專利名稱：半橋補償驅(qū)動裝置和電子產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子領(lǐng)域，特別涉及一種半橋補償驅(qū)動裝置和電子產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的半橋驅(qū)動芯片只可作為半橋驅(qū)動，不能作為全橋驅(qū)動，具有發(fā)熱量大、功耗高的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供了一種可將半橋驅(qū)動芯片作為本橋驅(qū)動芯片使用，發(fā)熱量小、功耗低的半橋補償驅(qū)動裝置和電子產(chǎn)品。為解決上述問題，作為本實用新型的第一個方面，提供了一種半橋補償驅(qū)動裝置，包括:第一線圈連接端、第二線圈連接端、電源輸入端、第一外接芯片半橋信號輸入端、第二外接芯片半橋信號輸入、第一三極管和第二三極管；第一外接芯片半橋信號輸入端分別與第一三極管的集電極、第二三極管的集電極及第二外接芯片半橋信號輸入連接；第一三極管的基極與第二三極管的集電極連接；第一三極管的集電極接地；第一三極管的發(fā)射極與電源輸入端連接；第二三極管的基極與第一三極管的集電極連接；第二三極管的發(fā)射極與電源輸入端連接；第一三極管的集電極與第一線圈連接端連接，第二三極管的集電極與第二線圈連接端連接。進一步地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一電阻，第二三極管的基極通過第一電阻與第一三極管的集電極連接。進一步地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第二電阻，第一三極管的基極通過第二電阻與第二三極管的集電極連接。進一步地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一二極管和第二二極管，第一三極管的發(fā)射集通過第一二極管與第一三極管的集電極連接；第二三極管的發(fā)射集通過第二二極管與第二三極管的集電極連接。進一步地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括穩(wěn)壓管，第一外接芯片半橋信號輸入端通過穩(wěn)壓管接地。進一步地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第三電阻和電容，第一外接芯片半橋信號輸入端依次通過第三電阻和電容接地。作為本實用新型的第二個方面，提供了一種電子產(chǎn)品，包括半橋驅(qū)動芯片和半橋補償驅(qū)動裝置，該半橋補償驅(qū)動裝置是上述的半橋補償驅(qū)動裝置，半橋驅(qū)動芯片的一個半橋信號輸出端與半橋補償驅(qū)動裝置的第一外接芯片半橋信號輸入端連接，半橋驅(qū)動芯片的另一個半橋信號輸出端與半橋補償驅(qū)動裝置的第二外接芯片半橋信號輸入連接。進一步地，電子產(chǎn)品是風(fēng)扇。本實用新型具有外圍元件較小，電路導(dǎo)通壓降很低的特點，解決了半橋驅(qū)動芯片只可作為半橋驅(qū)動，不能作為全橋驅(qū)動，具有發(fā)熱量大、功耗高的問題。
圖1示意性地示出了本實用新型的電路圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明，但是本實用新型可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。作為本實用新型的第一方面，提供了一種半橋補償驅(qū)動裝置。如圖1所示，該半橋補償驅(qū)動裝置包括:第一線圈連接端、第二線圈連接端、電源輸入端VCC、第一外接芯片半橋信號輸入端、第二外接芯片半橋信號輸入、第一三極管Tl和第二三極管T2 ;第一外接芯片半橋信號輸入端分別與第一三極管Tl的集電極、第二三極管T2的集電極及第二外接芯片半橋信號輸入連接；第一三極管Tl的基極與第二三極管T2的集電極連接；第一三極管Tl的集電極接地；第一 三極管Tl的發(fā)射極與電源輸入端連接；第二三極管T2的基極與第一三極管Tl的集電極連接；第二三極管T2的發(fā)射極與電源輸入端連接；第一三極管Tl的集電極與第一線圈連接端連接，第二三極管T2的集電極與第二線圈連接端連接，以驅(qū)動與第一線圈連接端、第二線圈連接端連接的馬達的線圈COIL。本實用新型利用半橋驅(qū)動芯片Ul本身高低的時序，當(dāng)半橋驅(qū)動芯片Ul內(nèi)第一開關(guān)單元ITl (例如為N-MOSFET或者NPN三極管等)導(dǎo)通工作時，第一開關(guān)單元ITl的集電極為低電平，將用于偏置的第二電阻R2接到第一三極管Tl的基極，使第一三極管Tl的EC極導(dǎo)通，經(jīng)過線圈繞組到第一開關(guān)單元ITl變成全橋驅(qū)動。此時第一三極管Tl的Vec ^ 0.2V，第一三極管Tl與第二三極管T2的發(fā)射極接同一電位，這時第二三極管T2的EC極不能導(dǎo)通，因第一開關(guān)單元ITl工作而第二開關(guān)單元IT2此時不工作，(根據(jù)半橋驅(qū)動芯片Ul本身的時序)。當(dāng)?shù)诙_關(guān)單元IT2工作時，第一開關(guān)單元ITl截止，此時第二三極管T2經(jīng)過線圈繞組到第二開關(guān)單元IT2。本實用新型具有外圍元件較小，電路導(dǎo)通壓降很低的特點，解決了半橋驅(qū)動芯片只可作為半橋驅(qū)動，不能作為全橋驅(qū)動，具有發(fā)熱量大、功耗高的問題。優(yōu)選地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一電阻Rl，第二三極管T2的基極通過第一電阻Rl與第一三極管Tl的集電極連接。優(yōu)選地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第二電阻R2，第一三極管Tl的基極通過第二電阻R2與第二三極管T2的集電極連接。優(yōu)選地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一二極管Dl和第二二極管D2，第一三極管Tl的發(fā)射集通過第一二極管Dl與第一三極管Tl的集電極連接；第二三極管T2的發(fā)射集通過第二二極管D2與第二三極管T2的集電極連接。