0117]pH:8 9
0118]溫度常溫 40°C
0119]電流密度Dk 1 5A/dm2
0120]時(shí)間1 10秒
0121](鍍鎳_鎢-鋅合金)
0122]Ni:l 10g/L
0123]W:20 50g/L
0124]檸檬酸60g/L
0125]Zn :0· 1 10g/L
0126]pH:8 9
0127]溫度常溫 50°C
0128]電流密度 Dk 0. 1 5A/dm2
0129]時(shí)間1 10秒
0130](鍍鎳_硼-鋅合金)
0131]硫酸鎳25 35g/L
0132]Zn 0. 5g/L
二甲胺硼烷2 3g/L乙醇酸25 35g/L乙酸15g/LpH:6 7溫度50°C 70°C電流密度 Dk 1 1 OA/dm2時(shí)間1 10秒(鍍鎳)Ni:10 40g/LρΗ:2·5 3·5溫度常溫 60°C電流密度 Dk :2 50A/dm2時(shí)間1 4秒(鍍鋅)Zn:l 20g/LρΗ:3 3·7溫度常溫 60°C電流密度 Dk 1 15A/dm2時(shí)間1 10秒(鍍鉻的條件)K2Cr2O7 (Na2Cr2O7 或 CrO3)Cr:40 300g/LH2SO4 :0· 5 10. Og/L浴溫40 60°C電流密度 Dk :0· 01 50A/dm2時(shí)間1 100秒陽極Pt_Ti板、不銹鋼板、鉛板等(鉻酸鹽處理?xiàng)l件)(a)浸漬鉻酸鹽處理例CrO3 或 K2Cr2O7 1 12g/LZn (OH) 2 或 ZnSO4 · 7H20 0 (0. 05) 10g/LNa2SO4 0 (0. 05) 20g/LρΗ:2·5 12·5溫度20 60°C時(shí)間0. 5 20秒(b)電解鉻酸鹽處理例CrO3 或 K2Cr2O7 1 12g/LZn (OH) 2 或 ZnSO4 · 7H20 0 (0. 05) 10g/L
Na2SO4 0 (0. 05) 20g/L
10
ρΗ:2·5 12·5溫度20 60°C電流密度0· 5 5A/dm2時(shí)間0. 5 20秒(硅烷處理?xiàng)l件)從以下各種系列的硅烷中選擇。濃度為0.01重量％ 5重量％種類烯烴類硅烷、環(huán)氧類硅烷、丙烯酸類硅烷、氨基硅烷、巰基類硅烷將溶解于醇中的硅烷用水稀釋到規(guī)定的濃度，并涂布到銅箔表面。(鎳的附著量分析方法)為了分析鎳、鋅的處理面，用FR-4樹脂壓制制作相反面，進(jìn)行掩蔽。將該樣品用濃度30%的硝酸溶解直到表面處理被膜溶解，將燒杯中的溶解液稀釋到10倍，通過原子吸光分析進(jìn)行鎳的定量分析。(鋅、鉻的附著量分析方法)為了分析處理面，用FR-4樹脂壓制制作相反面，進(jìn)行掩蔽。將該樣品用濃度10% 的鹽酸煮沸3分鐘使處理層溶解，利用原子吸光分析對該溶液進(jìn)行鋅、鉻的定量分析。(熱影響的考慮)在覆銅箔層壓板(CCL)的制造階段，銅箔受熱。由于該熱量，設(shè)置在銅箔表層的蝕刻改善處理層向銅層擴(kuò)散。因此，具有最初期待的蝕刻改善效果減弱，蝕刻因子減少的傾向。因此，為了獲得與不擴(kuò)散狀態(tài)同等的效果，需要考慮CCL制作時(shí)銅箔受到的熱量，將改善處理層的附著量增至約1. 1 約2倍。覆銅箔層壓板的銅箔進(jìn)行蝕刻時(shí)，在本發(fā)明的銅箔的蝕刻面?zhèn)刃纬晌g刻速度比銅低的合金層后，使用氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液對該銅箔進(jìn)行蝕刻。通過在上述條件下進(jìn)行蝕刻，可以將蝕刻因子調(diào)節(jié)至2以上，即將銅箔電路的蝕刻側(cè)面與樹脂基板間的傾斜角度調(diào)節(jié)至63度以上。期望可以調(diào)節(jié)至70度以上。特別期望的傾斜角度為85 90度的范圍。由此，可以形成無下彎的矩形蝕刻電路。(軟蝕刻性)一般而言，關(guān)于軟蝕刻性，在硫酸_過氧化氫混合體系中浸漬2分鐘，并通過外觀檢查鍍敷物是否被除去。作為軟蝕刻液的例子，例如使用硫酸165g/L、過氧化氫21g/L。 而且，通常在35°C下進(jìn)行處理。作為外觀觀察，將完全除去的情況評價(jià)為良好，將觀察到除去殘留物的情況評價(jià)為不良。軟蝕刻中特別應(yīng)該注意的方面是Ni合金層殘留的情況。這樣的Ni合金層殘留時(shí)， 有可能鍍敷性發(fā)生變化。從這樣的觀點(diǎn)考慮，也需要對軟蝕刻性多加注意。實(shí)施例以下，對本發(fā)明的實(shí)施例和比較例進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施例畢竟僅僅是一個(gè)例子，本發(fā)明并不限于該例。即，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，還包括實(shí)施例以外的方式或者變形。(實(shí)施例1)使用5μπι的電解銅箔。該電解銅箔的表面粗糙度Rz為3μπι。在上述的鍍鎳-鋅合金條件(其一)下，在該電解銅箔的光澤(S)面上形成390 μ g/dm2的鎳-鋅合金鍍層。此時(shí)，如表1所示，鎳-鋅合金鍍層中的鎳含量為350 μ g/dm2,鋅含量為40 μ g/ dm2。鎳比為90重量％。將設(shè)置有該鎳_鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。蝕刻條件、電路形成條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)如下所述。