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一種引腳基座的加工工藝的制作方法

文檔序號:5274041閱讀:255來源:國知局
專利名稱:一種引腳基座的加工工藝的制作方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及鋁合金芯片封裝測試設備領域,尤其涉及一種引腳基座的加工工藝。
背景技術(shù)
在采用鋁合金材料作為測試設備的制造基材的芯片封裝測試領域,通過對鋁合金產(chǎn)品的局部或整體進行陽極氧化處理,利用鋁合金本身良好的導電性和氧化鋁的絕緣性實現(xiàn)測試過程對設備功能的要求。避免了以往在塑料類基材上鑲?cè)雽щ娨€而產(chǎn)生測試頻率的損耗,實現(xiàn)了芯片工作頻率更精準的測試。但同時受芯片外形尺寸所限,通常用來承載、定位待測試芯片的引腳基座具有外形尺寸較小、厚度較薄且遍布小孔的結(jié)構(gòu)特點。鋁合金的陽極氧化處理工藝又是一個大量發(fā)熱的過程,大量的熱量會使尺寸小、厚度薄的鋁合金產(chǎn)品產(chǎn)生明顯形變,零件上用于安放芯片引腳的小孔位置度難以保證,從而影響到測試前的芯片與測試模具的裝配,甚至會導致芯片引腳的損壞。引腳基座上的引腳安裝孔數(shù)量眾多,排列緊密,表面積大,陽極氧化處理時發(fā)熱量大??孜恢枚纫蟾?,普通的加工方法難以保證。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種加工方便,能確保引腳基座加工精度,減少陽極氧化處理引起變形的引腳基座的加工工藝。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:包括以下步驟:1)下料,2)加工需要陽極氧化處理的孔,3)陽極氧化處理,4)去應力熱處理,5)外形尺寸精加工,6)保護,7)局部陽極氧化。本發(fā)明所述的下料是指在引腳基座的長、寬、厚處預留加工余量,并在長、寬處預留大量的加工余量,在引腳基座的周圍起加強筋的作用。本發(fā)明所述的加工需要陽極氧化處理的孔,先加工厚度至圖紙尺寸;再加工出引腳基座上定位孔(I)和所有內(nèi)部要求陽極氧化處理的引腳安裝孔(2),長、寬尺寸不加工,保留下料時的形狀。本發(fā)明所述的陽極氧化處理為:a)引腳基座接正極,氧化槽內(nèi)的液體接負極,通電70-140分鐘,使其表面生成一層氧化鋁膜層;b)引腳基座放入沸水中做封孔處理。本發(fā)明所述的去應力熱處理為:a)經(jīng)陽極氧化處理后的引腳基座放入烤箱中,爐溫設置為15(T190°C,保溫2 4小時關(guān)閉電源,隨爐冷卻至3(T50°C后打開爐門冷卻至室溫。本發(fā)明所述的外形尺寸精加工為:a)用陽極氧化處理前加工的定位孔I定位,力口工引腳基座上不要求做陽極氧化處理的引腳安裝孔2及表面;b)加工引腳基座的外形尺寸。本發(fā)明所述的保護為用保護膠帶或油漆或鋁箔膠帶保護除引腳基座四個側(cè)面以外的所有區(qū)域。 本發(fā)明所述的局部陽極氧化為:a)經(jīng)過保護處理的引腳基座再次放入陽極氧化處理槽中,對其裸露在保護外部的四個側(cè)面進行陽極氧化處理。本發(fā)明的能確保引腳基座加工精度,減少了陽極氧化處理引起變形,便于引腳基座上安裝芯片引腳。


圖1是本發(fā)明中引腳基座結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、定位孔,2、引腳安裝孔。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明:
一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:包括以下步驟:1)下料,2)加工需要陽極氧化處理的孔,3)陽極氧化處理,4)去應力熱處理,5)外形尺寸精加工,6)保護,7)局部陽極氧化。所述的下料是指在引腳基座的長、寬、厚處預留加工余量,并在長、寬處預留大量的加工余量,在引腳基座的周圍起加強筋的作用。所述的加工需要陽極氧化處理的孔,先加工厚度至圖紙尺寸;再加工出引腳基座上定位孔I和所有內(nèi)部要求陽極氧化處理的引腳安裝孔2,長、寬尺寸不加工,保留下料時的形狀。