專利名稱：使用電沉積的銦和/或鎵的焊接方法、以及包含具有銦和/或鎵的中間層的制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造和接合(連接，join)金屬基材的新型方法。本發(fā)明優(yōu)選涉及用于使用包含銦或鎵的中間層接合金屬基材的低溫方法，其中所述銦或鎵層通過由包含銦或鎵鹽的離子液體電沉積而形成。本發(fā)明還涉及通過這種方法制造的制品。
背景技術(shù)：
用于形成金屬基材間的接頭，特別是在電子應(yīng)用中的最廣泛使用的技術(shù)之一是焊接。術(shù)語焊接是指其中通過使具有比較低熔點(diǎn)的填充金屬熔化并流動(dòng)至接頭中而將兩個(gè)或更多個(gè)金屬基材接合在一起的方法。一旦焊接金屬冷卻，則所得接頭通常不如基材金屬牢固，但是具有對于許多應(yīng)用足夠的強(qiáng)度、導(dǎo)電性和水密性。各種填充金屬可用于焊接方法。填充金屬或焊料通常為合金形式且廣泛使用錫基合金。特別地，63%錫和37%鉛的低共熔合金是經(jīng)常選擇的合金，因?yàn)槠淙埸c(diǎn)相對較低 (183°C )且機(jī)械性能有利。然而，鉛基材料因?yàn)槠涠拘远艿綋?dān)心且在它們可能接觸兒童或者它們的應(yīng)用可能導(dǎo)致鉛浸入到地下水中的情況下不推薦使用。盡管無鉛焊料是已知的，但是這些傾向于具有比含鉛焊料更高的熔點(diǎn)且形成較不可靠的接頭。常規(guī)焊接方法的一個(gè)缺點(diǎn)在于，熔化焊料所需要的熱可對接合的部件，特別是敏感的電子部件有害。該問題隨著具有更高熔點(diǎn)的無鉛焊料而明顯增加。因此，當(dāng)在諸如電子包裝以及用于在電子電路的制造中表面安裝微電子器件的領(lǐng)域中形成焊料互連時(shí)，低溫焊液受到關(guān)注。特別優(yōu)選的低溫焊料會(huì)具有比常規(guī)焊料更長的疲勞壽命、更好的機(jī)械性能和更高的導(dǎo)熱/導(dǎo)電性。常規(guī)焊接方法的另一個(gè)缺點(diǎn)在于，在用于熔化焊料的溫度下形成焊料或金屬基材的一種或多種金屬易受空氣中的氧化影響，且被氧化的金屬不形成有效的接頭。因此，通常使用已知為助熔劑的材料以防止基材的氧化。助熔劑是在室溫下幾乎惰性但是在焊接溫度下變?yōu)閺?qiáng)還原性，從而防止氧化物形成的物質(zhì)。然而，不同助熔劑的性能不同，且需要根據(jù)特定焊接應(yīng)用而仔細(xì)特別選擇助熔劑。另外，許多助熔劑留下在焊接操作之后需要除去的殘留物且這經(jīng)常需要使用揮發(fā)性有機(jī)溶劑。因此，在用于整體避免使用助熔劑的有效焊接方法的領(lǐng)域中存在需要。特別地，優(yōu)選的焊接方法可以在足夠低而基本避免金屬氧化的溫度下進(jìn)行。已經(jīng)提議了大量手段以形成焊接接頭而不使用助熔劑，包括固液相互擴(kuò)散接合技術(shù)和氣相沉積方法。然而，由于對防止焊接金屬的氧化的不斷發(fā)展的要求，這些手段不是直接了當(dāng)?shù)摹ee 等人(IEEE Trans. Comp. Hybrids, Manufact. Technol.,第 14 卷，1991， 407-412)提出了一種無助熔劑焊接方法，其中在裝置模具上依次沉積鉻、金、錫和金以形成多層復(fù)合物。減少了錫層的氧化，因?yàn)樵谙嗤恼婵粘练e循環(huán)中用保護(hù)金層將其涂布。還將鉻和金層沉積到接受模具的基材表面上。將模具和基材組裝并在310-320°C下加熱，從而使錫層熔化并溶解在模具和基材上的金層以形成近低共熔結(jié)合。Lee 等人(IEEE Trans. Comp. Hybrids, Mannfact. Technol.,第 16 卷，1993， 789-793)還開發(fā)了一種使用鉛-銦-金多層復(fù)合物的方法，所述復(fù)合物在高真空下沉積在 (ia/As晶片上以抑制氧化。所述金層進(jìn)一步抑制了銦被大氣氧的氧化。