專利名稱：：高阻尼吸振平臺結構的制作方法
技術領域：
：本實用新型關于一種用以承載設備的平臺結構，特別是一種高阻尼吸振平臺結構。
背景技術：
：在制造工藝逐漸邁向納米等級分辨率的今日，無論在電子或半導體產(chǎn)業(yè)，多數(shù)制程及檢測設備對于環(huán)境微振動相當敏感，在抑制環(huán)境振動的要求上將更為嚴苛。由于在不良的微振動環(huán)境下，常會造成儀器的誤動作或者測量的結果難以判讀，所以這些制程及檢測設備的承載平臺必須要具備優(yōu)良的動態(tài)特性，使得無論是由環(huán)境傳來的振動或者是平臺設備本身所產(chǎn)生的振動，在運作的頻寬范圍能有效的被消除。傳統(tǒng)的平臺材料或結構一般分為花崗巖(granite)、蜂巢狀平臺(honeycombtable)以及鋼筋混凝土結構的平臺(reinforcedconcretestructure)?；◢弾r的平臺可提供較佳的結構穩(wěn)定性，但是由于材質的關系，使得平臺結構的重量較重。蜂巢狀平臺相比之下雖然質輕，但是因為結構有一定的復雜度，造成在制造及組裝程序上的困難，目前只適用于高單價的光學桌。鋼筋混凝土結構的平臺，其重量介于以上兩者之間，但是其動態(tài)特性比以上兩者均差，只適用于一般半導體及光電廠的制造現(xiàn)場。目前精密光學研究或相關的精密設備所需要的承載平臺的產(chǎn)品以美國專利US5，962，104號、US5,500,269號、US5，433，302號、US5，558，920號、US6，001,451號專利案與中國臺灣專利1268163號、1280193號專利案等專利公開的技術為主。上述的美國專利大多以蜂巢狀結構組成，均偏重于如何將光學桌中殘余的異物加以清除的技術，而中國臺灣專利所公開的技術則是以鋼筋混凝土平臺以及模組化結構支撐架為主，尚沒有出現(xiàn)如本實用新型一樣，在平臺框體內(nèi)部使用阻尼材料的技術。其中美國專利US5，962,104號專利案雖然已經(jīng)引入模組化的設計概念，但是組合成平臺結構的單一零件在幾何形狀上仍顯復雜，進而增加單件制造的成本。美國專利US6，001，451號專利案則是三明治夾層板的結構，無法有效降低平臺結構的單位面積重量，使得平臺結構本身過重。鑒于以上所述，現(xiàn)行的高剛性平臺或光學桌有無法同時兼顧重量過重、組裝不易以及有效抑制振動的問題存在。
實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的是提供一種高阻尼吸振平臺結構，其提供的高剛性高阻尼的結構，具有承載精密重型設備所需的載重能力，并可抑制環(huán)境傳來的振動及平臺上設備本身所產(chǎn)生的振動。本實用新型的另一目的是提供一種高阻尼吸振平臺結構，其提供的組成構件，使平臺結構可容易的被組裝，且不造成生產(chǎn)制造上的困難。本實用新型的另一目的是提供一種高阻尼吸振平臺結構，其提供的輕量化結構，在減輕平臺結構重量的同時，能維持足夠的剛性強度。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種高阻尼吸振平臺結構，包含一基座、一框體結構、一阻尼填充材以及一上蓋板。其中基座是由多數(shù)個型鋼所組合而成，框體結構以定位結構定位在基座上，該框體結構的內(nèi)側面形成有阻尼接著劑，并具有一阻尼材料填充空間。阻尼填充材填充于框體結構中的阻尼材料填充空間，上蓋板蓋覆在該阻尼填充材上作為機臺承置面，供一標的機臺承置，該上蓋板的底面形成有阻尼接著劑，并以接合結構定位在框體結構。此外，也可任意由上蓋板的底面向下延伸出一預定高度的補強肋或于框體結構的內(nèi)側面向水平方向延伸出一預定長度的補強肋，另可于框體結構的內(nèi)側面灌注形成一結構環(huán)氧樹脂層，借以增加平臺結構的強度。上述的高阻尼吸振平臺結構，其中，該阻尼填充材包括有高阻尼的聚烯類高分子材料與環(huán)氧類聚合高分子材料的混合材料。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型還提供了一種高阻尼吸振平臺結構，包含一框體結構，該框體結構中具有一阻尼材料填充空間；一阻尼填充材，填充于該框體結構中的阻尼材料填充空間，該阻尼填充材系由多數(shù)個阻尼填充模塊所疊置組成；一上蓋板，蓋覆在該阻尼填充材上形成機臺承置面，能承置一機臺。