專利名稱:用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示一種用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其包括一光源模塊、一檢測模塊及一控制模塊。光源模塊具有一發(fā)光區(qū)及一暗區(qū)，暗區(qū)環(huán)設(shè)于發(fā)光區(qū)的周圍，發(fā)光區(qū)具有一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的基材上的檢測光源，發(fā)光區(qū)界定有一光學(xué)中心軸。檢測模塊與光源模塊彼此相對應(yīng)設(shè)置，檢測模塊包括一用于擷取位于檢測區(qū)域內(nèi)的基材的影像信息的線性影像擷取單元，線性影像擷取單元具有一檢測中心軸及投射于暗區(qū)的截取范圍，檢測中心軸非同軸于光學(xué)中心軸。控制模塊電性連接于檢測模塊，以接收檢測模塊所擷取到的影像信息，以得到一位于基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息。
【專利說明】用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型系有關(guān)于一種缺陷檢測裝置，尤指一種藉由判斷薄膜基材表面是否有刮傷缺陷的存在以達(dá)到提升薄膜基材檢測速度及準(zhǔn)確性的基材缺陷檢測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今之產(chǎn)品大都以大量生產(chǎn)來降低生產(chǎn)成本，而大量生產(chǎn)的同時，檢測裝置如何能有效地檢測成為重要的課題之一，而在產(chǎn)品生產(chǎn)前，制作產(chǎn)品所需之材料大都須先經(jīng)檢測，藉以淘汰具有缺陷的材料，進(jìn)而提高產(chǎn)品之良率且降低生產(chǎn)成本。
[0003]許多產(chǎn)品系以基材制造生產(chǎn)，因此，基材檢測對于生產(chǎn)之良率具有不可忽視之影響，其中，基材的檢測常需要確認(rèn)或基材之正反兩表面是否有缺陷，例如:凹陷、凸起、破損、擦傷或刮傷等問題。
[0004]因此為了提供質(zhì)量優(yōu)選的基材，通常會通過人工進(jìn)行目視檢測，通過將基材設(shè)置于一輸送裝置上，并以人眼進(jìn)行觀測，檢測該些基材是否有瑕疵，并紀(jì)錄該些瑕疵區(qū)域。然而，上述通過人眼進(jìn)行檢測的方式，容易因?yàn)檠劬υ陂L時間的觀測下而產(chǎn)生疲勞或誤判，開始產(chǎn)生基材缺陷辨別率下降的情形，且對于單一產(chǎn)品的缺陷判斷標(biāo)準(zhǔn)也會不一致。此外，也由于是通過人眼進(jìn)行檢測，因此基材在輸送裝置上的速度也不能太快。進(jìn)一步來說，當(dāng)缺陷很小時，或是待檢測的基材是薄膜基材時，人眼就無法進(jìn)行辨識，若要辨識也需要通過影像放大器進(jìn)行觀測，然而，還是會產(chǎn)生前述問題。
[0005]因此，如何提供一種能夠?qū)⒏纳苹谋砻嫒毕荼孀R率，以克服上述的缺失，已然成為該項(xiàng)事業(yè)所欲解決的重要課題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]鑒于以上之問題，本實(shí)用新型提供一種用于檢測可透光薄膜基材的基材缺陷檢測裝置，乃藉由薄膜基材上的瑕疵區(qū)域偏折投射檢測光源至線性影像擷取單元的截取范圍中，來判斷基材表面是否有缺陷的存在，以達(dá)到提升薄膜基材檢測速度及準(zhǔn)確性的基材缺陷檢測裝置。
[0007]為了達(dá)到上述之目的，本實(shí)用新型之實(shí)施例系是提供一種用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其包括一光源模塊、一檢測模塊及一控制模塊。所述光源模塊具有一發(fā)光區(qū)及一暗區(qū)，所述暗區(qū)環(huán)設(shè)于所述發(fā)光區(qū)的周圍，所述發(fā)光區(qū)具有一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材上的檢測光源，其中所述發(fā)光區(qū)界定有一光學(xué)中心軸。所述檢測模塊與所述光源模塊彼此相對應(yīng)設(shè)置，所述檢測模塊包括一用于擷取位于所述檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材的影像信息的線性影像擷取單元，其中所述線性影像擷取單元具有一檢測中心軸及投射于所述暗區(qū)的截取范圍，所述檢測中心軸非同軸于所述光學(xué)中心軸。所述控制模塊電性連接于所述檢測模塊，以接收所述檢測模塊所擷取到的影像信息，其中所述影像信息通過所述控制模塊的運(yùn)算，以得到一位于所述基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息。其中，所述檢測光源通過位于所述基材上的所述瑕疵區(qū)域，偏折投射在所述線性影像擷取單元的所述截取范圍中。
[0008]其特征在于，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍直接穿過所述基材而投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍上。
