專利名稱：銀納米顆粒鏈的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顆粒鏈的制備方法，尤其是一種銀納米顆粒鏈的制備方法。
背景技術(shù)：
伴隨現(xiàn)代信息技術(shù)的飛速發(fā)展，以及計(jì)算機(jī)、光傳輸電路的高度集成，對(duì)器件的微型化和高度集成化的要求越來越高，這就要求在納米尺度上實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的傳輸和處理。一維貴金屬納米顆粒鏈?zhǔn)且环N重要的光波導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)，可以在納米尺度上操縱和控制光子，實(shí)現(xiàn)超光的衍射極限的光傳輸。目前，人們?yōu)榱双@得一維貴金屬納米顆粒鏈，作了一些嘗試和努力，如中國發(fā)明專利申請(qǐng)CN102233424A于2011年11月9日公布的“一種銀納米超結(jié)構(gòu)陣列及其制備方法和用途”。該發(fā)明專利申請(qǐng)文獻(xiàn)公開了一種位于基底表面上的、由一維項(xiàng)鏈狀銀納米超結(jié)構(gòu)線條組成的銀納米超結(jié)構(gòu)陣列，其中，一維項(xiàng)鏈狀銀納米超結(jié)構(gòu)線條由粒徑為10 20nm的銀納米粒子構(gòu)成的銀納米超結(jié)構(gòu)球組成,線條的寬度為150 450nm、球直徑為150 450nm ;制備方法為將圖案化的硅片置于pH值為10 11的銀離子-半胱氨酸絡(luò)合溶液中，于4 45°C下培養(yǎng)I 3天，得到產(chǎn)物。然而，這種由銀納米超結(jié)構(gòu)球組成的一維項(xiàng)鏈狀銀納米超結(jié)構(gòu)線條的制備方法存在著不足之處，首先，工藝繁雜，為獲得所需的一維項(xiàng)鏈狀銀納米超結(jié)構(gòu)線條的圖案，需歷經(jīng)按照?qǐng)D案在硅片上涂膠、電子束曝光、顯影、離子束刻蝕、去膠和清洗的過程，既費(fèi)事、又費(fèi)時(shí)；其次，離子束刻蝕的工藝需使用價(jià)格昂貴的儀器，使制作的成本居高不下；最后，需將圖案化的硅片置于銀離子-半胱氨酸絡(luò)合溶液中培養(yǎng)I 3天，過長的制作時(shí)間也增加了制備的成本和規(guī)?；瘧?yīng)用的難度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技 術(shù)問題為克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡便、成本低廉，具有較強(qiáng)實(shí)用價(jià)值的銀納米顆粒鏈的制備方法。為解決本發(fā)明的技術(shù)問題，所采用的技術(shù)方案為:銀納米顆粒鏈的制備方法包括陽極氧化法，特別是完成步驟如下:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為45 55nm的通孔氧化鋁模板，再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為150 250nm的金膜；步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行多次的交替電沉積，其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.4 0.6V、沉積時(shí)間為15 60s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.2 1.6V、沉積時(shí)間為30 75s，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板，再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板置于濃度為4 6wt%的堿溶液中浸泡18 22min，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列；步驟3，先將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線，再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度彡10_3Pa、溫度為450 500°C下退火2 6h，制得銀納米顆粒鏈；
所述構(gòu)成銀納米顆粒鏈的銀納米顆粒的形貌為球形或橢球形，顆粒的間距為35 230nm,所述球形銀納米顆粒的球直徑為60 IOOnm,所述橢球形銀納米顆粒的長軸為110 480nm、短軸為45 55nm。作為銀納米顆粒鏈的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的電沉積時(shí)的陽極為石墨電極；所述的銀電解液為濃度為0.06mol/L的硝酸銀水溶液，其pH值為1.5 ;所述的鉍電解液為濃度為0.04mol/L的氯化鉍、濃度為0.lmol/L的酒石酸、濃度為0.2mol/L的檸檬酸、濃度為0.88mol/L的丙三醇和濃度為0.lmol/L的檸檬酸鈉的混合水溶液，其pH值為2.0 ;所述的交替電沉積的次數(shù)> 6次；所述的每次電沉積后，均將其孔中置有銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化招模板置于去離子水中進(jìn)行清洗；所述的堿溶液為氫氧化鈉溶液，或氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液；所述的將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列置于乙醇中進(jìn)行超聲分散之前，先對(duì)其使用去離子水反復(fù)沖洗后，再使用乙醇進(jìn)行清洗。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是，其一，對(duì)制備方法獲得的中間產(chǎn)物——由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線和制得的目標(biāo)產(chǎn)物分別使用透射電鏡和其附帶的能譜測試儀以及掃描電鏡進(jìn)行表征，由其結(jié)果可知，中間產(chǎn)物為兩種柱狀的不同材料相串接組成的納米線，其中，兩種材料分別為銀和鉍。