專利名稱：Co-P薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于磁性薄膜的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種Co-P (鈷-磷)薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品不斷向小型化、高密度化、大功率化發(fā)展，微電子封裝技術(shù)也在不斷革新，從金屬引線式向球柵陣列式、倒裝式等新興封裝技術(shù)發(fā)展。磁性薄膜材料對(duì)于許多微電子機(jī)械系統(tǒng)，例如磁記錄裝置，偏壓微磁，或者是磁性微調(diào)節(jié)器等的設(shè)計(jì)或者制造都是不可缺少的組成部分。Co-P薄膜由于具有很好的磁、電、擴(kuò)散阻擋等的特性，目前，人們對(duì)于Co-P薄膜的研究表現(xiàn)出了極大的興趣例如，由于具有高的飽和磁化強(qiáng)度和低的矯頑力，Co-P薄膜是一種很好的軟磁材料；由于具有高的磁化系數(shù)和相當(dāng)高的電阻率，Co-P薄膜在植入式磁感應(yīng)器中具有重要的作用；此外，由于具有很高的硬度，Co-P薄膜也將是一種硬鉻合金的替代產(chǎn)品。Co-P薄膜的應(yīng)用中，薄膜與基體粘附性的強(qiáng)弱對(duì)于微磁性裝置的性能、可靠性、壽命等具有相當(dāng)重要的作用。采用不同的方法合成Co-P薄膜對(duì)于其顯微組織，界面粘附性， 以及它本身的功能特性都具有重要的影響。在過去二十年里，人們開發(fā)出了許多合成Co-P薄膜的方法例如單相、多相直流電鍍法，直流濺射法，化學(xué)合成法等。但是，利用這些方法合成的Co-P薄膜粘附性都比較差，此外，對(duì)于如何提高Co-P薄膜的粘附性的研究至今仍鮮見報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是提供一種Co-P薄膜的制備方法，其能有效的解決目前Co-P薄膜粘附性不強(qiáng)的問題。技術(shù)內(nèi)容如下一種Co-P薄膜的制備方法，包括以下步驟分別制備電解液、鈷片和基片；多相脈沖電源的陽極與所述鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與所述基片相連接，所述鈷片和基片浸沒在所述電解液中；將含有所述鈷片和基片的所述電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，用所述超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。進(jìn)一步，所述電解液成分包括180-200g/L的 CoCl2 · 6H20、l_3g/L 的 CoCO3, 1. 5-4g/L 的 H3PO4,1. 5-4g/L 的 H3PO3。進(jìn)一步，所述電解液成分包括:180-200g/L的 CoCl2 · 6H20、5_40g/L 的 CoCO3, 8-50g/L 的 H3PO4,8-30g/L 的 Η3Ρ03。進(jìn)一步，所述電解液的PH值在1. 10-1. 25之間。進(jìn)一步，所述鈷片的純度為99. 95 %，所述基片包括Cu (200nm) /Ti (50nm) / Si02(300nm)/Si。進(jìn)一步，所述鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在所述電解液中，所述基片的Cu薄膜與所述鈷片相對(duì)，所述鈷片和基片之間的保持3-5cm。進(jìn)一步，所述超聲波振動(dòng)器的溫度為68_70°C，所述超聲波振動(dòng)器的水深為5cm。進(jìn)一步，將含有所述鈷片和基片的電解液放置在所述超聲波振動(dòng)器中保溫10-15 分鐘。進(jìn)一步，所述超聲波振動(dòng)器的功率為40-80W，所述多相脈沖電流的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度分別為OmA/cm2至-17. 5mA/cm2，所述多相脈沖電流的正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms。進(jìn)一步，所述電鍍的時(shí)間為30秒至60分鐘。技術(shù)效果如下1、本發(fā)明解決了傳統(tǒng)電鍍、化學(xué)鍍方法在制備Co-P薄膜時(shí)內(nèi)應(yīng)力大、粘附性差、 力學(xué)性能差和薄膜容易出現(xiàn)開裂脫落的難題。2、本發(fā)明的制備方法制備出的Co-P薄膜粘附性很強(qiáng)。3、本發(fā)明的制備方法可廣泛應(yīng)用于具有不同結(jié)構(gòu)和不同P含量的Co-P薄膜的制備。4、本發(fā)明的制備工藝簡(jiǎn)單、操作方便、技術(shù)參數(shù)可控性強(qiáng)，成品率高。5、本發(fā)明利用原電池效應(yīng)，可以增加基體的表面粗糙度，起到增加薄膜與基體的接觸面積，從而增加薄膜的粘附性。6、本發(fā)明利用超聲波的特性，可以減少薄膜的內(nèi)應(yīng)力，從而增加薄膜的粘附性以及力學(xué)性能。7、本發(fā)明利用多相脈沖電流進(jìn)行電鍍，可以通過控制正負(fù)極的電流密度，從而在電鍍時(shí)控制Co、P的含量。


