本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體涉及一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能電池又稱為“太陽(yáng)能芯片”或光電池，是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。其中，以光電效應(yīng)工作的薄膜太陽(yáng)能電池為主。

一般，薄膜太陽(yáng)能電池迎向太陽(yáng)光朝上放置，從下往上依次包括：下封裝層、某底層、背電極層、背接觸層、吸收層、窗口層、上接觸層和上封裝層等。中國(guó)專利CN101807622A公開了一種制備碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件的方法，其包括如下步驟：

首先，在透明導(dǎo)電薄膜玻璃（TCO）上沉積CdS 薄膜獲得“glass/TCO/CdS”；

然后，在“glass/TCO/CdS”上沉積CdTe薄膜獲得“glass/TCO/CdS/CdTe”；

然后，對(duì)“glass/TCO/CdS/CdTe” 進(jìn)行含氯化鎘氣氛下的熱處理；

然后，使用激光刻劃熱處理后的“glass/TCO/CdS/CdTe”，刻劃掉“TCO/CdS/CdTe”后進(jìn)行化學(xué)腐蝕使碲化鎘表面富碲；

然后，在 “glass/TCO/CdS/CdTe” 上刻劃掉 “TCO/CdS/CdTe”的刻痕上填注低溫固化膠；

然后，沉積背接觸層，然后進(jìn)行背接觸層熱處理；

然后使用激光在TCO/CdS/CdTe 刻痕附近刻劃掉CdS/CdTe/ 背接觸層；

然后，沉積金屬背電極層，然后使用激光刻劃掉TCO/CdS/CdTe 刻痕和CdS/CdTe/背接觸層刻痕附近的CdS/CdTe/背接觸層／金屬背電極。

上述制備太陽(yáng)能電池組件的方法中，沉積CdTe的步驟是物理干法，例如近空間升華、濺射、真空蒸發(fā)等。物理干法通常要求在真空和/或者高溫的環(huán)境進(jìn)行，對(duì)設(shè)備的要求很高，而且對(duì)鎘元素和碲元素的材料浪費(fèi)嚴(yán)重。從設(shè)備投入角度和環(huán)境保護(hù)角度來(lái)說(shuō)，上述制備CdTe薄膜太陽(yáng)能電池組件的方法制造成本很高。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，美國(guó)專利文獻(xiàn)US2011/0290641Al公開了一種快速電化學(xué)沉積法生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的裝置和方法，美國(guó)專利文獻(xiàn)US2012/0043215A1 公開了另一種電化學(xué)沉積法生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的裝置和方法。這些電化學(xué)沉積法通常使用水作為溶劑，不需要真空和/或者高溫環(huán)境，含鎘元素和碲元素的溶液可以循環(huán)利用，大大降低了電化學(xué)沉積法制備CdTe薄膜太陽(yáng)能電池組件的制造成本。

但是，上述專利所述電化學(xué)沉積制備CdTe薄膜的方法屬于批量生產(chǎn)，無(wú)法應(yīng)用于大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。然而生產(chǎn)CdTe薄膜太陽(yáng)能電池組件的其他步驟都屬于連續(xù)生產(chǎn)，導(dǎo)致了電化學(xué)沉積制備CdTe薄膜的方法和其他步驟不容易匹配。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置。

本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：提供一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置，所述裝置包括傳輸裝置、電沉積裝置和電接觸裝置，所述電沉積裝置內(nèi)固定有針形電極和針形電極的對(duì)電極，所述針形電極和所述對(duì)電極之間互不接觸，所述電沉積裝置的底面為導(dǎo)電材料，所述對(duì)電極與所述電沉積裝置的底面接觸，所述電接觸裝置固定于所述傳輸裝置上，所述電接觸裝置包括針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)，所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)分別與所述針形電極和電沉積裝置的底面電接觸，所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間絕緣，且所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間連接有電壓源。

本發(fā)明提供的裝置中，對(duì)電極與電沉積裝置的底面接觸，電沉積裝置的底面為導(dǎo)電材料制作，電沉積裝置的底面與電接觸裝置的對(duì)電極電接觸區(qū)接觸，電接觸裝置的針形電極電接觸區(qū)與電沉積裝置中的針形電極接觸，當(dāng)針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間接通工作電壓時(shí)，電接觸裝置的針形電極電接觸區(qū)與電沉積裝置中的針形電極形成電接觸，對(duì)電極電接觸區(qū)與電沉積裝置的底面形成電接觸，由于電沉積裝置的底面為導(dǎo)電材料，電沉積裝置的底面又與對(duì)電極接觸，因此，對(duì)電極與對(duì)電極接觸區(qū)形成電接觸，這樣針形電極、對(duì)電極和電沉積液之間可以形成電子回路，將需要沉積薄膜的基板放置于針形電極上可以進(jìn)行電沉積。針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間絕緣以防止短路。