[0009]其特征在于，所述截取范圍鄰近于所述光源模塊的所述發(fā)光區(qū)。
[0010]其特征在于，所述檢測中心軸與所述光學(xué)中心軸相互平行。
[0011]其特征在于，還進(jìn)一步包括一輸送模塊，所述輸送模塊包括多個滾輪，以輸送所述基材至一檢測區(qū)域。
[0012]其特征在于，所述光源模塊設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述檢測模塊設(shè)置于所述基材的一第二側(cè)邊。
[0013]其特征在于，所述基材為具有透光性的薄膜。
[0014]其特征在于，所述光源為線性光源。
[0015]其特征在于，所述擷取范圍小于所述檢測光源投射于所述基材上的投射面積的30%。
[0016]其特征在于，通過調(diào)整所述線性影像擷取單元至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍。
[0017]本實(shí)用新型的有益效果可以在于，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，通過檢測中心軸與光學(xué)中心軸非同軸的設(shè)置，并使得線性影像擷取單元的截取范圍直接穿過基材而投影在光源模塊的暗區(qū)上，再通過調(diào)整檢測模塊與光源模塊之間的位置關(guān)系，使得線性影像擷取單元的截取范圍鄰近于光源模塊的發(fā)光區(qū)上。藉此，能藉由基材上的瑕疵區(qū)域偏折投射檢測光源至線性影像擷取單元的截取范圍中，藉此能夠判斷基材是否有缺陷的存在。
[0018]為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本實(shí)用新型加以限制。

【附圖說明】

[0019]圖1A為本實(shí)用新型的其中一前視示意圖。
[0020]圖1B為本實(shí)用新型的基材的放大示意圖。
[0021]圖1C為本實(shí)用新型的其中一光軸路徑的示意圖。
[0022]圖1D為本實(shí)用新型的另外一光軸路徑的示意圖。
[0023]圖2為本實(shí)用新型的另外一如視不意圖。
[0024][圖的符號的簡單說明]:
[0025]基材缺陷檢測裝置Q
[0026]基材S
[0027]第一側(cè)邊SI
[0028]第二側(cè)邊S2
[0029]光源模塊I
[0030]發(fā)光區(qū)11
[0031]暗區(qū)12
[0032]檢測模塊2
[0033]線性影像擷取單元21
[0034]控制模塊3
[0035]輸送模塊4
[0036]滾輪41
[0037]檢測光源P
[0038]截取范圍T
[0039]檢測區(qū)域Z
[0040]瑕疵區(qū)域F
[0041]第一光軸Cl，Cl’
[0042]第二光軸C2，C2’
[0043]第三光軸C3，C3’
[0044]距離D1，D2，D3，D4
[0045]光學(xué)中心軸Al
[0046]檢測中心軸A2

【具體實(shí)施方式】
[0047]以下系藉由特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型所揭露“用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置”的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易了解本實(shí)用新型的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型亦可藉由其它不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。又本實(shí)用新型的圖式僅為簡單說明，并非依實(shí)際尺寸描繪，亦即未反應(yīng)出相關(guān)構(gòu)成的實(shí)際尺寸，先予敘明。以下的實(shí)施方式系進(jìn)一步詳細(xì)說明本實(shí)用新型的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但并非用以限制本實(shí)用新型的技術(shù)范疇。
[0048]首先，請參閱圖1A及圖1B所示，圖1A為本實(shí)用新型的其中一前視示意圖，圖1B為本實(shí)用新型基材的放大示意圖。本實(shí)用新型系提供一種用于檢測可透光基材S的基材缺陷檢測裝置Q，其包括，一光源模塊1、一檢測模塊2及一控制模塊3。藉此，基材S通過檢測模塊2的與光源模塊I的相互配合檢測，以判斷基材S表面是否具有缺陷。舉例來說，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，待檢測的基材S可以是具有透光性的薄膜，例如具有透光率85%以上之薄膜，并同時藉由光源模塊I及檢測模塊以檢測薄膜基材S上的刮傷缺陷，然本實(shí)用新型不以此為限。