優(yōu)選地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括穩(wěn)壓管ZD，第一外接芯片半橋信號輸入端通過穩(wěn)壓管ZD接地。當(dāng)半橋驅(qū)動芯片Ul的第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元為MOSFET的時候，可選擇穩(wěn)壓管ZD，使MOSFET的Vds峰值電壓降低，使Vds峰值電壓不超過第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單兀的最聞承受:電壓。優(yōu)選地，半橋補償驅(qū)動裝置還包括第三電阻R3和電容Cl，第一外接芯片半橋信號輸入端依次通過第三電阻R3和電容Cl接地。第三電阻R3和電容Cl構(gòu)成保護電路，當(dāng)半橋驅(qū)動芯片Ul的第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元為三極管時，可選擇第三電阻R3和電容Cl來降低第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元的Vce的峰值電壓，使峰值電壓不超過第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元的Vce最大承受電壓。半橋驅(qū)動芯片Ul可以為多種型號,其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會不一樣,但工作原理是一樣的。作為本實用新型的第二方面，提供了一種電子產(chǎn)品，包括半橋驅(qū)動芯片Ul和半橋補償驅(qū)動裝置，該半橋補償驅(qū)動裝置是上述的半橋補償驅(qū)動裝置，半橋驅(qū)動芯片Ul的一個半橋信號輸出端與半橋補償驅(qū)動裝置的第一外接芯片半橋信號輸入端連接，半橋驅(qū)動芯片Ul的另一個半橋信號輸出端與半橋補償驅(qū)動裝置的第二外接芯片半橋信號輸入連接。優(yōu)選地，電子產(chǎn)品是風(fēng)扇。以上僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，包括:第一線圈連接端、第二線圈連接端、電源輸入端(VCC)、第一外接芯片半橋信號輸入端、第二外接芯片半橋信號輸入、第一三極管(Tl)和第二三極管(T2)； 所述第一外接芯片半橋信號輸入端分別與所述第一三極管(Tl)的集電極、所述第二三極管(T2)的集電極及所述第二外接芯片半橋信號輸入連接； 所述第一三極管(Tl)的基極與所述第二三極管(T2)的集電極連接；所述第一三極管(Tl)的集電極接地；所述第一三極管(Tl)的發(fā)射極與所述電源輸入端連接； 所述第二三極管(T2)的基極與所述第一三極管(Tl)的集電極連接；所述第二三極管(T2)的發(fā)射極與所述電源輸入端連接； 所述第一三極管(Tl)的集電極與所述第一線圈連接端連接，所述第二三極管(T2)的集電極與所述第二線圈連接端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一電阻(Rl)，所述第二三極管(T2)的基極通過所述第一電阻(Rl)與所述第一三極管(Tl)的集電極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置還包括第二電阻(R2)，所述第一三極管(Tl)的基極通過所述第二電阻(R2)與所述第二三極管(T2)的集電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置還包括第一二極管(Dl)和第二二極管(D2)，所述第一三極管(Tl)的發(fā)射集通過所述第一二極管(Dl)與所述第一三極管(Tl)的集電極連接；所述第二三極管(T2)的發(fā)射集通過所述第二二極管(D2)與所述第二三極管(T2)的集電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置還包括穩(wěn)壓管(ZD)，所述第一外接芯片半橋信號輸入端通過所述穩(wěn)壓管(ZD)接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置還包括第三電阻(R3)和電容(Cl)，所述第一外接芯片半橋信號輸入端依次通過所述第三電阻(R3)和電容(Cl)接地。
7.一種電子產(chǎn)品，包括半橋驅(qū)動芯片(Ul)和半橋補償驅(qū)動裝置，其特征在于，所述半橋補償驅(qū)動裝置是權(quán)利要求1至6中任一項所述的半橋補償驅(qū)動裝置，所述半橋驅(qū)動芯片(Ul)的一個半橋信號輸出端與所述半橋補償驅(qū)動裝置的所述第一外接芯片半橋信號輸入端連接，所述半橋驅(qū)動芯片(Ul)的另一個半橋信號輸出端與所述半橋補償驅(qū)動裝置的所述第二外接芯片半橋信號輸入連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子產(chǎn)品，其特征在于，所述電子產(chǎn)品是風(fēng)扇。
專利摘要本實用新型提供了一種半橋補償驅(qū)動裝置和電子產(chǎn)品。半橋補償驅(qū)動裝置包括第一線圈連接端、第二線圈連接端、電源輸入端、第一外接芯片半橋信號輸入端、第二外接芯片半橋信號輸入、第一三極管和第二三極管；第一外接芯片半橋信號輸入端分別與第一三極管的集電極、第二三極管的集電極及第二外接芯片半橋信號輸入連接；第一三極管的基極與第二三極管的集電極連接；第一三極管的集電極接地；第一三極管的發(fā)射極與電源輸入端連接；第二三極管的基極與第一三極管的集電極連接；第二三極管的發(fā)射極與電源輸入端連接。本實用新型具有外圍元件較小，電路導(dǎo)通壓降很低的特點，解決了半橋驅(qū)動芯片只可作為半橋驅(qū)動，發(fā)熱量大、功耗高的問題。
文檔編號F04D27/00GK203057098SQ20132004079
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月23日
發(fā)明者陳小陽 申請人:何立立