雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及變阻尼磁流變液儀器領域，特指一種雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器。
【背景技術】
[0002]在磁場作用下，磁流變液可以快速實現(xiàn)液體與半固體的相互轉化，利用磁流變液制作的磁流變阻尼器實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的可控阻尼力。現(xiàn)有技術的磁流變阻尼器基本原理相同，即利用勵磁線圈產(chǎn)生的磁場改變在恒定工作間隙中流動的磁流變液的阻尼力。雖然現(xiàn)有技術的磁流變阻尼器實現(xiàn)了變阻尼，但仍存在著一定的缺陷:(1)恒定的工作間隙導致零電流狀態(tài)下阻尼力不可調(diào)；(2)勵磁線圈通電時耗能大，斷電時容易導致懸浮顆粒沉降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明需解決的技術問題是:針對現(xiàn)有技術存在的技術問題，本發(fā)明提供一種結構合理、零電流狀態(tài)下阻尼可調(diào)、零耗能無顆粒沉降的磁流變阻尼器。
[0004]為了解決上述問題，本發(fā)明提出的解決方案為:雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器，它包括異型工作缸體、兩組結構相同分別裝設于所述異型工作缸體兩端的端蓋模塊、兩組結構相同對稱裝設于所述異型工作缸體內(nèi)部的多級活塞模塊、磁流變液和工作間隙。
[0005]本發(fā)明的所述異型工作缸體為中部內(nèi)徑最小，兩端部內(nèi)徑最大，其余部分內(nèi)徑線性變化的空心圓柱體。
[0006]本發(fā)明的所述端蓋模塊包括端蓋本體、裝設于所述端蓋本體內(nèi)側的端蓋磁鐵、裝設于所述端蓋磁鐵上的端蓋保護層；所述多級活塞模塊包括一級活塞、設于所述一級活塞內(nèi)部的活塞磁鐵、二級活塞、活塞桿。
[0007]本發(fā)明的所述一級活塞和所述二級活塞間隔一段距離自內(nèi)向外裝設于所述活塞桿上，且他們的外壁邊緣到所述異型工作缸體的內(nèi)壁之間的距離相等；所述活塞桿的另一端通過所述端蓋保護層、端蓋磁鐵和軸承孔，并伸到所述異型工作缸體的外部；所述一級活塞的直徑介于所述異型工作缸體內(nèi)徑的最大值與最小值之間；所述活塞的外周壁與所述異型工作缸體的內(nèi)周壁之間的間隙組成了所述磁流變液流動的工作間隙。
[0008]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明的雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器設有異型工作缸體和多級活塞模塊，活塞桿受力運動后，工作間隙從最大值逐漸減小為零，阻尼力逐漸增加；本發(fā)明還設有端蓋磁鐵和活塞磁鐵，保證磁流變液中的懸浮顆粒不沉降。由此可知，本發(fā)明結構合理簡單、實現(xiàn)了變工作間隙和變阻尼力，同時有效克服了因懸浮顆粒沉降而導致磁流變液的不穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明的雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器的結構原理示意圖。
[0010]圖中，I一異型工作缸體；2—端蓋模塊；21—端蓋本體；22—軸承孔；23—直線軸承；24—端蓋磁鐵；25—端蓋保護層；3—多級活塞模塊；31—活塞磁鐵；32—一級活塞；33—二級活塞；34—活塞桿；4一工作間隙；5—磁流變液。
【具體實施方式】