[0049]接著，基材S可通過一設(shè)置于基材缺陷檢測裝置Q上的輸送模塊4來輸送并承載基材S，輸送模塊4可包括多個滾輪41，藉由滾輪41的帶動將基材S輸送至一預(yù)定地檢測區(qū)域Z上。舉例來說，多個滾輪41中的其中一個，可以通過一馬達(dá)(圖中未示出)的驅(qū)動而作為主動輪，通過主動輪的設(shè)置，可以帶動位于輸送模塊4上的待檢測基材S。藉此將待檢測的基材S輸送到一用于檢測基材S的檢測區(qū)域Z。進(jìn)一步來說，可以進(jìn)一步提供一入料單元(圖中未示出)及一收料單元(圖中未示出)，基材S的一端可設(shè)置于一入料單元上，另一端則可以通過輸送模塊4上的多個滾輪41而被輸送至收料單元上，以收納被檢測完成的基材S。
[0050]接著，光源模塊I可具有一發(fā)光區(qū)11及一暗區(qū)12，暗區(qū)12環(huán)設(shè)于發(fā)光區(qū)11的周圍，發(fā)光區(qū)11可具有一照射在位于一檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S上的檢測光源P，而發(fā)光區(qū)11可再界定有一光學(xué)中心軸Al。具體來說，光源模塊I可以包括至少一發(fā)光二極管，以提供一照射于檢測區(qū)域Z上之高亮度及高均勻度的檢測光源P，優(yōu)選地，光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P可以是一線性光源，使檢測光源P具有指向性地垂直向上射出，然本實(shí)用新型不以此限。舉例來說，光源模塊I亦可選自由鹵素?zé)艋蛉展鉄艄芩M成之其它光源構(gòu)造。此外，也可以通過調(diào)整光源模塊I的光源位置、排列方式等，進(jìn)而獲得優(yōu)選之光源散射效果。進(jìn)一步來說，若光源模塊I為一發(fā)光二極管，發(fā)光區(qū)11可以是發(fā)光二極管的光源射出面，暗區(qū)12則可以是環(huán)繞于發(fā)光二極管周圍的結(jié)構(gòu)或是發(fā)光二極管周圍的非發(fā)光空間。換言之，也可以通過在發(fā)光二極管的一側(cè)設(shè)置有一遮光單元(圖中未示出)，以形成光源模塊I的暗區(qū)12范圍。
[0051]接著，檢測模塊2與光源模塊I彼此相對應(yīng)的設(shè)置，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，光源模塊I可設(shè)置在基材S的一第一側(cè)邊SI外，檢測模塊2可設(shè)置于基材S的一第二側(cè)邊S2外。換言之，檢測模塊2與光源模塊I分別設(shè)置于基材S的兩相反側(cè)邊。檢測模塊2包括一用于擷取位于檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S的影像信息的線性影像擷取單元21，其中線性影像擷取單元21具有一檢測中心軸A2及投射于暗區(qū)12的截取范圍T。舉例而言，截取范圍T能夠有一部分投射于發(fā)光區(qū)11，另外一部分投射于暗區(qū)12。
[0052]進(jìn)一步來說，線性影像擷取單元21的檢測中心軸A2非同軸于發(fā)光區(qū)11的光學(xué)中心軸Al ο其中檢測光源P通過一位于基材S上的瑕疵區(qū)域F，偏折投射在線性影像擷取單元21的截取范圍T中。具體來說，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，檢測中心軸A2與光學(xué)中心軸Al乃相互平行的設(shè)置，并同時使得線性影像擷取單元21的截取范圍T直接穿過基材S而投影在光源模塊的暗區(qū)12上。另外，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，線性影像擷取單元21可以包括有互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)芯片或一電荷親合組件(Charge-coupled Device, CO))芯片。藉此，一維的線性影像擷取單元21可以于基材S上形成一掃描線。
[0053]進(jìn)一步來說，控制模塊3可電性連接于檢測模塊2，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，控制模塊3可以是一計(jì)算機(jī)，以接收檢測模塊2所擷取到的影像信息，影像信息再通過控制模塊3的運(yùn)算，以得到一位于基材S上的瑕疵區(qū)域F的一瑕疵信息。藉此，發(fā)光區(qū)11所發(fā)出的檢測光源P通過瑕疵區(qū)域F，以偏折投射在線性影像擷取單元21的截取范圍T中。值得一提的是，若待檢測基材S具有一預(yù)定的長度時，可以通過一電性連接于于控制模塊3的計(jì)碼單元(圖中未示出)記錄待檢測基材S的長度信息，并將該長度信息傳送至控制模塊3中，藉此，控制模塊3可以根據(jù)該長度信息及影像信息而判斷每一批待檢測基材S的瑕疵信息，同時可以記錄基材S的何段、何位置有何缺陷，并將該些瑕疵信息記錄于控制模塊3內(nèi)，以便后續(xù)之使用。
