本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于增大電化學(xué)沉積速率的方法。

背景技術(shù)：

在電化學(xué)沉積中，電鍍速率由多種因素控制，包括例如電流以及將鍍?cè)趯l(fā)生電鍍的位置的金屬離子的濃度。無論所施加的電流如何，將鍍的金屬離子的濃度都是控制因素。

極限電流密度是在其他不期望的影響發(fā)生之前將發(fā)生期望反應(yīng)的最大電流。因超出極限電流密度造成的不期望的影響包括但不限于因另外的反應(yīng)造成的枝狀沉積物、瘤狀物形成以及氣體逸出。

因此，需要增大反應(yīng)物質(zhì)在將發(fā)生電鍍的位置處的可用性，以便增大電鍍速率。本公開案的實(shí)施方式旨在滿足這些以及其他需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明內(nèi)容被提供以用來以簡(jiǎn)化的形式介紹以下具體實(shí)施方式中更詳細(xì)描地述的一些構(gòu)思。發(fā)明內(nèi)容并不意圖標(biāo)識(shí)要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征，也不用來幫助確定要求保護(hù)的主題的范圍。

根據(jù)本公開案的一個(gè)實(shí)施方式，提供一種用于電化學(xué)處理微特征工件的方法，其中所述工件具有第一表面和第二表面以及第一端部和第二端部。所述方法包括：使所述微特征工件的第一表面與電鍍腔室中的電鍍電解液接觸，其中所述電鍍電解液包括至少一種金屬離子；使所述電鍍電解液從所述工件的第一端部處的第一電鍍電解液入口越過所述工件的中點(diǎn)向所述工件的第二端部處的第二電鍍電解液出口流動(dòng)；以及將所述至少一種金屬離子電化學(xué)沉積到所述工件的所述第一表面上。

根據(jù)本公開案的另一實(shí)施方式，提供一種用于電化學(xué)處理微特征工件的方法，所述工件具有相對(duì)的第一表面和第二表面。所述方法包括：使所述微特征工件的第一表面與電鍍電解液接觸，所述電鍍電解液具有至少一種金屬離子；使用加熱方法對(duì)所述工件的所述第二表面進(jìn)行加熱；以及將所述至少一種金屬離子電化學(xué)沉積到所述工件的所述第一表面上。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述電鍍電解液可以是陰極電解液，并且所述電鍍電解液腔室可以是陰極電解液腔室。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，可以將所述電解液從電解液腔室泵送到所述第一電鍍電解液入口。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述電解液腔室可以包括加壓氣室區(qū)域。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述電解液在所述入口處可以具有大于50毫米/秒的流動(dòng)速率。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述電解液在所述出口處可以具有大于50毫米/秒的流動(dòng)速率。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述電解液可以具有從所述工件的所述第一端部到所述工件的所述第二端部基本上單向的流型(flow pattern)。

根據(jù)本文所述方法中的任何內(nèi)容，所述電解液可以在約5°至約10°范圍內(nèi)的角度撞擊(impinge)到所述工件的所述第一表面。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述方法可進(jìn)一步包括：使所述電鍍電解液從多個(gè)第二電鍍電解液入口以與從所述第一入口到所述第一出口的所述電鍍電解液的流型基本上平行的流型流向一或多個(gè)第二電鍍電解液出口。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述方法可進(jìn)一步包括：使用加熱方法對(duì)所述工件的所述第二表面進(jìn)行加熱。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述加熱可以在90℃至200℃的范圍內(nèi)。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，所述加熱方法可以選自由以下項(xiàng)組成的組：直接傳導(dǎo)加熱、對(duì)流加熱、離子加熱和輻照。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，直接傳導(dǎo)加熱可以選自由以下項(xiàng)組成的組：與受熱(heated)真空卡盤直接接觸和與受熱墊直接接觸。

根據(jù)本文所述方法中的任何方法，對(duì)流加熱可以包括使熱空氣流過所述工件的所述第二表面。

附圖說明

結(jié)合附圖，參考以下具體實(shí)施方式，將更容易了解并更好地理解本公開案的前述方面和許多伴隨優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1A和圖1B是示出根據(jù)本公開案的實(shí)施方式的具有電解液流型的電鍍單元中的工件的內(nèi)部視圖的示意圖；