(蝕刻條件)氯化鐵水溶液(37重量％、波美度40° )液溫50°C噴霧壓力0·I5MPa(電路形成條件)電路間距30 μ m間距、50 μ m間距兩種，根據(jù)銅箔的厚度而變化。本實(shí)施例1的情況下，使用5 μ m厚的銅箔，因此為以下條件。(30 μ m間距電路形成)在本實(shí)施例1的情況下，使用5 μ m厚的銅箔，因此為如下條件?？刮g劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間48秒左右(蝕刻因子的測定條件)蝕刻因子是指在以末端變寬的方式進(jìn)行蝕刻的情況(產(chǎn)生下彎的情況)下，以假定電路被垂直地蝕刻的情況下的從銅箔上表面引的垂線與樹脂基板的交點(diǎn)為P點(diǎn)，從該P(yáng) 點(diǎn)開始的下彎長度的距離為a時(shí)，該a與銅箔的厚度b之比b/a。該數(shù)值越大，則表示傾斜角越大，不殘留蝕刻殘?jiān)?，并且下彎小。蝕刻因子(EF)的計(jì)算方法的概略如圖1所示。如該圖1所示，以EF = b/a進(jìn)行計(jì)算。通過使用該蝕刻因子，可以簡單地判斷蝕刻性的優(yōu)劣。(燒灼試驗(yàn))在大氣氣氛中，在240°C下保持10分鐘，確認(rèn)有無變色。設(shè)想的條件為將設(shè)置有該鎳_鋅合金鍍層的銅箔作為蝕刻側(cè)與樹脂基板膠粘，從而得到覆銅箔層壓板的條件。(軟蝕刻除去性)硫酸-過氧化氫混合溶液(硫酸165g/L、過氧化氫21g/L)、35°C、2分鐘浸漬、攪拌，進(jìn)行外觀觀察是否M層被除去。作為外觀觀察，將完全除去的情況評價(jià)為良好，將觀察到除去殘留物的情況評價(jià)為不良。在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所
7J\ ο如表1所示，左右的傾斜角的平均值為72度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為3. 0。
結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的鎳-鋅合金鍍層側(cè)的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，蝕刻因子沒有變差，這一點(diǎn)是需要特別指出的。(實(shí)施例2)使用箔厚18 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 7 μ m。在上述鍍鎳-鋅合金(其二)條件下，在該壓延銅箔上形成2150yg/dm2的鎳-鋅合金鍍層。如表1 所示，該鎳-鋅合金鍍層中的鎳量為150(^8/(11112，鋅量為65(^8/(11112。此時(shí)，鎳比為70重量％。另外，將設(shè)置有該鎳-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除了電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1 同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所
7J\ ο如表1所示，左右的傾斜角的平均值為74度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于50 μ m間距而言為3. 4。結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。認(rèn)為通過銅箔上的鎳-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。(實(shí)施例3)使用箔厚18 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 7 μ m。在上述鍍鎳-鈷-鋅合金條件下，在該壓延銅箔上形成鎳-鈷-鋅合金鍍層。此時(shí)，鈷代替量以鎳換算為鎳量(重量％)的8%。如表1所示，鎳-鈷-鋅合金鍍層中的鎳含量為2500 μ g/dm2，鋅含量為300 μ g/ dm2。此時(shí)，鎳比率為89重量％。另外，該鎳比率為鈷與鎳的合計(jì)量的鎳換算量。另外，將設(shè)置有該鎳-鈷-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。
除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-鈷-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表 1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為74度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于50 μ m間距而言為3. 5。結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-鈷-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-鈷-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，鈷的添加量以鎳換算如果為鎳量(重量％ )的10%以下，則可以得到同樣的效果。(實(shí)施例4)使用5 μ m的電解銅箔。