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一種低載量IrO2電解水膜電極、制備方法及其應用

文檔序號:40579811發(fā)布日期:2025-01-07 20:19閱讀:11來源:國知局
一種低載量IrO2電解水膜電極、制備方法及其應用

本發(fā)明屬于電解水膜電極的制備,特別是涉及一種低載量iro2電解水膜電極、制備方法及其應用。


背景技術:

1、質(zhì)子交換膜水電解(pemwe)由于其能量密度大、產(chǎn)氫純度高等優(yōu)越性吸引了大量研究人員的關注。在這其中,銥基材料作為高效的析氧反應(oer)電催化劑在質(zhì)子交換膜電解水(pemwe)領域中扮演著至關重要的作用。由于ir在地球上的儲量較為稀少,且價格昂貴,如果想大規(guī)模推廣pemwe的研究應用就必須要降低ir的用量,使其在低載量下仍然保持較高性能工作。

2、膜電極集合體(mea)又稱膜電極,是pemwe中的關鍵核心部件,是物質(zhì)傳遞、電化學反應發(fā)生的重要場所,且膜電極由里及外分別由質(zhì)子交換膜、催化層和氣體擴散層三部分組成。傳統(tǒng)方法是直接在質(zhì)子交換膜上噴涂催化劑(ccm),制備的膜電極上催化層的載量較高(2~4mg?cm-2),且由于催化層的顆粒堆積緊密,物質(zhì)傳輸效率較差,需要進一步優(yōu)化。通過增大膜電極的三相反應界面,從而提升催化劑利用率是降低貴金屬催化劑用量的有效方法之一。

3、因此,可控的構筑膜電極最大化的三相反應界面、擴大質(zhì)子交換膜/催化層界面和快速傳質(zhì)通道的總體設計是目前研究熱點與難點。


技術實現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種低載量iro2電解水膜電極、制備方法及其應用,用于解決現(xiàn)有技術中催化劑利用率低,導致膜電極上催化劑的載量較高的問題,以及物質(zhì)在膜電極三相反應界面上傳輸效率差的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的,本發(fā)明提供一種低載量iro2電解水膜電極的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:

3、s1、將二氧化銥和高聚物分散于混合溶液中,得到均一的紡絲前驅(qū)液;其中,所述混合溶液包括nafion溶液、水和異丙醇;

4、s2、將所述紡絲前驅(qū)液進行靜電紡絲,在接收裝置上得到iro2納米纖維層;

5、s3、將所述iro2納米纖維層熱壓轉(zhuǎn)印于nafion膜上,在所述nafion膜上形成陽極催化層;

6、s4、將陰極催化劑漿液噴涂于所述nafion膜遠離所述陽極催化層的一面,經(jīng)熱壓,在所述nafion膜的另一面形成陰極催化層,最終制備出低載量iro2電解水膜電極。

7、優(yōu)選地,步驟s1中所述高聚物包括聚氧化乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮中的一種,且所述高聚物的粘均分子量為100000~1000000。

8、優(yōu)選地,步驟s1中所述二氧化銥、高聚物與nafion溶液之間的質(zhì)量比為(20~100):(2~20):(50~500),在得到的所述紡絲前驅(qū)液中所述高聚物的質(zhì)量濃度為2wt%~10wt%。

9、優(yōu)選地,步驟s1中所述水與異丙醇的總質(zhì)量為所述二氧化銥的質(zhì)量的0~30倍,且所述水與所述異丙醇之間的質(zhì)量比為1:1。

10、優(yōu)選地,步驟s1中所述nafion溶液為質(zhì)量百分數(shù)為5wt%或20wt%的nafion溶液。

11、優(yōu)選地,步驟s2中所述靜電紡絲的工藝參數(shù)為:正電壓為4~20kv,負電壓為0~-3kv,環(huán)境溫度為15~25℃,相對濕度為35%~45%,溶液推進速度為0.01~0.3ml/h,注射器針頭與接收裝置之間的距離為10~20cm。

12、優(yōu)選地,步驟s2中所述接收裝置為平板、柵格或滾筒狀的接收裝置,且所述接收裝置上粘附有鋁箔或硅油紙。

13、優(yōu)選地,步驟s3中的所述nafion膜在轉(zhuǎn)印前需進行預處理,具體為,將nafion膜裁剪成所需尺寸,放置于3wt%~10wt%的過氧化氫溶液中加熱1h,然后用超純水洗滌,再放置于0.5mol/l的硫酸溶液中加熱1h,經(jīng)超純水洗滌后,得到純凈的nafion膜。

14、優(yōu)選地,步驟s3中所述熱壓轉(zhuǎn)印的溫度為130~140℃,所述熱壓轉(zhuǎn)印的壓力為1~3mpa,所述熱壓轉(zhuǎn)印的時間為2~5min。

15、優(yōu)選地,步驟s4中按照所述陰極催化劑漿液的組份計,所述陰極催化劑漿液包括1份pt/c催化劑、1~10份5wt%的nafion溶液、5~15份水和5~15份異丙醇。

