專(zhuān)利名稱(chēng)：具有陡端壁偏置磁體的磁阻傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一般用在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的磁阻傳感器，尤其涉及具有端壁基本上垂直的偏置磁體(bias magnet)的磁阻傳感器。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，對(duì)數(shù)字信息進(jìn)行磁記錄的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)大多數(shù)數(shù)據(jù)。一個(gè)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器具有至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)盤(pán)，旋轉(zhuǎn)盤(pán)上具有離散的通信數(shù)據(jù)磁道。每一個(gè)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器還具有至少一個(gè)記錄磁頭，記錄磁頭通常具有分別用于在磁道上讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的獨(dú)立的讀部件和寫(xiě)部件。
現(xiàn)代磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的讀部件包括一個(gè)磁阻自旋閥傳感器(magnetoresistive spin valve sensor)。一個(gè)磁自旋閥傳感器包括一個(gè)夾心層狀結(jié)構(gòu)，也叫做傳感器疊層，包括一個(gè)鐵磁釘扎層(pinnedlayer)、一個(gè)非磁性導(dǎo)電層和一個(gè)鐵磁自由層。該傳感器疊層設(shè)置在兩個(gè)磁屏蔽之間。
所述兩個(gè)磁屏蔽之間的距離決定了讀間隙。讀間隙的大小強(qiáng)烈影響傳感器適應(yīng)高記錄密度的能力。自旋閥傳感器的電阻隨著所施加的磁場(chǎng)比如來(lái)自磁盤(pán)上被寫(xiě)入的磁轉(zhuǎn)換的磁場(chǎng)的方向和幅度而變化。為了檢測(cè)電阻的變化，使檢測(cè)電流借助于電引線通過(guò)所述傳感器。電引線也稱(chēng)為引線層，或者簡(jiǎn)單地稱(chēng)為引線。一般，在傳感器疊層的端部附近的層中設(shè)置硬偏置材料(hard bias material)，形成永久磁體，對(duì)傳感器疊層施加穩(wěn)定磁偏置磁場(chǎng)。所述永久磁體也稱(chēng)為硬偏置磁體或者偏置磁體。
偏磁體的設(shè)置和位置對(duì)于自旋閥傳感器的性能來(lái)說(shuō)是很重要的。在典型的現(xiàn)有自旋閥中，傳感器疊層是用光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)(liftoffstructure)形成的，這種結(jié)構(gòu)給傳感器疊層留下了圓形或者有坡度的端部。然后將所述硬偏置材料設(shè)置在這些傾斜端部上，形成接合結(jié)(abutted junction)。每一個(gè)接合結(jié)具有很大的寬度，導(dǎo)致每一個(gè)接合結(jié)上磁極在較寬范圍上分布。隨著所需的自旋閥傳感器磁道寬度越來(lái)越窄，接合結(jié)的寬度越來(lái)越成為整個(gè)磁道寬度的阻礙。另外，傾斜接合結(jié)在某種程度上沒(méi)有效率，為了使傳感器完全穩(wěn)定，需要相當(dāng)厚的硬偏置材料層。隨著所需的磁道寬度越來(lái)越小，與接合結(jié)有關(guān)的有害效應(yīng)越來(lái)越是個(gè)問(wèn)題。
