本發(fā)明涉及表面加工、涂層領(lǐng)域，為一種鎂及其合金的表面加工、涂層技術(shù)，具體而言，涉及一種鍍膜鎂及其合金及其制備方法。

背景技術(shù)：

鎂及其合金具有比強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性能好，在航空、航天、軍事、汽車等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。

國內(nèi)外的許多高校和科研院所都開展了鎂及其合金表面功能涂層的研究，但導(dǎo)電功能膜的研究尚處于啟蒙階段。目前大部分研究機(jī)構(gòu)的表面導(dǎo)電膜的制備研究局限在使用傳統(tǒng)的電鍍、化學(xué)鍍的方法，在鎂及其合金表面鍍一層銅、鎳等；部分研究機(jī)構(gòu)在鎂及其合金表面制備導(dǎo)電有機(jī)層，主要成分為聚苯胺膜；部分機(jī)構(gòu)采用磷化技術(shù)，制備錫酸鹽轉(zhuǎn)化膜、鉬酸鹽轉(zhuǎn)化膜等弱導(dǎo)電功能膜。但上述導(dǎo)電功能膜均直接覆蓋在鎂及其合金表面，導(dǎo)電功能膜與鎂及其合金基體直接接觸；眾所周知鎂及其合金化學(xué)性質(zhì)活潑，非常容易發(fā)生腐蝕，在鎂與異種金屬接觸的情況下，形成原電池腐蝕體系，鎂作為陰極，會優(yōu)先發(fā)生腐蝕，這造成傳統(tǒng)方法制備功能膜的鎂及其合金基體服役易腐蝕、壽命短的致命缺陷。

隨著鎂及其合金工程應(yīng)用的增加，尤其是海洋、航空航天、通信輕量化等復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境的情況下對鎂及其合金防腐蝕性能要求高，開發(fā)防腐蝕性能良好的鎂及其合金導(dǎo)電功能膜技術(shù)，對研制和開發(fā)新型輕質(zhì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)導(dǎo)電功能零件具有積極的意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種鍍膜鎂及其合金，可提高合金導(dǎo)電功能膜防腐蝕性能，并滿足通信、航海、航空航天對電磁屏蔽、導(dǎo)電性、防腐蝕性、輕量化的工程應(yīng)用需求。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種鍍膜鎂及其合金，包括由絕緣層形成電隔離的鎂及其合金基體和導(dǎo)電膜層，絕緣層附著于鎂及其合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于絕緣層表面。

本發(fā)明還提供了一種上述鍍膜鎂及其合金的制備方法，通過在導(dǎo)電功能層與鎂及其合金基體間增加一層陶瓷絕緣層，大幅提高導(dǎo)電功能膜防腐蝕性能。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種上述鍍膜鎂及其合金的制備方法，包括：在鎂及其合金基體表面形成絕緣層，再在絕緣層表面形成導(dǎo)電膜。

上述方案的有益效果：

本發(fā)明提供了一種鍍膜鎂及其合金，通過在導(dǎo)電膜層與鎂及其合金基層之間設(shè)置有絕緣層，大幅的提高了鎂及其合金的導(dǎo)電膜層的防腐蝕性能。并且本發(fā)明中，導(dǎo)電膜層為Ag膜，導(dǎo)電能力良好，能夠滿足通信、航海、航空航天對電磁屏蔽、導(dǎo)電性、防腐蝕性、輕量化的工程應(yīng)用需求。

本發(fā)明提供的一種鍍膜鎂及其合金制備方法，在鎂及其合金表面優(yōu)先形成絕緣層，然后通過反應(yīng)液在絕緣層表面制備導(dǎo)電膜層。本發(fā)明中通過微弧氧化先在鎂及其合金表面形成絕緣多孔氧化膜層，形成的絕緣多孔氧化膜層能夠阻斷腐蝕原電池回路并與制備的導(dǎo)電膜層形成協(xié)同防護(hù)層，大幅度提高了鍍膜鎂及其合金防腐蝕性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的鍍膜鎂合金的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本發(fā)明提供的鍍膜鎂合金的多孔陶瓷絕緣層的開孔結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明多孔陶瓷絕緣層微觀結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：100-鎂及其合金基體；110-絕緣層；120-導(dǎo)電膜層；111-開孔。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，下列實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例中未注明具體條件者，按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市售購買獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