圖1C是圖1A和圖1B的工件上的特征結(jié)構(gòu)的特寫示意圖，該圖示出特征結(jié)構(gòu)中的電解液流型；

圖2是示出根據(jù)本公開案的另一實(shí)施方式的電鍍單元中的具有電解液流型的工件的內(nèi)部視圖的示意圖；

圖3是示出根據(jù)本公開案的另一實(shí)施方式的電鍍單元中的具有電解液流型的工件的內(nèi)部視圖的示意圖；

圖4A是示出根據(jù)本公開案的另一實(shí)施方式的電鍍單元中的具有背面加熱以及電解液流型的工件的內(nèi)部視圖的示意圖；

圖4B是圖4A和圖1B的工件上的特征結(jié)構(gòu)的特寫示意圖，該圖表明特征結(jié)構(gòu)中的溫度梯度；

圖5是示出在變化溫度下銅電解液浴的旋轉(zhuǎn)圓盤電極(RDE)極限電流的數(shù)據(jù)圖形表示；

圖6是示出在變化的溫度和攪拌速度下銅電解液浴的RDE極限電流的數(shù)據(jù)圖形表示；以及

圖7是示出在變化攪拌速度下銅電解液浴的RDE極限電流的數(shù)據(jù)圖形表示。

具體實(shí)施方式

本公開案的實(shí)施方式涉及用于通過增大傳遞到反應(yīng)表面的質(zhì)量來增大微電子工件(microelectronic workpiece)上的極限電流密度(并且由此，增大最大電鍍速率)的系統(tǒng)和方法。影響金屬在特征結(jié)構(gòu)中的沉積的因素包括但不限于電流密度、浴中金屬離子濃度、凹槽開口大小、被電鍍的凹槽深度、浴添加劑的類型和濃度、浴的攪拌和浴的溫度。這些因素在下文中更詳細(xì)地描述。本文所述方法涉及用于改進(jìn)攪拌和電鍍界面溫度的工藝參數(shù)。

本公開案的實(shí)施方式涉及用于處理工件(比如半導(dǎo)體晶片)的方法、用于處理工件的裝置或處理組件及其處理方法。術(shù)語“工件”、“晶片”和“半導(dǎo)體晶片”表示任何平坦的媒介或制件，包括半導(dǎo)體晶片和其他基板或晶片、玻璃、掩模以及光學(xué)媒介或存儲(chǔ)媒介、MEMS基板、或具有微電、微機(jī)械或微機(jī)電器件的任何其他工件。

本文所述方法將會(huì)用于將金屬或金屬合金沉積在工件的特征結(jié)構(gòu)(包括溝槽和過孔)中。在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，這些工藝可用于小特征結(jié)構(gòu)，例如，在5至10微米厚的掩模膜中具有寬度為1至2微米和電鍍厚度為1至2微米的特征結(jié)構(gòu)臨界尺寸的特征結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施方式中，這些工藝可用于大特征結(jié)構(gòu)，例如，具有達(dá)250微米的深度的特征結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施方式中，這些工藝可用于具有在1至20范圍內(nèi)的深寬比的特征結(jié)構(gòu)。然而，本文所述工藝也適用于任何特征結(jié)構(gòu)大小。本申請(qǐng)案中論述的尺寸大小可為特征結(jié)構(gòu)頂部開口處的蝕刻后的特征結(jié)構(gòu)尺寸。

本文所述工藝可應(yīng)用于各種形式的銅、鈷、鎳、金、銀、錳、錫、鋁和合金沉積，例如，應(yīng)用在鑲嵌或封裝應(yīng)用中。本文所述工藝還可經(jīng)改進(jìn)以用于在高深寬比特征結(jié)構(gòu)中的金屬或金屬合金沉積(例如，硅穿孔(TSV)特征結(jié)構(gòu)中的通孔)。

如本文所用的描述性的術(shù)語“微特征工件”和“工件”可以包括先前在處理過程中在給定點(diǎn)處沉積和形成的所有結(jié)構(gòu)和層，而不僅僅限于附圖描繪或本申請(qǐng)案描述的那些結(jié)構(gòu)和層。

