本公開(kāi)涉及載體銅箔，尤其涉及一種銅電沉積液和載體銅箔制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，對(duì)產(chǎn)品中各部件的性能要求也越來(lái)越高。在電子產(chǎn)品中，銅箔是一類重要的基礎(chǔ)部件。然而銅箔的厚度難以降低，這制約了電子產(chǎn)品性能的進(jìn)一步提高。

2、基于此，載體銅箔應(yīng)運(yùn)而生。載體銅箔又稱為可剝離銅箔，其特點(diǎn)在于具有一層或多層載體層，用于支撐超薄的銅箔層。當(dāng)將載體銅箔應(yīng)用于電子產(chǎn)品之后，將載體層和超薄銅箔層分離，即可以將超薄的銅箔層轉(zhuǎn)移到電子產(chǎn)品中。

3、相關(guān)技術(shù)中，超薄銅箔層的延伸率較低，制約了超薄銅箔的使用。因此，提高超薄銅箔的延伸率具有重要意義。

4、需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開(kāi)的第一方面，提供一種銅電沉積液，包括如下組分：植酸20g/l~100g/l、碳酸銅10g/l~80g/l、酒石酸添加劑0.1g/l~1g/l以及溶劑；所述銅電沉積液的ph值為0.5~3。

2、在本公開(kāi)一示例性實(shí)施例中，基于前述方案，所述溶劑為水。

3、根據(jù)本公開(kāi)的第二方面，提供一種載體銅箔的制備方法，包括如下步驟：

4、在載體層的表面形成剝離層，得到預(yù)成品；

5、采用第一方面銅電沉積液對(duì)所述預(yù)成品進(jìn)行電沉積處理，以在所述剝離層遠(yuǎn)離所述載體層的表面沉積銅箔層。

6、在本公開(kāi)一示例性實(shí)施例中，基于前述方案，所述電沉積處理時(shí)所述銅電沉積液的溫度為35℃~60℃。

7、在本公開(kāi)一示例性實(shí)施例中，基于前述方案，所述電沉積處理的速率為0.3m/min~1.2m/min。

8、在本公開(kāi)一示例性實(shí)施例中，基于前述方案，所述電沉積處理的電流密度為1a/dm2~10a/dm2。

9、在本公開(kāi)一示例性實(shí)施例中，基于前述方案，所述銅箔層的厚度為0.5μm~5μm。

10、由上述技術(shù)方案可知，本公開(kāi)具備以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果中的至少之一：

11、本公開(kāi)中的銅電沉積液包括如下組分：植酸20g/l~100g/l、碳酸銅10g/l~80g/l、酒石酸添加劑0.1g/l~1g/l以及溶劑。銅電沉積液的ph值為0.5~3。通過(guò)合適濃度的植酸、碳酸銅和酒石酸添加劑的配合，并在ph值為0.5~3的條件下，可以獲得尺寸較小且分布均勻的銅晶粒，增加晶界的數(shù)量。在銅箔的變形過(guò)程中，晶界可以起到協(xié)調(diào)變形的作用，使材料更容易發(fā)生塑性形變，進(jìn)而提高超薄銅的延伸率。

技術(shù)特征：

1.一種銅電沉積液，其特征在于，包括如下組分：植酸20g/l~100g/l、碳酸銅10g/l~80g/l、酒石酸添加劑0.1g/l~1g/l以及溶劑；所述銅電沉積液的ph值為0.5~3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電沉積液，其特征在于，所述溶劑為水。

3.一種載體銅箔的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載體銅箔的制備方法，其特征在于，所述電沉積處理時(shí)，所述銅電沉積液的溫度為35℃~60℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載體銅箔的制備方法，其特征在于，所述電沉積處理的速率為0.3m/min~1.2m/min。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載體銅箔的制備方法，其特征在于，所述電沉積處理的電流密度為1a/dm2~10a/dm2。

7.根據(jù)權(quán)利要求3~6中任一項(xiàng)所述的載體銅箔的制備方法，其特征在于，所述銅箔層的厚度為0.5μm~5μm。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及載體銅箔技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種銅電沉積液和載體銅箔制備方法。銅電沉積液包括如下組分：植酸20g/L~100g/L、碳酸銅10g/L~80g/L、酒石酸添加劑0.1g/L~1g/L以及溶劑。銅電沉積液的pH值為0.5~3。通過(guò)合適濃度的植酸、碳酸銅和酒石酸添加劑的配合，并在pH值為0.5~3的條件下，可以獲得尺寸較小且分布均勻的銅晶粒，增加晶界的數(shù)量。在銅箔的變形過(guò)程中，晶界可以起到協(xié)調(diào)變形的作用，使材料更容易發(fā)生塑性形變，進(jìn)而提高超薄銅的延伸率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳韶明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽華威銅箔科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2