目標(biāo)產(chǎn)物為眾多的、分散狀的鏈狀物，鏈狀物由形貌為球形或橢球形的顆粒狀物與間隙串接而成；其中，球形顆粒狀物的球直徑為60 lOOnm，橢球形顆粒狀物的長軸為110 480nm、短軸為45 55nm，顆粒狀物間的間隙為35 230nm，顆粒狀物為銀。其二，制備方法科學(xué)、有效:既制得了銀納米顆粒鏈；又使組成銀納米顆粒鏈的銀納米顆粒的形貌和尺度以及銀納米顆粒間的間距均可方便快捷地人為進(jìn)行精確的控制，尤為通過后期的高溫真空退火處理，使易揮發(fā)成分鉍優(yōu)先揮發(fā)進(jìn)而得到周期性銀納米顆粒構(gòu)成的鏈狀結(jié)構(gòu)，從而為研究這些幾何參數(shù)影響下銀納米顆粒鏈的性能變化，如光傳輸性能提供了極大的便利，為實(shí)現(xiàn)光傳輸性能的調(diào)控奠定了良好的基礎(chǔ)；還因僅需涉及陽極氧化鋁片、電化學(xué)沉積和真空退火的簡單、成熟工藝而使其具備了工藝簡便、成本低廉、實(shí)用價(jià)值高的特點(diǎn)；更具有較強(qiáng)的普適性，可適用于多種金屬材料的一維納米顆粒鏈的制備。作為有益效果的進(jìn)一步體現(xiàn)，一是電沉積時(shí)的陽極優(yōu)選為石墨電極，銀電解液優(yōu)選為濃度為0.06mol/L的硝酸銀水溶液，其pH值為1.5，鉍電解液優(yōu)選為濃度為0.04mol/L的氯化鉍、濃度為0.lmol/L的酒石酸、濃度為0.2mol/L的檸檬酸、濃度為0.88mol/L的丙三醇和濃度為0.lmol/L的檸檬酸鈉的混合水溶液，其pH值為2.0，均便于氧化鋁模板孔中的銀柱和鉍柱電沉積的有效進(jìn)行。二是交替電沉積的次數(shù)優(yōu)選> 6次，利于納米鏈的成型。三是優(yōu)選每次電沉積后，均將其孔中置有銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板置于去離子水中進(jìn)行清洗，確保了獲得的銀柱和鉍柱的純度。四是堿溶液優(yōu)選為氫氧化鈉溶液，或氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液，不僅使原料的來源較為豐富，還使制備工藝更易實(shí)施且靈活。五是優(yōu)選將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列置于乙醇中進(jìn)行超聲分散之前，先對(duì)其使用去離子水反復(fù)沖洗后，再使用乙醇進(jìn)行清洗，保證了目標(biāo)產(chǎn)物的品質(zhì)。


圖1是對(duì)未真空退火前的中間產(chǎn)物使用透射電鏡(TEM)和其附帶的能譜(EDS)測試儀進(jìn)行表征的結(jié)果之一。其中，圖1a為中間產(chǎn)物的TEM圖像，圖1b為中間產(chǎn)物的EDS譜圖；表明了中間產(chǎn)物為由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。圖2是對(duì)將圖1所示中間產(chǎn)物經(jīng)真空退火2h制成目標(biāo)產(chǎn)物后，使用掃描電鏡(SEM)進(jìn)行表征的結(jié)果之一。其中，圖2a為目標(biāo)產(chǎn)物的遠(yuǎn)視場大范圍的SEM圖像，圖2b為目標(biāo)產(chǎn)物的近視場的SEM圖像。圖3是對(duì)將圖1所示中間產(chǎn)物經(jīng)不同的真空退火時(shí)間制成目標(biāo)產(chǎn)物后，使用掃描電鏡進(jìn)行表征的結(jié)果之一。其中，圖3a和圖3b所示目標(biāo)產(chǎn)物的真空退火時(shí)間分別為4h和6h;由其可看出，，隨著真空退火時(shí)間的延長，顆粒形狀由橢球形向球形演變，顆粒間距出現(xiàn)增大。
具體實(shí)施例方式首先從市場購得或用常規(guī)方法制得:招片；作為銀電解液的濃度為0.06mol/L的硝酸銀水溶液,其pH值為1.5 ;作為秘電解液的濃度為0.04mol/L的氯化鉍、濃度為0.lmol/L的酒石酸、濃度為0.2mol/L的檸檬酸、濃度為0.88mol/L的丙三醇和濃度為0.lmol/L的檸檬酸鈉的混合水溶液，其pH值為
2.0 ;作為堿溶液的氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液和氫氧化鋰溶液；乙醇。接著，實(shí)施例1制備的具體步驟為:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為45nm的通孔氧化鋁模板；再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為150nm的金膜。步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行6次的交替電沉積；其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.4V、沉積時(shí)間為60s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.2V、沉積時(shí)間為75s，電沉積時(shí)的陽極為石墨電極，每次電沉積后均將其置于去離子水中進(jìn)行清洗，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板。再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化招模板置于濃度為4wt%的堿溶液中浸泡22min ;其中，堿溶液為氫氧化鈉溶液，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列。步驟3，先對(duì)由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列依次使用去離子水反復(fù)沖洗和使用乙醇進(jìn)行清洗后，將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到近似于圖1所示的由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度(10_3Pa、溫度為450°C下退火6h，制得如圖3b所示的銀納米顆粒鏈。實(shí)施例2制備的具體步驟為:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為48nm的通孔氧化鋁模板；再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為ISOnm的金膜。