本發(fā)明涉及陶瓷電子部件的制造方法以及陶瓷電子部件，特別是涉及陶瓷電子部件的電極的形成。
背景技術(shù)：
：以往，陶瓷電子部件的外部電極的形成方法一般在燒結(jié)完畢的陶瓷坯體的兩端面涂覆電極糊，烘焙而形成基底電極后，通過電鍍處理在該基底電極上形成上層電極。然而，在該方法中，基底電極的形成需要糊的涂覆工序和伴隨著烘焙的加熱工序，因此存在導(dǎo)致制造工序的復(fù)雜化以及成本上升的問題。另外，在基底電極的形成中涂覆導(dǎo)電糊時，存在其涂覆形狀被制約的問題。例如在立方體形狀的陶瓷坯體的兩端部利用浸涂法形成導(dǎo)電糊的情況下，導(dǎo)電糊不僅在陶瓷坯體的兩端面，也繞到與兩端面鄰接的四個側(cè)面而進行涂覆。因此，最終形成的外部電極成為擴張至兩端面以及與其鄰接的四個側(cè)面的形狀。取代這樣的以往的電極形成方法，提出有僅利用電鍍處理而形成外部電極的方法(專利文獻1)。該方法使內(nèi)部電極的多個端部彼此接近陶瓷坯體的端面而露出，并使被稱為錨標簽(Anchortab)的虛擬端子接近與內(nèi)部電極的端部相同的端面而露出，對陶瓷坯體進行無電解電鍍，由此將這些內(nèi)部電極的端部與錨標簽作為核而使電鍍金屬生長，形成外部電極。然而，在該方法中，必須在陶瓷坯體的外部電極形成部分使多個內(nèi)部電極的端部與錨標簽接近而露出，從而存在制造工序復(fù)雜，導(dǎo)致成本上升的缺點。另外，形成電鍍金屬的面被內(nèi)部電極的端部與錨標簽露出的面制約，因此無法在任意的部分形成外部電極。另一方面，專利文獻2、3、4公開有，在構(gòu)成電感器的鐵素體的全表面形成電極后，照射激光而燒斷電極由此形成線圈圖案的方法。此時，激光的熱不僅波及電極還波及處于其下側(cè)的鐵素體，鐵素體的一部分的性質(zhì)發(fā)生變化，從而使導(dǎo)體化或者低電阻化(參照專利文獻2的段落0005、專利文獻3的段落0004、專利文獻4的段落0005)。但是，這些文獻中只公開有照射激光而燒斷電極，并記載有激光的熱給作為電感器的特性帶來負面影響。專利文獻1：日本特開2004-40084號公報專利文獻2：日本特開2000-223342號公報專利文獻3：日本特開2000-243629號公報專利文獻4：日本特開平11-176685號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的目的在于提出利用簡單的方法能夠在燒結(jié)完畢陶瓷坯體的表面的任意的部分形成電極的制造方法以及利用該方法制造的陶瓷電子部件。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供具備以下工序的陶瓷電子部件的制造方法。A：準備含有金屬氧化物的燒結(jié)完畢陶瓷坯體的工序；B：通過對陶瓷坯體的表面的電極形成區(qū)域進行局部加熱，形成使上述陶瓷坯體的一部分低電阻化的低電阻部的工序；以及C：通過在上述陶瓷坯體進行電鍍處理，使成為電極的電鍍金屬在上述低電阻部上析出，并使上述電鍍金屬以擴展至電極形成區(qū)域整體的方式生長的工序。本發(fā)明著眼于以下方面，通過對燒結(jié)完畢陶瓷坯體的表面的電極形成區(qū)域進行局部加熱，使該加熱部分低電阻化或者導(dǎo)體化，通過對該陶瓷坯體進行電鍍處理，能夠使低電阻部成為電鍍金屬的析出起點。低電阻部(或者導(dǎo)體部)是指通過局部加熱使構(gòu)成陶瓷坯體的金屬氧化物質(zhì)變，比該金屬氧化物電阻值低的部分。若對局部加熱的陶瓷坯體進行電鍍處理，則電鍍金屬首先在低電阻部析出，電鍍金屬以該析出的電鍍金屬作為核迅速生長，由此能夠高效地形成覆蓋電極形成區(qū)域整體的電極。因此，不需要以往那樣的導(dǎo)電糊的涂覆、烘焙之類的復(fù)雜的工序，使電極的形成工序變簡易。并且，不需要如專利文獻1那樣使多個內(nèi)部電極、錨標簽接近陶瓷坯體的端面而露出，因此對電極的形狀沒有制約，而且制造工序簡單化，能夠減少成本。