專(zhuān)利名稱(chēng)：封裝基板表面電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板制造領(lǐng)域，具體涉及一種封裝基板表面電鍍方法。
技術(shù)背景
封裝基板(也稱(chēng)載板)是用于承載電子元器件(例如芯片)的印刷線(xiàn)路板。
在封裝基板的鍍表面金屬電鍍物(例如金)過(guò)程中，需要在無(wú)需鍍表面金屬電鍍物的區(qū)域貼上抗鍍干膜。
以鍍金為例，目前業(yè)界的鍍金貼干膜工藝一般在超過(guò)110°C的高溫下進(jìn)行貼膜，抗鍍干膜在高溫下具有更好的流動(dòng)性與填充性，由于封裝基板的銅面與油墨面存在高度差， 而高溫貼膜非常容易在銅面產(chǎn)生點(diǎn)狀氣泡，點(diǎn)狀氣泡界面非常薄，在電鍍金過(guò)程中可能出現(xiàn)破裂而使得上金不良，最終導(dǎo)致客戶(hù)端打線(xiàn)不良、外觀金面色差不良等問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供封裝基板表面電鍍方法，以期改善封裝基板鍍表面金屬電鍍物的上鍍優(yōu)良率和鍍面色差。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供以下技術(shù)方案
—種封裝基板表面電鍍方法，包括
在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；
將所述封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；
在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，其中，所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于所述抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；
對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理；
去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
由上可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例封裝基板鍍表面金屬電鍍物過(guò)程中，在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；將該封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；在加工出阻焊圖形的該封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，該冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于該抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；對(duì)冷貼抗鍍干膜的封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理。由于冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度，貼膜過(guò)程中抗鍍干膜便不會(huì)熔化，不會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)流動(dòng)性和強(qiáng)填充性，此時(shí)的抗鍍干膜中也不會(huì)形成點(diǎn)狀氣泡等，這樣在鍍表面金屬電鍍物過(guò)程中就不會(huì)出現(xiàn)抗鍍干膜中因氣泡破裂而使得上鍍不良的問(wèn)題，有利于改善封裝基板鍍表面金屬電鍍物的上鍍優(yōu)良率和鍍面色差，進(jìn)而可有效的提高客戶(hù)端的打線(xiàn)優(yōu)良率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝基板表面電鍍方法的流程示意圖2_a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成線(xiàn)路的封裝基板示意圖2_b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種加工了出阻焊圖形的封裝基板示意圖2-c是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種冷貼抗鍍干膜的封裝基板示意圖2_d是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種鍍鎳軟金后的封裝基板示意圖2_e是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種冷貼抗鍍干膜的封裝基板示意圖2_f是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種鍍鎳硬金后的封裝基板示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施例提供封裝基板表面電鍍方法，以期改善封裝基板鍍表面金屬電鍍物的上鍍優(yōu)良率和鍍面色差。
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
以下通過(guò)實(shí)施例分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明封裝基板表面電鍍方法的一個(gè)實(shí)施例，包括在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；將該封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；在加工出阻焊圖形的該封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，該冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于該抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；對(duì)冷貼抗鍍干膜的封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理；去除鍍表面金屬電鍍物后的封裝基板上的抗鍍干膜。
參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝基板鍍金方法可包括
101、在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；
102、將封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；
其中，例如可對(duì)封裝基板的阻焊層進(jìn)行曝光顯影處理以阻焊圖形，或者通過(guò)其它方式將封裝基板的阻焊層加工出需要的阻焊圖形。
例如將形成阻焊層的封裝基板的焊盤(pán)露出。