該電解銅箔的表面粗糙度Rz為3 μ m。在上述鍍鎳-磷-鋅合金條件下，在該電解銅箔的光澤( 面上形成鎳-磷-鋅合金鍍層。此時(shí)，如表1所示， 鎳-磷-鋅合金鍍層中的鎳含量為110yg/dm2，鋅含量為40yg/dm2。此時(shí)，磷代替量以鎳換算為鎳量(重量％)的3%。鎳比率為74重量％。另外，該鎳比率為磷與鎳的合計(jì)量的鎳換算量。將設(shè)置有該鎳-磷-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)在本實(shí)施例4的情況下，使用5 μ m厚的銅箔，因此為如下條件?？刮g劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間48秒左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-磷-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表 1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為70度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為2. 8。
結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-磷-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-磷-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，磷的添加量以鎳換算如果為鎳量(重量％)的5%以下，則可以得到同樣的效果。(實(shí)施例5)使用9μπι的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0.5 μ m。在上述鍍鎳-鉬-鋅合金條件下，在該壓延銅箔的面上形成鎳-鉬-鋅合金鍍層。如表1所示，該鎳-鉬-鋅合金鍍層中的鎳含量為250 μ g/dm2，鋅含量為50 μ g/ dm2。此時(shí)，鉬代替量以鎳換算為鎳量(重量％)的9%。鎳比率為84重量％。另外，該鎳比率為鉬與鎳的合計(jì)量的鎳換算量。將設(shè)置有該鎳-鉬-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間48秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-鉬-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表 1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為63度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為2. 0。結(jié)果，得到可以使用的蝕刻電路。另外，鎳-鉬-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼) 完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-鉬-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，鉬的添加量以鎳換算如果為鎳量(重量％ )的10%以下，則可以得到同樣的效果。(實(shí)施例6)在本實(shí)施例6中，使用9 μ m的壓延銅箔。在上述鍍鎳-鎢-鋅合金條件下，在該壓延銅箔的面上形成鎳-鎢-鋅合金鍍層。如表1所示，該鎳-鎢-鋅合金鍍層中的鎳含量為920 μ g/dm2，鋅含量為550 μ g/ dm2 ο此時(shí)，鎢代替量以鎳換算為鎳量(重量％)的6%。鎳比率為63重量％。另外，該鎳比率為鎢與鎳的合計(jì)量的鎳換算量。將設(shè)置有該鎳-鎢-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳-鎢-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表 1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為72度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為3. 0。結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-鎢-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-鎢-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，上述實(shí)施例中，實(shí)施軟蝕刻，并觀察鍍敷殘?jiān)?，由于Ni的合計(jì)量在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，因此均未發(fā)現(xiàn)殘?jiān)?，得到良好的結(jié)果。另外，鎢的添加量以鎳換算如果為鎳量 (重量％)的10%以下，則可以得到同樣的效果。(實(shí)施例7)在本實(shí)施例7中，使用18 μ m的壓延銅箔。在上述鍍鎳-硼-鋅合金條件下，在該壓延銅箔的面上形成鎳-硼-鋅合金鍍層。如表1所示，該鎳-硼-鋅合金鍍層中的鎳含量為800 μ g/dm2，鋅含量為200 μ g/ dm2。此時(shí)，硼代替量以鎳換算為鎳量(重量％)的4%。鎳比率為80重量％。另外，該鎳比率為硼與鎳的合計(jì)量的鎳換算量。將設(shè)置有該鎳-硼-鋅合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長100 μ m 的電路中的傾斜角的最小值)。