低電阻部也可以包括將陶瓷坯體所包含的金屬氧化物的一部分還原而成的還原層。金屬氧化物的一部分還原，從而將金屬氧化物導(dǎo)體化或者半導(dǎo)體化，容易使電鍍金屬析出。并且，也可以成為還原層的表層的一部分或者全部被再氧化層覆蓋的結(jié)構(gòu)。在形成了再氧化層的情況下，對處于下層的還原層的氧化進行抑制，并且具有能夠抑制再氧化層本身的相對于時間的變化的效果。另外，再氧化層是一種半導(dǎo)體，電阻值比作為絕緣體的金屬氧化物低，因此電鍍金屬容易在再氧化層上析出。此外，再氧化層被形成為例如nm級的薄膜狀，因此存在用于電解電鍍的介質(zhì)球與再氧化層接觸使再氧化層的一部分剝離，或者電鍍液侵蝕再氧化層內(nèi)，在處于再氧化層下的還原層上進行電鍍的可能性。本發(fā)明的電極只要是被形成于陶瓷坯體的表面的電極，不局限于外部電極，可以是任意的電極。例如，可以是螺旋狀電極、布線電極。作為局部的加熱方法，例如存在激光照射、電子束照射、或者使用聚焦爐(imagefurnace)的局部加熱等各種方法。其中，激光照射在迅速改變激光相對于陶瓷坯體的照射位置的方面有利。本發(fā)明中僅對電極形成區(qū)域進行局部加熱，并進行電鍍處理，因此能夠在任意的部分形成電極。例如，在使用以往的導(dǎo)電糊的方法中，形成異形電極即在兩端面與同該兩端面鄰接的一個側(cè)面(側(cè)視L字形的)形成外部電極、或者以隔開間隔的方式在一個側(cè)面形成多個外部電極是困難的，本發(fā)明中這樣的任意的形狀的外部電極也能夠簡單地形成。局部加熱可以僅在陶瓷坯體的表層部，因此對作為陶瓷電子部件(例如電感器)的特性不會帶來實際的影響。作為電鍍處理的方法，電解電鍍、無電解電鍍均可以，但優(yōu)選電解電鍍法。即，電解電鍍法中作為電鍍的對象物需要導(dǎo)電性。通過本發(fā)明方法形成的低電阻部具有導(dǎo)電性，因此在電解電鍍時在低電阻部流動的電流密度比其他部分高，電鍍金屬迅速地在低電阻部析出。在以往的電鍍法中，在未欲對陶瓷坯體的一部分實施電鍍的情況下，需要在該部分預(yù)先涂布防止電鍍材料。本發(fā)明中，電鍍電極以低電阻部作為核在電極形成區(qū)域迅速擴張，相對于此，電極形成區(qū)域以外的部分是絕緣性的，沒有成為核的導(dǎo)電部分，因此電鍍電極的生長速度慢。因此，不涂布防止電鍍材料，也能夠使電鍍金屬在電極形成區(qū)域選擇性地生長。另外，通過電解電鍍被形成于低電阻部的電鍍金屬的厚度比其他部分厚，因此具有電鍍電極相對于陶瓷坯體的固定強度高的優(yōu)點。本發(fā)明也能夠在具有內(nèi)部電極的電子部件中應(yīng)用。例如也可以相對于立方體形狀的陶瓷坯體，在內(nèi)部電極的端部露出的面通過激光照射等形成低電阻部，通過電鍍處理以覆蓋內(nèi)部電極的端部的方式形成外部電極。只要是能夠激光加工等局部加熱的面，能夠在任意的面形成電極。例如，也能夠不在寬度方向兩側(cè)面形成電極。對于不在寬度方向兩側(cè)面形成外部電極的電子部件而言，在高密度安裝該電子部件的情況下，能夠確保與在寬度方向上鄰接的電子部件之間的絕緣距離，能夠減少短路的風(fēng)險。因此，能夠進行進一步的高密度安裝。并且，在僅在陶瓷坯體的下表面(底面)形成外部電極的情況下，僅在底面安裝，因此能夠進一步減少與周圍的電子部件的短路的產(chǎn)生風(fēng)險。本發(fā)明在例如繞線型線圈部件也能夠應(yīng)用。即，也可以構(gòu)成為，陶瓷坯體是在兩端部具有凸緣部，在其間具有卷芯部的鐵素體芯部，在鐵素體芯部的卷芯部通過激光加工等形成線圈形狀的低電阻部，在芯部的凸緣部通過激光加工等形成外部電極形狀的低電阻部，線圈形狀的低電阻部與外部電極形狀的低電阻部連接，在線圈形狀的低電阻部上與外部電極形狀的低電阻部上連續(xù)地形成電鍍電極。此時，線圈部與外部電極部均能夠通過激光加工等形成，因此制造進一步簡單。