例如參見(jiàn)圖2-a和圖2-b，其中，圖2-a舉例示出了一種形成了線(xiàn)路的封裝基板，包括基材20和線(xiàn)路21。圖2-b舉例示出了一種加工了出阻焊圖形的封裝基板，其中，封裝基板上形成了阻焊圖形22。
103、在加工出阻焊圖形的封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域；
其中，冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；
在實(shí)際應(yīng)用中，冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度范圍例如可為20°C 50°C或其它溫度范圍，貼膜溫度例如為20°C、25°C、30°C、35°C、40°C、45°C、50°C或55°C或其它溫度等。
例如可根據(jù)抗鍍干膜的類(lèi)型和具體應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)具體確定貼膜溫度。
其中，可在加工出阻焊圖形的封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物(例如待鍍鎳硬金區(qū)域或待鍍鎳軟金區(qū)域)。例如，可對(duì)冷貼的抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍鎳硬金區(qū)域(或待鍍鎳軟金區(qū)域)；或，也可只在加工出阻焊圖形的封裝基板上的非鍍鎳硬金區(qū)域(或非鍍鎳軟金區(qū)域)冷貼抗鍍干膜以露出待鍍鎳硬金區(qū)域(或待鍍鎳軟金區(qū)域)。
可以理解，由于冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度，貼膜過(guò)程中抗鍍干膜便不會(huì)熔化，不會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)流動(dòng)性和強(qiáng)填充性，此時(shí)的抗鍍干膜中也不會(huì)形成點(diǎn)狀氣泡等。
104、對(duì)冷貼抗鍍干膜的封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理；
105、去除鍍表面金屬電鍍物后的封裝基板上的抗鍍干膜。
本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)封裝基板電鍍表面金屬電鍍物的目的主要有如下目的其中一個(gè)或多個(gè)
其一是利用表面金屬電鍍物層來(lái)保護(hù)線(xiàn)路，以防止線(xiàn)路被氧化和/或增強(qiáng)線(xiàn)路的耐磨性；其二是保證后續(xù)裝配過(guò)程中，電鍍有表面金屬電鍍物的線(xiàn)路與其它線(xiàn)路(例如芯片焊盤(pán))之間良好的電氣連通結(jié)合性能。
本發(fā)明實(shí)施例中，表面金屬電鍍物例如包括金(即可在封裝基板上電鍍金層)、 鎳金(即可在封裝基板上電鍍鎳金層)、鎳鈀金(即可在封裝基板上電鍍鎳鈀金層)、銀(即可在封裝基板上電鍍銀層)或錫(即可在封裝基板上電鍍錫層)、或者其它能夠防止線(xiàn)路被氧化，和/或增強(qiáng)線(xiàn)路的耐磨性，和/或能保證線(xiàn)路良好電氣連通結(jié)合性能的其它金屬或合^^ ο
在一種應(yīng)用場(chǎng)景下，若既需要在封裝基板鍍鎳硬金還需要鍍鎳軟金，可對(duì)加工出阻焊圖形的封裝基板上冷貼的抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理，以露出待鍍鎳軟金區(qū)域，對(duì)冷貼抗鍍干膜的該封裝基板進(jìn)行鍍鎳軟金處理(例如先鍍鎳再鍍軟金)；去除鍍鎳軟金處理后的封裝基板上的抗鍍干膜；而后，在鍍鎳軟金處理后的該封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳硬金區(qū)域(例如對(duì)該冷貼的抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍鎳硬金區(qū)域， 或者，也可只在鍍鎳軟金處理后的該封裝基板上的非鍍鎳硬金區(qū)域冷貼抗鍍干膜以露出待鍍鎳硬金區(qū)域)；對(duì)露出待鍍鎳硬金區(qū)域的該封裝基板進(jìn)行鍍鎳硬金處理(例如先鍍鎳再鍍硬金)；去除鍍鎳硬金處理后的該封裝基板上的抗鍍干膜。
在另一種應(yīng)用場(chǎng)景下，若既需要在封裝基板鍍鎳硬金還需要鍍鎳軟金，可對(duì)加工出阻焊圖形的封裝基板上冷貼的抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理，以露出待鍍鎳硬金區(qū)域，對(duì)冷貼抗鍍干膜的該封裝基板進(jìn)行鍍鎳硬金處理(例如先鍍鎳再鍍硬金)；去除鍍鎳硬金處理后的封裝基板上的抗鍍干膜；而后，在鍍鎳硬金處理后的該封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳軟金區(qū)域(例如對(duì)該冷貼的抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍鎳軟金區(qū)域，或者，也可只在鍍鎳硬金處理后的該封裝基板上的非鍍鎳軟金區(qū)域冷貼抗鍍干膜，以露出待鍍鎳軟金區(qū)域)；對(duì)露出待鍍鎳軟金區(qū)域的該封裝基板進(jìn)行鍍鎳軟金處理(例如先鍍鎳再鍍軟金)；去除鍍鎳軟金處理后的該封裝基板上的抗鍍干膜。
在實(shí)際應(yīng)用中，抗鍍干膜可懸空覆蓋住封裝基板上的非鍍鎳軟金區(qū)域以露出待鍍鎳軟金區(qū)域(其中，抗鍍干膜、非鍍鎳軟金區(qū)域和阻焊圖形可共同形成封閉空間)；和/或， 抗鍍干膜可懸空覆蓋住封裝基板上的非鍍鎳硬金區(qū)域以露出待鍍鎳硬金區(qū)域(其中，抗鍍干膜、非鍍鎳硬金區(qū)域和阻焊圖形可共同形成封閉空間。后續(xù)，例如可以利用推磨線(xiàn)或者其它的工具來(lái)去除鍍鎳金處理后的封裝基板上的抗鍍干膜。
請(qǐng)一并參見(jiàn)圖2-c 2-f，其中，圖2-c舉例示出了一種冷貼抗鍍干膜的封裝基板， 抗鍍干膜231懸空覆蓋住了非電鍍區(qū)域M和待鍍鎳硬金區(qū)域25，露出了待鍍鎳軟金區(qū)域 26?？瑰兏赡?31、阻焊圖形22和非電鍍區(qū)域M及待鍍鎳硬金區(qū)域25形成了封閉空間27。
圖2-d舉例示出了一種鍍鎳軟金后的封裝基板，在待鍍鎳軟金區(qū)域鍍上了鎳軟金 2610圖2-e舉例示出了另一種冷貼抗鍍干膜的封裝基板，抗鍍干膜232懸空覆蓋住了非電鍍區(qū)域M和已鍍鎳軟金區(qū)域沈，露出了待鍍鎳硬金區(qū)域25?？瑰兏赡?32、阻焊圖形22和非電鍍區(qū)域M及已鍍鎳軟金區(qū)域沈形成了封閉空間27。圖2-f舉例示出了一種鍍鎳硬金后的封裝基板，在待鍍鎳硬金區(qū)域鍍上了鎳硬金251。
圖2-c 圖2f舉例示出了封裝基板先鍍鎳軟金后鍍鎳硬金的工藝過(guò)程，當(dāng)然也可選擇先鍍鎳硬金后鍍鎳軟金，其工藝過(guò)程可類(lèi)似參考圖2-c 圖2f。類(lèi)似的，在封裝基板電鍍其它表面金屬電鍍物的工藝過(guò)程，亦可類(lèi)似的參考圖2-c 圖2f。