圖1為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例1、優(yōu)選實(shí)施例2、優(yōu)選實(shí)施例3和優(yōu)選實(shí)施例4中Co-P 薄膜的X射線衍射圖；圖2為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例1中Co-P薄膜的原子力顯微鏡相圖片，其中，圖2(a) 為C0-P薄膜原子力顯微鏡相的三維圖片，圖2(b)為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的二維圖片；圖3為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例2中Co-P薄膜的原子力顯微鏡相圖片，其中，圖3(a) 為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的三維圖片，圖3(b)為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的二維圖片；圖4為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例3中Co-P薄膜的原子力顯微鏡相圖片，其中，圖4(a) 為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的三維圖片，圖4(b)為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的二維圖片；圖5為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例4中Co-P薄膜的原子力顯微鏡相圖片，其中，圖5(a) 為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的三維圖片，圖5(b)為Co-P薄膜原子力顯微鏡相的二維圖片。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明是根據(jù)Co、P的成相規(guī)律、原電池效應(yīng)、超聲波的特點(diǎn)以及多相脈沖電流技術(shù)的特點(diǎn)而提出的。下面參考附圖和優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做詳細(xì)描述。首先，制備電解液。制備Co-P薄膜所需的電解液成分如下表所示，選用方案A或者方案B，并按相應(yīng)方案的原料質(zhì)量進(jìn)行配比混合。其中，選用方案A中的原料配比能制作出具有納米晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜，選用方案B中的原料配比能制作出具有非晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜。

混合后的原料裝入燒杯中，然后往燒杯中緩慢加入去離子水，同時(shí)用玻璃棒進(jìn)行攪拌，使原料充分溶解，電解液的PH值控制在1. 10-1. 25之間。其次，制備陽極和陰極。分別制備尺寸為20mmX20mmX Imm的鈷片和基片，陽極為純度99. 95%的鈷片，陰極為Cu (厚度為200nm)/Ti (厚度為50nm)/SiO2 (厚度為300nm)/ Si的基片。再次，多相脈沖電源的陽極與鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與基片相連接，把鈷片和基片浸沒在電解液中。用導(dǎo)線將鈷片與多相脈沖電源的陽極連接，基片與多相脈沖電源的陰極連接，然后鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在電解液中，并將基片中具有 Cu薄膜的一面與鈷片相對(duì)放置，基片和鈷片之間距離保持3-5cm。連接完畢后，用保鮮膜把燒杯口封閉。最后，將含有鈷片和基片的電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，結(jié)合超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。將裝有鈷片、基片和電解液的燒杯放入帶有加熱功能的超聲波振動(dòng)器中，超聲波振動(dòng)器中的水深約為5cm，然后加熱到68-70°C，并在68-70°C下保溫10-15 分鐘。同時(shí)打開超聲波振動(dòng)器的超聲系統(tǒng)以及多相脈沖電源進(jìn)行電鍍，超聲波功率為 40W-80W,多相脈沖電流的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度為0至-17. 5mA/cm2,正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms，電鍍時(shí)間為30秒至60分鐘。便可獲得具有強(qiáng)粘附性的Co-P薄膜。優(yōu)選實(shí)施例1步驟1:制備電解液。將20g 的 CoCl2 ·6Η20(六水二氯化鈷)、0· Ig 的 CoCO3 (碳酸鈷)、0. 15g 的 Η3Ρ04(磷酸)和0. 15g的H3PO3 (亞磷酸)混合放入燒杯中，加入IOOmL去離子水充分溶解制成電解液，電解液的PH值為1. 10。步驟2:制備鈷片和基片。制備尺寸為20mmX 20mmX Imm的陽極和陰極，陽極為純度99. 95%的鈷片，陰極為Cu (200nm) /Ti (50nm) /SiO2 (300nm) /Si 的基片。