此外，通過對激光強度進行調(diào)整等的方法，也能夠使線圈部的電極比外部電極厚。另外，也可以構(gòu)成為，陶瓷坯體是在兩端部具有凸緣部，在其間具有卷芯部的鐵素體芯部，在卷芯部的周面卷繞有導(dǎo)線，在凸緣部的表面分別形成低電阻部，在凸緣部的低電阻部上分別形成由電鍍金屬構(gòu)成的電極，電極與導(dǎo)線的兩端部連接。此時，卷線部由金屬線形成，因此磁效率高，并且外部電極能夠成為本發(fā)明的較薄的電極，因此能夠?qū)崿F(xiàn)渦流損失少、高Q值的電感器。在作為局部加熱的方法使用激光的情況下，激光能量在狹窄的區(qū)域集中，因此陶瓷坯體的一部分熔融和凝固，在陶瓷坯體的表面形成線狀或者點狀的激光照射痕，在其周圍附近形成低電阻部。激光照射痕以及低電阻部的深度、寬度可通過激光的照射能量(波長、輸出等)來調(diào)整。在低電阻部析出的電鍍金屬沿著凹狀的激光照射痕的內(nèi)壁固定，因此通過其錨栓效果能夠提高電鍍金屬(電極)相對于陶瓷坯體的固定強度。為了使低電阻部幾乎不存在間隙，也可以將激光密集地照射于電極形成區(qū)域。此時，低電阻部也連續(xù)地形成，因此電鍍金屬迅速析出/生長，能夠縮短電鍍處理時間。此外，“密集地照射”是指激光照射的光斑中心的間隔與低電阻部的展寬相等或者比其窄。即，在將激光照射的光斑中心的間隔設(shè)為D，將光斑的直徑(低電阻部的展寬)設(shè)為W的情況下，D≤W。在如上述那樣在電極形成區(qū)域密集地照射激光的情況下，需要多次發(fā)射次數(shù)，花費加工時間。因此，也可以在電極形成區(qū)域以隔開規(guī)定距離的方式分散地照射激光，由此在電極形成區(qū)域分散形成多個低電阻部，以在低電阻部上析出的電鍍金屬作為核生長，繼續(xù)電鍍處理直至電鍍金屬彼此相互連接。此處，“分散照射”是指激光照射的光斑中心的間隔比低電阻部的展寬更寬。即，在將激光照射的光斑中心的間隔設(shè)為D，將光斑的直徑(低電阻部的展寬)設(shè)為W的情況下，D＞W(wǎng)。電鍍處理的優(yōu)點是若電鍍金屬在一部分析出，則電鍍金屬將該部分作為核向周圍迅速生長。利用該優(yōu)點，電鍍金屬在多個分散的低電阻部析出后，將此作為核使電鍍金屬也向低電阻部以外的區(qū)域生長，因此能夠遍及電極形成區(qū)域的全域形成均質(zhì)的電極。因此，不密集地照射激光也能夠形成質(zhì)量優(yōu)良的電極，能夠縮短激光加工時間。作為照射激光而能夠低電阻化或者導(dǎo)體化的代表的陶瓷材料，存在鐵素體。鐵素體是以氧化鐵為主要成分的陶瓷，例如有尖晶石鐵素體、六方晶鐵素體、石榴石鐵素體等。若對鐵素體照射激光，則照射部分成為高溫，具有絕緣性的鐵素體的表層部分質(zhì)變而具有導(dǎo)電性。用于電感器的鐵素體例如有Ni-Zn系鐵素體、Ni-Cu-Zn系鐵素體等。在Ni-Zn系鐵素體的情況下，可認為通過激光照射使鐵素體所包含的Fe的一部分還原，而且存在Ni和/或Zn也還原的可能性。在Ni-Cu-Zn系鐵素體的情況下，可認為鐵素體所包含的Fe和/或Cu還原，而且存在Ni和/或Zn也還原的可能性。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，對燒結(jié)完畢陶瓷坯體的電極形成區(qū)域進行局部加熱而形成低電阻部，對該陶瓷坯體進行電鍍處理，由此使電鍍金屬在低電阻部上析出，使該電鍍電極在電極形成區(qū)域全域生長，因此能夠通過簡單的方法形成電極。另外，只要是能夠局部加熱的區(qū)域能夠在任意的部分形成電極，因此能夠簡單地形成任意形狀的電極。附圖說明圖1是本發(fā)明的陶瓷電子部件的第一實施例的立體圖。圖2是圖1所示的陶瓷電子部件的分解立體圖。圖3是表示在外部電極形成區(qū)域照射激光的情況的立體圖。圖4是表示外部電極的形成工序的剖視圖。