本發(fā)明提供的裝置中，針形電極的前端可以彎折成Z型，使針形電極的頂部具有彈簧的彈力，如附圖11中所示，如此形成的彈簧彈力能使針形電極的頂端與需要沉積薄膜的基板之間的接觸良好。

優(yōu)選的，所述傳輸裝置包括兩個(gè)平行放置的傳輸帶，所述電接觸裝置固定于兩個(gè)傳輸帶之間，且所述電接觸裝置的頂面與所述傳輸帶的頂面位于同一水平面上。

電接觸裝置固定于兩個(gè)傳輸帶之間時(shí)，電沉積裝置的寬度大于兩個(gè)傳輸帶之間的距離，以使電沉積裝置能夠隨著傳輸帶運(yùn)動(dòng)，電接觸裝置靜止不動(dòng)，電沉積裝置的中間位置從電接觸裝置上滑過(guò)，針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)分別與針形電極和電沉積裝置的底面形成滑動(dòng)電接觸，兩個(gè)傳輸帶的傳輸速度相同，且電沉積裝置從電接觸裝置的一端運(yùn)動(dòng)至另一端的時(shí)間等于電沉積裝置中沉積一層薄膜的時(shí)間。

優(yōu)選的，所述電沉積裝置的底面間隔固定有“T”形的絕緣板，所述絕緣板包括橫板和豎板，所述橫板位于電沉積裝置的底面的上方，所述豎板貫穿電沉積裝置的底面，所述豎板的底部設(shè)有凹槽，所述針形電極貫穿所述橫板和所述豎板并于所述凹槽處伸出，所述針形電極電接觸區(qū)和所述對(duì)電極電接觸區(qū)之間設(shè)有間隙，所述針形電極電接觸區(qū)與所述凹槽內(nèi)的針形電極接觸，所述對(duì)電極電接觸區(qū)與所述電沉積裝置的底面接觸。

在電沉積裝置的底面間隔固定“T”形的絕緣板，“T”形的絕緣板的豎板的底部設(shè)置凹向內(nèi)的凹槽，相應(yīng)的，電接觸裝置的針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間設(shè)置間隙，電沉積裝置的底部和電接觸裝置的頂部相配合，凹槽兩端的臂剛好卡進(jìn)針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間的間隙中，達(dá)到針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間絕緣的效果的同時(shí)，對(duì)電沉積裝置形成限位，避免電沉積裝置在電接觸裝置上跑偏。

優(yōu)選的，所述電沉積裝置的側(cè)面上設(shè)有電沉積液入口和電沉積液出口。電沉積液入口和電沉積液出口分別連通電沉積液的液源，連通管路上可以設(shè)置傳送泵來(lái)控制電沉積液的流動(dòng)方向和流速等。采用流動(dòng)的電沉積溶液可以提高物質(zhì)傳遞速率從而提高電沉積速率。

優(yōu)選的，所述電沉積裝置的外側(cè)壁的頂部固定有用于防止電沉積液流出的“O”型圈。“O”型圈的材質(zhì)可以使用任何彈性橡膠，例如說(shuō)Buna-N，Viton，Silicone， EPDM等。

本發(fā)明的電沉積裝置中可以設(shè)置參比電極，用于電位監(jiān)控，參比電極可以選用任何在電沉積液中電位穩(wěn)定的材料，例如說(shuō)Cd，Ag/AgCl，SHE（標(biāo)準(zhǔn)氫電極），SCE（飽和甘汞電極）等。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包含以下有益效果：

本發(fā)明提供一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置，所述裝置包括傳輸裝置、電沉積裝置和電接觸裝置，所述電沉積裝置內(nèi)固定有針形電極和針形電極的對(duì)電極，所述針形電極和所述對(duì)電極之間互不接觸，所述電沉積裝置的底面為導(dǎo)電材料，所述對(duì)電極與所述電沉積裝置的底面接觸，所述電接觸裝置固定于所述傳輸裝置上，所述電接觸裝置包括針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)，所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)分別與所述針形電極和電沉積裝置的底面電接觸，所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間絕緣，且所述針形電極電接觸區(qū)和對(duì)電極電接觸區(qū)之間連接有電壓源。本發(fā)明提供的裝置中，將電沉積裝置與傳輸裝置相結(jié)合，利用電接觸裝置為電沉積裝置提供電壓源，使電沉積裝置在隨傳輸裝置的運(yùn)動(dòng)中完成電沉積薄膜的過(guò)程，實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單介紹，顯而易見的，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電接觸裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電接觸裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為圖6中I的局部放大圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電接觸裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電接觸裝置與電沉積裝置的配合示意圖。