[0011]以下將結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0012]參見圖1所示，本發(fā)明的雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器，包括異型工作缸體1、兩組結構相同分別裝設于異型工作缸體I兩端的端蓋模塊2、兩組結構相同對稱裝設于異型工作缸體I內(nèi)部的多級活塞模塊3、磁流變液5和工作間隙4。
[0013]參見圖1所示，異型工作缸體I為中部內(nèi)徑最小，兩端部內(nèi)徑最大，其余部分內(nèi)徑線性變化的空心圓柱體；端蓋模塊2包括端蓋本體21、裝設于端蓋本體21內(nèi)側的端蓋磁鐵24、裝設于端蓋磁鐵24上的端蓋保護層25 ;多級活塞模塊3包括一級活塞32、設于一級活塞32內(nèi)部的活塞磁鐵31、一■級活塞33、活塞桿34。
[0014]參見圖1所示，一級活塞32和二級活塞33間隔一段距離自內(nèi)向外裝設于活塞桿34上，且他們的外壁邊緣到異型工作缸體I的內(nèi)壁之間的距離相等；活塞桿34的另一端通過端蓋保護層25、端蓋磁鐵24和軸承孔22，并伸到異型工作缸體I的外部；一級活塞32的直徑介于異型工作缸體I內(nèi)徑的最大值與最小值之間；活塞的外周壁與異型工作缸體I的內(nèi)周壁之間的間隙組成了磁流變液5流動的工作間隙4 ;多級活塞模塊3運動時，工作間隙4從最大值逐漸變?yōu)榱?，阻尼力從最小值逐漸增大。
【主權項】
1.雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器，其特征在于:包括異型工作缸體(I)、兩組結構相同分別裝設于所述異型工作缸體(I)兩端的端蓋模塊(2)、兩組結構相同對稱裝設于所述異型工作缸體(I)內(nèi)部的多級活塞模塊(3)、磁流變液(5)和工作間隙(4);所述異型工作缸體(I)為中部內(nèi)徑最小，兩端部內(nèi)徑最大，其余部分內(nèi)徑線性變化的空心圓柱體；所述端蓋模塊(2)包括端蓋本體(21)、裝設于所述端蓋本體(21)內(nèi)側的端蓋磁鐵(24)、裝設于所述端蓋磁鐵(24)上的端蓋保護層(25);所述多級活塞模塊(3)包括一級活塞(32)、設于所述一級活塞(32)內(nèi)部的活塞磁鐵(31)、二級活塞(33)、活塞桿(34);所述一級活塞(32)和所述二級活塞(33)間隔一段距離自內(nèi)向外裝設于所述活塞桿(34)上，且他們的外壁邊緣到所述異型工作缸體(I)的內(nèi)壁之間的距離相等；所述活塞桿(34)的另一端通過所述端蓋保護層(25)、端蓋磁鐵(24)和軸承孔(22)，并伸到所述異型工作缸體(I)的外部；所述一級活塞(32)的直徑介于所述異型工作缸體(I)內(nèi)徑的最大值與最小值之間；所述活塞的外周壁與所述異型工作缸體(I)的內(nèi)周壁之間的間隙組成了所述磁流變液(5)流動的工作間隙⑷。
【專利摘要】本發(fā)明公開了雙桿多級活塞無源雙控變阻尼磁流變阻尼器，屬于變阻尼磁流變液儀器領域。它包括異型工作缸體、兩組結構相同的端蓋模塊、兩組結構相同對稱裝設于異型工作缸體內(nèi)部的多級活塞模塊、磁流變液和工作間隙；異型工作缸體為中部內(nèi)徑最小，兩端部內(nèi)徑最大，其余部分內(nèi)徑線性變化的空心圓柱體；多級活塞模塊包括一級活塞、活塞磁鐵、二級活塞、活塞桿；一級活塞和二級活塞間隔一段距離自內(nèi)向外裝設于活塞桿上，且他們的外壁邊緣到異型工作缸體的內(nèi)壁之間的距離相等；一級活塞的直徑介于異型工作缸體內(nèi)徑的最大值與最小值之間。本發(fā)明是一種結構合理、零電流狀態(tài)下阻尼可調(diào)、零耗能無顆粒沉降的磁流變阻尼器。
【IPC分類】F16F9/53
【公開號】CN105156575
【申請?zhí)枴緾N201510427929
【發(fā)明人】班書昊, 李曉艷, 蘇少航, 蔣學東, 徐然, 席仁強
【申請人】常州大學
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月20日