本實用新型對照現(xiàn)有技術的功效-本實用新型所采用的技術手段，可以使得承載平臺的抑制振動能力增強，符合精密設備承載平臺的振動標準，在固定的頻寬范圍內(nèi)不會放大振動及延長振動，有效減少機臺的故障發(fā)生率，從而提升產(chǎn)品的合格率。和一般蜂巢式結構相比，本實用新型在構件的幾何形狀上十分單純，不會造成制造上的負擔。而利用模組化的阻尼填充模塊，因單一阻尼填充模塊的體積較小、形狀可統(tǒng)一、易于更換取代，并可進行規(guī)格化的量產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本。另外在材料搬運與平臺的組裝上，也因構件的單純化及模組化，而變得更加快速方便，減少施工時受環(huán)境干擾的幾率。在輕量化方面，本實用新型利用阻尼填充材所組成的平臺結構，比起花崗巖平臺或混凝土結構的平臺，在同尺寸上更為質輕，減少了廠房結構的負擔，增加廠房的使用率。再配合不同的承重條件設置補強肋，能夠適應各種機臺及廠房環(huán)境的需求，獲得更高的剛性。本實用新型所采用的具體實施例，將借由以下的實施例及附圖作進一步的說明。圖1為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺結構的第一實施例結構剖視圖；圖2為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺結構的第一實施例結構各相關構件分離時的剖視圖3為顯示本實用新型髙阻尼吸振平臺結構的第二實施例結構剖視圖圖4為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺結構的第三實施例結構剖視圖圖5為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺結構的第四實施例結構剖視圖圖6為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺結構的第五實施例結構剖視圖圖7為顯示本實用新型平臺面微振動測試結果；圖8為顯示本實用新型高阻尼吸振平臺傳輸比測試結果。主要元件標號說明-100高阻尼吸振平臺1基座11型鋼2框體結構21阻尼材料填充空間3定位結構4、阻尼填充材41阻尼填充模塊5上蓋板6接合結構7a、7b阻尼接著劑81、82補強肋91、92、93結構環(huán)氧樹脂層具體實施方式參考圖1及圖2所示，其為顯示本實用新型的第一實施例的結構剖視圖與結構相關構件分離后的剖視圖。在本實用新型高阻尼吸振平臺100的結構設計中，包括有一基座l、一框體結構2、定位結構3，一阻尼填充材4以及一上蓋板5。其中基座1是由多數(shù)個型鋼11組合而成。框體結構2以定位結構3(在此實施例是利用螺栓鎖接，也可使用焊接或其它結構)定位在該基座l上，框體結構2中具有一阻尼材料填充空間21，阻尼填充材4填充于阻尼材料填充空間21中，其中該阻尼填充材4包括有高阻尼的聚烯類高分子材料與環(huán)氧類聚合高分子材料的混合材料。上蓋板5蓋覆在阻尼填充材4上，以一接合結構6(在此實施例是利用螺栓鎖接，也可使用焊接或其它結構)與框體結構2相結合?？蝮w結構2的內(nèi)側面形成有阻尼接著劑7a，而于上蓋板5的底面及螺栓鎖接處的內(nèi)壁形成有阻尼接著劑7b，阻尼接著劑7a、7b雖于本實施例中形成于上述之處，但也可視所需形成于阻尼填充材4或單一阻尼填充模塊41的表面等處。參考圖3所示，為顯示本實用新型的第二實施例，此一實施例的高阻尼吸振平臺100的結構設計大致上與前述第一實施例相同，故相同的構件標示以相同的組件編號，以資對應。其差異在于本實施例的阻尼填充材4a是由多數(shù)個阻尼填充模塊41所疊置組成，每單一阻尼填充模塊41有體積較小的優(yōu)勢，在搬運及組裝上更加便利快速。參考圖4所示，為顯示本實用新型的第三實施例，此一實施例的高阻尼吸振平臺100的結構設計大致上與前述第一實施例相同，故相同的構件標示以相同的組件編號，以資對應。其差異處是針對平臺的局部區(qū)域所相對應位置的上蓋板5的底面，向下延伸出一預定高度的補強肋81?？蓱迷谠O備的地腳所坐落的位置或其它承受較大載重之處，以增強局部區(qū)域的載重能力。參考圖5所示，為顯示本實用新型的第四實施例，此一實施例的高阻尼吸振平臺100的結構設計大致上與前述第三實施例相同，故相同的構件標示以相同的組件編號，以資對應。本實施例在框體結構2的內(nèi)側面向水平方向延伸出一預定長度的補強肋82，從而提升框體結構2的結構強度。