因此，需要有一種磁自旋閥傳感器，其中，硬偏置材料與傳感器疊層形成窄的更有效率的結(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，提供了一個(gè)磁阻自旋閥傳感器，其傳感器疊層用兩個(gè)偏置磁體加以穩(wěn)定。所述偏置磁體具有基本上垂直的端壁。所述偏置磁體的陡峭的垂直端壁提供了與傳感器疊層之間的非常窄的結(jié)。另外，使用一個(gè)非磁性隔離層來(lái)優(yōu)化所述偏置磁體相對(duì)于所述自由層的位置。這種新穎的磁阻傳感器改善了空間分辨率。另外，所述傳感器疊層和所述具有基本上垂直的端壁的偏置磁體之間的結(jié)很有效率。這種效率允許使用更薄的偏置磁體，而導(dǎo)致的靈敏度損失更小。
在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述讀部件包括一個(gè)磁阻自旋閥傳感器，用具有基本上垂直的端壁的兩個(gè)偏置磁體對(duì)所述磁阻自旋閥傳感器進(jìn)行磁穩(wěn)定。
從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說(shuō)明可以得知本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)。下面的說(shuō)明只是通過(guò)舉例的方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。


圖1是具有本發(fā)明的磁阻傳感器的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的視圖；圖2是具有本發(fā)明的磁阻傳感器的記錄磁頭和浮動(dòng)塊的視圖(不一定按比例)；
圖3a到圖3e圖解了現(xiàn)有技術(shù)的磁阻傳感器在幾個(gè)制造步驟中的朝向磁盤(pán)的視圖；圖3a圖解了覆蓋在襯底上的傳感器疊層的各層的視圖；圖3b圖解了傳感器疊層的各層上的光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)的形成的視圖；圖3c圖解了在離子銑削(ion milling)之后形成偏置磁體的視圖；圖3d圖解了在形成引線之后傳感器的視圖；圖3e圖解了在去除光致抗蝕劑之后傳感器的視圖；圖3f圖解了具有傳統(tǒng)引線覆蓋層的另一種傳感器的視圖；圖4a到圖4h圖解了本發(fā)明的磁阻傳感器在幾個(gè)制造步驟中的朝向磁盤(pán)的視圖(不一定按比例)；圖4a圖解了覆蓋在一個(gè)襯底上的傳感器疊層的各層的視圖；圖4b圖解了形成在傳感器疊層的各層上的被構(gòu)成為圖案的光致抗蝕劑的視圖；圖4c圖解了離子銑削的結(jié)果的視圖；圖4d圖解了形成非磁性隔離材料之后傳感器的視圖；圖4e圖解了形成硬偏置材料之后傳感器的視圖；圖4f圖解了形成引線之后傳感器的視圖；圖4g圖解了去除形成為圖案的光致抗蝕劑之后傳感器的視圖；圖4h圖解了本發(fā)明的引線覆蓋層具有基本上垂直的端壁的另一種實(shí)施例的視圖；圖5圖解了可獲得的作為偏移和間隔的函數(shù)的偏置磁場(chǎng)大小的一個(gè)舉例的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
如為了說(shuō)明的目的而提供、將在這一部分詳作說(shuō)明的附圖所示，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)為一種新穎的磁阻自旋閥傳感器，其具有端壁基本上垂直的偏置磁體。一個(gè)非磁性隔離層用來(lái)優(yōu)化偏置磁體和自由層之間的偏移。本發(fā)明還可以實(shí)現(xiàn)在具有讀部件的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，該讀磁頭包括磁自旋閥傳感器，該傳感器具有端壁基本上垂直的偏置磁體。本發(fā)明可以獲得出色的傳感器穩(wěn)定性而不犧牲靈敏度。
見(jiàn)圖1，一個(gè)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器100具有至少一個(gè)由主軸104支承并被一個(gè)馬達(dá)(未圖示)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)102。在讀寫(xiě)時(shí)，有至少一個(gè)浮動(dòng)塊106定位在磁盤(pán)102表面上方，浮動(dòng)塊上連接有記錄磁頭108。記錄磁頭108包括一個(gè)用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)到磁盤(pán)102上的寫(xiě)部件。