[0054]請同時參閱圖1C至圖1D所示，圖1C為本實(shí)用新型的其中一光軸路徑的示意圖，圖1D為本實(shí)用新型的另外一光軸路徑的示意圖。如圖1C所示，當(dāng)光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿透一不具有瑕疵區(qū)域F的基材S時，可以分成第一光軸Cl、第二光軸C2及第三光軸C3，藉此，當(dāng)穿透的基材S上不具有缺陷時，第一光軸Cl會以垂直進(jìn)入基材S當(dāng)中并在基材S中形成一第二光軸C2，當(dāng)穿透基材S后第二光軸C2會形成第三光軸C3而垂直穿透基材S，其中，由于基材S上不具有瑕疵區(qū)域F，因此第三光軸C3的并不會產(chǎn)生偏折。藉此，利用暗場檢測(Dark Field Inspect1n)原理，當(dāng)待檢測得基材S上不具有瑕疵區(qū)域F時，乃由于位于基材S下方的光源模塊I的檢測中心軸A2與光學(xué)中心軸Al非同軸的設(shè)置，使得光源不會直射進(jìn)入至線性影像擷取單元21中。據(jù)此，對于線性影像擷取單元21而言，所擷取到的影像信息為全黑或僅具有一微弱的光線。以本實(shí)用新型實(shí)施例而言，可以通過控制模塊3將該全黑或微弱光線的影像信息換算成一灰階值(O至255)，以作為判斷的基準(zhǔn)值。優(yōu)選地，以線性影像擷取單元21能夠感測到微弱光線為佳，其灰階值的基準(zhǔn)值可以預(yù)設(shè)為128。藉此，如上所述，可通過調(diào)整截取范圍T所投射于發(fā)光區(qū)11上的面積及投射于暗區(qū)12上的面積，以改變作為判斷的基準(zhǔn)值的灰階值。例如，當(dāng)截取范圍T完全投射于暗區(qū)12上時，線性影像擷取單元21所擷取到的影像信息可能為全黑。當(dāng)截取范圍T有20%投射于發(fā)光區(qū)上時，線性影像擷取單元21所擷取到的影像信息約可能截取到發(fā)光區(qū)11所產(chǎn)生之檢測光源的20%。
[0055]接著，如圖1D所示，當(dāng)光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿透一具有瑕疵區(qū)域F的基材S時，可以分成第一光軸Cl’、第二光軸C2’及第三光軸C3’，藉此，當(dāng)穿透的基材S上具有缺陷時，第一光軸Cl’會垂直進(jìn)入基材S當(dāng)中并在基材S中形成一第二光軸C2’，當(dāng)穿透基材S后第二光軸C2’會形成第三光軸C3’，而第三光軸C3’會由于基材S上的瑕疵區(qū)域F而產(chǎn)生偏折，使得偏折的第三光軸C3’所發(fā)出之光源會進(jìn)入到線性影像擷取單元21中。換言之，當(dāng)光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P照射到基材S上的瑕疵區(qū)域F時，由于瑕疵區(qū)域F上具有不平整的表面，因此穿過瑕疵區(qū)域F上的檢測光源P將會產(chǎn)生偏折，將會迫使部分檢測光源P的光軸路徑產(chǎn)生改變，導(dǎo)致發(fā)光區(qū)11的檢測光源P往左右偏折而進(jìn)入至線性影像擷取單元21中，因此線性影像擷取單元21所擷取到的影像信息上的亮點(diǎn)可能就是瑕疵區(qū)域F。藉此，若將亮度轉(zhuǎn)換成灰階值時，當(dāng)進(jìn)入至線性影像擷取單元21中的光線越多時，灰階值得數(shù)值將會提高。因此，可利用灰階值的高低來判斷基材S上的瑕疵區(qū)域F，以辨識基材S上的缺陷。同時，也可以通過灰階值的高低來判斷基材S的缺陷程度。
[0056]另外，以本實(shí)用新型的實(shí)施例而言，檢測中心軸A2與光學(xué)中心軸Al也不限于相互平行的設(shè)置，僅需要使檢測中心軸A2與光學(xué)中心軸Al非同軸的設(shè)置，并同時使得線性影像擷取單元21的截取范圍T直接穿過基材S而投影在光源模塊的暗區(qū)12上，接著，再通過調(diào)整檢測模塊2與光源模塊I之間的位置關(guān)系，使得線性影像擷取單元21的截取范圍T鄰近于光源模塊I的發(fā)光區(qū)11。藉此，當(dāng)光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P照射到基材S上的瑕疵區(qū)域F時，檢測光源P將會產(chǎn)生偏折，將會迫使部分檢測光源P偏折而進(jìn)入至線性影像擷取單元21中。進(jìn)一步來說，檢測模塊2與光源模塊I也不一定要如同圖1A所示的垂直于基材S表面的設(shè)置。舉例來說，檢測模塊2與光源模塊I也可以與基材S傾斜一預(yù)定角度的設(shè)置，只要使得當(dāng)光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿過平整的基材S時不會直接進(jìn)入線性影像擷取單元21中。
[0057]進(jìn)一步來說，請參閱圖2所示，圖2為本實(shí)用新型的另外一前視示意圖。有鑒于各種情況下對于基材S有著不同的質(zhì)量要求，對于瑕疵的判斷標(biāo)準(zhǔn)也不盡相同。舉例來說，可通過調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)12大小及與發(fā)光區(qū)11的鄰近程度來調(diào)整瑕疵區(qū)域F的辨別靈敏度，藉以判斷基材S的缺陷程度。舉例來說，可通過調(diào)整線性影像擷取單元21至基材S之間的距離(Dl，D2)，來調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)12大小。抑或是通過調(diào)整光源模塊I至基材之間的距離(D3，D4)，以調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)12的大小。此外，也可以通過直接水平移動光源模塊I或是檢測模塊2來進(jìn)行調(diào)整。換言之，可將線性影像擷取單元21及光源模塊I分別設(shè)置在一基座(圖中未示出)上，以調(diào)整線性影像擷取單元21及光源模塊I彼此之間的相對位置。另外，也可以直接通過調(diào)整線性影像擷取單元21的光圈大小，來調(diào)整調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)12的大小。