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的電接觸裝置與傳輸裝置的俯視示意圖。

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置的針形電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中所示：傳輸裝置10、傳輸帶11、電沉積裝置20、針形電極21、對(duì)電極22、絕緣板23、橫板231、豎板232、凹槽233、電沉積液入口24、電沉積液出口25、電沉積裝置的底面26、電接觸裝置30、針形電極電接觸區(qū)31、對(duì)電極電接觸區(qū)32、間隙33，基板40。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

參見圖1，所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電化學(xué)沉積薄膜太陽(yáng)能電池的連續(xù)生產(chǎn)的裝置。

由圖1可知，所述的裝置包括傳輸裝置10、電沉積裝置20和電接觸裝置30，所述電沉積裝置20內(nèi)固定有針形電極21和針形電極的對(duì)電極22，所述針形電極21和所述對(duì)電極22之間互不接觸，所述電沉積裝置的底面26為導(dǎo)電材料，所述對(duì)電極22與所述電沉積裝置20的底面26接觸，所述電接觸裝置30固定于所述傳輸裝置10上，所述電接觸裝置30包括針形電極電接觸區(qū)11和對(duì)電極電接觸區(qū)12，所述針形電極電接觸區(qū)11和對(duì)電極電接觸區(qū)12分別與所述針形電極21和電沉積裝置的底面26電接觸，所述針形電極電接觸區(qū)11和對(duì)電極電接觸區(qū)12之間絕緣，且所述針形電極電接觸區(qū)11和對(duì)電極電接觸區(qū)12之間連接有電壓源。

本實(shí)施例中，傳輸裝置10為傳輸帶，電接觸裝置30固定于傳輸裝置10上，且電接觸裝置30在傳輸帶的整個(gè)長(zhǎng)度上均有延伸，如圖1和圖4所示，電沉積裝置的結(jié)構(gòu)如圖2所示，針形電極21垂直于電沉積裝置的底面26設(shè)置，對(duì)電極22固定于底面26上，但對(duì)電極22與針形電極21之間互不接觸，電沉積裝置的底面26上固定有“T”型絕緣板23，所述絕緣板23包括橫板231和豎板232，所述橫板231位于電沉積裝置的底面26的上方，所述豎板232貫穿電沉積裝置的底面26，所述針形電極21貫穿所述橫板231和所述豎板232；如圖3所示，電接觸裝置30的針形電極電接觸區(qū)31和對(duì)電極電接觸區(qū)32之間設(shè)有間隙33，所述針形電極電接觸區(qū)31與伸出絕緣板23的針形電極21接觸，所述對(duì)電極電接觸區(qū)12與所述電沉積裝置的底面26接觸。由于電沉積裝置的底面26為導(dǎo)電材料制作，當(dāng)針形電極電接觸區(qū)31和對(duì)電極電接觸區(qū)32之間接通工作電壓時(shí)，電接觸裝置的針形電極電接觸區(qū)31與電沉積裝置中的針形電極21形成電接觸，對(duì)電極電接觸區(qū)32與電沉積裝置的底面26形成電接觸，由于電沉積裝置的底面26為導(dǎo)電材料，電沉積裝置的底面26又與對(duì)電極22接觸，因此，對(duì)電極22與對(duì)電極接觸區(qū)32形成電接觸，這樣針形電極21、對(duì)電極22和電沉積液之間可以形成電子回路，將需要沉積薄膜的基板放置于針形電極上可以進(jìn)行電沉積。

本實(shí)施例中，所述電沉積裝置20的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別設(shè)置有電沉積液入口24和電沉積液出口25，電沉積液出口24和入口25分別連通電沉積液的液源，電沉積液的液源與電沉積液出口24和入口25的連接管路上設(shè)置有傳輸泵，用于將電沉積液泵入電沉積裝置中。使用時(shí)，首先將需要沉積薄膜的基板40放置于針形電極21的頂部，再將電沉積液入口24和出口25接通電沉積液，然后將電沉積裝置20放至電接觸裝置30上，使針形電極21與針形電極電接觸區(qū)31接觸，電沉積裝置的底面26與對(duì)電極電接觸區(qū)32接觸，并在針形電極電接觸區(qū)31與對(duì)電極電接觸區(qū)32之間通入工作電壓，使針形電極21、對(duì)電極22及電沉積液之間形成電子回路，從而在基板40上沉積薄膜，由于電接觸裝置30固定于傳輸帶上，電接觸裝置30隨著傳輸帶的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，從而帶動(dòng)電沉積裝置20隨傳輸帶運(yùn)動(dòng)，在傳輸帶的傳輸過(guò)程中可以不斷向傳輸帶上的電接觸裝置30上放置電沉積裝置20，從而可以不斷在基板上沉積薄膜，達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)的效果。

