本公開的方面涉及碳酸鹽儲層中特征的識別。更具體地,本公開的方面涉及基于高分辨率油基泥漿圖像識別具有高電阻率的碳酸鹽儲層中的孔洞(vug)特征。
背景技術(shù):
1、孔洞特征對于碳酸鹽儲層表征是重要的。孔洞特征是地質(zhì)地層中的缺陷。這些缺陷可以是例如裂紋、空隙或其他類型的空間。這些空隙可以包含流體或者可以是空的??锥赐ǔ4嬖谟谠S多類型的地質(zhì)地層中。為了確定孔洞的存在,操作者可以獲得鉆孔圖像。鉆孔圖像數(shù)據(jù)是除昂貴的巖心資料外進行孔洞特征分析的基本數(shù)據(jù)來源之一。在水基泥漿環(huán)境中,存在用于孔洞特征識別的常規(guī)算法??梢詮碾娮杪蕡D像數(shù)據(jù)執(zhí)行表面密度評估。迄今為止;然而,沒有可用的從油基泥漿環(huán)境數(shù)據(jù)中的電阻率圖像進行孔洞分析的工作流程或方法。雖然超聲圖像可以用于油基泥漿環(huán)境中的孔洞分析,但泥漿固體物質(zhì)對圖像質(zhì)量的影響很大。用于獲得這種圖像的較低測井速度也是在具有油基泥漿的海上鉆機中應(yīng)用的主要因素。
2、在油基泥漿環(huán)境中很難測量真實的地層電阻率。通常,嘗試使用多陣列感應(yīng)工具來獲得電阻率值。高分辨率感應(yīng)測井儀可以提供詳細的地質(zhì)紋理特征,但電阻率測量提供相對電阻率對比,而不是真實的地層電阻率。這種相對電阻率值在井眼的所謂“沖洗區(qū)”中實現(xiàn)。這種高分辨率油基泥漿(obm)工具是基于墊液(pad-based)的微電成像器,其在高頻下操作以建立與填充有非導(dǎo)電泥漿的井眼中的地層的電容接觸。從多種操作模式中,使用有效的復(fù)合數(shù)據(jù)處理方案生成類似地層電阻率的圖像,該復(fù)合數(shù)據(jù)處理方案通過濾波或應(yīng)用校正來近似地層電阻率,以使obm對測量信號的貢獻最小化?;诠烙嫷牡貙訁?shù)混合來自不同模式的數(shù)據(jù),以生成優(yōu)化的圖像。
3、除了上述復(fù)合處理方案之外,還開發(fā)了用于定量解釋的基于模型的參數(shù)反演(inversion)。高斯-牛頓算法將測量值與通過使用有限元模擬生成的數(shù)據(jù)的多維擬合而構(gòu)建的準確、計算有效的近似正演模型相匹配。常規(guī)工作流程克服了欠定反演問題和測量的校準限制。反演允許靈活的模型定義和參數(shù)化,包括校準的細化,并且可以同時處理來自多個源的測井數(shù)據(jù)和測量的層段(interval)。常規(guī)工作流程穩(wěn)定了反演并改善了處理結(jié)果的一致性。
4、與水基泥漿環(huán)境中電阻率圖像的恒定導(dǎo)電特征相比,油基泥漿環(huán)境中電阻率圖像上的孔洞特征響應(yīng)非常復(fù)雜。取決于沖洗區(qū)中的地層電阻率與泥漿或泥漿過濾器之間的電阻率對比,孔洞特征可以基于電阻率或電導(dǎo)率。將海曼(hayman)因子圖像應(yīng)用于孔洞特征分類;然而,hayman因子圖像的絕對值可以呈現(xiàn)孔洞中的泥漿或泥漿過濾器。局部對比度對于孔洞特征識別非常有用,但是孔洞特征可以是hayman因子圖像的高或低對比度值,這取決于孔洞尺寸和周圍巖石基質(zhì)。反演的間隙(standoff)圖像表示鉆孔粗糙度,并且相對低或高的間隙可以指示孔洞特征。當孔洞特征的尺寸足夠大時,孔洞通常填充有泥漿過濾器并且表示為低間隙特征。不存在僅基于圖像響應(yīng)來識別孔洞特征的有效方式。此外,圖像工具的研究深度非常淺。圖像測量也可能受到泥餅厚度的影響。
5、存在需要提供一種比常規(guī)設(shè)備和方法更容易操作的設(shè)備和方法,以基于油基泥漿圖像識別孔洞特征。
6、還存在需要提供不具有上述缺點的設(shè)備和方法,即不能確定某些井中存在孔洞。
7、仍存在進一步的需求,以利用傳統(tǒng)工具降低與上述操作和設(shè)備相關(guān)的經(jīng)濟成本,并允許操作人員成本有效地確定碳酸鹽儲層中存在的孔洞。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了能夠詳細理解本公開的上述特征的方式,可以通過參考實施例來獲得下面簡要概述的本公開的更具體的描述,其中一些實施例在附圖中示出。應(yīng)當注意,附圖僅示出了本公開的典型實施例,因此不應(yīng)被認為是對其范圍的限制,因為本公開可以允許其他等同有效的實施例而無需具體敘述。因此,以下
技術(shù)實現(xiàn)要素:
僅提供了描述的幾個方面,并且不應(yīng)用于將所描述的實施例限制為單個概念。
2、在一個示例實施例中,公開了一種用于識別碳酸鹽儲層中的特征的方法。該方法可以包括從碳酸鹽儲層內(nèi)的井眼獲得感應(yīng)電阻率測井。該方法還可以包括獲得反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括獲得反演的間隙圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括獲得反演的hayman因子圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括根據(jù)反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)計算圖像平均電阻率計算。該方法還可以包括根據(jù)感應(yīng)電阻率測井和平均電阻率計算對井眼執(zhí)行電阻率分區(qū)。該方法還可以包括基于反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行片塊(patch)的提取。所述方法還可以包括從反演的間隙和hayman因子圖像執(zhí)行圖像局部直方圖均衡化。該方法還可以包括從局部動態(tài)間隙和hayman因子圖像執(zhí)行高和低片塊。所述方法還可以包括基于所述提取和所述電阻率分區(qū)對孔洞特征的片塊進行分類。該方法還可以包括執(zhí)行表面密度計算。