使用這種復(fù)合物焊料，可以在250°C的溫度下將(ia/As晶片結(jié)合至氧化鋁基材以形成耐熱沖擊和剪切的高品質(zhì)接頭。Lee 等人(Thin SolidFilms,第 238 卷，1996,243-246 ；和 IEEE Trans. Comp.， Packag. Manufact. Technol. Α,第20卷，1996，46-51)也開發(fā)了使用銦_銅多層復(fù)合物和銦-銀多層復(fù)合物的類似的真空沉積方法。據(jù)稱分別為200°C和180°C的結(jié)合溫度是必要的?，F(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以使用電化學(xué)方法形成具有改善的疲勞壽命和機(jī)械性能的焊接接頭。作為在導(dǎo)電基材上形成金屬層的方法，電化學(xué)沉積是本領(lǐng)域已知的。特別地，使用水性電解槽的金屬的電化學(xué)沉積被很好建立。然而，在這種方法中使用水性電解質(zhì)也具有大量缺點(diǎn)，其包括窄的電化學(xué)窗口、有限的運(yùn)行溫度范圍以及當(dāng)使用質(zhì)子溶劑時(shí)與氫離子的還原有關(guān)的問題。離子液體是在過去幾十年內(nèi)開發(fā)的且作為對常規(guī)溶劑的替代物而在廣范圍的工業(yè)過程中獲得日益增加的應(yīng)用的一類化合物。本文中使用的術(shù)語“離子液體”是指可通過將鹽熔化而制造且當(dāng)這樣制造時(shí)僅由離子組成的液體。離子液體可以由包含一種陽離子和一種陰離子的均一物質(zhì)形成，或者其可以由多于一種陽離子和/或多于一種陰離子構(gòu)成。因此，離子液體可以由多于一種陽離子和一種陰離子構(gòu)成。離子液體還可以由一種陽離子和一種或多種陰離子構(gòu)成。而且，離子液體可以由多于一種陽離子和多于一種陰離子構(gòu)成。術(shù)語“離子液體”包括具有高熔點(diǎn)的化合物和具有例如在室溫下或低于室溫的低熔點(diǎn)的化合物兩者。因此，許多離子液體具有低于200°C，優(yōu)選低于150°C，特別是低于 100°C，在室溫(15至30°C )附近，或甚至低于0°C的熔點(diǎn)。熔點(diǎn)低于約30°C的離子液體通常稱為“室溫離子液體”且通常源自具有含氮雜環(huán)陽離子如咪唑鐺和吡啶鐺基陽離子的有機(jī)鹽。在室溫離子液體中，陽離子和陰離子的結(jié)構(gòu)防止了有序晶體結(jié)構(gòu)的形成，因此，所述鹽在室溫下是液體。離子液體最廣泛用作溶劑，原因在于它們的有利性能，包括可忽略的蒸汽壓、溫度穩(wěn)定性、低可燃性和再循環(huán)性。因?yàn)榭梢垣@得的大量陰離子/陽離子組合，所以可以微細(xì)調(diào)節(jié)離子液體的物理性能(例如熔點(diǎn)、密度、粘度和與水或有機(jī)溶劑的混溶性)從而適合于特定應(yīng)用的要求。另外，離子液體特別適合用于電化學(xué)應(yīng)用中，因?yàn)樗鼈兙哂辛己玫膶?dǎo)電性和寬的電化學(xué)窗口。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種焊接方法，包括下述步驟a)提供至少兩個(gè)基材，其中每個(gè)基材具有包含過渡金屬、鋁、鉈、錫、鉛、或鉍、或者它們的合金的第一表面；b)通過包含離子液體和焊接金屬的鹽的電沉積混合物的電解將焊接金屬層沉積到所述基材的至少一個(gè)的所述第一表面上；c)在160°C以下的溫度下使所述焊接金屬的沉積層與至少一個(gè)其他基材的所述第一表面或者與在其上沉積的所述焊接金屬的層接觸，從而將所述基材熔合；其中所述焊接金屬的沉積層包含銦、鎵或它們的混合物。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述焊接金屬的沉積層包含至少25m0l%銦和/或鎵，更優(yōu)選至少60mol%銦和/或鎵，還更優(yōu)選至少70mol%銦和/或鎵，還更優(yōu)選至少80mol%銦和/或鎵，且最優(yōu)選至少90mol%銦和/或鎵。