一種超高壓電子鋁箔的化成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鋁電解電容器用陽極箔化成技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種超高壓電子鋁箔的化成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展，鋁電解電容器的應(yīng)用越來越廣泛，尤其是對超高壓鋁電解電容器的需求越來越旺盛。用于制造超高壓鋁電解電容器的原材料陽極箔電壓要求也越來越高，而目前陽極箔化成方法中的普通高壓陽極箔形成液閃火電壓偏低，一般為680V左右，達(dá)不到900V以上；一些文獻(xiàn)使用硼酸及五硼酸銨所配置的形成液雖然閃火電壓可以達(dá)到900V以上，但形成效率低，形成升壓時(shí)間長，氧化膜被破壞的程度大，氧化膜致密度差。形成液閃火電壓低，在形成過程中會(huì)因氧化膜被擊穿而出現(xiàn)閃火現(xiàn)象，影響箔樣性能。因此，提供一種行之有效超高壓電子鋁箔的化成方法，提高陽極箔的耐受電壓，對促進(jìn)電解電容器的應(yīng)用具有重要意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對現(xiàn)有超高壓電子鋁箔化成方法中的不足，提供一種超高壓電子鋁箔的化成方法。
[0004]本發(fā)明采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題:
一種超高壓電子鋁箔的化成方法，包括如下步驟:
(1)將經(jīng)過電解腐蝕處理后的鋁箔置于含十聚甘油單油酸酯0.05-0.45%和癸二酸0.02-0.3%的乙醇或水溶液中，在50-70°C下超聲30-90 S，得到一級鋁箔；
(2)將一級鋁箔置于含對硝基苯甲酸銨0.06-0.18%的水溶液中，化成電壓250-320 V、化成溫度70-85°C、化成時(shí)間12-18 min，得到二級鋁箔；
(3)將二級鋁箔置于含磷酸氫二銨0.06-0.14%和噻吩-2-硼酸銨0.01-0.05%的水溶液中，化成電壓400-650 V、化成溫度75-85°C，化成時(shí)間10-15 min，得到三級鋁箔；
(4)將三級鋁箔置于含硼酸1_6%、噻吩-2-硼酸0.8-1.8%、癸二酸1.2-2%,對硝基苯甲酸 0.2-0.9%、磷酸 0.05-0.4%、氨水 0.7-2.2%、2，3- 丁二醇 0.25-0.75%、山梨醇
0.15-0.6%、苯甲醇0.8-1.2%、聚乙二醇0.05-0.15%、聚乙烯醇0.02-0.08%、聚甘油單油酸酯0.01-0.04%和純水的超高壓鋁箔形成液中，化成電壓900-1200 V、化成溫度85_95°C，化成時(shí)間10-35 min，得到超高壓電子招箔。
[0005]優(yōu)選的，步驟(I)中，所述超聲其頻率為80-100 KHz。
[0006]優(yōu)選的，步驟(I)中，所述十聚甘油單油酸酯其濃度為0.12-0.35%，所述癸二酸其濃度為 0.04-0.21%。
[0007]優(yōu)選的，步驟(I)中，所述十聚甘油單油酸酯其濃度為0.21%，所述癸二酸其濃度為 0.17%ο
[0008]優(yōu)選的，步驟(2)中，所述對硝基苯甲酸銨其濃度為0.09-0.14%。
[0009]優(yōu)選的，步驟(2)中，所述對硝基苯甲酸銨其濃度為0.11%。
[0010]優(yōu)選的，步驟(3)中，所述磷酸氫二銨其濃度為0.08-0.1%，所述噻吩-2-硼酸銨其濃度為 0.02-0.03%。
[0011 ] 優(yōu)選的，步驟(3 )中，所述磷酸氫二銨其濃度為0.09%，所述噻吩-2-硼酸銨其濃度為 0.02%。