以下針對本發(fā)明實(shí)施例的鍍膜鎂及其合金進(jìn)行具體說明：

參閱圖1，一種鍍膜鎂及其合金，包括由絕緣層110形成電隔離的鎂及其合金基體100和導(dǎo)電膜層120，絕緣層110附著于鎂及其合金基體100表面，導(dǎo)電膜層120附著于絕緣層110表面。

本實(shí)施例中的鎂可為鎂板或者為鎂塊，鎂合金基體可以為鋁鎂合金基體、鋅鎂合金基體還可以為其他鎂合金基體。

本實(shí)施例中的絕緣層110的材質(zhì)為陶瓷，進(jìn)一步為絕緣氧化膜層。參閱圖2可知，絕緣層110為開孔狀結(jié)構(gòu)，在其表面設(shè)置有開孔111。開孔111的直徑和孔深根據(jù)實(shí)際情況而定。本實(shí)施例中絕緣層110的厚度在3～30μm。

本實(shí)施例中的絕緣層110用作鎂及其合金基體100的表面防護(hù)膜，其設(shè)置可以大幅度的提高鎂及其合金腐蝕電位，進(jìn)而提高其防腐蝕性能。并且本實(shí)施例中的多孔陶瓷絕緣層為多孔結(jié)構(gòu)，具有良好的附著性，使其與鎂及其合金基體100表面之間的連接較為穩(wěn)定，并還使其與設(shè)置在其表面上的導(dǎo)電膜層120之間連接穩(wěn)定。

本實(shí)施例中的導(dǎo)電膜層120的材質(zhì)主要為銀、銅、鎳中的一種或多種，進(jìn)一步優(yōu)選為銀。導(dǎo)電膜層120能夠覆蓋在絕緣層110表面，將絕緣層110的開孔111進(jìn)行封堵，最終與絕緣層110形成協(xié)同防護(hù)層，避免外界接觸的腐蝕離子如氯離子等進(jìn)入開孔111對鎂合金基體腐蝕。并且導(dǎo)電膜層120為銀膜，導(dǎo)電能力良好，能夠滿足通信、航海、航空航天對電磁屏蔽、導(dǎo)電性、防腐蝕性、輕量化的工程應(yīng)用需求。

本實(shí)施例通過將絕緣層110和導(dǎo)電膜層120的協(xié)同作用，在鎂及其合金基體100的表面形成多層膜結(jié)構(gòu)，使鎂及其合金基體100在提高防腐蝕性能的同時(shí)，還使鎂及其合金具有良好的導(dǎo)電性能。絕緣層110高阻抗絕緣的特性將鎂及其合金基體100與導(dǎo)電膜層120進(jìn)行隔絕，切斷了鎂合金與外界聯(lián)通的導(dǎo)電通道，防止電偶腐蝕的發(fā)生，值得注意的是，本實(shí)施例中電偶腐蝕包括接觸腐蝕或雙金屬腐蝕。絕緣層110的表面是多孔的結(jié)構(gòu)，這是微弧氧化膜層本身的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，微弧氧化出來就呈現(xiàn)多孔結(jié)構(gòu)。多孔結(jié)構(gòu)能夠提供非常良好的表面附著性能，有利于銀膜附著，增加界面結(jié)合力。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，鍍膜鎂及其合金為具有層狀的平板結(jié)構(gòu)，其中，鎂及其合金基體100、絕緣層110以及導(dǎo)電膜層120均為矩形板?？梢岳斫獾氖牵诒景l(fā)明的其他實(shí)施例中，鍍膜鎂及其合金也可以是其他形狀，例如是核殼結(jié)構(gòu)的球形，即鎂及其合金基體100為球形結(jié)構(gòu)，球形的絕緣層110附著于鎂及其合金基體100表面，球形的導(dǎo)電膜附著于絕緣層110表面。

上述鍍膜鎂及其合金的制備方法，包括以下步驟：

在鎂及其合金基體100表面形成絕緣層，再在絕緣層110表面形成導(dǎo)電膜。

附著于鎂及其合金基體100表面的絕緣層110為氧化膜，且形成氧化膜層的方法是：

對鎂及其合金基體100進(jìn)行微弧氧化。本實(shí)施例通過微弧氧化處理使鎂及其合金基體100的表面形成具有多孔結(jié)構(gòu)的絕緣層110。在微弧氧化處理過程中，需要對鎂及其合金基體100的表面進(jìn)行起弧處理，起弧處理之后會在絕緣層110表面形成電擊坑，即本實(shí)施例中的絕緣層110。