在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，所述焊接金屬的沉積層包含至少95mol %銦和/或鎵，例如，至少98mol %，至少99mol %或IOOmol %銦和/或鎵。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述離子液體具有式[Cat+] [XI ；其中[Cat+]表示一種或多種陽離子物質(zhì)；且[X_]表示一種或多種陰離子物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，[Cat+]可包含選自下述的陽離子物質(zhì)銨、氮雜輪烯鐺 (azaannu 1 enium)、氮雜噻唑鐺、苯并咪唑鐺、苯并呋喃鐺、苯并三唑鐺、硼雜環(huán)戊二烯鐺 (borolium)、鄰二氮雜萘鐺(cinnolinium)、二氮雜雙環(huán)癸烯鐺、二氮雜雙環(huán)壬烯鐺、二氮雜雙環(huán)i^一碳烯鐺、二噻唑鐺、呋喃鐺、胍鐺、咪唑鐺、吲唑鐺、二氫吲哚鐺、吲哚鐺、嗎啉鐺、氧雜硼雜環(huán)戊二烯鐺(oxaborolium)、氧雜磷雜環(huán)戊二烯鐺(oxaphospholium)、噁嗪鐺、噁唑鐺、異噁唑鐺、噁噻唑鐺、五唑鐺、磷雜環(huán)戊二烯鐺(phosphoIium),磷鐺、酞嗪鐺、哌嗪鐺、哌啶鐺、吡喃鐺、吡嗪鐺、批唑鐺、噠嗪鐺、吡啶鐺、嘧啶鐺、吡咯烷鐺、吡咯鐺、喹唑啉鐺、喹啉鐺、異喹啉鐺、喹喔啉鐺、硒唑鐺(selenozolium)、锍、四唑鐺、異噻二唑鐺、噻嗪鐺、噻唑鐺、 噻吩鐺、硫脲鐺、三氮雜癸烯鐺、三嗪鐺、三唑鐺、異三唑鐺和脲鐺。在一個(gè)實(shí)施方式中，[Cat+]可包括選自下述的含季氮的雜環(huán)陽離子
權(quán)利要求
1.一種焊接方法，包括下述步驟a)提供至少兩個(gè)基材，其中，每個(gè)基材具有包含過渡金屬、鋁、鉈、錫、鉛、或鉍、或者它們的合金的第一表面；b)通過包含離子液體和焊接金屬的鹽的電沉積混合物的電解將焊接金屬層沉積到所述基材中的至少一個(gè)的所述第一表面上；c)在160°C以下的溫度下使所述焊接金屬的沉積層與至少一個(gè)其他基材的所述第一表面或者與在其上沉積的所述焊接金屬的層接觸，從而將所述基材熔合；其中，所述焊接金屬的沉積層包含銦、鎵或它們的混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接方法，其中，所述焊接金屬包含鎵、或銦和鎵的合金，或者由鎵、或銦和鎵的合金組成，并且其中，在20°C至25°C的溫度下將所述第一基材與所述至少一個(gè)其他基材熔合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的焊接方法，其中，在0°C至100°C的溫度下進(jìn)行所述電沉積混合物的電解。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的焊接方法，其中，在20°C至25°C的溫度下進(jìn)行所述電沉積混合物的電解。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述離子液體具有下式[Cat+] [X_]；其中[Cat+]表示一種或多種陽離子物質(zhì)；并且[Χ 表示一種或多種陰離子物質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，[Cat+]包含選自下述的陽離子物質(zhì)銨、氮雜輪烯鐺、氮雜噻唑鐺、苯并咪唑鐺、苯并呋喃鐺、苯并三唑鐺、硼雜環(huán)戊二烯鐺、鄰二氮雜萘鐺、 二氮雜雙環(huán)癸烯鐺、二氮雜雙環(huán)壬烯鐺、二氮雜雙環(huán)i^一碳烯鐺、二噻唑鐺、呋喃鐺、胍鐺、 咪唑鐺、吲唑鐺、二氫吲哚鐺、吲哚鐺、嗎啉鐺、氧雜硼雜環(huán)戊二烯鐺、氧雜磷雜環(huán)戊二烯鐺、 噁嗪鐺、噁唑鐺、異噁唑鐺、噁噻唑鐺、五唑鐺、磷雜環(huán)戊二烯鐺、磷鐺、酞嗪鐺、哌嗪鐺、哌啶鐺、批喃鐺、批嗪鐺、批唑鐺、噠嗪鐺、批啶鐺、嘧啶鐺、批咯烷鐺、批咯鐺、喹唑啉鐺、喹啉鐺、 異喹啉鐺、喹喔啉鐺、硒唑鐺、锍、四唑鐺、異噻二唑鐺、噻嗪鐺、噻唑鐺、噻吩鐺、硫脲鐺、三氮雜癸烯鐺、三嗪鐺、三唑鐺、異三唑鐺和脲鐺。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，[Cat+]包含選自下述的陽離子物質(zhì)
