專利名稱：高靈敏度γ射線點探測裝置的制作方法
專利說明
一、技術(shù)領(lǐng)域本實用新型是一種PTA裝置高靈敏度r射線點探測器，屬于PTA裝置專用探測器技術(shù)領(lǐng)域。
二背景技術(shù)：
原PTA裝置采用靈敏度為0.5～2.7μSv/hγ射線(硬射線)產(chǎn)生300脈沖(cps)的點探測器。使用此類探測系統(tǒng)結(jié)合鈷棒進行料位測量的γ射線料位計，射源使用年限一般為5.26年(此為經(jīng)濟設(shè)計指標)。
三
發(fā)明內(nèi)容
1.發(fā)明目的本實用新型的發(fā)明目的是提供一種靈敏度高、使用壽命長的高靈敏度γ射線點探測裝置。
2.技術(shù)方案本實用新型的高靈敏度γ射線點探測裝置由外殼、晶體及光電倍增管所組成，在電磁屏蔽層內(nèi)并排設(shè)有NaI(TL)晶體、NaI(TL)雙窗晶體，在NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體之間設(shè)有光耦合劑，在NaI(TL)雙窗晶體的另一側(cè)設(shè)有光電倍增管，屏蔽罩位于NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體的外側(cè)，在屏蔽罩的一側(cè)設(shè)有一窗口。屏蔽罩由罩體和上蓋組成，上蓋與罩體用螺釘連接。電磁屏蔽層由玻莫合金制成。
3.技術(shù)效果本實用新型的高靈敏度γ射線點探測器在原γ探測器50×50NaI(TL)晶體的基礎(chǔ)上加上特制的雙窗50×50～102 NaI(TL)晶體，增加了有效探測體積。靈敏度為0.2～0.25μSv/hγ射線(硬射線)產(chǎn)生300脈沖(cps)。采用該探測系統(tǒng)同原探測系統(tǒng)比較可在鈷棒活度等同的情況下，射源使用年限由5.26年延長至10.5～22年。用于工業(yè)射線料位計設(shè)計方面至少可以減小一倍的射源活度，大幅度降低現(xiàn)場射線污染。
四

圖1是本實用新型的總體結(jié)構(gòu)示意圖。其中有屏蔽罩1、罩體11、上蓋12、窗口111、晶體2、光耦合劑3、雙窗晶體4、電磁屏蔽層5、光電倍增管6、支架7。
五具體實施方式
電磁屏蔽層5為一個用玻莫合金制成的空心圓柱狀殼體，在該電磁屏蔽層內(nèi)前端設(shè)有一個50×50 NaI(TL)晶體2，在該晶體的旁邊設(shè)有一個特制的NaI(TL)雙窗晶體4，其尺寸是50×50～102，在兩個晶體之間設(shè)有光耦合劑3，在NaI(TL)雙窗晶體的另一側(cè)設(shè)有光電倍增管6，然后將裝有NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體和光電信增管的電磁屏蔽層安裝在支架7內(nèi)的前端。在裝有NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體的部位的支架外側(cè)設(shè)有一個屏蔽罩1，該屏蔽罩由罩體11和上蓋12組成，在罩體的一側(cè)開有一個窗口111，作為探測用窗口。根據(jù)以上所述便可實現(xiàn)本實用新型。
權(quán)利要求1.一種高靈敏度r射線點探測裝置，由外殼、NaI(TL)晶體、光電倍增管所組成，其特征在于在電磁屏蔽層(5)內(nèi)并排設(shè)有NaI(TL)晶體(2)、NaI(TL)雙窗晶體(4)，在NaI(TL)晶體(2)和NaI(TL)雙窗晶體(4)之間設(shè)有光耦合劑(3)，在NaI(TL)雙窗晶體(4)的另一側(cè)設(shè)有光電倍增管(6)，屏蔽罩(1)位于NaI(TL)晶體(2)和NaI(TL)雙窗晶體(4)的外側(cè)，在屏蔽罩(1)的一側(cè)設(shè)有一窗口(111)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度r射線點探測裝置，其特征在于屏蔽罩(1)由罩體(11)和上蓋(12)組成，上蓋(12)與罩體(11)用螺釘連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高靈敏度r射線點探測裝置，其特征在于電磁屏蔽層(5)由玻莫合金制成。
專利摘要高靈敏度r射線點探測裝置是一種PTA裝置高靈敏度r射線點探測器,在電磁屏蔽層內(nèi)并排設(shè)有NaI(TL)晶體、NaI(TL)雙窗晶體,在NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體之間設(shè)有光耦合劑,在NaI(TL)雙窗晶體的另一側(cè)設(shè)有光電倍增管,屏蔽罩位于NaI(TL)晶體和NaI(TL)雙窗晶體的外側(cè),在屏蔽罩的一側(cè)設(shè)有一窗口。屏蔽罩由罩體和上蓋組成,上蓋與罩體用螺釘連接,電磁屏蔽層由玻莫合金制成。
文檔編號G01F23/284GK2493944SQ01262568
公開日2002年5月29日 申請日期2001年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月6日
發(fā)明者李大仰, 王如霖, 毛承軍 申請人:揚子石油化工股份有限公司