該記錄磁頭還包括一個(gè)本發(fā)明的磁阻自旋閥傳感器(如下文詳述)用作從磁盤(pán)中讀出數(shù)據(jù)的讀部件。所述浮動(dòng)塊106被連接到一個(gè)懸臂110，該懸臂110連接到一個(gè)致動(dòng)器112。該致動(dòng)器可樞轉(zhuǎn)地連接到磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器110的殼體116，由一個(gè)音圈馬達(dá)118繞一個(gè)樞軸點(diǎn)旋轉(zhuǎn)。在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)，致動(dòng)器112沿著磁盤(pán)102表面上的一個(gè)徑向弧形路徑120定位所述浮動(dòng)塊106和懸臂110，以訪問(wèn)感興趣的數(shù)據(jù)磁道。
再看圖1。在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器100操作期間，旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)102相對(duì)于浮動(dòng)塊106的運(yùn)動(dòng)在浮動(dòng)塊106和磁盤(pán)102表面之間產(chǎn)生一個(gè)空氣墊，該空氣墊對(duì)浮動(dòng)塊106施加一個(gè)向上的力。這個(gè)向上的力被懸臂110將浮動(dòng)塊106壓向磁盤(pán)102表面的彈力所平衡?；蛘撸摳?dòng)塊106可以在操作期間與磁盤(pán)102部分接觸或者連續(xù)接觸。
圖2是浮動(dòng)塊200的更詳細(xì)的視圖。記錄磁頭218最好構(gòu)建在浮動(dòng)塊200的后沿表面206上。圖2圖解了記錄磁頭218的寫(xiě)部件的上磁極208和線圈214的線圈匝210。讀部件，包括設(shè)置在兩個(gè)磁屏蔽220之間的讀出傳感器204，形成在浮動(dòng)塊本體202和寫(xiě)部件之間。圖中圖示了用于與寫(xiě)部件和讀部件相連接的電連接焊盤(pán)212。浮動(dòng)塊200的面向磁盤(pán)的部分222通常具有一個(gè)空氣支承(air bearing)(未圖示)。記錄磁頭218的面向磁盤(pán)的視圖是浮動(dòng)塊200的面向磁盤(pán)部分222上的視圖。
圖3a到圖3f圖解了現(xiàn)有技術(shù)的磁阻磁頭300在不同制造階段的面向磁盤(pán)的視圖。圖3a圖解了傳感器疊層的覆蓋在合適的襯底302比如氧化鋁上的各層的視圖。圖3b圖解了在傳感器疊層的各層304上形成的光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)(liftoff structure)306的剖視圖。該光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)306具有懸空部位307，有利于在形成隨后的各層(如下文所述)后去除光致抗蝕劑材料。圖3c圖解了使用離子銑削之后的傳感器300來(lái)形成傳感器疊層305。圖3c還圖解了沉積的硬偏置材料308a、308b和308c。與傳感器疊層305的端部320、322相鄰的硬偏置材料構(gòu)成永久偏置磁體308a、308b。來(lái)自偏置磁體308a、308b的磁場(chǎng)使傳感器疊層305穩(wěn)定。硬偏置材料一般是一種合金，比如CoPtCr或者類(lèi)似合金。一般，用于形成偏置磁體的材料在物理上比屏蔽材料比如坡莫合金更硬。
圖3d圖解了電引線310a、310b的形成。用來(lái)形成電引線310a、310b的材料也被淀積310c在光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)306上。圖3e圖解了在去除光致抗蝕劑去除結(jié)構(gòu)306之后的傳感器300。在現(xiàn)有技術(shù)的另一種實(shí)施例中，如圖3f所示，在傳感器疊層305的一部分上形成引線310a、310b。