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，[Cat+]包含選自下述的陽離子物質(zhì) [N(Ra) (Rb) (Rc) (Rd) ]+、[P(Ra) (Rb) (Rc) (Rd)]+和[S(Ra) (Rb) (Rc)J+, 其中Ra、Rb、Rc和Rd各自獨(dú)立地選自C1至C3tl直鏈或支鏈的烷基、C3至C8環(huán)烷基、或 C6至Cltl芳基，或連接至鄰接碳原子的妒、1^、爐、『和Rf中的任意兩個(gè)形成亞甲基鏈-(CH2) ,_，其中q是3至6 ；并且其中所述烷基、環(huán)烷基或芳基或者所述亞甲基鏈?zhǔn)俏慈〈幕蛘呖梢员贿x自下述的1個(gè)至3個(gè)基團(tuán)取代=C1至C6烷氧基、C2至C12烷氧基烷氧基、C3至C8環(huán)烷基、C6 至 C10 芳基、C7 至 C10 烷芳基、C7 至 C10 芳烷基、-CN、-OH、-SH、-NO2、-(X)2Rx、-OC (0)Rx、-C(O) R\ -C(S)R\ -CS2R\ -SC (S) R\ -S(O) (C1 至 C6)烷基、-S(O)CKC1 至 C6)烷基、-OS (0) (C1 至 C6)烷基、-S (C1 至 C6)烷基、-S-S (C1 至 C6 烷基)、-NRxC (0) NRyRz、-NRxC (0) ORy、-OC (0) NRyRz、-NRxC (S) ORy、-OC (S) NRyRz、-NRxC (S) SRy、-SC (S) NRyRz、-NRxC (S) NRyRz、-C (0) NRyRz、-C(S)NRyR\ -NRyRz或者雜環(huán)基團(tuán)，其中Rx、Ry和Rz獨(dú)立地選自氫或C1至C6烷基，并且其中Ra、Rb、Rc和Rd中的一個(gè)也可以是氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的方法，其中，[Cat+]包含具有下式的堿性陽離子物質(zhì)[Cat+-(Z-B as)J 其中=Cat+是陽離子部分； Bas是堿性部分；Z是連接Cat+和Bas的共價(jià)鍵，或者各自包含1至10個(gè)碳原子且各自任選包含1、2或 3個(gè)氧原子的1、2或3個(gè)脂肪族二價(jià)連接基團(tuán)； η是1至3的整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，[Cat+-Z-Bas]選自
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，[Cat+-Z-Bas]選自 [N(Z-Bas) (Rb) (Rc) (Rd)]+和[P(Z-Bas) (Rb) (Rc) (Rd)J+, 其中Rb、Rc和Rd根據(jù)權(quán)利要求8中所定義；并且Bas和Z根據(jù)權(quán)利要求9中所定義。
12.根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的方法，其中，[Cat+]包含具有下式的酸性陽離子物質(zhì)[Cat+- (Z-Acid)J 其中=Cat+是陽離子物質(zhì)； Acid是酸性部分；Z是連接Cat+和Bas的共價(jià)鍵，或者各自包含1至10個(gè)碳原子且各自任選包含1、2或 3個(gè)氧原子的1、2或3個(gè)脂肪族二價(jià)連接基團(tuán)；并且 η是1至3的整數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，[Cat+-Z-Acid]選自