雖然在本申請(qǐng)案中一般被描述為金屬沉積，但是術(shù)語“金屬”也涵蓋了金屬合金以及共沉積的金屬。此類金屬、金屬合金和共沉積的金屬可用來形成種晶層，或完全或部分地填充特征結(jié)構(gòu)。示例性的共沉積的金屬和銅合金可包括但不限于銅錳和銅鋁。作為非限制性實(shí)例，在共沉積的金屬和金屬合金中，次要合金金屬所占合金組分比率可為在約0.5％至約6％的范圍內(nèi)。

參考圖1A至圖1C，提供了根據(jù)本公開案的實(shí)施方式的示例性電鍍工藝中的工件102。參考圖1A，工件102包括基板110、選擇性阻擋層112和種晶層114。在電化學(xué)沉積腔室中，電壓在工件102上施加相對(duì)于陽極104的陰極電位。

金屬互連的常規(guī)制造可包括將阻擋層112適當(dāng)沉積在基板110介電材料上，以防止銅擴(kuò)散到介電材料中。合適的阻擋層包括例如鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、錳(Mn)、氮化錳(MnN)等等。阻擋層通常用于將銅或銅合金與介電材料隔離。

種晶層114可以沉積在阻擋層112上。該種晶層可以使用PVD沉積技術(shù)進(jìn)行沉積。作為另一非限制性實(shí)例，種晶層可以是銅合金種晶層，比如銅錳、銅鈷或銅鎳合金。還可以通過使用其他沉積技術(shù)(比如CVD或ALD)形成種晶層。

在種晶層114已經(jīng)沉積后，可以在電化學(xué)沉積腔室中執(zhí)行ECD鍍。參考圖1C，工件102的第一表面114上的特征結(jié)構(gòu)124可以例如使用酸性電鍍化學(xué)品或堿性電鍍化學(xué)品進(jìn)行電鍍。ECD填充通常是自下而上的間隙填充、超填充、保形或超保形鍍，其目標(biāo)均為基本無隙填充。

當(dāng)溶液中的金屬離子在鍍層界面處與電子結(jié)合時(shí)，電鍍發(fā)生。最初，金屬離子沉積在種晶層上，接著隨后另外分子的沉積物鍍?cè)谙惹八练e的金屬頂部上。當(dāng)金屬離子沉積時(shí)，電鍍界面處的金屬離子濃度將會(huì)耗盡。當(dāng)金屬離子從體電鍍電解液向電鍍界面擴(kuò)散時(shí)，邊界層處的金屬離子濃度得到補(bǔ)充。擴(kuò)散部分地由濃度梯度驅(qū)動(dòng)。因此，通過維持體電鍍電解液中的高金屬離子濃度，金屬離子將會(huì)更容易擴(kuò)散到電鍍界面。然而，對(duì)該電解液中的金屬離子量存在物理限制。另外，擴(kuò)散會(huì)受特征結(jié)構(gòu)的深度和/或深寬比影響。

某些添加劑(例如，抑制劑、加速劑或勻平劑)可有助于促進(jìn)離子物種轉(zhuǎn)移至反應(yīng)表面。添加劑被廣義地描述為加速劑、抑制劑和勻平劑。雖然主要用于在電鍍過程中改變膜的形態(tài)(比如限制空隙形成和決定粒度以及膜光潔度)，但是它們也可影響極限電流密度。

隨著金屬離子濃度增大、擴(kuò)散常數(shù)增大或擴(kuò)散邊界層減小，極限電流密度線性增大。由于無法在電鍍電解液中大范圍地操控溶液中的金屬離子的擴(kuò)散常數(shù)和濃度，因此根據(jù)本公開案的實(shí)施方式用于使極限電流密度增大的方法主要減小擴(kuò)散邊界層。穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散邊界層由工件表面上的流體動(dòng)力條件限定，并且能通過經(jīng)由熱量和/或質(zhì)量傳遞增大電解液流動(dòng)而減小。

根據(jù)本公開案的一個(gè)實(shí)施方式，攪拌用于增大金屬離子到反應(yīng)界面的大量傳遞，使其超過通過擴(kuò)散來實(shí)現(xiàn)的質(zhì)量傳遞。攪拌能減小金屬離子擴(kuò)散通過的邊界層，具體取決于攪拌類型以及特定工件的幾何形狀。例如，當(dāng)將金屬沉積在未圖案化工件上時(shí)攪拌電鍍電解液能有效地減小該邊界層，相比之下，當(dāng)將金屬沉積在具有小幾何形狀和/或高深寬比的特征結(jié)構(gòu)中時(shí)，擴(kuò)散可為比攪拌更有效的傳遞機(jī)制。特征結(jié)構(gòu)大小界定產(chǎn)物和反應(yīng)物從反應(yīng)界面交換到體電鍍電解液所要穿過的限制(restriction)。