圖5是低電阻部的一個例子的放大剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的陶瓷電子部件的安裝例的圖。圖7是表示外部電極的形成工序的其他例子的剖視圖。圖8是表示本發(fā)明的陶瓷電子部件的幾個實施例的立體圖。圖9是表示作為本發(fā)明的陶瓷電子部件的一個例子的繞線型電感器的圖。圖10是表示本發(fā)明的繞線型電感器的其他例子的圖。圖11是表示作為本發(fā)明的陶瓷電子部件的一個例子的縱向卷繞型線圈部件的圖。圖12是表示作為本發(fā)明的陶瓷電子部件的一個例子的多端子型的電子部件的圖。附圖標記的說明1...陶瓷電子部件；10...陶瓷坯體；20...內(nèi)部電極；21～23...線圈導(dǎo)體；21a、23a...一端部(引出部)；30、31...外部電極；40...激光照射痕；43...低電阻部；44...絕緣區(qū)域；45a...電鍍金屬；45...外部電極；L...激光。具體實施方式圖1示出作為本發(fā)明的陶瓷電子部件的一個例子的片式電感器1。電感器1具備燒結(jié)完畢陶瓷坯體10，在陶瓷坯體10的長度方向兩端部形成有外部電極30、31。如圖1所示，該實施例的電感器1的形狀是與Y軸以及Z軸方向的尺寸相比，X軸方向的尺寸更長的立方體。如圖2所示，通過例如將以Ni-Zn系鐵素體或者Ni-Cu-Zn系鐵素體作為主體的絕緣體層12a～12e層疊并燒結(jié)可得到陶瓷坯體10。絕緣體層12a～12e沿上下方向(Z軸方向)依次層疊。在除去上下兩端的絕緣體層12a、12e的中間的絕緣體層12b～12d上分別形成有構(gòu)成內(nèi)部電極20的線圈導(dǎo)體21～23。這三個線圈導(dǎo)體21～23通過通孔導(dǎo)體24、25彼此連接，作為整體形成為螺旋狀。線圈導(dǎo)體21～23以及通孔導(dǎo)體24、25由Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料形成。線圈導(dǎo)體21的一端部(引出部)21a在陶瓷坯體10的X軸方向的一端面露出，線圈導(dǎo)體23的一端部(引出部)23a在陶瓷坯體10的X軸方向的另一端面露出。此外，該實施例示出線圈導(dǎo)體21～23形成2匝量的線圈的例子，但匝數(shù)是任意的，線圈導(dǎo)體的形狀以及絕緣體層的層數(shù)也能夠任意選擇。另外，不具有線圈導(dǎo)體的絕緣體層12a、12e的層數(shù)也是任意的。如圖1所示，外部電極30、31以覆蓋陶瓷坯體10的X軸方向的兩端面與上表面(安裝時底面)的一部分的方式被形成為側(cè)視L字形。即，在從Y方向觀察陶瓷坯體10時，外部電極30、31分別被形成為L字形。外部電極30與線圈導(dǎo)體23的引出部23a連接，外部電極31與線圈導(dǎo)體21的引出部21a連接。此外，外部電極30、31如后述那樣通過電鍍處理形成，其材料例如使用Cu、Au、Ag、Pd、Ni、Sn等。此外，外部電極30、31本身也可以由多層的電鍍金屬構(gòu)成。圖3示出外部電極30、31形成在陶瓷坯體10上之前，在外部電極形成區(qū)域S1、S2照射激光L的情況。圖3的(a)示出連續(xù)照射激光L并且沿著Y軸方向掃描的例子(或者使陶瓷坯體10沿Y軸方向移動的例子)。此外，掃描方向是任意的，可以是X軸方向(或者Z軸方向)，也可以是之字形狀、環(huán)繞狀。通過激光L的照射，在陶瓷坯體10的表面形成多條線狀的激光照射痕40。此外，圖3的(a)示出以隔開間隔的方式沿X軸方向形成線狀的激光照射痕40的例子，但也可以激光照射痕40彼此以相互重疊的方式密集地形成。圖3的(b)示出以點狀照射激光L的例子。此時，多條點狀的激光照射痕41分散地形成于陶瓷坯體10的表面。圖3的(c)示出以虛線狀照射激光L的例子。此時，多條虛線狀的激光照射痕42分散地形成于陶瓷坯體10的表面。在任一情況下，優(yōu)選遍及外部電極形成區(qū)域S1、S2的全域均衡地照射激光L。