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，[Cat+-Z-Acid]選自 [N(Z-Acid) (Rb) (Rc) (Rd)]+和[P(Z-Acid) (Rb) (Rc) (Rd)J + 其中Rb、Rc和Rd根據(jù)權(quán)利要求8中所定義；Z和Acid根據(jù)權(quán)利要求12中所定義。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中，Acid選自-S03H、-C02H、-P0(R) (OH) 2和-PO (R) 2 (OH)；其中每個(gè)R獨(dú)立地為C1至C6烷基。
16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中，Z選自直鏈或支鏈的C1至C18烷烴二基、取代的烷烴二基、二烷基醚或二烷基酮，優(yōu)選C1至C8且更優(yōu)選C2至c6。
17.根據(jù)權(quán)利要求5至16中任一項(xiàng)所述的方法，其中，[Γ]包含選自下述的陰離子物質(zhì)[F]\ [Cl]-、[Br][OH]\ [NCS]\ [NCSe]\ [NCO]\ [CN]\ [NO3]\ [NO2]\ [ (CN)2N]\ [(CF3) 2N]-、[BF4] \ [PF6] \ [SbF6] _、[AsF6] \ [R23PF6] _、[HF2] \ [HCl2] _、[HBr2] _、[HI2] _、[HSO4] \ [SO4] [R2OSO3] \ [HSO3] \ [SO3] [R2OSO2] \ [R1SO2O] \ [ (R1SO2) 2ΝΓ、[H2PO4] \ [HPO4][PO4]3; [R2OPO3][ (R2O)2Ρ02Γ、[H2PO3]\ [HPO3][R2OPO2][ (R2O)2ΡθΓ、 [R1PO3][R12PO2]-, [R1P(O) (OR2)0Γ、[(R1SO2)3C]_、[OR2]-、[雙草酸硼酸根 Γ、[雙丙二酸硼酸根Γ、[雙(1，2-苯二醇酸)硼酸根]_、[R2CO2]-, [3，5- 二硝基-1,2,4-三唑根]、[4-硝基-1，2，3-三唑根]、[2，4-二硝基咪唑根]、[4，5-二硝基咪唑根]、[4，5-二氰基-咪唑根]、W-硝基咪唑根]和[四唑根]；其中=R1和R2獨(dú)立地選自由下述組成的組=C1-Cltl烷基、C6芳基、C1-Cltl烷基(C6)芳基和(6芳基(C1-Cltl)烷基，其每一個(gè)可以被選自下述的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代氟、氯、溴、碘、C1 至C6烷氧基、C2至C12烷氧基烷氧基、C3至C8環(huán)烷基、C6至Cltl芳基、C7至Cltl烷芳基、C7至 C10 芳烷基、-CN、-OH、-SH、-NO2, -CO2Rx, -0C(0)R\ -C (0)RX，其中每個(gè) Rx 獨(dú)立地選自氫或 C1 至C6烷基，并且其中R1也可以是氟、氯、溴或碘。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，[Γ]包含選自由下述組成的組中的陰離子物質(zhì)[Fr、[Cir、[Br]\ [ΙΓ、[EtSO4] \ [CH3SO3] \ [ (CF3SO2) 2ΝΓ 和[CF3S03r。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，[Γ]包含選自由下述組成的組中的陰離子物質(zhì)[Cl]-、[Br]-和[1]_。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，[Γ]包含選自下述的堿性陰離子[F]_、[Cir、 [OH]—、[OR]—、[RCO2]\ [PO4]ρ 和[SO4]2_，其中 R 是 C1 至 C6 烷基。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，[Γ]包含選自下述的酸性陰離子[HS04r、 [H2PO4] \ [HPO4] [HF2] \ [HCl2] \ [HBr2F 禾口 [HI2] ^0