圖4a到圖4g圖解了本發(fā)明的磁阻傳感器400在幾個(gè)制造階段中的朝向磁盤(pán)的視圖。圖4a到圖4g的圖解只是示意性的，不一定按照比例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到其它實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的傳感器的步驟。圖4a圖解了包括在合適的襯底402比如氧化鋁上的夾心層404的傳感器疊層的視圖。夾心層404包括一個(gè)自由層408和附加層比如釘扎層(pinnedlayer)和蓋帽層(capping layer)(未單獨(dú)圖示)。圖4b圖解了在夾心層404上形成的形成圖案的光致抗蝕劑層412的視圖。形成圖案的光致抗蝕劑層412不具有前面針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所描述的現(xiàn)有的去除結(jié)構(gòu)(圖3b中的306)，而是具有基本上垂直的壁。圖4c圖解了執(zhí)行離子銑削操作的結(jié)果的視圖。傳感器疊層406和自由層408是夾心層404的在離子銑削之后保留下來(lái)的部分。離子銑削操作的侵蝕性足以去除下伏的襯底402的部分。
圖4d圖解了襯底的非磁性隔離層材料414a、414b、414c的視圖。非磁性隔離層材料414a、414b、414c可以從合適的材料比如Cr方便地形成。某些用于非磁性隔離材料414a、414b、414c的材料可能需要在形成偏磁體(下面詳述)之前在隔離層材料414a、414b、414c上形成合適的金屬比如Cr的薄籽晶層(未圖示)。其中兩個(gè)部分414a和414b形成傳感器疊層406每一側(cè)的非磁性隔離層。另一部分414c形成在形成圖案的光致抗蝕劑412上，隨后被連同光致抗蝕劑412一起被去除。
在形成非磁性隔離層期間，在傳感器疊層的端壁上也形成少量的非磁性隔離材料。這在下面在圖4g的局部圖420中進(jìn)行了詳細(xì)的圖示。沉積的非磁性隔離材料438對(duì)偏置磁體416b和自由層410之間的間隔422做出貢獻(xiàn)。
圖4e圖解了在非磁性隔離材料414a、414b、414c上形成的硬偏置材料416a、416b、416c的視圖。硬偏置材料的形成在傳感器疊層406附近的部分416a、416b形成提供穩(wěn)定磁場(chǎng)(stablization field)的永久偏置磁體。硬偏置磁體416a、416b的端壁434、436基本上是垂直的。圖4f圖解了形成在傳感器400上的引線材料418a、418b、418c的視圖。
圖4g圖解了在去除了形成圖案的光致抗蝕劑層412之后的傳感器的視圖。去除形成圖案的光致抗蝕劑層412的優(yōu)選方法是現(xiàn)有技術(shù)中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝。這種方法包括使用合適的光致抗蝕劑層溶劑，同時(shí)用柔和的擦洗作用去除不具有傳統(tǒng)的去除結(jié)構(gòu)的形成圖案的光致抗蝕劑層。
在該實(shí)施例中提供并圖示于圖4g的偏置磁體具有基本上垂直的端壁。這些基本上垂直的端壁與現(xiàn)有技術(shù)中的傾斜端壁相比有明顯的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于垂直端壁來(lái)說(shuō)，與傾斜端壁相比，在硬偏置磁體的端壁處的分布磁極在空間上更為集中。這樣，具有垂直端壁的永久偏置磁體在為傳感器疊層提供穩(wěn)定磁場(chǎng)方面更有效率。因此，可以縮小硬偏置材料層的厚度，導(dǎo)致縮小讀間隙，從而存儲(chǔ)的信息有更高的記錄密度。
如果端壁基本上垂直，則可以改善硬偏置材料的有效性。如果硬偏置磁體相對(duì)于傳感器疊層中的自由層的位置最優(yōu)化，則也可以改善偏置磁體的有效性。對(duì)于永久磁體相對(duì)于自由層的最優(yōu)定位，兩個(gè)重要的尺度被圖解在圖4g的局部圖中。第一個(gè)尺度是圖4g中用中心線425表示的自由層410的幾何中心相對(duì)于偏置磁體416b中的一個(gè)的由中心線426表示的幾何中心之間的偏移。一般，每一個(gè)偏置磁體416a、416b相對(duì)于自由層410之間的偏移424應(yīng)當(dāng)被優(yōu)化。為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，下面只詳細(xì)描述偏置磁體416b之一的位置。