由上可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例封裝基板鍍表面金屬電鍍物過(guò)程中，在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；將該封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；在加工出阻焊圖形的該封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，該冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于該抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；對(duì)冷貼抗鍍干膜的封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理。由于冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度，貼膜過(guò)程中抗鍍干膜便不會(huì)熔化，不會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)流動(dòng)性和強(qiáng)填充性，此時(shí)的抗鍍干膜中也不會(huì)形成點(diǎn)狀氣泡等，這樣在鍍表面金屬電鍍物過(guò)程中就不會(huì)出現(xiàn)抗鍍干膜中因氣泡破裂而使得上鍍不良的問(wèn)題，有利于改善封裝基板鍍表面金屬電鍍物的上鍍優(yōu)良率和鍍面色差，進(jìn)而可有效的提高客戶(hù)端的打線(xiàn)優(yōu)良率。
需要說(shuō)明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的封裝基板表面電鍍方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上描述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板表面電鍍方法，其特征在于，包括 在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層； 將所述封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍金區(qū)域，其中，所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于所述抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理； 去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，包括在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜；對(duì)所述抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述表面金屬電鍍物包括金、鎳金、鎳鈀金、銀或錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，包括對(duì)所述抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍鎳軟金區(qū)域；所述對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理，去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜，包括對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍鎳軟金處理，去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜之后，還包括 在鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳硬金區(qū)域； 對(duì)露出待鍍鎳硬金區(qū)域的所述封裝基板進(jìn)行鍍鎳硬金處理； 去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，包括對(duì)所述抗鍍干膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出待鍍鎳硬金區(qū)域；所述對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理，去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜，包括對(duì)冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進(jìn)行鍍鎳硬金處理，去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜之后，還包括 在鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳軟金區(qū)域； 對(duì)露出待鍍鎳軟金區(qū)域的所述封裝基板進(jìn)行鍍鎳軟金處理； 去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度范圍為20°C 50°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于， 所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度范圍為40°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述抗鍍干膜懸空覆蓋住所述封裝基板上的非鍍鎳軟金區(qū)域以露出待鍍鎳軟金區(qū)域; 和/或，所述抗鍍干膜懸空覆蓋住所述封裝基板上的非鍍鎳硬金區(qū)域以露出待鍍鎳硬金區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種封裝基板表面電鍍方法，可包括在已形成線(xiàn)路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；將封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；在加工出阻焊圖形的封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區(qū)域，其中，冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于抗鍍干膜的熔點(diǎn)溫度；對(duì)冷貼抗鍍干膜的封裝基板進(jìn)行鍍表面金屬電鍍物處理；去除鍍表面金屬電鍍物處理后的封裝基板上的抗鍍干膜。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案有利于改善封裝基板鍍表面金屬電鍍物的上鍍優(yōu)良率和鍍面色差。
文檔編號(hào)C25D5/02GK102505132SQ201110327728
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者劉良軍, 楊智勤, 楊海龍, 黃永民 申請(qǐng)人:深南電路有限公司