本發(fā)明涉及材料表面處理,具體是一種提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法。
背景技術(shù):
1、熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能與電能相互轉(zhuǎn)換的功能材料,在溫差發(fā)電和固態(tài)制冷領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。在眾多熱電材料中,碲化鉍基熱電材料是目前室溫附近性能最優(yōu)的熱電材料,也是少數(shù)實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用的熱電材料之一。隨著5g光通訊、大規(guī)模集成電路和可穿戴電子產(chǎn)品等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對碲化鉍基熱電器件的性能提出了更高的要求。
2、一般而言,碲化鉍基熱電器件由碲化鉍基熱電材料、阻擋層、焊接層和陶瓷基板等組成,熱電器件的性能除了與材料的熱電性能本身有關(guān)外,與阻擋層界面的結(jié)合尤為重要,高質(zhì)量的連接界面要求熱電材料與電極材料之間有適當(dāng)?shù)臄U(kuò)散反應(yīng)、良好的界面性能、一定的機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。大量的研究表明ni是一種合適的阻擋層材料,可廣泛應(yīng)用于熱電元件中。
3、然而,ni與碲化鉍基熱電材料之間的結(jié)合強(qiáng)度往往較低,導(dǎo)致熱電器件在長期使用中易發(fā)生界面開裂,引起熱電器件失效。熱電元件的界面結(jié)合強(qiáng)度直接決定了熱電器件的可靠性,并且隨著器件尺寸的微型化,界面性能對器件性能的影響越來越明顯,熱電器件微型化后界面結(jié)合面積變小,結(jié)合力也相應(yīng)變小,在后續(xù)的切割、組裝等加工過程中阻擋層易脫落。因此獲得更高的界面結(jié)合強(qiáng)度,是提高碲化鉍基微型熱電器件可靠性的重要研究方向。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,包括如下步驟:
3、(1)前處理:將碲化鉍基熱電材料晶棒切割成指定大小的晶片,然后用清洗劑超聲清洗;再用腐蝕液腐蝕后用去離子水超聲清洗;
4、(2)鍍鎳:在晶片表面鍍鎳金屬層;
5、(3)鍍錫:在鎳金屬層表面鍍錫金屬層;
6、所述鍍錫過程進(jìn)行兩次,且在兩次鍍錫之間,依次對晶片進(jìn)行退火處理和強(qiáng)堿處理。
7、進(jìn)一步的,鍍鎳時(shí),首先將晶片置于鍍鎳活化液中活化,然后在鍍鎳液中電鍍,最后用去離子水超聲清洗。
8、進(jìn)一步的,所述鍍錫過程包括:
9、第一次鍍錫:首先將晶片置于鍍錫活化液中活化,然后在鍍錫液中電鍍,最后用去離子水超聲清洗;
10、退火處理:將晶片于150-225℃的溫度下,加熱處理2-4h;
11、強(qiáng)堿處理:將退火處理后的晶片置于強(qiáng)堿水溶液中浸泡處理8-12h;然后用去離子水超聲清洗;
12、第二次鍍錫:將晶片置于鍍錫活化液中活化,然后在鍍錫液中電鍍,最后用去離子水超聲清洗;
13、其中,第二次鍍錫時(shí)的電鍍時(shí)間大于第一次鍍錫的電鍍時(shí)間。
14、進(jìn)一步的,所述前處理過程中,腐蝕液中包括:120-180g/l的硫酸,100-200g/l的硝酸和0-150ml/l的氫氟酸,腐蝕時(shí)間為1-5min。
15、進(jìn)一步的,所述切割方式為線切割。
16、進(jìn)一步的,所述鍍鎳活化液中,包括濃度為2-5mol/l的h2so4、以及濃度為0-3mol/l的hcl。
17、進(jìn)一步的,所述鍍鎳液中,包括:濃度為300-400g/l的niso4·6h2o,濃度40-60g/l的nicl2·6h2o,濃度為40-60g/l的h3bo4,濃度為0-1g/l的填平劑,濃度為0-1g/l的光亮劑。
18、進(jìn)一步的,所述鍍錫活化液中,包括:濃度為2-5mol/l的h2so4、以及濃度為0-3mol/l的hcl。
19、進(jìn)一步的,所述鍍錫液中,包括:濃度為15-25g/l的snso4,濃度為150-250g/l的h2so4,濃度為40-60ml/l的光亮劑。
20、進(jìn)一步的,所述強(qiáng)堿水溶液為koh、naoh或ba(oh)2的水溶液。
21、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的一種提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法具有以下有益效果:
22、(1)本發(fā)明中,用腐蝕液對晶片進(jìn)行腐蝕可在晶片上形成粗糙表面,增大鍍鎳層中的鎳原子與晶片之間的接觸面積,有助于提高界面結(jié)合強(qiáng)度。
23、(2)本發(fā)明中,在鍍鎳層上進(jìn)行第一次鍍錫后再去除錫金屬后,會在鍍鎳層內(nèi)部形成多孔納米結(jié)構(gòu),第二次鍍錫時(shí)的錫原子會進(jìn)入多孔納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部,與鎳金屬層形成牢固的錨固結(jié)合,能夠進(jìn)一步強(qiáng)化界面結(jié)合強(qiáng)度。
24、(3)本發(fā)明中,阻擋層包括互相均勻嵌合的鎳金屬和錫金屬,在提高界面結(jié)合強(qiáng)度的同時(shí),還能夠充分發(fā)揮兩種金屬的阻擋性能,提高熱電器件的綜合使用性能。
1.一種提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于,包括如下步驟:
2.如權(quán)利要求1所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:鍍鎳時(shí),首先將晶片置于鍍鎳活化液中活化,然后在鍍鎳液中電鍍,最后用去離子水超聲清洗。
3.如權(quán)利要求1所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述鍍錫過程包括:
4.如權(quán)利要求1所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述前處理過程中,腐蝕液中包括:120-180g/l的硫酸,100-200g/l的硝酸和0-150ml/l的氫氟酸,腐蝕時(shí)間為1-5min。
5.如權(quán)利要求1所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述切割方式為線切割。
6.如權(quán)利要求2所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述鍍鎳活化液中,包括濃度為2-5mol/l的h2so4、以及濃度為0-3mol/l的hcl。
7.如權(quán)利要求2所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述鍍鎳液中,包括:濃度為300-400g/l的niso4·6h2o,濃度40-60g/l的nicl2·6h2o,濃度為40-60g/l的h3bo4,濃度為0-1g/l的填平劑,濃度為0-1g/l的光亮劑。
8.如權(quán)利要求3所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述鍍錫活化液中,包括:濃度為2-5mol/l的h2so4、以及濃度為0-3mol/l的hcl。
9.如權(quán)利要求3所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述鍍錫液中,包括:濃度為15-25g/l的snso4,濃度為150-250g/l的h2so4,濃度為40-60ml/l的光亮劑。
10.如權(quán)利要求3所述的提高熱電器件界面結(jié)合強(qiáng)度的方法,其特征在于:所述強(qiáng)堿水溶液為koh、naoh或ba(oh)2的水溶液。