【】本申請涉及半導(dǎo)體器件制備，尤其涉及一種晶圓電鍍方法及晶圓電鍍產(chǎn)品。

背景技術(shù)

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背景技術(shù)：

1、電鍍工藝是通過電化學(xué)過程在基材表面沉積一層金屬薄膜的一種技術(shù)。電鍍工藝被廣泛地應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域，電鍍工藝可以增強基材的導(dǎo)電性、抗腐蝕性和耐磨性等；此外，電鍍工藝也可以用于形成電子器件中的導(dǎo)電路徑、接觸點和其他功能性結(jié)構(gòu)。

2、隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件尤其是大規(guī)模集成電路芯片的尺寸不斷縮小。例如，電極引線的寬度或電極引線之間的距離細小至0.3mm。相應(yīng)地，電子器件對電鍍工藝的鍍層質(zhì)量，如鍍層厚度與鍍層表面形貌等，都具有更高的要求。

3、鍍層質(zhì)量很容易受到電鍍過程之中各項工藝參數(shù)和生產(chǎn)環(huán)境的影響，導(dǎo)致鍍層與基材之間結(jié)合力較弱，進而導(dǎo)致容易發(fā)生鍍層脫落失效的現(xiàn)象。這樣的缺陷對于電子器件的可靠性和使用壽命有著較大的影響。

技術(shù)實現(xiàn)思路

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技術(shù)實現(xiàn)要素：

1、本申請實施例提供的晶圓電鍍方法及晶圓電鍍產(chǎn)品，旨在降低相關(guān)技術(shù)中的鍍層發(fā)生脫落的風(fēng)險。

2、第一方面，本申請實施例提供以下技術(shù)方案：一種晶圓電鍍方法。該晶圓電鍍方法包括如下步驟：在晶圓的表面制備種子層；對所述種子層進行光刻，以得到具有預(yù)設(shè)圖案的待電鍍區(qū)；對所述待電鍍區(qū)以第一預(yù)設(shè)電流密度進行第一電鍍操作，以得到金屬鍍層；以及在所述第一電鍍操作結(jié)束后，對所述待電鍍區(qū)以第二預(yù)設(shè)電流密度進行第二電鍍操作，以使所述金屬鍍層達到預(yù)設(shè)厚度；其中，所述第二預(yù)設(shè)電流密度為所述第一預(yù)設(shè)電流密度的65到75倍。

3、第二方面，本申請實施例提供以下技術(shù)方案：一種晶圓電鍍產(chǎn)品。該晶圓電鍍產(chǎn)品由如上所述的晶圓電鍍方法制備獲得。

4、本申請實施例提供的晶圓電鍍方法的優(yōu)勢是：通過進行晶圓電鍍的過程中，配合使用不同電流大小的第一電鍍操作和第二電鍍操作，一方面能夠有效地增強晶圓電鍍產(chǎn)品的金屬鍍層的粘附性，降低金屬鍍層脫落的風(fēng)險。另一方面能夠提升第二電鍍操作時，能夠使用到的最大電流，達到縮短電鍍總時長的效果。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓電鍍方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，第一電鍍時長是第二電鍍時長的0.5到0.7倍；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述金屬鍍層為銅鍍層；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對所述待電鍍區(qū)以第二預(yù)設(shè)電流密度進行第二電鍍操作之后，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述快速退火操作包括：在350℃～380℃的條件下，退火10分鐘到15分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述在保護氣氛下，對所述晶圓組件實施快速退火操作之前，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對晶圓組件進行清洗之后，所述方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對所述待電鍍區(qū)以第一預(yù)設(shè)電流密度進行第一電鍍操作之前，所述方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述在晶圓的表面制備種子層，具體包括：

10.一種晶圓電鍍產(chǎn)品，其特征在于，所述晶圓電鍍產(chǎn)品由權(quán)利要求1-9任一項所述的晶圓電鍍方法制備獲得。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了晶圓電鍍方法及其晶圓電鍍產(chǎn)品。該方法包括：在晶圓的表面制備種子層；對所述種子層進行光刻，以得到具有預(yù)設(shè)圖案的待電鍍區(qū)；對所述待電鍍區(qū)以第一預(yù)設(shè)電流密度進行第一電鍍操作，以得到金屬鍍層；以及在所述第一電鍍操作結(jié)束后，對所述待電鍍區(qū)以第二預(yù)設(shè)電流密度進行第二電鍍操作，以使所述金屬鍍層達到預(yù)設(shè)厚度；其中，所述第二預(yù)設(shè)電流密度為所述第一預(yù)設(shè)電流密度的65到75倍。該方法能夠有效地增強金屬鍍層的粘附性，避免金屬鍍層脫落的同時，提升第二電鍍操作所能夠使用的最大電流，從而有效地縮短電鍍過程的總時長。

技術(shù)研發(fā)人員：張恒,王慧,齊步祥
受保護的技術(shù)使用者：蘇州希景微機電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6