通過(guò)調(diào)節(jié)非磁性隔離層414b的厚度415，控制自由層410的用中心線425表示的幾何中心和偏置磁體416b之一的用中心線426表示的幾何中心之間的垂直偏移424。第二個(gè)影響永久磁體的有效性的尺度，是偏置磁體416b和自由層410之間的物理間隔422。該間隔422一般相當(dāng)小，通常為約3到8納米。間隔422與非磁性隔離層414b的厚度有關(guān)。在非磁性隔離層414b的淀積過(guò)程中，部分非磁性隔離材料438形成在暴露的傳感器疊層405上。該非磁性隔離層材料438的量在很大的程度上取決于非磁性隔離層414b的厚度415。非隔離層材料438的量在很大的程度上確定完成的傳感器400中偏置磁體416b和自由層410之間的間隔422。沉積在非磁性隔離層424b上的任何籽晶層(未圖示，通常非常薄)也對(duì)所述間隔有貢獻(xiàn)。
圖4h圖解了另一種實(shí)施例的視圖。其中，引線418a、418b的部分430、432形成在傳感器疊層406上。這種引線覆蓋結(jié)構(gòu)也具有端壁434、434基本垂直的優(yōu)化的偏置磁體416a、416b(下面詳細(xì)描述)。
圖5圖解了自由層可以從永久磁體之一獲得的穩(wěn)定磁場(chǎng)的計(jì)算出來(lái)的幅度的曲線圖。圖5中的數(shù)據(jù)是針對(duì)磁矩比自由層的磁矩大四倍的偏置磁體計(jì)算的。通過(guò)縮放圖5中的數(shù)據(jù)，很容易獲得具有不同磁矩的偏置磁體的結(jié)果。圖5中的幅度已經(jīng)被按照無(wú)偏移和無(wú)間隔時(shí)獲得的最大磁場(chǎng)進(jìn)行了歸一化。一般，永久磁體相對(duì)于自由層的最優(yōu)定位的量化標(biāo)準(zhǔn)為間隔和偏移的絕對(duì)大小的組合何時(shí)形成具有至少與最大可能磁場(chǎng)相比與預(yù)定值一樣大的幅度的穩(wěn)定磁場(chǎng)。例如，如果將一個(gè)預(yù)定磁場(chǎng)值選擇為最大可能磁場(chǎng)的至少60％，則約8nm的間隔和無(wú)偏移的組合，或者約2nm的間隔與約8nm的偏移幅度會(huì)是成功的組合?？山邮艿钠么艌?chǎng)值的公共預(yù)選值為最大值的至少50％?？梢灶A(yù)先選擇更嚴(yán)格的值60％或者更高。一個(gè)更簡(jiǎn)單的工藝控制標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)偏移和間隔設(shè)置獨(dú)立的限制。例如，如果將穩(wěn)定磁場(chǎng)的幅度的預(yù)定值選擇為最大值的至少70％，則所述間隔應(yīng)當(dāng)小于約5nm，偏移幅度應(yīng)當(dāng)小于約7nm。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種具有端壁基本上垂直的偏置磁體的磁阻傳感器。另外，偏置磁體相對(duì)于傳感器疊層中的自由層最優(yōu)定位。與現(xiàn)有技術(shù)中的傳感器相比，本發(fā)明提供的傳感器具有非常有效率的偏置磁體，用來(lái)為自由層提供穩(wěn)定磁場(chǎng)。由于有更高的效率，永久磁體的厚度可以減小，這導(dǎo)致傳感器能夠支持沿著記錄磁道的方向的更高的線性記錄密度。另外，在永久磁體的端部的更多的局部磁極可以改善磁道間分辨率(cross track resolution)。
盡管圖解和描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會(huì)知道到其它的未明確描述、但是在本發(fā)明范圍內(nèi)的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種磁阻傳感器，包括一個(gè)傳感器疊層，包括一個(gè)鐵磁釘扎層和一個(gè)鐵磁自由層，所述傳感器疊層具有第一和第二端；一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第一端的第一偏置磁體，所述第一偏置磁體具有一個(gè)基本上垂直的端壁；以及一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第二端的第二偏置磁體，所述第二偏置磁體具有一個(gè)基本上垂直的端壁。