圖4示出外部電極的形成過程的一個例子的簡要情況。特別是示出在外部電極形成區(qū)域以隔開規(guī)定的間隔的方式線狀地照射激光L的情況。圖4的(A)示出首先在陶瓷坯體10的表面的外部電極形成區(qū)域照射激光，由此在陶瓷坯體10的表面形成了剖面V字狀或者U字狀的激光照射痕40的狀態(tài)。此外，圖4的(A)示出激光L聚光于1點的例子，實際上照射激光L的光斑也可以具有一定程度的面積。該激光照射痕40是通過激光照射使陶瓷坯體10的表層部熔融和凝固的痕。光斑的中心部能量最高，該部分的陶瓷材料容易質(zhì)變，激光照射痕40的剖面呈近似V字狀或者近似U字狀。在包括激光照射痕40的內(nèi)壁面的周圍，構(gòu)成陶瓷坯體的絕緣材料(鐵素體)質(zhì)變，形成有比該絕緣材料電阻值低的導(dǎo)體部或者低電阻部43。具體而言，在陶瓷坯體10為Ni-Zn系鐵素體的情況下，可考慮利用激光照射將包含于鐵素體的Fe的一部分還原，而且存在Ni和/或Zn也還原的可能性。在Ni-Cu-Zn系鐵素體的情況下，可考慮包含于鐵素體的Fe和/或Cu還原，而且存在Ni和/或Zn也還原的可能性。低電阻部43的深度、寬度根據(jù)激光的照射能量、照射范圍等能夠改變。圖4的(B)示出通過反復(fù)進行激光照射，在外部電極形成區(qū)域隔開間隔D地形成了多個激光照射痕40的狀態(tài)。該例子中激光照射的光斑中心的間隔D比低電阻部43的展寬(例如直徑的平均值)W寬，因此在各激光照射痕40間存在低電阻部以外的絕緣區(qū)域44。該區(qū)域44是構(gòu)成陶瓷坯體的原來的絕緣材料不質(zhì)變而露出的區(qū)域。圖4的(C)示出將如上述那樣通過激光照射形成了低電阻部43的陶瓷坯體10浸漬于電鍍液，進行了電鍍的初期的狀態(tài)。具有導(dǎo)電性的低電阻部43的電流密度比其他部分高，因此電鍍金屬45a僅在低電阻部43的表面析出，還未在絕緣區(qū)域44上析出。換句話說，該階段中未形成連續(xù)的外部電極。圖4的(D)示出進行了電鍍的末期的狀態(tài)。通過繼續(xù)電鍍處理，在低電阻部43上析出的電鍍金屬45a成為核朝周圍生長，擴展至與低電阻部43鄰接的絕緣區(qū)域44上。繼續(xù)電鍍處理直至鄰接的電鍍金屬45a彼此連接，由此能夠形成連續(xù)的外部電極45。與照射了激光的外部電極形成區(qū)域的電鍍金屬的生長速度相比，外部電極形成區(qū)域以外的區(qū)域的電鍍金屬的生長速度慢，因此不嚴格控制電鍍處理時間，也能夠在外部電極形成區(qū)域使電鍍金屬選擇性地生長。通過對電鍍處理時間、電壓或者電流進行控制，能夠控制外部電極的形成時間、厚度。并且，通過在通過第一次的電鍍處理而形成的外部電極45上進行追加的電鍍處理，也能夠形成多層構(gòu)造的外部電極。此時，形成有已經(jīng)成為基底的外部電極45，因此追加的電鍍處理時間較短。-實驗例-以下對實際進行了外部電極的形成的實驗例進行說明。(1)在由Ni-Cu-Zn系鐵素體構(gòu)成的燒結(jié)完畢陶瓷坯體，邊往返掃描邊照射激光。加工條件如以下那樣，但波長也可以例如在532nm～10620nm的任一范圍。照射間隔是指往返掃描激光的情況的往路與返路的光斑中心的距離。表1[激光加工條件]波長1064nm(YVO4)輸出14A掃描速度200mm/sQswitch頻率20kHz照射間隔(間距)30μm光斑徑70μm能量密度1J/sec(2)對激光照射后的陶瓷坯體，用以下的條件進行了電鍍。具體而言，使用了滾鍍。表2[電鍍條件]電鍍液焦磷酸銅電鍍液轉(zhuǎn)速[rpm]24rpm電流[A]12A溫度[℃]55℃時間8min用上述那樣的條件進行了電鍍處理的結(jié)果，能夠在陶瓷坯體的表面形成平均厚度20μm的良好的Cu外部電極。此外，相同的結(jié)果在使用Ni-Zn系鐵素體的情況下也可得到。另外，作為電鍍液，除了焦磷酸銅電鍍液以外，還能夠使用硫酸銅電鍍液、氰化銅電鍍液等。