22.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述離子液體在室溫下是液體，其中，將室溫定義為在20°C至25°C之間。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述基材中的至少一個(gè)包含玻璃、 樹脂、塑料、金屬、陶瓷、半導(dǎo)體、玻璃碳、石墨、二氧化硅或氧化鋁，并且在所述基材的至少第一表面上設(shè)置有包含過渡金屬、鋁、鉈、錫、鉛、或鉍、或者它們的合金的表面層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述基材中的至少一個(gè)是金屬，并且在所述基材的至少第一表面上設(shè)置有包含過渡金屬、鋁、鉈、錫、鉛、或鉍、或者它們的合金的表面層。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的方法，其中，所述至少一個(gè)金屬基材由過渡金屬、鋁、鉈、 錫、鉛、或鉍、或者它們的合金形成。
26.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少一個(gè)基材的第一表面包含過渡金屬或其合金。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中，所述過渡金屬選自鐵、釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、 鈀、鉬、銅、銀和金、或者它們的合金。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述過渡金屬選自銅、銀和金、或者它們的合^^ ο
29.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述焊接金屬的鹽包含銦鹵化物和 /或鎵鹵化物。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的方法，其中，所述焊接金屬的鹽包含銦(III)氯化物和/或鎵(III)氯化物。
31.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述離子液體和所述焊接金屬的一種鹽或多種鹽以99 1至25 75的摩爾比存在于所述電沉積混合物中。
32.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，通過加熱至40°C至150°C的溫度來隨后對焊接接頭進(jìn)行退火持續(xù)1分鐘至M小時(shí)的時(shí)間。
33.一種制品，使用根據(jù)權(quán)利要求1至32中任一項(xiàng)所述的焊接方法制造。
34.一種制品，包括第一基材和至少一個(gè)其他基材，其中每個(gè)基材具有包含第IB族過渡金屬、鋁、鉈、錫、鉛、或鉍、或者它們的合金的第一表面，并且其中通過包含銦和/或鎵的中間層將所述第一基材的所述第一表面與所述至少一個(gè)其他基材的所述第一表面熔合。
35.包含離子液體和銦或鎵鹽的混合物在焊接方法中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及使用包含銦或鎵的中間層制造并接合金屬基材的低溫方法，其中所述銦或鎵層通過由包含銦或鎵鹽的離子液體進(jìn)行電沉積而形成。
文檔編號(hào)C25D3/66GK102574250SQ201080046923
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月8日
發(fā)明者吉撒·斯里尼瓦森, 安東尼·威爾遜, 肯尼思·西頓 申請人:阿斯特恩先進(jìn)材料有限公司