16、優(yōu)選地,步驟s4中所述熱壓的溫度為130~140℃,所述熱壓的壓力為4~6mpa,所述熱壓的時間為1~3min。

17、優(yōu)選地,步驟s4中形成的所述陰極催化層在所述nafion膜上的載量為0.3~0.6mg/cm2。

18、優(yōu)選地,所述pt/c催化劑是由pt和c兩種物質(zhì)組成的,其中,在所述pt/c催化劑中,所述pt所占的質(zhì)量百分比為40wt%~60wt%。

19、本發(fā)明還提供一種低載量iro2電解水膜電極,所述膜電極為采用上述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法所制備而成的。

20、本發(fā)明還提供一種低載量iro2電解水膜電極的應用,所述膜電極應用于質(zhì)子交換膜水電解催化反應中,其中,所述膜電極為采用上述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法所制備而成的。

21、如上所述,本發(fā)明的低載量iro2電解水膜電極、制備方法及其應用,具有以下有益效果:

22、本發(fā)明采用靜電紡絲技術獲得均勻的纖維狀的iro2納米纖維層,且貴金屬催化劑位于纖維表面,不易發(fā)生團聚,從而在降低貴金屬催化劑載量的同時,提高了催化劑的利用率;況且,本發(fā)明采用nafion作為陽極催化層的纖維骨架,獲得均勻、連續(xù)的納米纖維三維網(wǎng)絡結(jié)構的iro2納米纖維層,將其熱壓轉(zhuǎn)印于nafion膜上形成陽極催化層,再于nafion膜的另一面噴涂陰極催化層,從而高效、直接構筑出具有高有序化程度、纖維直徑均勻可控且催化劑顆粒分布均勻的低載量iro2電解水膜電極;且該膜電極為納米纖維三維網(wǎng)絡結(jié)構,擴大了膜電極的三相界面,在電解水過程中增強了物質(zhì)傳輸,形成的連續(xù)質(zhì)子傳輸通道能有效提升質(zhì)子傳導,降低傳質(zhì)損失,所制備的低載量iro2電解水膜電極在質(zhì)子交換膜水電解催化反應中具有高活性。



技術特征:

1.一種低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:

2.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s1中包括以下條件中的一項或組合:

3.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s2中所述靜電紡絲的工藝參數(shù)為:正電壓為4~20kv,負電壓為0~-3kv,環(huán)境溫度為15~25℃,相對濕度為35%~45%,溶液推進速度為0.01~0.3ml/h,注射器針頭與接收裝置之間的距離為10~20cm。

4.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s2中所述接收裝置為平板、柵格或滾筒狀的接收裝置,且所述接收裝置上粘附有鋁箔或硅油紙。

5.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s3中的所述nafion膜在轉(zhuǎn)印前需進行預處理,具體為,將nafion膜裁剪成所需尺寸,放置于3wt%~10wt%的過氧化氫溶液中加熱1h,然后用超純水洗滌,再放置于0.5mol/l的硫酸溶液中加熱1h,經(jīng)超純水洗滌后,得到純凈的nafion膜。

6.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s3中所述熱壓轉(zhuǎn)印的溫度為130~140℃,所述熱壓轉(zhuǎn)印的壓力為1~3mpa,所述熱壓轉(zhuǎn)印的時間為2~5min。

7.根據(jù)權利要求1所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:步驟s4中包括以下條件中的一項或組合:

8.根據(jù)權利要求6所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法,其特征在于:所述pt/c催化劑是由pt和c兩種物質(zhì)組成的,其中,在所述pt/c催化劑中,所述pt所占的質(zhì)量百分比為40wt%~60wt%。

9.一種低載量iro2電解水膜電極,其特征在于:所述膜電極為采用權利要求1~8任一所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法所制備而成的。

10.一種低載量iro2電解水膜電極的應用,其特征在于:所述膜電極應用于質(zhì)子交換膜水電解催化反應中,其中,所述膜電極為采用權利要求1~8任一所述的低載量iro2電解水膜電極的制備方法所制備而成的。


技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種低載量IrO<subgt;2</subgt;電解水膜電極、制備方法及其應用,其制備方法包括:S1、將二氧化銥和高聚物分散于混合溶液中,得紡絲前驅(qū)液;混合溶液包括Nafion溶液、水和異丙醇;S2、將紡絲前驅(qū)液進行靜電紡絲,得到IrO<subgt;2</subgt;納米纖維層;S3、熱壓轉(zhuǎn)印于Nafion膜上,形成陽極催化層;S4、將陰極催化劑漿液噴涂于Nafion膜另一面,經(jīng)熱壓,形成陰極催化層,最終得低載量IrO<subgt;2</subgt;電解水膜電極。本發(fā)明構筑出具有高有序化程度、纖維直徑均勻可控且催化劑顆粒分布均勻的低載量IrO<subgt;2</subgt;電解水膜電極,在降低貴金屬催化劑載量的同時,提高了催化劑的利用率;且擴大了膜電極的三相界面,在水電解催化中具有高活性。

技術研發(fā)人員:程慶慶,耿茂林,楊輝,王國樑
受保護的技術使用者:中國科學院上海高等研究院
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/6
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