對鎂及其合金基體100進(jìn)行微弧氧化處理的方法包括：

通過電解液對鎂及其合金基體100進(jìn)行電解處理，本實(shí)施例中的電解液主要由0.1～10g/L NaOH、5～15g/L Na₂SiO₃、5～15g/L NaF組成。電解液進(jìn)一步優(yōu)選為0.5～7g/L NaOH、8～10g/L Na₂SiO₃、8～10g/L NaF組成。

本實(shí)施例中，電解處理的電壓為250～600V，電流密度0.5-10A/dm²，處理時(shí)間1-20min。進(jìn)一步的優(yōu)選為，電壓為350～500V，電流密度0.8-7A/dm²，處理時(shí)間5-15min。本實(shí)施例中，電解處理可在電解槽中完成，電解槽中盛裝有電解液。在本實(shí)施例中，電解液須淹沒鎂及其合金基體100，并且使鎂及其合金基體100的表面深入至電解液的液面以下至少10cm。

在絕緣層110表面形成導(dǎo)電膜層120的方法有多種，本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)電膜層120的材質(zhì)優(yōu)選為銀，因此形成銀材質(zhì)的導(dǎo)電膜層120方法包括：

將反應(yīng)液分散于絕緣層110表面，并加熱。本實(shí)施例中的反應(yīng)液主要由硝酸銀、氨水、還原劑、氫氧化鈉和硫代硫酸鈉組成。本實(shí)施例中，絕緣層110的形成主要通過銀鏡反應(yīng)，在絕緣層110形成鍍銀層。

在銀鏡反應(yīng)中，硝酸銀提供用于鍍銀層形成的銀離子，氨水用于析出硝酸銀中的銀離子，還原劑用于將溶液中析出的銀離子還原為銀，進(jìn)一步形成附著于多孔陶瓷絕緣層110的導(dǎo)電膜層120。進(jìn)一步的，還原劑為葡萄糖、酒石酸鹽、硫酸肼、乙二醛、硼氫化鈉、二甲基胺硼烷、三乙醇胺任意一種與丙三醇的組合物。

氫氧化鈉用于在溶液中調(diào)節(jié)堿性環(huán)境，即調(diào)節(jié)溶液中氫氧根的溶度，從而增加還原劑的還原性，使還原劑能更好的將硝酸銀溶液中的銀離子還原為金屬銀。但值得注意的是，在其他實(shí)施例中，也可以加入其他堿性化合物，例如KOH。在本實(shí)施例中，硫代硫酸鈉的作用就是為了定影，并與硝酸銀反應(yīng)生成易溶于水的配合物。本實(shí)施例中，葡萄糖含有醛基，具有還原性，可以將硝酸銀溶液中的銀離子還原成金屬銀。在本實(shí)施例中，酒石酸鹽進(jìn)一步優(yōu)選為酒石酸鉀鈉，同樣將硝酸銀溶液中的銀離子還原成金屬銀。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，反應(yīng)液還可以優(yōu)選為主要由硝酸銀、氨水和還原劑組成；所述還原劑為氫氧化鈉與硫代硫酸鈉的組合物。本實(shí)施例中，反應(yīng)液中氫氧化鈉、硝酸銀、硫代硫酸鈉、氨水和還原劑的質(zhì)量比為2～4：1：0.25～1：1～5：0.5～1，優(yōu)選的，氫氧化鈉、硝酸銀、硫代硫酸鈉、氨水和還原劑的質(zhì)量比為2～3：1：0.5～1:1.5～4：0.7～0.8。本實(shí)施例中，當(dāng)氫氧化鈉質(zhì)量超出范圍和低于范圍值時(shí)，都會降低還原劑的還原性，從而降低硝酸銀溶液中金屬銀的還原量。當(dāng)硫代硫酸鈉的量過低時(shí)，無法完整的進(jìn)行定影，使部分析出的金屬銀無法穩(wěn)固地附著于絕緣層表面，當(dāng)硫代硫酸鈉的量過高時(shí)，未進(jìn)行反應(yīng)的硫代硫酸鈉會破壞溶液中的酸堿平衡從而影響還原劑的還原作用。本實(shí)施例中，當(dāng)氨水超出最高范圍時(shí)，會使該硝酸銀溶液中電離平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)，抑制了電離，使溶液中銀離子濃度相應(yīng)減小，當(dāng)氨水低于最小范圍時(shí)，同樣因?yàn)榉磻?yīng)不完全降低銀鏡反應(yīng)的效果，從而影響導(dǎo)電膜層的成膜效果。