另外，考查蝕刻因子及鎳-硼-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表 1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為72度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于50 μ m間距而言為3. 1。結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，鎳-硼-鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)完全沒有觀察到。這被認(rèn)為是，通過銅箔上的鎳-硼-鋅合金鍍層，可以防止由與樹脂膠粘的工序中的加熱引起的氧化變色。另外，由于該合金中鋅的存在，與實(shí)施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，上述實(shí)施例中，實(shí)施軟蝕刻，并觀察鍍敷殘?jiān)?，但是，由于Ni的合計(jì)量在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，因此均未發(fā)現(xiàn)殘?jiān)?，得到良好的結(jié)果。另外，硼的添加量以鎳換算如果為鎳量 (重量％)的5%以下，則可以得到同樣的效果。(比較例1)使用9μπι的壓延銅箔。在上述的條件下實(shí)施鍍鎳。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz 為0. 5 μ m。在該壓延銅箔上，如表1所示，不實(shí)施鍍鋅，而在上述鍍鎳條件下形成550 μ g/ dm2的鎳鍍層。另外，將設(shè)置有該鎳鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本垂直地進(jìn)行蝕刻，但是稍微末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度 (為長100 μ m的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為68度，形成大致矩形的銅箔電路。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為2. 5。結(jié)果，得到稍微良好的蝕刻電路。但是明顯觀察到鎳鍍面的氧化變色(燒灼)。其可能成為作為后續(xù)的處理的、圖案蝕刻中的蝕刻性不良、短路或電路寬度不良產(chǎn)生的原因。(比較例2)使用18 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 7 μ m。在該壓延銅箔上，如表1所示，形成270μ g/dm2的鋅鍍層。不形成鎳鍍層，將形成有該鋅鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。
(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻，但是末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及銅箔的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表 1所示，左右的傾斜角的平均值為48度，形成蝕刻性差的梯形的銅箔電路。蝕刻因子對于 50 μ m間距而言為1. 1，不良。但是，無銅箔面的氧化變色(燒灼)。(比較例3)使用5 μ m的電解銅箔。該電解銅箔的表面粗糙度Rz為3 μ m。在該電解銅箔的光澤(S)面上，如表1所示，形成240μ g/dm2的鋅鍍層。在其上不形成鎳鍍層，將形成有該鋅鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間48秒左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻，但是末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及銅箔的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表 1所示，左右的傾斜角的平均值為M度，形成蝕刻性差的梯形的銅箔電路。蝕刻因子對于 30μπι間距而言為1.4，不良。但是，無銅箔面的氧化變色(燒灼)。(比較例4)使用9 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為3 μ m。在該壓延銅箔上， 如表1所示，形成270 μ g/dm2的鋅鍍層。在其上不形成鎳鍍層，將形成有該鋅鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻，但是末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及銅箔的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表 1所示，左右的傾斜角的平均值為52度，形成蝕刻性差的梯形的銅箔電路。