[0058]本實(shí)用新型所提供之用于檢測可透光基材S的基材缺陷檢測裝置Q，能藉由基材S上的瑕疵區(qū)域F偏折投射檢測光源P至線性影像擷取單元21的截取范圍T中，以判斷基材S是否有缺陷的存在。
[0059]〔實(shí)施例的可能功效〕
[0060]綜上所述，本實(shí)用新型的有益效果可以在于，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的用于檢測可透光基材S的基材缺陷檢測裝置Q，通過檢測中心軸A2與光學(xué)中心軸Al非同軸的設(shè)置，并使得線性影像擷取單元21的截取范圍T直接穿過基材S而投影在光源模塊的暗區(qū)12上，再通過調(diào)整檢測模塊2與光源模塊I之間的位置關(guān)系，使得線性影像擷取單元21的截取范圍T鄰近于光源模塊I的發(fā)光區(qū)11上。藉此，能藉由基材S上的瑕疵區(qū)域F偏折投射檢測光源P至線性影像擷取單元21的截取范圍T中，以判斷基材S是否有缺陷的存在。
[0061]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選可行實(shí)施例，非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型的說明書及圖式內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，其包括: 一光源模塊，所述光源模塊具有一發(fā)光區(qū)及一暗區(qū)，所述暗區(qū)環(huán)設(shè)于所述發(fā)光區(qū)的周圍，所述發(fā)光區(qū)具有一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材上的檢測光源，其中所述發(fā)光區(qū)界定有一光學(xué)中心軸； 一檢測模塊，所述檢測模塊與所述光源模塊彼此相對應(yīng)設(shè)置，所述檢測模塊包括一用于擷取位于所述檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材的影像信息的線性影像擷取單元，其中所述線性影像擷取單元具有一檢測中心軸及投射于所述暗區(qū)的截取范圍，所述檢測中心軸非同軸于所述光學(xué)中心軸；以及 一控制模塊，所述控制模塊電性連接于所述檢測模塊，以接收所述檢測模塊所擷取到的影像信息，其中所述影像信息通過所述控制模塊的運(yùn)算，以得到一位于所述基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息； 其中，所述檢測光源通過位于所述基材上的所述瑕疵區(qū)域，偏折投射在所述線性影像擷取單元的所述截取范圍中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍直接穿過所述基材而投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述截取范圍鄰近于所述光源模塊的所述發(fā)光區(qū)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述檢測中心軸與所述光學(xué)中心軸相互平行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，還進(jìn)一步包括一輸送模塊，所述輸送模塊包括多個滾輪，以輸送所述基材至一檢測區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源模塊設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述檢測模塊設(shè)置于所述基材的一第二側(cè)邊。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述基材為具有透光性的薄膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源為線性光源。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述擷取范圍小于所述檢測光源投射于所述基材上的投射面積的30%。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測可透光基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，通過調(diào)整所述線性影像擷取單元至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍。
【文檔編號】G01N21-958GK204287068SQ201420716977
【發(fā)明者】許軒兢 [申請人]香港商微覺視檢測技術(shù)股份有限公司