所述的陽極氧化處理為:a)引腳基座接正極,氧化槽內(nèi)的液體接負極,通電70-140分鐘,使其表面生成一層氧化鋁膜層;b)引腳基座放入沸水中做封孔處理。所述的去應力熱處理為:a)經(jīng)陽極氧化處理后的引腳基座放入烤箱中,爐溫設置為15(T190°C,保溫2 4小時關(guān)閉電源,隨爐冷卻至3(T50°C后打開爐門冷卻至室溫。所述的外形尺寸精加工為:a)用陽極氧化處理前加工的定位孔I定位,加工引腳基座上不要求做陽極氧化處理的引腳安裝孔2及表面;b)加工引腳基座的外形尺寸。所述的保護為用保護膠帶或油漆或鋁箔膠帶保護除引腳基座四個側(cè)面以外的所有區(qū)域。所述的局部陽極氧化為:a)經(jīng)過保護處理的引腳基座再次放入陽極氧化處理槽中,對其裸露在保護外部的四個側(cè)面進行陽極氧化處理。具體實施時,在引腳基座外形和厚度尺寸上預留適當?shù)牟牧嫌嗔?,當陽極氧化處理過程中產(chǎn)生大量的熱量時,預留的材料余量在引腳基座的周圍起到加強筋的作用,約束其自由變形。通過熱處理的方法釋放材料內(nèi)部應力后,再加工引腳基座的外形、厚度及不要求做陽極氧化處理的引腳安裝孔。用再一次陽極氧化處理的方法保證引腳基座的外圍絕緣的使用性能。本發(fā)明保證了引腳基座上各部位不同的性能要求和安裝孔的位置度要求,便于在引腳基座上安裝芯片引腳。
權(quán)利要求
1.一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:包括以下步驟:1)下料,2)加工需要陽極氧化處理的孔,3)陽極氧化處理,4)去應力熱處理,5)外形尺寸精加工,6)保護,7)局部陽極氧化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的下料是指在引腳基座的長、寬、厚處預留加工余量,并在長、寬處預留大量的加工余量,在引腳基座的周圍起加強筋的作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的加工需要陽極氧化處理的孔,先加工厚度至圖紙尺寸;再加工出引腳基座上定位孔(I)和所有內(nèi)部要求陽極氧化處理的引腳安裝孔(2),長、寬尺寸不加工,保留下料時的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的陽極氧化處理為:a)引腳基座接正極,氧化槽內(nèi)的液體接負極,通電70-140分鐘,使其表面生成一層氧化鋁膜層;b)引腳基座放入沸水中做封孔處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的去應力熱處理為:a)經(jīng)陽極氧化處理后的引腳基座放入烤箱中,爐溫設置為15(T190°C,保溫2 4小時關(guān)閉電源,隨爐冷卻至3(T50°C后打開爐門冷卻至室溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的外形尺寸精加工為:a)用陽極氧化處理前加工的定位孔(I)定位,加工引腳基座上不要求做陽極氧化處理的引腳安裝孔(2)及表面;b)加工引腳基座的外形尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的保護為用保護膠帶或油漆或鋁箔膠帶保護除引腳基座四個側(cè)面以外的所有區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的一種引腳基座的加工工藝,其特征在于:所述的局部陽極氧化為:a)經(jīng)過保護處理的引腳基座再次放入陽極氧化處理槽中,對其裸露在保護外部的四個側(cè)面進行陽極氧化處理。
全文摘要
一種引腳基座的加工工藝,包括以下步驟1)下料,2)加工需要陽極氧化處理的孔,3)陽極氧化處理,4)去應力熱處理,5)外形尺寸精加工,6)保護,7)局部陽極氧化。本發(fā)明的能確保引腳基座加工精度,減少了陽極氧化處理引起變形,便于引腳基座上安裝芯片引腳。
文檔編號C25D11/04GK103147107SQ20131007204
公開日2013年6月12日 申請日期2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月6日
發(fā)明者游利, 馮昌延 申請人:靖江先鋒半導體科技有限公司
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