步驟3 多相脈沖電源的陽極與鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與基片相連接， 把鈷片和基片浸沒在電解液中。用導(dǎo)線將鈷片與多相脈沖電源的陽極連接，基片與多相脈沖電源的陰極連接，鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在電解液中，基片的Cu薄膜一面與鈷片相對(duì)，鈷片和基片之間距離保持3cm。連接完畢后，用保鮮膜把燒杯口封閉。步驟4 將含有鈷片和基片的電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，結(jié)合超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。將裝有鈷片、基片和電解液的燒杯放入水深為5cm的超聲波振動(dòng)器中，加熱至 680C，并在此溫度下保溫10分鐘，然后打開超聲波系統(tǒng)以及多相脈沖電源進(jìn)行電鍍，采用如下工藝參數(shù)超聲波功率為40W，多相脈沖電源的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度為OmA/cm2，正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms，電鍍時(shí)間為30秒，得到具有納米晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜。制成的Co-P薄膜的結(jié)構(gòu)分析見圖1的a曲線，通過對(duì)曲線a的結(jié)果分析可知，此樣品具有六個(gè)明顯的衍射峰，其中兩個(gè)屬于基片Cu薄膜的衍射峰；另外四個(gè)衍射峰有兩個(gè)對(duì)應(yīng)Co，其衍射峰分別為38. 41度和41. 88度；一個(gè)對(duì)應(yīng)Co2P,其衍射峰為44. 75度；一個(gè)對(duì)應(yīng)CoP4，其衍射峰為47. 23度。同時(shí)，從X射線衍射圖中可以看出，衍射峰具有明顯的寬化現(xiàn)象，表明樣品具有納米晶結(jié)構(gòu)，即優(yōu)選實(shí)例1制備的樣品為納米結(jié)構(gòu)Co-P薄膜。表面形態(tài)及顯微組織形貌分析見圖2，圖加所示的原子力顯微鏡相三維圖片的掃描范圍為5*5 μ m2， 通過分析可知，樣品的表面粗糙度Rmis是7. 681nm，通過圖加和圖2b可知平均顆粒尺寸為 30. 5nm。優(yōu)選實(shí)施例2步驟1:制備電解液。將18g 的 CoCl2 ·6Η20、0· 3g 的 CoC03、0. 4g 的 H3PO4 和 0. 4g 的 H3PO3 混合放入燒杯中，加入IOOmL去離子水充分溶解制成電解液，電解液的pH值為1. 25。步驟2:制備鈷片和基片。制備尺寸為20mmX 20mmX Imm的陽極和陰極，陽極為純度99. 95%的鈷片，陰極為 Cu (200nm) /Ti (50nm) /SiO2 (300nm) /Si 的基片。步驟3 多相脈沖電源的陽極與鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與基片相連接， 把鈷片和基片浸沒在電解液中。用導(dǎo)線將鈷片與多相脈沖電源的陽極連接，基片與多相脈沖電源的陰極連接，鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在電解液中，基片的Cu薄膜一面與鈷片相對(duì)，鈷片和基片之間距離保持5cm。連接完畢后，用保鮮膜把燒杯口封閉。步驟4 將含有鈷片和基片的電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，結(jié)合超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。將裝有鈷片、基片和電解液的燒杯放入水深為5cm的超聲波振動(dòng)器中，加熱至 700C，并在此溫度下保溫15分鐘，然后打開超聲波系統(tǒng)以及多相脈沖電源進(jìn)行電鍍，采用如下工藝參數(shù)超聲波功率為80W，多相脈沖電源的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度為-17. 5mA/cm2，正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms，電鍍時(shí)間為10分鐘，得到具有納米晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜。制成的Co-P薄膜的結(jié)構(gòu)分析見圖1的b曲線，通過曲線b的結(jié)果分析可知，此樣品同樣具有六個(gè)明顯的衍射峰，其中兩個(gè)屬于基片Cu薄膜的衍射峰；另外四個(gè)衍射峰有兩個(gè)對(duì)應(yīng)Co，其衍射峰分別為38. 45度和41. 85度；一個(gè)對(duì)應(yīng)Co2P,其衍射峰為44. 67度；一個(gè)對(duì)應(yīng)CoP4，其衍射峰為47. 43度。同時(shí)，從X射線衍射圖中可以看出，衍射峰具有明顯的寬化現(xiàn)象，表明樣品具有納米晶結(jié)構(gòu)，即優(yōu)選實(shí)例2制備的樣品同樣是納米結(jié)構(gòu)Co-P薄膜。 表面形態(tài)及顯微組織形貌分析見圖3，圖3a所示的原子力顯微鏡相三維圖片的掃描范圍為 5*5 μ m2，通過分析可知，樣品的表面粗糙度Rniis是6. 573nm，通過圖3a和圖3b可知平均顆粒尺寸為26. lnm。