蝕刻因子對于 30μπι間距而言為1.2，不良。但是，無銅箔面的氧化變色(燒灼)。(比較例5)使用18 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 7 μ m。在該壓延銅箔上， 如表1所示，形成1500 μ g/dm2的鎳-鋅合金(但是，鎳量為1000 μ g/dm2，鋅量為500 μ g/ dm2)的層，并且在其上形成1250 μ g/dm2的鋅鍍層。鎳比為36重量％。將形成有該鎳-鋅合金鍍層和鋅鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻，但是末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι 的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為52度，形成蝕刻性差的梯形的銅箔電路。蝕刻因子對于50 μ m間距而言為1.9，不良。這被認(rèn)為是，是鋅的合計(jì)量多于Ni量，并以此為原因而產(chǎn)生蝕刻不良。因此，鋅量需要適度地限制。銅箔面無氧化變色(燒灼)。(比較例6)使用9μπι的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0.5 μ m。在該壓延銅箔上，如表1所示，形成2250 μ g/dm2的鎳鋅合金鍍層。此時(shí)，鎳合金層中的鎳含量為650 μ g/ dm2，鋅含量為1600yg/dm2。鎳比為四重量％。將形成有該鎳合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻，但是末端變寬地形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι 的電路中的傾斜角的最小值)。
另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為52度，形成蝕刻性差的梯形的銅箔電路。蝕刻因子對于30μπι間距而言為1.3，不良。但是，銅箔面無氧化變色(燒灼)。(比較例7)使用5 μ m的電解銅箔。該電解銅箔的表面粗糙度Rz為0. 5 μ m。在該電解銅箔上， 如表1所示，形成410(^8/(11112的鎳-鋅合金鍍層。此時(shí)，鎳合金層中的鎳含量為3500 μ g/ dm2，鋅含量為600yg/dm2。鎳比為85重量％。將形成有該鎳合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為76度，蝕刻性良好。蝕刻因子對于30μπι間距而言為3.9。銅箔面雖然沒有氧化變色(燒灼)，但是軟蝕刻性差。這被認(rèn)為是由于鎳過量存在。(比較例8)在本比較例中，使用18 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 5 μ m。 在該壓延銅箔上，如表1所示，形成130μ g/dm2的鎳鋅合金鍍層。此時(shí)，鎳合金層中的鎳含量為80yg/dm2，鋅含量為50yg/dm2。鎳比為62重量％。將形成有該鎳合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(50 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 33μπι/17μπι，成品電路頂部(上部)寬度15 μ m，蝕刻時(shí)間105秒
左右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為56度，以末端變寬的方式蝕刻，蝕刻性不良。蝕刻因子對于50 μ m間距而言為1. 6。銅箔面沒有氧化變色(燒灼)。(比較例9)在本比較例中，使用9 μ m的壓延銅箔。該壓延銅箔的表面粗糙度Rz為0. 5 μ m。 在該壓延銅箔上，如表1所示，形成570μ g/dm2的鎳鋅合金鍍層。此時(shí)，鎳合金層中的鎳含量為550yg/dm2，鋅含量為20yg/dm2。鎳比為96重量％。將形成有該鎳合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為68度，蝕刻性良好。蝕刻因子對于30μπι間距而言為2. 5。但是，銅箔面產(chǎn)生氧化變色(燒灼)。這認(rèn)為是由于鋅量少造成的。(比較例10)在本比較例中，使用5μπι的電解銅箔。該電解銅箔的表面粗糙度Rz為0. 5 μ m。 在該電解銅箔上，如表1所示，形成730μ g/dm2的鎳鋅合金鍍層。此時(shí)，鎳合金層中的鎳含量為330 μ g/dm2，鋅含量為400 μ g/dm2。鎳比為45重量％。將形成有該鎳合金鍍層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅箔膠粘在樹脂基板上。然后，與實(shí)施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個(gè)電路，并且實(shí)施用于除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理。除電路形成條件以外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗(yàn)與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。關(guān)于與實(shí)施例1同樣的條件，省略記載。(30 μ m間距電路形成)抗蝕劑L/S = 25μ m/5 μ m，成品電路頂部(上部)寬度10 μ m，蝕刻時(shí)間76秒左