步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行11次的交替電沉積；其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.45V、沉積時(shí)間為49s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.3V、沉積時(shí)間為64s，電沉積時(shí)的陽極為石墨電極，每次電沉積后均將其置于去離子水中進(jìn)行清洗，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板。再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化招模板置于濃度為4.5wt%的堿溶液中浸泡21min ;其中,堿溶液為氫氧化鈉溶液，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列。步驟3，先對(duì)由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列依次使用去離子水反復(fù)沖洗和使用乙醇進(jìn)行清洗后，將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到近似于圖1所示的由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度(10_3Pa、溫度為463°C下退火5h，制得近似于圖3b所示的銀納米顆粒鏈。實(shí)施例3制備的具體步驟為:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為50nm的通孔氧化鋁模板；再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為200nm的金膜。步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行16次的交替電沉積；其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.5V、沉積時(shí)間為38s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.4V、沉積時(shí)間為53s，電沉積時(shí)的陽極為石墨電極，每次電沉積后均將其置于去離子水中進(jìn)行清洗，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板。再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化招模板置于濃度為5wt%的堿溶液中浸泡20min ;其中，堿溶液為氫氧化鈉溶液，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列。步驟3，先對(duì)由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列依次使用去離子水反復(fù)沖洗和使用乙醇進(jìn)行清洗后，將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到如圖1所示的由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度<10_3Pa、溫度為475°C下退火4h，制得如圖3a所示的銀納米顆粒鏈。實(shí)施例4制備的具體步驟為:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為53nm的通孔氧化鋁模板；再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為230nm的金膜。步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行21次的交替電沉積；其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.55V、沉積時(shí)間為26s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.5V、沉積時(shí)間為41s，電沉積時(shí)的陽極為石墨電極，每次電沉積后均將其置于去離子水中進(jìn)行清洗，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板。再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板置于濃度為5.5wt%的堿溶液中浸泡19min ;其中，堿溶液為氫氧化鈉溶液，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列。步驟3，先對(duì)由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列依次使用去離子水反復(fù)沖洗和使用乙醇進(jìn)行清洗后，將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到近似于圖1所示的由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度(10_3Pa、溫度為488°C下退火3h，制得近似于圖3a所示的銀納米顆粒鏈。實(shí)施例5
制備的具體步驟為:步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為55nm的通孔氧化鋁模板；再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為250nm的金膜。步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行26次的交替電沉積；其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.6V、沉積時(shí)間為15s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.6V、沉積時(shí)間為30s，電沉積時(shí)的陽極為石墨電極，每次電沉積后均將其置于去離子水中進(jìn)行清洗，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板。再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化招模板置于濃度為6wt%的堿溶液中浸泡18min ;其中,堿溶液為氫氧化鈉溶液，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列。