-評價-相對于在Ni-Cu-Zn系鐵素體照射了激光的試料、和未照射激光的試料，通過使用XPS(X射線光電子能譜法)以及轉(zhuǎn)換電子收量法的Fe、Cu、Zn的、K端XAFS(X射線吸收微小構(gòu)造)，對試料表面的Fe、Cu、Zn的價數(shù)進行了評價。XPS的結(jié)果，照射了激光的試料的表層部分無法檢測出金屬成分，下層能夠檢測出金屬成分。另外，XAFS的結(jié)果，針對照射了激光的試料的表層部分，能夠檢測出Cu的金屬成分。另一方面，XAFS的結(jié)果，針對照射了激光的試料的表層部分，無法檢測Fe的金屬成分，但能夠檢測Fe的半導(dǎo)體的成分以及絕緣體的成分。也可知下層Fe2+相對于Fe3+的比例相對于陶瓷坯體整體的比例較大。根據(jù)以上內(nèi)容，可推測出利用激光加工的熱使被包含于鐵素體的金屬氧化物分解，陶瓷坯體的下層的鐵素體的金屬元素還原，陶瓷坯體的表層部分由于殘熱而達到再氧化。圖5示出這樣形成的低電阻部43的剖面構(gòu)造的一個例子，在下層形成有還原層43a，其表層被由半導(dǎo)體和/或絕緣體的成分構(gòu)成的再氧化層43b覆蓋。通過這些還原層和再氧化層構(gòu)成低電阻部。此外，激光照射不局限于大氣環(huán)境中，也可以在真空中、N2環(huán)境中進行激光照射，但在真空中、N2環(huán)境中進行了激光照射的情況下，存在不產(chǎn)生再氧化層的可能性。在形成了上述的再氧化層的情況下，可考慮以下那樣的效果。即，作為再氧化層形成的Fe3O4具有常溫的再氧化難以進行的性質(zhì)，也具有對處于下層的還原層的氧化進行抑制，并且能夠?qū)υ傺趸瘜颖旧淼南鄬τ跁r間的變化進行抑制的效果。另外，再氧化層是一種半導(dǎo)體，比作為絕緣體的鐵素體電阻值低。因此，電鍍金屬容易在再氧化層上析出。在本實施方式中，外部電極30、31在側(cè)視中(從Y方向觀察陶瓷坯體10時)形成為L字形。換句話說，外部電極30、31僅形成于電感器1的兩端面和底面(安裝時)，未形成于上表面(安裝時)以及Y方向兩側(cè)面。因此，如圖6的(a)那樣，在安裝狀態(tài)下接近電感器1的上方存在其他電子部件2或者導(dǎo)體的情況下，能夠減少短路的產(chǎn)生風(fēng)險。并且，如圖6的(b)那樣，在與電感器1的Y方向鄰接而安裝有其他電子部件3的情況下，外部電極30、31未被形成于電感器1的Y方向兩側(cè)面，因此能夠確保與鄰接的電子部件3的絕緣距離，并且也能夠確保被涂覆于外部電極的焊錫彼此的距離。因此，能夠減少與鄰接的電子部件3的短路的風(fēng)險。其結(jié)果，在具有L字形外部電極的電感器1的情況下，能夠成為進一步的高密度安裝。并且，也具有與以往的外部電極相比，雜散電容的減少的效果。圖7示出外部電極30、31的形成過程的其他例子，特別示出將激光L密集地照射于外部電極形成區(qū)域的情況?！懊芗卣丈洹笔侵讣す庹丈涞墓獍咧行牡拈g隔D與低電阻部43的展寬(例如直徑的平均值)W相等或者比低電阻部43的展寬W窄，被形成于鄰接的激光照射痕40的下側(cè)的低電阻部43彼此相互連接的狀態(tài)(參照圖7的(B))。但是，不需要全部的低電阻部43連接。因此，陶瓷坯體10的外部電極形成區(qū)域的幾乎全域被低電阻部43覆蓋。此時，如圖7的(C)所示，從電鍍處理的開始在短時間內(nèi)在低電阻部43的表面析出電鍍金屬45a，但這些電鍍電極45a幾乎接近，因此鄰接的電鍍電極45a彼此迅速連接。因此，能夠在比圖4的情況短的時間內(nèi)形成連續(xù)的外部電極45。如圖7那樣在將激光L密集地照射于外部電極形成區(qū)域的情況下，激光照射痕40也密集地形成，因此成為陶瓷坯體10的表面被削去一部分的狀態(tài)。在該表面形成有電鍍金屬45，因此能夠使外部電極的表面與陶瓷坯體10的表面成為幾乎相同高度或者比陶瓷坯體10的表面低。