先前所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)通常使用緊鄰工件的槳攪拌器(paddle agitator)，這種槳攪拌器具有與工件近似相同的直徑。槳設(shè)計(jì)用于使得電鍍電解液產(chǎn)生位移，以使電鍍電解液移動(dòng)跨過工件表面。漿可附接到移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以提供短的快速的來回行程(stroke)。槳的速度可以在約50至約500毫米/秒的范圍內(nèi)，其中加速度最高達(dá)速度的10倍或50至5000毫米/秒^2。

快速來回行程阻止電解液定向流過工件表面。因此，槳傾向于更像“混合器”而非向流體賦予速度的裝置那樣作用。雖然混合幫助促進(jìn)電解液的某些優(yōu)點(diǎn)，比如膜成分的均勻性，但是混合在促進(jìn)極限電流增大方面的益處有限。

用槳系統(tǒng)的情況下，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)特征結(jié)構(gòu)中的攪拌顯著少于槳附近實(shí)現(xiàn)的攪拌。另外，槳的不斷反轉(zhuǎn)(reversal)阻止在鍍?cè)≈袑?shí)現(xiàn)真正的單向體流動(dòng)速度。

根據(jù)本公開案的一個(gè)實(shí)施方式，參考圖1A和圖1B，電鍍電解液106從一或多個(gè)電解液入口118以基本單向速度分布流向一或多個(gè)電解液出口120，如圖1B所示。該速度分布是通過從工件的一個(gè)端部到工件的另一端部的高速、基本上單向的電解液流型實(shí)現(xiàn)的。如從圖1B所示的實(shí)施方式可以看出，在相鄰的入口和出口之間的流型是基本平行的。

在電解液入口118處，電解液流122被引入到電鍍腔室中而緊鄰工件102的前緣(leading edge)。入口118可以具有近似等于待電鍍的工件的寬度的高度(例如，具有在從0.5mm至5mm的范圍內(nèi)的高度)，或者說是可以具有近似等于工件的弦寬的高度。入口118可以具有矩形形狀或者其他截面形狀，并且還可以遵循流被引入到的工件102的前緣的輪廓的方式成形。

在電解液出口120處，電解液流122被引入到電鍍腔室中而緊鄰工件102的邊緣。出口120可以具有近似等于待電鍍的工件的寬度的高度(例如，具有從0.5mm至5mm的范圍內(nèi)的高度)，或者說是可以具有近似等于工件的弦寬的高度。出口120可以具有矩形形狀或者其他截面形狀，并且還可以遵循流122所流過的工件102的邊緣的輪廓的方式成形。

在圖1A的所示實(shí)施方式中，電鍍單元包括滲透膜116，比如離子滲透膜，以將電鍍電解液分成陽極電解液108和陰極電解液106。因此，陰極電解液106通過入口118和出口120流過腔室。離子滲透膜116用于將陽極電解液108和陰極電解液106隔開，以使陽極電解液108有不同于陰極電解液106的化學(xué)特性和性質(zhì)。

在其他實(shí)施方式中，電鍍單元不包括用于將電解液分成陰極電解液池和陽極電解液池的膜(參見例如圖3)。在圖3所示的實(shí)施方式中，電解液306通過入口318和出口320流過腔室。

本公開案的實(shí)施方式涉及用于在工件102的表面上的電解液106的流中產(chǎn)生真實(shí)速度分布以導(dǎo)致在工件的特征中的質(zhì)量傳遞增加的方法。參考圖1C，工件上的特征124的特寫視圖示出由于圖1A和圖1B中的電解液106的速度分布而造成的特征124中的混合。與先前所設(shè)計(jì)的槳攪拌相比，本申請(qǐng)案中描述的單向的流體流提供使特征中的混合增強(qiáng)的有利效果。