優(yōu)選實(shí)施例3步驟1:制備電解液。將20g 的 CoCl2 · 6H20、4g 的 CoC03、5g 的 H3PO4 和 3g 的 H3PO3 混合放入燒杯中，加入IOOmL去離子水充分溶解制成電解液，電解液的pH值為1. 10。步驟2:制備鈷片和基片。制備尺寸為20mmX 20mmX Imm的陽極和陰極，陽極為純度99. 95%的鈷片，陰極為 Cu (200nm) /Ti (50nm) /SiO2 (300nm) /Si 的基片。步驟3 多相脈沖電源的陽極與鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與基片相連接， 把鈷片和基片浸沒在電解液中。用導(dǎo)線將鈷片與多相脈沖電源的陽極連接，基片與多相脈沖電源的陰極連接，鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在電解液中，基片的Cu薄膜一面與鈷片相對(duì)，鈷片和基片之間距離保持3cm。連接完畢后，用保鮮膜把燒杯口封閉。步驟4 將含有鈷片和基片的所述電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，結(jié)合超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。將裝有鈷片、基片和電解液的燒杯放入水深為5cm的超聲波振動(dòng)器中，加熱至 680C，并在此溫度下保溫10分鐘，然后打開超聲波系統(tǒng)以及多相脈沖電源進(jìn)行電鍍，采用如下工藝參數(shù)超聲波功率為40W，多相脈沖電源的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度為-17. 5mA/cm2，正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms，電鍍時(shí)間為10分鐘，得到具有非晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜。制成的Co-P薄膜的結(jié)構(gòu)分析見圖1的c曲線，通過X射線衍射圖的c曲線可以看出優(yōu)選實(shí)施例3的Co-P薄膜衍射峰的特點(diǎn)是一個(gè)完全寬化的非晶胞，表明優(yōu)選實(shí)例3 制備出的樣品為非晶結(jié)構(gòu)Co-P薄膜。表面形態(tài)及顯微組織形貌分析見圖4。圖如所示的原子力顯微鏡相三維圖片的掃描范圍為5*5 μ m2，通過分析可知，樣品的表面粗糙度Rms是 1. 926nm，通過圖乜和圖4b可知平均顆粒尺寸為70. 2nm。優(yōu)選實(shí)施例4步驟1:制備電解液。將18g 的 CoCl2 ·6Η20、0. 5g 的 CoC03、0. 8g 的 H3PO4 和 0. 8g 的 H3PO3 混合放入燒杯中，加入IOOmL去離子水充分溶解制成電解液，電解液的pH值為1. 25。步驟2:制備鈷片和基片。制備尺寸為20mmX 20mmX Imm的陽極和陰極，陽極為純度99. 95%的鈷片，陰極為Cu (200nm) /Ti (50nm) /SiO2 (300nm) /Si 的基片。步驟3 多相脈沖電源的陽極與鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與基片相連接， 把鈷片和基片浸沒在電解液中。用導(dǎo)線將鈷片與多相脈沖電源的陽極連接，基片與多相脈沖電源的陰極連接，鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在電解液中，基片的Cu薄膜一面與鈷片相對(duì)，鈷片和基片之間距離保持5cm。連接完畢后，用保鮮膜把燒杯口封閉。步驟4 將含有鈷片和基片的電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，結(jié)合超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。將裝有鈷片、基片和電解液的燒杯放入水深為5cm的超聲波振動(dòng)器中，加熱至 700C，并在此溫度下保溫15分鐘，然后打開超聲波系統(tǒng)以及多相脈沖電源進(jìn)行電鍍，采用如下工藝參數(shù)超聲波功率為80W，多相脈沖電源的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度為OmA/cm2，正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms，電鍍時(shí)間為60分鐘，得到具有非晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜。制成的Co-P薄膜的結(jié)構(gòu)分析見圖1的d曲線，通過X射線衍射圖的d曲線可以看出優(yōu)選實(shí)施例4的Co-P薄膜衍射峰的特點(diǎn)是一個(gè)完全寬化的非晶胞，表明此優(yōu)選實(shí)例制備出的樣品為非晶結(jié)構(gòu)Co-P薄膜。表面形態(tài)及顯微組織形貌分析見圖5。圖如所示的原子力顯微鏡相三維圖片的掃描范圍為5*5 μ m2，通過分析可知，樣品的表面粗糙度Rms是 2. 105nm，通過圖和圖5b可知平均顆粒尺寸為22. 7nm。步驟1中所要求的選取不同的原料配比，是為了獲得納米晶或非晶結(jié)構(gòu)的Co-P薄膜；往燒杯中緩慢加入去離子水進(jìn)行溶解是為了防止原料溶解時(shí)反應(yīng)過于激烈而導(dǎo)致原料揮發(fā)損失；電解液的PH值必須控制在1. 