因此，外部電極本身的厚度薄，從而能夠抑制外部電極的突出量，能夠?qū)崿F(xiàn)進一步小型的片部件。圖8示出利用本發(fā)明形成的外部電極的各種的形態(tài)。圖8的(a)在陶瓷坯體10的兩端部形成コ字型的外部電極30、31。與圖1的實施例相同，內(nèi)部電極的引出部21a、23a(21a未圖示)在陶瓷坯體10的X方向兩端面露出，與外部電極30、31連接。在該例中，在陶瓷坯體10的X方向的兩端面與上下表面(Z方向兩側(cè)面)的一部分形成外部電極30、31，未在Y方向的兩側(cè)面形成外部電極。因此，能夠使該電子部件1在Y方向上鄰接地高密度安裝。圖8的(b)僅在陶瓷坯體10的上表面(安裝時底面)的兩端部形成外部電極30、31。未在另一面形成外部電極。該情況下，內(nèi)部電極的端部21a、23a未在陶瓷坯體10的X方向兩端面露出，僅在上表面與X方向平行地露出。外部電極30、31分別與內(nèi)部電極的端部23a、21a連接。此時，構(gòu)成陶瓷坯體10的絕緣體層不是在Z方向而在Y方向上層疊。僅在陶瓷坯體10的底面形成有外部電極，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高密度安裝所適用的電子部件。圖8的(c)在陶瓷坯體10的上表面(安裝時底面)的X方向兩端部形成合計四個的外部電極30～33。該情況下，內(nèi)部電極的端部(未圖示)未在陶瓷坯體10的X方向兩端面露出，僅在形成有外部電極30～33的上表面露出。如以上那樣，使用了本發(fā)明方法的外部電極只要是能夠進行激光加工與電鍍處理的面沒有制約，能夠形成于任意的部分。圖9是在繞線型電感器的電極形成中應(yīng)用了本發(fā)明的例子。陶瓷坯體50是在兩端部具有凸緣部51、52，在其間具有卷芯部53的芯部。作為芯部材料能夠使用Ni-Zn系鐵素體、Ni-Cu-Zn系鐵素體等。通過激光加工在芯部50的凸緣部51、52的上表面以及端面的外部電極形成區(qū)域形成低電阻部，在其上通過電鍍處理形成有外部電極54、55。另外，在卷芯部53的周面通過激光加工形成有螺旋狀的低電阻部，在其上通過電鍍處理形成有線圈電極56。螺旋狀的低電阻部的兩端以與外部電極形成區(qū)域的低電阻部連續(xù)的方式被進行激光加工，因此通過電鍍處理將線圈電極56的兩端56a、56b分別與外部電極54、55連接。在該實施例中，利用激光加工能夠連續(xù)地形成螺旋狀的低電阻部和外部電極用的低電阻部。作為激光加工，例如能夠使用將激光位置固定，并使芯部50旋轉(zhuǎn)以及軸向移動的等方法。線圈電極56與外部電極54、55能夠通過電鍍處理同時形成，因此能夠使電感器的制造工序效率化，從而能夠減少制造成本。此外，通過對線圈電極56以及外部電極54、55進行多次電鍍處理，也能夠成為多層構(gòu)造。此外，在該實施例中，通過電鍍處理形成線圈電極56與外部電極54、55，但在卷芯部卷繞了導(dǎo)線的繞線型電感器(鐵素體芯部)中，也能夠通過電鍍處理僅形成與導(dǎo)線連接的外部電極。如上述那樣，在通過相同的激光加工以及電鍍處理形成線圈電極56和外部電極54、55的情況下，存在電極56、54、55成為幾乎恒定的厚度的可能性。特別是，在欲使線圈電極56所產(chǎn)生的磁通較大的情況下，優(yōu)選使線圈電極56的厚度比外部電極54、55的厚度厚。在該情況下，例如也可以使朝卷芯部53照射的激光的激光強度比照射于外部電極區(qū)域的激光的激光強度高，也可以對朝卷芯部53照射的激光與照射于外部電極區(qū)域的激光的照射方式(例如間歇照射與連續(xù)照射、照射范圍的擴縮等)進行變更。通過提高激光強度，使螺旋狀的低電阻部的電阻值比外部電極形成區(qū)域的低電阻部的電阻值低，或者使螺旋狀的低電阻部的深度比外部電極形成區(qū)域的低電阻部的深度深。由此，能夠使通過電鍍處理被形成于螺旋狀的低電阻部的電極56的厚度比被形成于外部電極形成區(qū)域的低電阻部的電極54、55的厚度厚。