步驟3，先對(duì)由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列依次使用去離子水反復(fù)沖洗和使用乙醇進(jìn)行清洗后，將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到近似于圖1所示的由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線。再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度(10_3Pa、溫度為500°C下退火2h，制得如圖2所示的銀納米顆粒鏈。再分別選用作為堿溶液的氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液，重復(fù)上述實(shí)施例1 5，同樣制得了如或近似于圖2、圖3a和圖3b所示的銀納米顆粒鏈。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明的銀納米顆粒鏈的制備方法進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若對(duì)本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種銀納米顆粒鏈的制備方法，包括陽極氧化法，其特征在于完成步驟如下: 步驟1，先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到孔直徑為45 55nm的通孔氧化鋁模板，再于通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍厚度為150 250nm的金膜； 步驟2，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行多次的交替電沉積，其中，每次于銀電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為0.4 0.6V、沉積時(shí)間為15 60s，每次于鉍電解液中電沉積時(shí)的沉積電壓為1.2 1.6V、沉積時(shí)間為30 75s，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板，再將其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板置于濃度為4 6wt%的堿溶液中浸泡18 22min，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列； 步驟3，先將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線，再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度彡10_3Pa、溫度為450 500°C下退火2 6h，制得銀納米顆粒鏈； 所述構(gòu)成銀納米顆粒鏈的銀納米顆粒的形貌為球形或橢球形，顆粒的間距為35 230nm, 所述球形銀納米顆粒的球直徑為60 IOOnm, 所述橢球形銀納米顆粒的長軸為110 480nm、短軸為45 55nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是電沉積時(shí)的陽極為石墨電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是銀電解液為濃度為0.06mol/L的硝酸銀水溶液，其pH值為1.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是鉍電解液為濃度為0.04mol/L的氯化鉍、濃度為0.1moI/L的酒石酸、濃度為0.2mol/L的檸檬酸、濃度為0.88mol/L的丙三醇和濃度為0.lmol/L的檸檬酸鈉的混合水溶液，其pH值為2.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是交替電沉積的次數(shù)>6次。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是每次電沉積后，均將其孔中置有銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板置于去離子水中進(jìn)行清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是堿溶液為氫氧化鈉溶液，或氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀納米顆粒鏈的制備方法，其特征是將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列置于乙醇中進(jìn)行超聲分散之前，先對(duì)其使用去離子水反復(fù)沖洗后，再使用乙醇進(jìn)行清洗。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種銀納米顆粒鏈的制備方法。它先對(duì)鋁片使用陽極氧化法進(jìn)行處理，得到通孔氧化鋁模板，再于其一面蒸鍍金膜，接著，先將一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板作為陰極，分別置于銀電解液和鉍電解液中進(jìn)行多次的交替電沉積，得到其孔中置有交替連接的銀柱和鉍柱的一面蒸鍍有金膜的氧化鋁模板，再將其置于堿溶液中浸泡，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線陣列，之后，先將其置于乙醇中進(jìn)行超聲分散，得到由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線，再將由銀柱與鉍柱交替連接組成的納米線置于真空度≤10-3Pa、溫度為450～500℃下退火2～6h，制得目標(biāo)產(chǎn)物。它具有工藝簡便、成本低廉、實(shí)用價(jià)值高的特點(diǎn)，可廣泛地用于多種金屬材料的一維納米顆粒鏈的制備。
文檔編號(hào)C25D3/46GK103111621SQ20131007147
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月6日
發(fā)明者許少輝, 費(fèi)廣濤, 游巧, 霍鵬程 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院