10-1. 25是為了電鍍時(shí)電解液處于一種最佳的酸堿度，使電鍍時(shí)電解液反應(yīng)充分。步驟3中的鈷片與基片保持平行等高，基片中具有Cu薄膜的一面與鈷片相對(duì)是為了使陽極和陰極形成最佳的離子、電子對(duì)流路徑，用保鮮膜封燒杯口是了防止在加熱以及電鍍過程中引入雜質(zhì)。步驟4中超聲波振動(dòng)器中的水深約為5cm是為了使超聲效果達(dá)到最佳，加熱至 68-70°C是為了使電解液在電鍍時(shí)具有最佳的反應(yīng)溫度，使電解液能充分反應(yīng)；在68-70°C 下保溫10-15分鐘是為了使陽極、陰極、以及電解液之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，使Cu膜表面發(fā)生腐蝕，增加Cu膜表面的粗糙度，起到增加Co-P薄膜粘附性的作用；超聲波功率控制在 40W-80W，是為了降低薄膜在電鍍過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，盡而增加薄膜的粘附性以及力學(xué)性能的作用；采用多相脈沖電流是為了能精確控制電鍍時(shí)正負(fù)極的電流密度，從而控制薄膜的 Co、P含量；電鍍時(shí)間為30秒至60分鐘，是為了通過控制電鍍時(shí)間獲得具有納米級(jí)至微米級(jí)的薄膜厚度，電鍍時(shí)間小于30秒時(shí)，獲得的薄膜表面狀態(tài)不好，而時(shí)間超過60分鐘時(shí)， Co-P薄膜的粘附性極差。
8
權(quán)利要求
1.一種Co-P薄膜的制備方法，包括分別制備電解液、鈷片和基片；將多相脈沖電源的陽極與所述鈷片連接，將多相脈沖電源的陰極與所述基片相連接， 將所述鈷片和基片浸沒在所述電解液中；將含有所述鈷片和基片的所述電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，用所述超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。
2.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述電解液成分包括 180-200g/L 的 CoCl2 · 6H20、l_3g/L 的 CoC03、l. 5_4g/L 的 H3PO4 和 1. 5_4g/L 的 Η3Ρ03。
3.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述電解液成分包括 180-200g/L 的 CoCl2 · 6H20、5_40g/L 的 CoC03、8_50g/L 的 H3PO4 和 8_30g/L 的 H3PO30
4.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述電解液的pH值在 1. 10-1. 25 之間。
5.如權(quán)利要求1所述的一種Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈷片的純度為 99. 95 %，所述基片包括 Cu (200nm) /Ti (50nm) /SiO2 (300nm) /Si。
6.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈷片和基片保持平行等高并完全浸沒在所述電解液中，所述基片的Cu薄膜與所述鈷片相對(duì)，所述鈷片和基片之間的保持3-5cm。
7.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述超聲波振動(dòng)器的溫度為68-70°C，所述超聲波振動(dòng)器的水深為5cm。
8.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，將含有所述鈷片和基片的電解液放置在所述超聲波振動(dòng)器中保溫10-15分鐘。
9.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述超聲波振動(dòng)器的功率為40-80W，所述多相脈沖電流的正極電流密度為50mA/cm2，負(fù)極電流密度分別為OmA/cm2 至-17. 5mA/cm2，所述多相脈沖電流的正負(fù)電流的工作時(shí)間分別為IOOms和10ms。
10.如權(quán)利要求1所述的Co-P薄膜的制備方法，其特征在于，所述電鍍的時(shí)間為30秒至60分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種Co-P薄膜的制備方法，首先，制備電解液、鈷片和基片；其次，多相脈沖電源的陽極與所述鈷片相連接，多相脈沖電源的陰極與所述基片相連接，所述鈷片和基片浸沒在所述電解液中；最后，將含有所述鈷片和基片的所述電解液放置在超聲波振動(dòng)器中，用所述超聲波振動(dòng)器和多相脈沖電源進(jìn)行電鍍。制備出的Co-P薄膜粘附性很強(qiáng)，并可廣泛應(yīng)用于具有不同結(jié)構(gòu)和不同P含量的Co-P薄膜的制備。
文檔編號(hào)C25D5/18GK102181897SQ201110092400
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月13日
發(fā)明者盧年端, 李亮亮, 李燕秋, 蔡堅(jiān) 申請(qǐng)人:清華大學(xué)