本實(shí)施例中，在對鎂及其合金進(jìn)行微弧氧化處理前還可選擇的進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理的步驟包括：

通過打磨的方式去除鎂及其合金基體100表面的氧化皮。

本實(shí)施例中的打磨的方式可包括手工打磨和機(jī)器進(jìn)行打磨，可根據(jù)鎂及其合金基體100的尺寸來選擇打磨的方式。當(dāng)鎂及其合金基體100體積較大時(shí)，可通過機(jī)器通過鎂及其合金基體100的實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定打磨厚度進(jìn)行打磨，當(dāng)鎂及其合金基體100體積較小時(shí)，通過人工利用80#～2000#砂紙進(jìn)行打磨。通過打磨將鎂及其合金基體100表面的氧化皮進(jìn)行去除，使鎂及其合金基體100表面光滑且平整，使絕緣層110能夠完整的附著于鎂及其合金基體100的表面，與鎂及其合金基體100之間實(shí)現(xiàn)完整的貼合。

以下結(jié)合是實(shí)施例對本發(fā)明的耐高溫防靜電材料及其制備方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

實(shí)施例1

一種鍍膜鎂合金，包括絕緣層、鎂合金基體以及導(dǎo)電膜層。絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，鎂合金基體和導(dǎo)電膜層之間由絕緣層形成電隔離。其中，絕緣層是具有多孔結(jié)構(gòu)的陶瓷材料制作而成，且多絕緣層的厚度為3μm。導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過80#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.1g/L的NaOH、5g/L的Na₂SiO₃、5g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體10cm，電解電壓為250V，電流密度為0.5A/dm²，經(jīng)過1min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.4L氫氧化鈉、0.2L硝酸銀、0.08L硫代硫酸鈉、0.2L氨水、0.06L葡萄糖、0.06L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為5％。

實(shí)施例2

一種鍍膜鎂合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為15μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過500#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.5g/L的NaOH、8g/L的Na₂SiO₃、8g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為350V，電流密度為0.8A/dm²，經(jīng)過5min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.36L氫氧化鈉、0.18L硝酸銀、0.09L硫代硫酸鈉、0.27L氨水、0.05L葡萄糖和0.05L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為3.7％。

實(shí)施例3

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為25μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過1000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.306L氫氧化鈉、0.102L硝酸銀、0.102L硫代硫酸鈉、0.408L氨水、0.036L葡萄糖和0.036L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為3.5％。

實(shí)施例4

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為30μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過2000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.335L氫氧化鈉、0.085L硝酸銀、0.085L硫代硫酸鈉、0.42L氨水、0.0425L葡萄糖和0.0425L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例5

一種鍍膜鎂合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為3μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過80#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.1g/L的NaOH、5g/L的Na₂SiO₃、5g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體10cm，電解電壓為250V，電流密度為0.5A/dm²，經(jīng)過1min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.4L氫氧化鈉、0.2L硝酸銀、0.08L硫代硫酸鈉、0.2L氨水、0.03L葡萄糖、0.03L三乙醇胺和0.06L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為5％。

實(shí)施例6

一種鍍膜鎂合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為15μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過500#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.5g/L的NaOH、8g/L的Na₂SiO₃、8g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為350V，電流密度為0.8A/dm²，經(jīng)過5min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.36L氫氧化鈉、0.18L硝酸銀、0.09L硫代硫酸鈉、0.27L氨水、0.025L葡萄糖、0.025L三乙醇胺和0.05L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為3.7％。

實(shí)施例7

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為25μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取單位面積的鎂合金面板，通過1000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.306L氫氧化鈉、0.102L硝酸銀、0.102L硫代硫酸鈉、0.408L氨水、0.018L葡萄糖、0.018L三乙醇胺和0.036L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金，其中葡萄糖的濃度為3.5％。

實(shí)施例8

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為30μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過2000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.335L氫氧化鈉、0.085L硝酸銀、0.085L硫代硫酸鈉、0.42L氨水、0.02125L葡萄糖、0.2125L三乙醇胺和0.0425L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例9