本實(shí)施例中，以在“glass/TCO/CdS”上沉積CdTe為例，把“glass/TCO/CdS”放入電沉積裝置中的針形電極21的頂部，針電極21與“glass/TCO/CdS”接觸，將電沉積裝置20放上電接觸裝置30后，在針電極21上加上陰極電流， “glass/TCO/CdS”陰極上發(fā)生的主要電化學(xué)反應(yīng)為：

Cd2⁺ + HTeO₂+ + 3H⁺ + 6e^- à CdTe + 2H₂O；

對(duì)電極陽(yáng)極上發(fā)生的電化學(xué)反應(yīng)為：

2H₂O à O₂ + 4H⁺ + 4e^-；

這樣就在“glass/TCO/CdS”電沉積了CdTe，形成“glass/TCO/CdS/CdTe”。

生產(chǎn)時(shí)，設(shè)置傳輸帶的傳輸速度，使電沉積裝置20從傳送帶的一端運(yùn)動(dòng)至另一端的時(shí)間等于“glass/TCO/CdS”上沉積目標(biāo)厚度CdTe薄膜的時(shí)間，目標(biāo)厚度可以由電沉積總電量（庫(kù)倫）來(lái)控制。當(dāng)電沉積裝置被傳輸?shù)絺鬏攷У慕K點(diǎn)位置時(shí)，取下電沉積裝置，取出生產(chǎn)出的“glass/TCO/CdS/CdTe”，清洗掉殘余電解液后吹干，可放入后續(xù)退火步驟。傳輸帶傳輸過(guò)程中可以連續(xù)向上放置電沉積裝置20，以達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)。

在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖10所示，所述傳輸裝置10包括兩個(gè)平行放置的傳輸帶11，所述電接觸裝置30固定于兩個(gè)傳輸帶11之間，電接觸裝置30與傳輸帶11互不接觸，且電接觸裝置30是靜止的，所述電沉積裝置20的寬度大于兩個(gè)傳輸帶11之間的距離，以使電沉積裝置20能夠隨著傳輸帶11的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)； 所述電接觸裝置30的長(zhǎng)度小于傳輸帶11的長(zhǎng)度，如圖5和圖10所示；所述電接觸裝置30的頂面與所述傳輸帶11的頂面位于同一水平面上。所述電沉積裝置20的結(jié)構(gòu)如圖6所示，電沉積裝置的底面26間隔固定有“T”形的絕緣板23，所述絕緣板23的結(jié)構(gòu)如圖7所示，包括橫板231和豎板232，所述橫板231位于電沉積裝置的底面26的上方，所述豎板232貫穿電沉積裝置的底面26，所述豎板232的底部設(shè)有凹槽233，所述針形電極21貫穿所述橫板231和所述豎板232并于所述凹槽233處伸出；如圖8所示，所述針形電極電接觸區(qū)31和所述對(duì)電極電接觸區(qū)32之間設(shè)有間隙33；如圖9所示，所述針形電極電接觸區(qū)31與所述凹槽233內(nèi)的針形電極21接觸，所述對(duì)電極電接觸區(qū)12與所述電沉積裝置的底面26接觸，所述凹槽233的兩側(cè)壁分別卡進(jìn)所述間隙33中，使所述針形電極電接觸區(qū)31和所述對(duì)電極電接觸區(qū)32之間絕緣的同時(shí)對(duì)電沉積裝置20起到限位作用，避免電沉積裝置20在傳輸帶11上跑偏。

本實(shí)施例中，電沉積裝置20的側(cè)面上同樣設(shè)置有電沉積液入口24和電電沉積液入口25，所述電沉積裝置20從電接觸裝置30的一端運(yùn)動(dòng)至另一端的時(shí)間等于電沉積裝置20中的基板40上沉積目標(biāo)厚度的薄膜的時(shí)間，本實(shí)施例的使用方法同上述實(shí)施例相同。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述傳輸裝置10可以設(shè)置為一個(gè)傳輸帶，所述電接觸裝置30的針形電極電接觸區(qū)31和對(duì)電極電接觸區(qū)32可以分別固定于所述傳輸帶的兩側(cè)，相應(yīng)的，電沉積裝置20中的針形電極21和對(duì)電極22可以分別連通一個(gè)電刷，兩個(gè)電刷分別與針形電極電接觸區(qū)31和對(duì)電極電接觸區(qū)32滑動(dòng)電接觸，在通電的情況下使針形電極21、對(duì)電極22和電沉積液形成回路，使得電沉積裝置20在傳輸帶上運(yùn)動(dòng)的同時(shí)能夠進(jìn)行電沉積，達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)的目的。

當(dāng)然，上述說(shuō)明也并不僅限于上述舉例，本發(fā)明未經(jīng)描述的技術(shù)特征可以通過(guò)或采用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，在此不再贅述；以上實(shí)施例及附圖僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案并非是對(duì)本發(fā)明的限制，參照優(yōu)選的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換都不脫離本發(fā)明的宗旨，也應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍。