半可控圓筒型直線電磁阻尼器的制造方法
【專利摘要】半可控圓筒型直線電磁阻尼器，屬于電機技術(shù)領(lǐng)域。解決了永磁渦流阻尼器阻尼力不可控的問題。它包括初級、次級、三相整流橋及外圍電路構(gòu)成，初級包括導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)及初級套筒，三相繞組直接繞制在導(dǎo)體環(huán)上，三相繞組的引出線經(jīng)過三相整流橋進行整流，并與外接電阻連接，三相整流橋采用不可控或可控兩種方式；次級由永磁體和次級套筒等部分組成，永磁體采用軸向充磁或徑向充磁。本發(fā)明將被動阻尼與主動阻尼相結(jié)合，具有阻尼力大、阻尼力可控的優(yōu)點。它主要用于對阻尼力進行控制。
【專利說明】
半可控圓筒型直線電磁阻尼器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于電機技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]永磁渦流阻尼器是利用永磁體磁場與導(dǎo)體渦流磁場之間相互作用而產(chǎn)生阻尼力的一種裝置，具有非接觸、無摩擦、無噪音等優(yōu)點，在減振隔振系統(tǒng)、電機測試裝置及高精度儀器設(shè)備中都具有較好的應(yīng)用前景。然而，由于永磁式渦流阻尼器一般僅由永磁體、導(dǎo)體板、導(dǎo)磁軛板等無源部件組成，因此其不具備阻尼力的調(diào)整能力，限制了其在某些場合的進一步應(yīng)用。
[0003]為了獲得阻尼力的可控性，目前多采用電勵磁渦流阻尼器的方式，通過改變勵磁電流來控制磁場的強弱，進而改變阻尼力的大小。但是，這種方式存在的問題是需要額外的直流勵磁電源，而且勵磁繞組在建立磁場過程中會產(chǎn)生附加的銅耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是為了解決永磁渦流阻尼器阻尼力不可控的問題，本發(fā)明提供了一種半可控圓筒型直線電磁阻尼器。
[0005]本發(fā)明所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器包括四種方案:
[0006]方案一:
[0007]半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級、次級、不可控型三相整流橋、二極管Dl、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S;
[0008]初級包括導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，
[0009]次級包括次級套筒、永磁體和極間鐵心，
[0010]初級為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，三相繞組纏繞在導(dǎo)體環(huán)上，且三相繞組的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋的三相電流輸入端連接，
[0011]不可控型三相整流橋正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接，
[0012]不可控型三相整流橋負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接；
[0013]次級為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級套在次級上，初級和次級同軸；
[0014]永磁體為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，
[0015]永磁體和極間鐵心均位于次級套筒內(nèi)，且二者沿次級套筒的軸向交替分布，永磁體的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體的充磁方向相反。
[0016]方案二:
[0017]半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級、次級、可控型三相整流橋、電阻R和電容C;
[0018]初級包括導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，
[0019]次級包括次級套筒、永磁體和極間鐵心，
[0020]初級為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，三相繞組纏繞在導(dǎo)體環(huán)上，且三相繞組的三相電流輸出端與可控型三相整流橋的三相電流輸入端連接，
[0021 ]可控型三相整流橋的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C;
[0022]次級為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級套在次級上，初級和次級同軸；
[0023]永磁體為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，
[0024]永磁體和極間鐵心均位于次級套筒內(nèi)，且二者沿次級套筒的軸向交替分布，永磁體的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體的充磁方向相反。
[0025]方案一和二中所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，所述的永磁體外徑、極間鐵心外徑和次級套筒內(nèi)徑尺寸相同。
[0026]方案三:
[0027]半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級、次級、不可控型三相整流橋、二極管Dl、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S;
[0028]初級包括導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，
[0029]次級包括次級套筒、永磁體、非導(dǎo)磁間隔環(huán)和次級導(dǎo)磁軛環(huán)，
[0030]初級為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，三相繞組纏繞在導(dǎo)體環(huán)上，且三相繞組的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋的三相電流輸入端連接，
[0031]不可控型三相整流橋正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接，
[0032]不可控型三相整流橋負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接；
[0033]次級為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級套在次級上，初級和次級同軸；
[0034]永磁體圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體和非導(dǎo)磁間隔環(huán)均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)軸向交替分布，
[0035]永磁體的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體充磁方向相反，
[0036]次級套筒套在永磁體和非導(dǎo)磁間隔環(huán)外側(cè)。
[0037]方案四:
[0038]半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級、次級、可控型三相整流橋、電阻R和電容C;
[0039]初級包括導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，
[0040]次級包括次級套筒、永磁體、非導(dǎo)磁間隔環(huán)和次級導(dǎo)磁軛環(huán)，
[0041]初級為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)、三相繞組、初級導(dǎo)磁軛環(huán)和初級套筒，三相繞組纏繞在導(dǎo)體環(huán)上，且三相繞組的三相電流輸出端與可控型三相整流橋的三相電流輸入端連接，
[0042]可控型三相整流橋的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C;
[0043]次級為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級套在次級上，初級和次級同軸；
[0044]永磁體圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體和非導(dǎo)磁間隔環(huán)均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)軸向交替分布，
[0045]永磁體的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體充磁方向相反，
[0046]次級套筒套在永磁體和非導(dǎo)磁間隔環(huán)外側(cè)。
[0047]方案三和方案四中所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，所述的永磁體和非導(dǎo)磁間隔環(huán)的內(nèi)徑及外徑相同，且永磁體的內(nèi)徑與非導(dǎo)磁間隔環(huán)的外徑相同，永磁體的外徑與次級套筒的內(nèi)徑相同。
[0048]四種方案中所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，所述的初級導(dǎo)磁軛環(huán)的外徑和初級套筒的內(nèi)徑相同。
[0049]所述的可控型三相整流橋為由MOSFET或IGBT構(gòu)成的可控型三相整流橋。
[0050]所述的導(dǎo)體環(huán)為銅或鋁。
[0051]所述的不可控型三相整流橋為由二極管構(gòu)成的不可控型三相整流橋。
[0052]原理分析:本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為，在導(dǎo)體環(huán)一側(cè)增加三相繞組和導(dǎo)磁環(huán)，并且將三相繞組通過三相整流橋與一個外接電阻相串聯(lián)；當初級與次級發(fā)生相對運動時，次級永磁體與初級導(dǎo)體環(huán)之間可以產(chǎn)生被動阻尼力，這部分阻尼力是不可控的，與此同時，次級永磁體與三相繞組之間還可以產(chǎn)生一定主動阻尼力，這部分阻尼力是可控的。通過這樣一個結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，在保留永磁渦流阻尼器優(yōu)點的基礎(chǔ)之上，實現(xiàn)了阻尼力的部分可控。
[0053]主動阻尼力的產(chǎn)生及控制原理:次級永磁體與初級三相繞組發(fā)生相對運動時，會在三相繞組中產(chǎn)生三相反電勢，由于三相繞組經(jīng)過三相整流橋與外接電阻相串聯(lián)，形成閉合回路，所以三相反電勢在繞組中會產(chǎn)生三相電流，該電流與永磁體相互作用就會產(chǎn)生阻礙初級與次級發(fā)生相對運動的制動力，與發(fā)電機中的制動力原理相同。
[0054]當對主動阻尼力的大小進行調(diào)整時，需要結(jié)合具體的電路進行說明，分為兩種情況:
[0055]第一種是采用不可控三相整流橋，整流橋由二極管組成，在整流橋的輸出端并聯(lián)一個功率開關(guān)器件，當開關(guān)導(dǎo)通時，外接電阻被短接，繞組電流較大，主動阻尼力有最大值，當開關(guān)關(guān)斷時，外接電阻較大，繞組電流較小，主動阻尼力有最小值，實際應(yīng)用時，可以通過調(diào)節(jié)功率開關(guān)的占空比實現(xiàn)主動阻尼力在最大值與最小值之間的任意變化。
[0056]第二種是采用可控型三相整流橋，整流橋由MOSFET或IGBT組成，調(diào)節(jié)各開關(guān)管的占空比實現(xiàn)對三相繞組電流的調(diào)整，從而改變主動阻尼力的大小。
[0057]本發(fā)明帶來的有益效果是:通過將三相繞組與導(dǎo)體環(huán)進行結(jié)合，實現(xiàn)了利用一個裝置同時可以產(chǎn)生主動阻尼力和被動阻尼力的目的，采用以三相整流橋為主體的外電路，僅通過改變功率開關(guān)管的占空比即可實現(xiàn)對主動阻尼力的調(diào)整，從而使得該阻尼裝置具有一定的調(diào)整能力，與永磁渦流阻尼器相比，動態(tài)性能可以進行適當調(diào)節(jié)，提高了其適應(yīng)能力。
【附圖說明】
[0058]圖1為【具體實施方式】一、二、四和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器中的初級與次級的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖2為【具體實施方式】一和二中初級與次級的剖視圖；
[0060]圖3為【具體實施方式】一和二中初級與次級的局部放大圖；
[0061]圖4為【具體實施方式】一、二、四和五中初級的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖5為【具體實施方式】一和二中次級的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖6為【具體實施方式】一和二中永磁體的軸向充磁方向不意圖；
[0064]圖7為【具體實施方式】四和五中次級的剖視圖；
[0065]圖8為【具體實施方式】四和五中永磁體的徑向充磁方向示意圖；
[0066]圖9為【具體實施方式】四和五中次級的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖10為【具體實施方式】一和四所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的電路圖；
[0068]圖11為【具體實施方式】二和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的電路圖。
【具體實施方式】
[0069]【具體實施方式】一:參見圖1、2、3、4、5、6和10說明本實施方式，本實施方式所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級1、次級2、不可控型三相整流橋3、二極管D1、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S;
[0070]初級I包括導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，
[0071 ]次級2包括次級套筒2-1、永磁體2-2和極間鐵心2-3，
[0072]初級I為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，三相繞組1-2纏繞在導(dǎo)體環(huán)1-1上，且三相繞組1-2的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋3的三相電流輸入端連接，
[0073]不可控型三相整流橋3正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接，
[0074]不可控型三相整流橋3負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接；
[0075]次級2為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級I套在次級2上，初級I和次級2同軸；
[0076]永磁體2-2為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心2-3為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，
[0077]永磁體2-2和極間鐵心2-3均位于次級套筒2-1內(nèi)，且二者沿次級套筒2-1的軸向交替分布，永磁體2-2的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體2-2的充磁方向相反。
[0078]本實施方式，外電路中的三相整流橋為不可控型，不可控型三相整流橋與一個功率開關(guān)器件、一個電容及一個電阻相并聯(lián);不可控型三相整流橋與功率開關(guān)器件之間串入一個二極管。
[0079]在整流橋的輸出端并聯(lián)一個功率開關(guān)器件，當開關(guān)導(dǎo)通時，外接電阻被短接，繞組電流較大，主動阻尼力有最大值，當開關(guān)關(guān)斷時，外接電阻較大，繞組電流較小，主動阻尼力有最小值，實際應(yīng)用時，可以通過調(diào)節(jié)功率開關(guān)的占空比實現(xiàn)主動阻尼力在最大值與最小值之間的任意變化。
[0080]【具體實施方式】二:參見圖1、2、3、4、5、6和11說明本實施方式，本實施方式所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級1、次級2、可控型三相整流橋4、電阻R和電容C;
[0081 ] 初級I包括導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，
[0082]次級2包括次級套筒2-1、永磁體2-2和極間鐵心2-3，
[0083]初級I為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，三相繞組1-2纏繞在導(dǎo)體環(huán)1-1上，且三相繞組1-2的三相電流輸出端與可控型三相整流橋4的三相電流輸入端連接，
[0084]可控型三相整流橋4的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C;
[0085]次級2為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級I套在次級2上，初級I和次級2同軸；
[0086]永磁體2-2為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心2-3為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，
[0087]永磁體2-2和極間鐵心2-3均位于次級套筒2-1內(nèi)，且二者沿次級套筒2-1的軸向交替分布，永磁體2-2的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體2-2的充磁方向相反。
[0088]本實施方式，通過調(diào)節(jié)可控型三相整流橋4中各開關(guān)管的占空比實現(xiàn)對三相繞組電流的調(diào)整，從而改變主動阻尼力的大小。
[0089]【具體實施方式】三:參見圖1、2、3、4、5、6、10和11說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】一和二所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的永磁體2-2外徑、極間鐵心2-3外徑和次級套筒2-1內(nèi)徑尺寸相同。
[0090]【具體實施方式】四:參見圖1、4、7、8、9和10說明本實施方式，本實施方式所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，它包括初級1、次級2、不可控型三相整流橋3、二極管Dl、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S;
[0091]初級I包括導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，
[0092]次級2包括次級套筒2-1、永磁體2-2、非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4和次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5，
[0093]初級I為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，三相繞組1-2纏繞在導(dǎo)體環(huán)1-1上，且三相繞組1-2的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋3的三相電流輸入端連接，
[0094]不可控型三相整流橋3正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接，
[0095]不可控型三相整流橋3負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接；
[0096]次級2為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級I套在次級2上，初級I和次級2同軸；
[0097]永磁體2-2圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體2-2和非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5軸向交替分布，
[0098]永磁體2-2的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體2-2充磁方向相反，
[0099]次級套筒2-1套在永磁體2-2和非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4外側(cè)。
[0100]本實施方式，在整流橋的輸出端并聯(lián)一個功率開關(guān)器件，當開關(guān)導(dǎo)通時，外接電阻被短接，繞組電流較大，主動阻尼力有最大值，當開關(guān)關(guān)斷時，外接電阻較大，繞組電流較小，主動阻尼力有最小值，實際應(yīng)用時，可以通過調(diào)節(jié)功率開關(guān)的占空比實現(xiàn)主動阻尼力在最大值與最小值之間的任意變化。
[0101]【具體實施方式】五:參見圖1、4、7、8、9和11說明本實施方式，本實施方式所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，它包括初級1、次級2、可控型三相整流橋4、電阻R和電容C;
[0102]初級I包括導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，
[0103]次級2包括次級套筒2-1、永磁體2-2、非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4和次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5，
[0104]初級I為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)1-1、三相繞組1-2、初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3和初級套筒1-4，三相繞組1-2纏繞在導(dǎo)體環(huán)1-1上，且三相繞組1-2的三相電流輸出端與可控型三相整流橋4的三相電流輸入端連接，
[0105]可控型三相整流橋4的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C;
[0106]次級2為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級I套在次級2上，初級I和次級2同軸；
[0107]永磁體2-2圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體2-2和非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)2-5軸向交替分布，
[0108]永磁體2-2的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體2-2充磁方向相反，
[0109]次級套筒2-1套在永磁體2-2和非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4外側(cè)。
[0110]本實施方式，通過調(diào)節(jié)可控型三相整流橋4中各開關(guān)管的占空比實現(xiàn)對三相繞組電流的調(diào)整，從而改變主動阻尼力的大小。
[0111]【具體實施方式】六:參見圖1、4、7、8、9、10和11說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】四和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的永磁體2-2和非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4的內(nèi)徑及外徑相同，且永磁體2-2的內(nèi)徑與非導(dǎo)磁間隔環(huán)2-4的外徑相同，永磁體2-2的外徑與次級套筒2-1的內(nèi)徑相同。
[0112]【具體實施方式】七:參見圖1至圖4說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】一、二、四和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的初級導(dǎo)磁軛環(huán)1-3的外徑和初級套筒1-4的內(nèi)徑相同。
[0113]【具體實施方式】八:參見圖11說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】二和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的可控型三相整流橋4為由MOSFET或IGBT構(gòu)成的可控型三相整流橋。
[0114]本實施方式中，采用可控型三相整流橋，整流橋由MOSFET或IGBT組成，調(diào)節(jié)各開關(guān)管的占空比實現(xiàn)對三相繞組電流的調(diào)整，從而改變主動阻尼力的大小。
[0115]【具體實施方式】九:本實施方式與【具體實施方式】一、二、四和五所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的導(dǎo)體環(huán)1-1為銅或鋁。
[0116]本實施方式中，導(dǎo)體環(huán)1-1為低電阻率非磁性導(dǎo)體材料，如銅或鋁。
[0117]【具體實施方式】十:參見圖10說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】一和四所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器的區(qū)別在于，所述的不可控型三相整流橋3為由二極管構(gòu)成的不可控型三相整流橋。
【主權(quán)項】
1.半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，它包括初級(I)、次級(2)、不可控型三相整流橋(3)、二極管Dl、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S; 初級(I)包括導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)， 次級(2)包括次級套筒(2-1)、永磁體(2-2)和極間鐵心(2-3)， 初級(I)為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)，三相繞組(1-2)纏繞在導(dǎo)體環(huán)(1-1)上，且三相繞組(1-2)的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋(3)的三相電流輸入端連接， 不可控型三相整流橋(3)正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接， 不可控型三相整流橋(3)負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接； 次級(2)為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級(I)套在次級(2)上，初級(I)和次級(2)同軸； 永磁體(2-2)為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心(2-3)為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)， 永磁體(2-2)和極間鐵心(2-3)均位于次級套筒(2-1)內(nèi)，且二者沿次級套筒(2-1)的軸向交替分布，永磁體(2-2)的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體(2-2)的充磁方向相反。2.半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，它包括初級(I)、次級(2)、可控型三相整流橋(4)、電阻R和電容C; 初級(I)包括導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)， 次級(2)包括次級套筒(2-1)、永磁體(2-2)和極間鐵心(2-3)， 初級(I)為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)，三相繞組(1-2)纏繞在導(dǎo)體環(huán)(1-1)上，且三相繞組(1-2)的三相電流輸出端與可控型三相整流橋(4)的三相電流輸入端連接， 可控型三相整流橋(4)的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C; 次級(2)為圓柱型結(jié)構(gòu)，初級(I)套在次級(2)上，初級(I)和次級(2)同軸； 永磁體(2-2)為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)，極間鐵心(2-3)為圓環(huán)或圓盤形結(jié)構(gòu)， 永磁體(2-2)和極間鐵心(2-3)均位于次級套筒(2-1)內(nèi)，且二者沿次級套筒(2-1)的軸向交替分布，永磁體(2-2)的充磁方向為軸向充磁，且相鄰的兩個永磁體(2-2)的充磁方向相反。3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的永磁體(2-2)外徑、極間鐵心(2-3)外徑和次級套筒(2-1)內(nèi)徑尺寸相同。4.半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，它包括初級(I)、次級(2)、不可控型三相整流橋(3)、二極管Dl、電阻R、電容C和功率開關(guān)管S; 初級(I)包括導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)， 次級(2)包括次級套筒(2-1),永磁體(2-2)、非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)和次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)， 初級(I)為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)，三相繞組(1-2)纏繞在導(dǎo)體環(huán)(1-1)上，且三相繞組(1-2)的三相電流輸出端與不可控型三相整流橋(3)的三相電流輸入端連接， 不可控型三相整流橋(3)正極電源輸出端與二極管Dl的陽極連接，二極管Dl的陰極同時與功率開關(guān)管S的正極、電容C的一端和電阻R的一端連接， 不可控型三相整流橋(3)負極電源輸出端同時與功率開關(guān)管S的負極、電容C的另一端和電阻R的另一端連接； 次級(2)為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級(I)套在次級(2)上，初級(I)和次級(2)同軸； 永磁體(2-2)圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體(2-2)和非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)軸向交替分布， 永磁體(2-2)的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體(2-2)充磁方向相反， 次級套筒(2-1)套在永磁體(2-2)和非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)外側(cè)。5.半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，它包括初級(I)、次級(2)、可控型三相整流橋(4)、電阻R和電容C; 初級(I)包括導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)， 次級(2)包括次級套筒(2-1),永磁體(2-2)、非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)和次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)， 初級(I)為圓筒型結(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外依次為:導(dǎo)體環(huán)(1-1)、三相繞組(1-2)、初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)和初級套筒(1-4)，三相繞組(1-2)纏繞在導(dǎo)體環(huán)(1-1)上，且三相繞組(1-2)的三相電流輸出端與可控型三相整流橋(4)的三相電流輸入端連接， 可控型三相整流橋(4)的直流輸出端口同時并聯(lián)電阻R和電容C; 次級(2)為圓筒型結(jié)構(gòu)，初級(I)套在次級(2)上，初級(I)和次級(2)同軸； 永磁體(2-2)圓環(huán)形結(jié)構(gòu)，永磁體(2-2)和非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)均套在次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)上，且二者沿次級導(dǎo)磁軛環(huán)(2-5)軸向交替分布， 永磁體(2-2)的充磁方向為徑向充磁，且相鄰兩個永磁體(2-2)充磁方向相反， 次級套筒(2-1)套在永磁體(2-2)和非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)外側(cè)。6.根據(jù)權(quán)利要求4和5所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的永磁體(2-2)和非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)的內(nèi)徑及外徑相同，且永磁體(2-2)的內(nèi)徑與非導(dǎo)磁間隔環(huán)(2-4)的外徑相同，永磁體(2-2)的外徑與次級套筒(2-1)的內(nèi)徑相同。7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4和5所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的初級導(dǎo)磁軛環(huán)(1-3)的外徑和初級套筒(1-4)的內(nèi)徑相同。8.根據(jù)權(quán)利要求2和5所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的可控型三相整流橋(4)為由MOSFET或IGBT構(gòu)成的可控型三相整流橋。9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4和5所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的導(dǎo)體環(huán)(1-1)為銅或鋁。10.根據(jù)權(quán)利要求1和4所述的半可控圓筒型直線電磁阻尼器，其特征在于，所述的不可控型三相整流橋(3)為由二極管構(gòu)成的不可控型三相整流橋。
【文檔編號】F16F6/00GK105864338SQ201610437455
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】張赫, 寇寶泉, 劉奉海, 張魯
【申請人】哈爾濱工業(yè)大學(xué)