本發(fā)明涉及一種基于電鍍制備ZnO納米陣列的方法，并且具有很好的催化活性和光療效果，具體涉及ZnO納米陣列的制備方法。

背景技術(shù)：

近年來，環(huán)保問題日益突出。有毒和難降解的有機污染物的處理問題一直處于瓶頸狀態(tài)。光催化氧化作為一項環(huán)境友好型技術(shù)，得到了人們的廣泛關(guān)注，ZnO具有一定的光催化性能，在光催化氧化應用中表現(xiàn)出很強的優(yōu)勢。

眾所周知，納米氧化鋅（zinc oxide，ZnO），是一種具有巨大應用潛力的半導體納米材料，由于它的光催化效應被廣泛應用與太陽能電池、污水處理、殺菌的理論研究和實際應用的報道與日俱增。氧化鋅納米陣列在環(huán)境保護、節(jié)能、生物傳感器等方面有著廣泛的應用。因此，如何制備出ZnO納米陣列以及如何控制有序氧化鋅納米陣列的厚度，粒徑，長度等以得到符合預期的氧化鋅納米管在環(huán)保方面有重大意義。

本發(fā)明方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中ZnO排列難以控制，分布不均等缺陷。本發(fā)明可以有序的控制ZnO納米陣列的厚度、粒徑、長度等，以得到符合預期結(jié)果的ZnO。ZnO納米陣列在環(huán)境保護、節(jié)能、生物傳感器等方面有著廣泛的應用。因此，本發(fā)明對ZnO納米陣列的應用具有重大意義。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明提供了一種新的ZnO納米陣列的制備方法。

技術(shù)方案：針對目前現(xiàn)有技術(shù)中ZnO排列難以控制，分布不均等缺陷，本發(fā)明提供了一種可以有序控制ZnO納米陣列的厚度、粒徑、長度等，以得到符合預期結(jié)果的ZnO納米陣列的方法。

1．一種基于電鍍制備ZnO納米陣列的方法，由如下步驟制得：

（1）稱取一定量的金試劑溶解到去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為0.1～1000mg/mL。稱取一定量谷胱甘肽固體溶解到去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為0.1～1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為0.1～1000mg/mL。

（2）將電極浸入一定濃度的金絡合物溶液，水浴恒溫，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在一定濃度Zn²⁺溶液（濃度為0.1～5.0mol/L）中進行電鍍，水浴加熱30～100℃，電鍍時間1～8h，制備得到ZnO納米陣列。

本發(fā)明的優(yōu)點是：本發(fā)明方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中ZnO排列難以控制，分布不均等缺陷。本發(fā)明可以有序的控制ZnO納米陣列的厚度、粒徑、長度等，以得到符合預期的ZnO。ZnO納米陣列在環(huán)境保護、節(jié)能、生物傳感器等方面有著廣泛的應用。因此，本發(fā)明對ZnO納米陣列的應用具有重大意義。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例1實驗組SEM結(jié)果圖；

圖2是本發(fā)明實施例2實驗組SEM結(jié)果圖。

具體實施方式

實施例1

（1）稱取0.1g的氯金酸固體溶解到1mL去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為100mg/mL。稱取1g谷胱甘肽固體溶解到1mL去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為50mg/mL。

（2）將電極浸入上述的金絡合物溶液，水浴恒溫37℃7天，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在濃度為1mol/L的ZnCl₂溶液中進行電鍍，水浴加熱70℃，電鍍時間6h，制備得到ZnO納米陣列。

本發(fā)明所得產(chǎn)品用電子掃描電鏡（SEM）表征結(jié)果見圖1。

實施例2

（1）稱取1g的氯金酸固體溶解到1mL去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為1000mg/mL。稱取1g谷胱甘肽固體溶解到1mL去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為500mg/mL。

（2）將電極浸入上述的金絡合物溶液，水浴恒溫37℃7天，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在濃度為1mol/L的ZnCl₂溶液中進行電鍍，水浴加熱70℃，電鍍時間6h，制備得到ZnO納米陣列。

本發(fā)明所得產(chǎn)品用電子掃描電鏡（SEM）表征結(jié)果見圖2。

實施例3

（1）稱取0.1g的氯金酸固體溶解到1mL去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為100mg/mL。稱取1g谷胱甘肽固體溶解到1mL去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為50mg/mL。

（2）將電極浸入上述的金絡合物溶液，水浴恒溫37℃7天，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在濃度為5mol/L的ZnCl₂溶液中進行電鍍，水浴加熱70℃，電鍍時間6h，制備得到ZnO納米陣列。

實施例4

（1）稱取1g的氯金酸固體溶解到1mL去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為100mg/mL。稱取1g谷胱甘肽固體溶解到1mL去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為500mg/mL。

（2）將電極浸入上述的金絡合物溶液，水浴恒溫37℃7天，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在濃度為5mol/L的ZnCl₂溶液中進行電鍍，水浴加熱70℃，電鍍時間6h，制備得到ZnO納米陣列。

實施例5

（1）稱取0.1g的氯金酸固體溶解到1mL去離子水中配制成新鮮氯金酸溶液，濃度為100mg/mL。稱取1g谷胱甘肽固體溶解到1mL去離子水中配制成谷胱甘肽溶液，濃度為1000mg/mL，將谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金試劑溶液，讓其與金離子充分反應。谷胱甘肽分子作為配體充分的與Au³⁺發(fā)生絡合反應，從而形成穩(wěn)定的絡合物[Au(GSH)]³⁺，濃度為50mg/mL。

（2）將電極浸入上述的金絡合物溶液，水浴恒溫37℃7天，在ITO上沉積金納米簇。

（3）在ITO電極均勻沉積一層金納米簇后，在濃度為1mol/L的ZnCl₂溶液中進行電鍍，水浴加熱70℃，電鍍時間2h，制備得到ZnO納米陣列。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出：對于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。