參考圖6所示，為顯示本實用新型的第五實施例，此一實施例的高阻尼吸振平臺100的結構設計大致上與前述第三實施例相同，故相同的構件標示以相同的組件編號，以資對應。第五實施例是在框體結構2的內(nèi)側面加設隔板并灌注結構環(huán)氧樹脂層91、92、93，借此增加平臺結構中，上蓋板5及框體結構2的結構剛性及阻尼。參考圖7所示，為顯示本實用新型的平臺面微振動測試結果，此測試是在不同頻率之下測量平臺面的微振動量值。此測試的結果顯示微振動值的大小滿足VC(VibrationCriteria)-E振動標準，VC-E振動標準即國際半導體廠建廠設計的制式振動設計標準中，用于制作0.18微米晶片廠工作平臺的設計需求。參考圖8所示，為顯示本實用新型的平臺在不同頻率下的傳輸比(Ratio)的測試結果。其結果顯示地板的振動干擾與經(jīng)過阻尼平臺后的微振動傳輸比在大部分的頻寬范圍均小于l，使得振動不被放大。由以上的實施例可知，本實用新型所提供的高阻尼吸振平臺結構具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。以上所述僅為本實用新型示意性的具體實施方式，并非用以限定本實用新型的范圍。任何本領域的技術人員，在不脫離本實用新型的構思和原則的前提下所作出的等同變化與修改，均應屬于本實用新型保護的范圍。9權利要求1、一種高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，所述高阻尼吸振平臺結構包含一基座；一框體結構，經(jīng)定位結構定位在該基座上，該框體結構中具有一阻尼材料填充空間；一阻尼填充材，填充于該框體結構中的阻尼材料填充空間；一上蓋板，蓋覆在該阻尼填充材上形成機臺承置面，能承置一機臺。2、根據(jù)權利要求1所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該上蓋板的底面還具有至少一補強肋，該補強肋由該上蓋板的底面向下延伸出一預定高度。3、根據(jù)權利要求1所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該框體結構的內(nèi)側面還具有至少一補強肋，該補強肋由該框體結構的內(nèi)側面向水平方向延伸出一預定長度。4、根據(jù)權利要求1所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該框體結構的內(nèi)側面還灌注形成有一結構環(huán)氧樹脂層。5、一種高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，所述高阻尼吸振平臺結構包含一框體結構，該框體結構中具有一阻尼材料填充空間；一阻尼填充材，填充于該框體結構中的阻尼材料填充空間，該阻尼填充材系由多數(shù)個阻尼填充模塊所疊置組成；一上蓋板，蓋覆在該阻尼填充材上形成機臺承置面，能承置一機臺。6、根據(jù)權利要求5所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該上蓋板的底面還具有至少一補強肋，該補強肋由該上蓋板的底面向下延伸出一預定高度。7、根據(jù)權利要求5所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該框體結構的內(nèi)側面還具有至少一補強肋，該補強肋由該框體結構的內(nèi)側面向水平方向延伸出一預定長度。8、根據(jù)權利要求5所述的高阻尼吸振平臺結構，其特征在于，該框體結構的內(nèi)側面還灌注形成有一結構環(huán)氧樹脂層。專利摘要本實用新型公開了一種高阻尼吸振平臺結構，包含一基座；一框體結構，以定位結構定位在該基座上，該框體結構中具有一阻尼材料填充空間；一阻尼填充材，填充于該框體結構中的阻尼材料填充空間；一上蓋板，蓋覆在該阻尼填充材上作為機臺承置面，供一標的機臺承置，借由將組成平臺的幾何構件單純化、模組化，搭配以輕質的阻尼填充材，輔以阻尼接著劑結合、強化，構成一同時具有模組化、輕量化且高剛性特性的高阻尼吸振系統(tǒng)平臺結構。文檔編號F16M11/00GK201277422SQ20082020827公開日2009年7月22日申請日期2008年9月10日優(yōu)先權日2008年9月10日發(fā)明者蔡宏毅申請人:臺灣奈米科技應用股份有限公司