圖10示出繞線型電感器的其他應(yīng)用例。對與圖9相同的部分或者對應(yīng)部分標注相同附圖標記并省略重復(fù)說明。在芯部50的凸緣部51、52的上表面、外側(cè)面以及下表面的外部電極形成區(qū)域通過激光加工形成有低電阻部，在其上通過電鍍處理形成有外部電極54、55。因此，在該實施例中，作為整體形成有コ字形的外部電極54、55。在卷芯部53的周面卷繞有導(dǎo)線57，其兩端57a、57b分別與被形成于凸緣部51、52的上表面的外部電極54、55的部分連接。被形成于凸緣部51、52的下表面的外部電極54、55的部分作為安裝用電極使用。此外，外部電極54、55的形狀不局限于コ字形，例如也可以僅形成于凸緣部51、52的上表面(導(dǎo)線57的連接面)。在該實施例中，與導(dǎo)線57相比，能夠使外部電極54、55更薄地形成，因此具有抑制渦流損失的效果。即，由導(dǎo)線57產(chǎn)生的磁通(圖10虛線箭頭所示)由于與外部電極54、55交鏈而產(chǎn)生渦流的損失，該渦流損失與交鏈的外部電極54、55的厚度的平方成比例。利用本發(fā)明方法形成的外部電極54、55與一般的外部電極相比能夠更薄地形成，因此能夠抑制渦流損失。并且，若作為卷線使用導(dǎo)線57，則產(chǎn)生的磁通密度增加，因此能夠得到較高的Q值的電感器。圖11示出在縱向卷繞型的線圈部件(電感器)應(yīng)用了本發(fā)明的例子。該情況下的陶瓷坯體60是在兩端部具有凸緣部61、62，在其間具有卷芯部63的鐵素體芯部。在芯部60的一個凸緣部61的上表面的外部電極形成區(qū)域通過激光加工等形成有低電阻部，在其上通過電鍍處理形成有外部電極64、65。另外，在卷芯部63的周面卷繞有帶覆蓋層的導(dǎo)線(未圖示)，其兩端部分別與外部電極64、65連接。此外，圖9、圖10示出形成兩個外部電極64、65的例子，在使用兩條導(dǎo)線的情況下，也可以在凸緣部61上形成四個外部電極。圖12示出在多端子型的電子部件應(yīng)用了本發(fā)明的例子。該電子部件主體70由陶瓷坯體構(gòu)成，在其長邊方向兩側(cè)面形成有多個(這里為六個)外部電極71～76。此外，外部電極71～76的一部分也可以擴展至陶瓷坯體70的上表面或者下表面。外部電極71～76與被形成于陶瓷坯體70的內(nèi)部電極或者外表面的電路部連接。該情況下的外部電極71～76也通過激光加工等局部加熱、其后的電鍍處理而形成。示出本發(fā)明應(yīng)用于層疊型電感器的外部電極、繞線型電感器(鐵素體芯部)的電極形成的例子，但不局限于此。作為本發(fā)明成為對象的陶瓷電子部件，不局限于電感器，只要是使用了通過激光照射質(zhì)變，并形成有成為電鍍電極的析出起點的低電阻部的陶瓷坯體的電子部件，便能夠應(yīng)用。即，陶瓷坯體的材質(zhì)不限定于鐵素體。并且，電子部件的構(gòu)造不局限于具有內(nèi)部電極的構(gòu)造、和層疊了多個絕緣層的構(gòu)造。作為電鍍處理方法，示出使用了電鍍的例子，但也可以使用無電解電鍍。在上述實施例中，作為局部的加熱方法使用激光照射，但也能夠應(yīng)用電子束的照射、使用了聚焦爐的加熱等。任一情況下，均能夠使熱源的能量聚集，對陶瓷坯體的外部電極形成區(qū)域進行局部加熱，因此不會有損其他區(qū)域的電特性。本發(fā)明中，將一個激光分光，也可以在多個位置同時照射激光。另外，在本發(fā)明中，與激光的焦點一致的情況相比，也可以使激光的焦點錯開，使激光的照射范圍變大。本發(fā)明在電鍍金屬由多層形成的情況下，不局限于使電鍍金屬的最下層以向電極形成區(qū)域整體擴展的方式生長的情況。也可以使電鍍金屬的最下層以向電極形成區(qū)域的一部分擴展的方式生長、使電鍍金屬的上層以向電極形成區(qū)域整體擴展的方式生長。當前第1頁1 2 3