雖然槳式攪拌器由于槳片頂端處產(chǎn)生的渦流而能有效進(jìn)行混合，但是槳式攪拌器并未在體流體中產(chǎn)生等同攪拌器運(yùn)動(dòng)的流體運(yùn)動(dòng)。流體慣性、攪拌器與電鍍表面之間形成“泄漏路徑”的間隙的需要、以及攪拌器方向的反轉(zhuǎn)并不允許流體加速和實(shí)現(xiàn)與槳所實(shí)現(xiàn)的相同速度。相比之下，將電解液注入受約束空間(constrained space)中能被配置成使流體流基本平行于晶片表面，并且橫跨晶片表面維持恒定速度，其中電鍍表面形成流體路徑的一個(gè)約束邊界。然后，金屬離子擴(kuò)散通過的邊界層變成速度的函數(shù)，而非攪拌器運(yùn)動(dòng)分布的函數(shù)。受約束空間中的整體流體在一定速度下，并且橫跨表面是基本均勻的。

根據(jù)本公開案的一個(gè)實(shí)施方式，在工件的第一端部處經(jīng)過工件表面的電解液速度可大于50毫米/秒、大于100毫米/秒、大于150毫米/秒或大于200毫米/秒。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)高達(dá)800毫米/秒的實(shí)際速度。因此，在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，在工件的第一端部處經(jīng)過工件表面的電解液的速度可在100至800毫米/秒的范圍內(nèi)。

在工件的第二端部處經(jīng)過工件表面的電解液的速度可在大于50毫米/秒、大于100毫米/秒、大于150毫米/秒、大于200毫米/秒的類似范圍內(nèi)，或者在100至800毫米/秒的范圍內(nèi)。速度上的任何減小均歸因于工件周邊處的流動(dòng)損失。

用于實(shí)現(xiàn)這樣的流速的系統(tǒng)可包括泵、加壓裝置、或真空抽吸器。在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)包括泵，所述泵用于將電解液從電解液貯存器通過入口118泵送到電鍍腔室并通過出口120泵送回電解液貯存器。在本公開案的另一實(shí)施方式中，系統(tǒng)包括用于從氣室區(qū)泵送電解液的泵。

除了增強(qiáng)特征結(jié)構(gòu)中的混合效果之外，電解液還能夠以更快速率循環(huán)，并且由此維持更恒定的金屬離子濃度。例如，在典型系統(tǒng)中，陰極電解液槽以約4升/分鐘的速率循環(huán)，約每分鐘具有約一個(gè)反應(yīng)器容積交換。利用根據(jù)本公開案的實(shí)施方式的示例性高速流，陰極電解液槽可以約18至72升/分鐘的速率循環(huán)，由此比先前所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)更快地交換反應(yīng)器容積。

如從圖2所示的實(shí)施方式看出，根據(jù)本公開案的另一實(shí)施方式的示例性系統(tǒng)可包括在電解液入口218處的一或多個(gè)噴嘴224，用以引導(dǎo)電解液經(jīng)過工件202的表面。

除了定向經(jīng)過工件之外，電解液流體流還可以一撞擊角度撞擊在工件表面上(參見圖2)。在一個(gè)非限制性實(shí)例中，該撞擊角度可在約5°至約10°的范圍內(nèi)。

除了增強(qiáng)的混合之外，增大體電鍍電解液的溫度能具有有助于驅(qū)動(dòng)到電鍍表面界面的擴(kuò)散的有利效果。然而，浴加熱可能對(duì)電解液內(nèi)的添加劑產(chǎn)生不利影響。因此，一般來說，電解液加熱參數(shù)通常在受控限度內(nèi)。

參考圖4A和圖4B，提供本公開案的另一實(shí)施方式。根據(jù)這個(gè)實(shí)施方式，工件402在工件的第二表面410上經(jīng)受背面加熱。背面加熱在工件的特征結(jié)構(gòu)424的底部處的電鍍表面T1(例如，65℃)與場(chǎng)(field)T2(例如，35℃)之間形成溫差。

如上所述，根據(jù)本公開案的一個(gè)實(shí)施方式，對(duì)工件的背面加熱可用于進(jìn)一步增大電鍍速率。背面加熱可替代上述電解液流方法或作為其補(bǔ)充方法使用。根據(jù)本公開案的實(shí)施方式，能加熱工件的背面表面以增大特征結(jié)構(gòu)中的浴溫度，但不增大總浴溫度。