2.一種磁阻傳感器，包括一個(gè)包括一個(gè)鐵磁自由層的傳感器疊層，該鐵磁自由層具有第一和第二端；一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第一端的非磁性隔離層，該非磁性隔離層具有一個(gè)厚度；一個(gè)設(shè)置在所述鐵磁自由層的所述第一端的所述非磁性隔離層上的偏置磁體，其中，所述偏置磁體包括一個(gè)基本上垂直的端壁，并提供影響所述自由層的穩(wěn)定磁場(chǎng)，該穩(wěn)定磁場(chǎng)具有一個(gè)幅度；其中，調(diào)節(jié)所述非磁性隔離層的厚度，使得所述穩(wěn)定磁場(chǎng)的所述幅度在一個(gè)預(yù)先選擇的值范圍之內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的磁阻傳感器，其中，所述非磁性隔離層包括鉻。
4.如權(quán)利要求2所述的磁阻傳感器，其中所述穩(wěn)定磁場(chǎng)的所述預(yù)選的值范圍為最大可能值的至少50％。
5.如權(quán)利要求2所述的磁阻傳感器，其中，所述自由層包括一個(gè)幾何中心，所述偏置磁體包括一個(gè)幾何中心，所述自由層的幾何中心和所述偏置磁體的幾何中心之間的偏移小于約8納米。
6.如權(quán)利要求2所述的磁阻傳感器，其中，所述自由層和所述偏置磁體之間的間隔小于約5納米。
7.一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，包括一個(gè)磁盤(pán)；一個(gè)用于向所述磁盤(pán)寫(xiě)入信息的寫(xiě)部件；一個(gè)用于從所述磁盤(pán)讀出信息的磁阻傳感器，其中，該磁阻傳感器包括一個(gè)傳感器疊層，包括一個(gè)鐵磁釘扎層和一個(gè)鐵磁自由層，所述傳感器疊層具有第一和第二端；一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第一端的第一偏置磁體，所述第一偏置磁體具有一個(gè)基本上垂直的端壁；以及一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第二端的第二偏置磁體，所述第二偏置磁體具有一個(gè)基本上垂直的端壁。
8.一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，包括一個(gè)磁盤(pán)；一個(gè)用于向所述磁盤(pán)寫(xiě)入信息的寫(xiě)部件；一個(gè)用于從所述磁盤(pán)讀出信息的磁阻傳感器，其中，該磁阻傳感器包括一個(gè)包括一個(gè)鐵磁自由層的傳感器疊層，該鐵磁自由層具有第一和第二端；一個(gè)設(shè)置在所述傳感器疊層的所述第一端的非磁性隔離層，該非磁性隔離層具有一個(gè)厚度；一個(gè)設(shè)置在所述鐵磁自由層的所述第一端的所述非磁性隔離層上的偏置磁體，其中，所述偏置磁體包括一個(gè)基本上垂直的端壁，并提供影響所述自由層的穩(wěn)定磁場(chǎng)，該穩(wěn)定磁場(chǎng)具有一個(gè)幅度；其中，調(diào)節(jié)所述非磁性隔離層的厚度，使得所述穩(wěn)定磁場(chǎng)的所述幅度在一個(gè)預(yù)先選擇的值范圍之內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有陡端壁偏置磁體的磁阻傳感器，其偏置磁體具有基本上垂直的端壁。通過(guò)調(diào)節(jié)一個(gè)隔離層的厚度來(lái)優(yōu)化偏置磁體和自由層之間的偏移。本發(fā)明還公開(kāi)了一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其讀部件的磁阻傳感器具有端壁基本上垂直的優(yōu)化的偏置磁體。
文檔編號(hào)G01R33/09GK1573939SQ20041004950
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月17日
發(fā)明者戴維·E·翰姆, 姆斯塔法·M.·品納巴斯 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司