一種鍍膜鎂合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為3μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過80#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.1g/L的NaOH、5g/L的Na₂SiO₃、5g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體10cm，電解電壓為250V，電流密度為0.5A/dm²，經(jīng)過1min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.4L氫氧化鈉、0.2L硝酸銀、0.08L硫代硫酸鈉、0.2L氨水、0.045L酒石酸鹽、0.075L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例10

一種鍍膜鎂合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為15μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過500#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由0.5g/L的NaOH、8g/L的Na₂SiO₃、8g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為350V，電流密度為0.8A/dm²，經(jīng)過5min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.36L氫氧化鈉、0.18L硝酸銀、0.09L硫代硫酸鈉、0.27L氨水、0.035L酒石酸鹽和0.065L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例11

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為25μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過1000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.306L氫氧化鈉、0.102L硝酸銀、0.102L硫代硫酸鈉、0.408L氨水、0.021L酒石酸鹽和0.051L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例12

一種鍍膜鎂及其合金，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂合金基體和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂合金基體表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為30μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂合金的制備方法，包括以下步驟：

取鎂合金面板，通過2000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂合金面板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂合金基體12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.335L氫氧化鈉、0.085L硝酸銀、0.085L硫代硫酸鈉、0.42L氨水、0.04L酒石酸鹽和0.045L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂合金。

實(shí)施例13

一種鍍膜鎂板，包括由多孔陶瓷絕緣層形成電隔離的鎂板和導(dǎo)電膜層，多孔陶瓷絕緣層附著于鎂板表面，導(dǎo)電膜層附著于多孔陶瓷絕緣層表面，多孔陶瓷絕緣層的厚度為30μm，導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為銀。

上述鍍膜鎂板的制備方法，包括以下步驟：

取鎂板，通過2000#砂紙對其進(jìn)行打磨，使其表面氧化皮脫落，表面光滑平整。將經(jīng)打磨后的鎂板放置于電解槽內(nèi)進(jìn)行電解，電解液由7g/L的NaOH、10g/L的Na₂SiO₃、10g/L的NaF組成，且電解液淹沒鎂板12cm，電解電壓為500V，電流密度為7A/dm²，經(jīng)過15min的處理在鎂合金基體表面形成多孔絕緣陶瓷層。將0.335L氫氧化鈉、0.085L硝酸銀、0.085L硫代硫酸鈉、0.42L氨水、0.04L酒石酸鹽和0.045L丙三醇組成的反應(yīng)噴涂于多孔絕緣陶瓷層的表面并加熱烘干，最終形成導(dǎo)電膜層，得到鍍膜鎂板。

對比例1

分別對具有相同規(guī)格的未鍍膜的鎂合金基板(CS-01)，以及本發(fā)明實(shí)施例1至13提供的鍍膜鎂及其合金進(jìn)行耐腐蝕性測試，實(shí)驗(yàn)結(jié)果見表1所示。在本次對比試驗(yàn)中，CS-01與實(shí)施例1～13在相同的環(huán)境下，按照相同的測試方法進(jìn)行試驗(yàn)，且未鍍膜的鎂合金基板的規(guī)格為100cm×100cm×20cm。

本次對比試驗(yàn)中，耐腐蝕性測試通過動(dòng)電位極化測試和鹽霧試驗(yàn)進(jìn)行測定，動(dòng)電極極化測試通過動(dòng)態(tài)掃描測試系統(tǒng)進(jìn)行測定，本對比例中的動(dòng)態(tài)掃描測試系統(tǒng)由恒電位儀、信號發(fā)生器、記錄儀等組成。鹽霧試驗(yàn)按照GB/T6461-20022標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試。

表1

根據(jù)表1可知，經(jīng)過鍍膜后的鎂合金基體和鎂板在腐蝕電流密度和腐蝕覆蓋率數(shù)據(jù)上都比未經(jīng)過鍍膜處理的鎂合金基體有了明顯的降低，說明經(jīng)過鍍膜處理后的鎂合金基體和鎂板在保證了良好的導(dǎo)電率的同時(shí)還是腐蝕率得到了大幅度的降低，實(shí)現(xiàn)了鎂合金基體和鎂板的抗腐蝕性能的提升。

盡管已用具體實(shí)施例來說明和描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識到，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出許多其它的更改和修改。因此，這意味著在所附權(quán)利要求中包括屬于本發(fā)明范圍內(nèi)的所有這些變化和修改。