3、在另一示例實施例中,描述了一種用于識別碳酸鹽儲層中的特征的方法。該方法可以包括從碳酸鹽儲層內(nèi)的井眼獲得感應(yīng)電阻率測井。該方法還可以包括獲得反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括獲得反演的間隙圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括獲得反演的hayman因子圖像數(shù)據(jù)。該方法還可以包括根據(jù)反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)計算圖像平均電阻率計算。該方法還可以包括根據(jù)感應(yīng)電阻率測井和平均電阻率計算對井眼執(zhí)行電阻率分區(qū),其中電阻率分區(qū)包括四個不同的區(qū)域。該方法還可以包括基于反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行片塊的提取。所述方法還可以包括根據(jù)反演的間隙和hayman因子圖像執(zhí)行圖像局部直方圖均衡化。該方法還可以包括根據(jù)局部動態(tài)間隙和hayman因子圖像執(zhí)行高和低片塊。所述方法還可以包括基于所述提取和所述電阻率分區(qū)對孔洞特征的片塊進行分類。該方法還可以包括對孔洞特征進行濾波并執(zhí)行表面密度計算。
4、在另一示例實施例中,公開了一種被包括以存儲在計算機上運行的一組指令的制品,該制品被配置為以非易失性方式存儲該組指令。包含在制品上的指令可以包括從碳酸鹽儲層內(nèi)的井眼獲得感應(yīng)電阻率測井。包含在制品上的指令還可以包括獲得反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)。包含在制品上的指令還可以包括獲得反演的間隙圖像數(shù)據(jù)。包含在制品上的指令還可以包括獲得反演的hayman因子圖像數(shù)據(jù)。包含在制品上的指令還可以包括根據(jù)反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)計算圖像平均電阻率計算。包含在制品上的指令還可以包括根據(jù)感應(yīng)電阻率測井和平均電阻率計算對井眼執(zhí)行電阻率分區(qū)。包含在制品上的指令還可以包括基于反演的電阻率圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行片塊的提取。包含在制品上的指令還可以包括從反演的間隙和hayman因子圖像執(zhí)行圖像局部直方圖均衡化。包含在制品上的指令還可以包括從局部動態(tài)間隙和hayman因子圖像執(zhí)行高和低片塊。包含在制品上的指令還可以包括基于提取和電阻率分區(qū)對孔洞特征的片塊進行分類。包含在制品上的指令還可以包括對孔洞特征進行濾波。包含在制品上的指令還可以包括基于孔洞濾波執(zhí)行表面密度計算。
1.一種用于識別碳酸鹽儲層中的特征的方法,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述碳酸鹽巖儲層具有變化的電阻率范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中基于較高或較低值的間隙和hayman因子圖像數(shù)據(jù)來執(zhí)行對所述孔洞特征的濾波。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述片塊是基于電導(dǎo)率和電阻率中的至少一個。
5.一種用于識別碳酸鹽儲層中的特征的方法,包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中四個不同區(qū)域中的每個被分類為0,其中ri>rth_h,被分類為1,其中ri<rth_h,ri<rth_l和被分類為2,其中ri<rth_l和rm-ri<rth_dif,以及被分類為3,其中ri<rth_h,
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述碳酸鹽巖儲層具有變化的電阻率范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中基于從反演的間隙和hayman因子圖像提取的高值或低值的片塊來執(zhí)行對所述孔洞特征的濾波。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述片塊是基于電導(dǎo)率和電阻率中的至少一個。
10.一種被包括以存儲在計算機上運行的一組指令的制品,所述制品被配置為以非易失性方式存儲所述一組指令,所存儲的指令包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制品,其中包含在制品中的對碳酸鹽儲層執(zhí)行的方法具有變化的電阻率范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制品,其中包含在制品中的方法被執(zhí)行,使得孔洞特征的濾波是基于高值或低值的間隙和hayman因子圖像數(shù)據(jù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制品,其中執(zhí)行包含在制品中的方法,其中所述片塊是基于電導(dǎo)率和電阻率中的至少一個。