專(zhuān)利名稱(chēng)：一種半導(dǎo)體壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種傳感器，尤其是一種壓力傳感器，更確切的說(shuō)是一種半導(dǎo)體壓力傳感器。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是所述的傳感器是由襯底層、隔離層、壓阻層三層結(jié)構(gòu)組成，所述的襯底層是單晶硅層，隔離層是二氧化硅層，壓阻層是微晶硅薄膜層。壓阻層厚度在100nm-5000nm之間。采用的壓阻層是經(jīng)過(guò)摻雜的，以獲得合適的電阻率。制作壓阻層所采用的技術(shù)是等離子化學(xué)氣相薄膜沉淀技術(shù)或微波化學(xué)氣相薄膜沉淀技術(shù)，從而給出了一種制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉但又能在較高溫度工作的半導(dǎo)體壓力傳感器。
本實(shí)用新型的有益效果是此種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體壓力傳感器的壓阻層是采用富氫微晶硅薄膜，薄膜由大量Si細(xì)微晶粒和包圍這些晶粒的晶間界面組成該薄膜具有比多晶硅高的壓阻效應(yīng)，所以此種半導(dǎo)體壓力傳感器不僅可在較高的工作溫度下工作，而且靈敏度也較高且制作工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。


圖1是本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體壓力傳感器的示意圖。
圖2是本實(shí)用新型一種壓力傳感器又一結(jié)構(gòu)示意圖。
其中1為襯底層；2為隔離層；3為壓阻層；4是金屬電極；5為絕緣保護(hù)層。
權(quán)利要求1，一種半導(dǎo)體壓力傳感器，由襯底層組成，其特征在于在所述的襯底層上方設(shè)置有隔離層、壓阻層，所述的襯底層是單晶硅層，所述的隔離層是二氧化硅層，所述的壓阻層是微晶硅薄膜層。
2，根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于所述的壓阻層是經(jīng)過(guò)摻雜的微晶硅薄膜層。
3，根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于所述的壓阻層的厚度在100nm-5000nm之間。
專(zhuān)利摘要一種半導(dǎo)體壓力傳感器，以單晶硅上的二氧化硅層作為隔離層，在二氧化硅隔離層上采用富氫微晶硅薄膜制備壓阻元件的半導(dǎo)體壓力傳感器?？稍谳^高的工作溫度下正常工作，而且靈敏度也較高且制作工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
文檔編號(hào)G01L9/06GK2572374SQ0228341
公開(kāi)日2003年9月10日 申請(qǐng)日期2002年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者劉宏, 劉曉晗, 劉明 申請(qǐng)人:上海鴻宇納米科技發(fā)展有限公司