右在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行蝕刻形成銅箔電路。然后，測定蝕刻后的銅箔的傾斜角度(為長ΙΟΟμπι的電路中的傾斜角的最小值)。另外，考查蝕刻因子及鎳鋅合金鍍面的氧化變色(燒灼)。以上的結(jié)果如表1所示。如表1所示，左右的傾斜角的平均值為56度且以末端變寬的方式蝕刻，蝕刻性不良。蝕刻因子對于30 μ m間距而言為1.5。但是，銅箔面雖然沒有氧化變色(燒灼)，但是蝕刻性差，這被認(rèn)為是由于鎳比低而造成的。用性本發(fā)明具有如下效果在通過銅箔的蝕刻形成電路時(shí)，可以形成目標(biāo)電路的寬度
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τ更均勻的電路；防止產(chǎn)生蝕刻造成的下彎，可以縮短通過蝕刻形成電路的時(shí)間，并且，可以盡力地減小鎳或鎳合金層的厚度，并且可以在受熱時(shí)抑制氧化，可以防止通稱“燒灼”的變色。由此，可以提高圖案蝕刻中的蝕刻性，可以防止短路或電路寬度不良的產(chǎn)生，因此，可以應(yīng)用于覆銅箔層壓板(硬質(zhì)和軟質(zhì))，用于形成印刷基板的電子電路。
權(quán)利要求
1.一種電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其通過蝕刻進(jìn)行電路形成，其特征在于，該壓延銅箔或電解銅箔具有在蝕刻面?zhèn)刃纬傻奈g刻速度比銅低的鎳合金層，該鎳合金層含有鋅或鋅氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，關(guān)于所述蝕刻速度比銅低的鎳合金層，該鎳合金層中的鎳比率超過50重量％。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，所述鎳合金層中所含的以鋅或鋅氧化物形式存在的鋅含量以金屬鋅換算為30 μ g/dm2 1000 μ g/ dm2 ο
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 所述鎳合金層中所含的鎳量為100 μ g/dm2 3000 μ g/dm2。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 所述鎳合金層中含有磷、硼、鉬、鎢或鈷的一種或兩種以上。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于， 在所述鎳合金層上，還具有鉻層或鉻酸鹽層或硅烷處理層。
7.如權(quán)利要求6所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，具有所述鉻層或鉻酸鹽層時(shí)，鉻量以金屬鉻換算為100 μ g/dm2以下。
8.如權(quán)利要求6或7所述的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其特征在于，具有所述硅烷處理層時(shí)，以硅單質(zhì)換算為20 μ g/dm2以下。
9.一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，在銅箔的蝕刻面?zhèn)刃纬珊袖\或鋅氧化物的鎳合金層，然后，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對該銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅箔的不需要部分除去，從而形成銅的電路。
10.一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅箔或電解銅箔的覆銅箔層壓板的該銅箔進(jìn)行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對權(quán)利要求1 8的電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅箔的不需要部分除去，從而形成銅的電路。
全文摘要
本發(fā)明提供電子電路用的壓延銅箔或電解銅箔，其通過蝕刻進(jìn)行電路形成，其特征在于，該壓延銅箔或電解銅箔具有在蝕刻面?zhèn)刃纬傻奈g刻速度比銅低的鎳合金層，該鎳合金層含有鋅。本發(fā)明的課題在于，在通過蝕刻覆銅箔層壓板的銅箔進(jìn)行電路形成時(shí)，可以防止由于蝕刻而產(chǎn)生的下彎，可以形成目標(biāo)電路寬度均勻的電路，可以盡可能縮短通過蝕刻形成電路的時(shí)間，并且可以盡力減小鎳合金層的厚度，并且可以在受熱時(shí)抑制氧化，并防止通稱“燒灼”的變色，并且可以提高圖案蝕刻中的蝕刻性，防止短路或電路寬度不良的產(chǎn)生。
文檔編號C25D7/06GK102264951SQ20098015280
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者山西敬亮, 神永賢吾, 福地亮 申請人:吉坤日礦日石金屬株式會社