[0012]優(yōu)選的，步驟(4)中，所述超高壓鋁箔形成液的成分為:硼酸2-4%、噻吩-2-硼酸 1.2-1.5%、癸二酸 1.5-1.8%、對硝基苯甲酸 0.3-0.7%、磷酸 0.25-0.35%、氨水 0.9_2%、2，3- 丁二醇 0.4-0.6%、山梨醇 0.3-0.45%、苯甲醇 0.9-1.1%、聚乙二醇 0.09-0.12%、聚乙烯醇0.04-0.06%、聚甘油單油酸酯0.02-0.04%，其余為純水。
[0013]優(yōu)選的，步驟(4)中，所述超高壓鋁箔形成液的成分為:硼酸3.4%、噻吩-2-硼酸
1.3%、癸二酸1.7%、對硝基苯甲酸0.5%、磷酸0.33%、氨水1.8%、2，3- 丁二醇0.46%、山梨醇0.38%、苯甲醇0.95%、聚乙二醇0.11%、聚乙烯醇0.04%、聚甘油單油酸酯0.03%，其余為純水。
[0014]本發(fā)明的原理是:在四級化成中，以純水作為主溶劑，以硼酸、噻吩-2-硼酸、磷酸、氨水作為形成液的主溶質(zhì)，提供形成液的帶電離子，以癸二酸、對硝基苯甲酸為形成效率提升劑，提高氧化膜的形成效率和質(zhì)量，以2，3-丁二醇、山梨醇、苯甲醇、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚甘油單油酸酯為閃火電壓提升劑，提高陽極箔的閃火電壓。本發(fā)明配制的形成液形成效率大于8V/s，閃火電壓可以滿足900V以上，可以用于形成900?1200V的化成箔。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:
(I)可以滿足形成900?1200V的化成箔，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，升壓時(shí)間小于120s，產(chǎn)品漏電流小于15KA/cm2。
[0016](2)操作方法簡單，成本低廉，適合大量制備超高壓電子鋁箔。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下通過實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
[0018]實(shí)施例1
一種超高壓電子鋁箔的化成方法，包括如下步驟:
(1)將經(jīng)過電解腐蝕處理后的鋁箔置于含十聚甘油單油酸酯0.21%和癸二酸0.17%的乙醇或水溶液中，在55°C、90 KHz下超聲90 S，得到一級鋁箔；
(2)將一級鋁箔置于含對硝基苯甲酸銨0.11%的水溶液中，化成電壓280 V、化成溫度85°C、化成時(shí)間12 min，得到二級招箔；
(3)將二級鋁箔置于含磷酸氫二銨0.09%和噻吩-2-硼酸銨0.02%的水溶液中，化成電壓650 V、化成溫度80°C，化成時(shí)間10 min，得到三級鋁箔；
(4)將三級鋁箔置于含硼酸3.4%、噻吩-2-硼酸1.3%、癸二酸1.7%、對硝基苯甲酸0.5%、磷酸0.33%、氨水1.8%、2，3- 丁二醇0.46%、山梨醇0.38%、苯甲醇0.95%、聚乙二醇0.11%、聚乙烯醇0.04%、十聚甘油單油酸酯0.03%和純水的超高壓鋁箔形成液中，化成電壓1200 V、化成溫度95°C，化成時(shí)間35 min，得到超高壓電子鋁箔。
[0019]可以形成1200Vf化成箔，產(chǎn)品升壓時(shí)間115s，漏電流12μΑ/αιι2。
[0020]實(shí)施例2 一種超高壓電子鋁箔的化成方法，包括如下步驟:
(1)將經(jīng)過電解腐蝕處理后的鋁箔置于含十聚甘油單油酸酯0.05%和癸二酸0.15%的乙醇或水溶液中，在65°C、100 KHz下超聲30 S，得到一級鋁箔；
(2)將一級鋁箔置于含對硝基苯甲酸銨0.06%的水溶液中，化成電壓250V、化成溫度80°C、化成時(shí)間18 min，得到二級招箔；
(3)將二級鋁箔置于含磷酸氫二銨0.1%和噻吩-2-硼酸銨0.04%的水溶液中，化成電壓400V、化成溫度85°C，化成時(shí)間14 min，得到三級鋁箔；
(4)將三級鋁箔置于