在背面加熱中，在特征結(jié)構(gòu)中的流體中實(shí)現(xiàn)加熱梯度，但是流體主體維持于較低溫度。因此，電鍍表面界面處溫度的增大能有助于驅(qū)動(dòng)金屬離子擴(kuò)散到界面，而不使體流體的溫度不利地增大。

在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，特征結(jié)構(gòu)中的凹槽底部的流體溫度可比特征結(jié)構(gòu)外的體流體溫度暖至少約20℃。在本公開案的另一實(shí)施方式中，特征結(jié)構(gòu)中的凹槽底部的流體溫度可比特征結(jié)構(gòu)外的體流體的溫度暖至少約30℃。在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，特征結(jié)構(gòu)中凹槽底部的流體溫度可在約60℃至約90℃的范圍內(nèi)。在本公開案的一個(gè)實(shí)施方式中，特征結(jié)構(gòu)外的體流體的溫度可在約35℃至約50℃的范圍內(nèi)。

用于工件背面的加熱方法可為直接傳導(dǎo)加熱、對(duì)流加熱、離子加熱或輻照。直接傳導(dǎo)加熱可為例如與受熱真空卡盤直接接觸或者與受熱墊直接接觸。對(duì)流加熱可包括例如使熱空氣流過工件的第二表面。

除了背面加熱之外，還能夠?qū)w電解液(bulk electrolyte)施加冷卻，以防止浴劣化。

實(shí)例1：

RDE極限電流對(duì)溫度

通過將圖案化硅工件貼附到熱沉(heat-sink)來測(cè)試背面加熱構(gòu)思。旋轉(zhuǎn)圓盤電極(RDE)浸入具有在溶液中的來自硫酸銅的約63g/l(1M)Cu的銅鍍?cè)　?0℃的流體循環(huán)通過熱沉，并且圖案化的工件浸入鍍?cè)　２煌瑯颖驹诃h(huán)境溫度和升高的樣本溫度這兩者下以不同的電流電鍍。圖5中的結(jié)果表明隨著溫度增大，極限電流密度增大。

在環(huán)境溫度下，當(dāng)在約75微米×120微米(光刻膠深度對(duì)直徑)的光刻膠過孔內(nèi)電鍍時(shí)，在約3至3.5微米/分鐘的電鍍速率下開始發(fā)生瘤狀物形成。

實(shí)例2：

RDE極限電流對(duì)旋轉(zhuǎn)速度和溫度

圖6示出表示其中溫度和旋轉(zhuǎn)速度均變化的旋轉(zhuǎn)圓盤電極(RDE)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的數(shù)據(jù)。測(cè)試在0RPM、5RPM、25RPM和100RPM的旋轉(zhuǎn)速度下進(jìn)行。結(jié)果顯示，在5和25的低RPM值下，極限電流密度隨旋轉(zhuǎn)速度增大而略微增大。在100RPM的較高旋轉(zhuǎn)速度下，結(jié)果顯示階躍函數(shù)式(step-function)增大。

實(shí)例3：

RDE極限電流對(duì)旋轉(zhuǎn)速度

圖7更詳細(xì)地示出表示相對(duì)流體速度的影響的數(shù)據(jù)。槳的當(dāng)前“技術(shù)狀態(tài)”參數(shù)為以200毫米/秒的速度以及8000毫米/秒^2的加速度操作。旋轉(zhuǎn)圓盤電極(RDE)試樣以基本線性射流運(yùn)行，并且在觀察到瘤狀物形成之前電鍍速率從3至3.5微米/分鐘增大到大于10至15微米/分鐘，瘤狀物形成表明已經(jīng)超出極限電流。這種增大通過使高速射流以～183毫米/秒的流速掃過試樣表面而實(shí)現(xiàn)。射流接近槳速度的范圍，但是比槳速度實(shí)現(xiàn)更好的結(jié)果，因?yàn)樯淞鞅憩F(xiàn)出使電鍍?cè)【哂姓嬲膯蜗蝮w流體速度。晶片表面上的真正速度分布導(dǎo)致質(zhì)量傳遞增大，甚至導(dǎo)致到限制性特征結(jié)構(gòu)中的質(zhì)量傳遞的增大，從而使得電鍍速率顯著增大。

雖然已示出并描述例示性的實(shí)施方式，但是可在不背離本公開案的精神和范圍的情況下，在這些實(shí)施方式中做出各種修改。