專利名稱：磁共振成像設(shè)備以及中心頻率估算方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于磁共振成像的中心頻率估算方法，用于估算磁共振頻率，也就是在一定組織中的中心頻率，本發(fā)明還涉及一種磁共振成像設(shè)備，該設(shè)備根據(jù)通過中心頻率估算方法得到的中心頻率生成磁共振圖像。
背景技術(shù)：
磁共振成像(MRI)是一種在靜磁場中向受檢者施加梯度磁場和RF(射頻)波，并且根據(jù)作為從被檢區(qū)域質(zhì)子發(fā)出的回波的磁共振信號(hào)生成圖像的技術(shù)。
已知的磁共振成像技術(shù)例如CHESS(化學(xué)選擇抑制)技術(shù)，該技術(shù)采集具有特殊頻率抑制的磁共振信號(hào)，并且根據(jù)具有特殊頻率抑制的磁共振信號(hào)生成圖像。
例如，CHESS技術(shù)應(yīng)用具有相同頻率的射頻波作為受檢者被檢區(qū)域的脂肪質(zhì)子的共振頻率，從而僅激發(fā)脂肪質(zhì)子，然后施加梯度磁場使脂肪質(zhì)子飽和，從而采集具有脂肪質(zhì)子抑制的共振頻率的磁共振信號(hào)(例如參見如下的非專利文件1)。
由此可見，準(zhǔn)確地知道在CHESS技術(shù)中被抑制的組織質(zhì)子的共振頻率是很重要的。感興趣的組織質(zhì)子的共振頻率有時(shí)稱為中心頻率。
在磁共振成像中，例如應(yīng)用CHESS技術(shù)的磁共振成像，準(zhǔn)確地得到中心頻率是人們希望的。
質(zhì)子的共振頻率由靜磁場的量值以及依賴于組織質(zhì)子類型的旋磁率決定。因此，隨著靜磁場的量值變化，中心頻率也變化。例如，一種磁場強(qiáng)度大約0.2-0.7特斯拉的開放式磁共振成像系統(tǒng)，該系統(tǒng)有時(shí)稱作中低場開放式磁場系統(tǒng)，它具有相對(duì)不均勻的靜磁場，并趨于在靜磁場的量值中具有一些位置上的變化。
因此，當(dāng)CHESS技術(shù)應(yīng)用于中低場磁場系統(tǒng)中時(shí)，例如，希望為每個(gè)一定厚度的橫截面片層(slice)(簡單稱作片層)確定一個(gè)中心頻率，所述片層代表受檢者的成像區(qū)域。
每一片層的中心頻率可以通過在稱為預(yù)掃描的過程中測量得到，該預(yù)掃描在得到受檢者磁共振圖像的實(shí)際掃描之前實(shí)施。
非專利文件1是Mugler J.P.，3rdand Brookeman Jr.，“Three-dimensional Magnetization-Prepared Rapid Gradient-Echo Imaging，”Magnetic Resonance in Medicine，15(1)，pp.152-157(July 1990).
當(dāng)對(duì)應(yīng)于成像區(qū)域的片層數(shù)量很大，并且對(duì)每一片層都得到中心頻率時(shí)，預(yù)掃描相應(yīng)地需要很長的時(shí)間。
如果預(yù)掃描需要的時(shí)間增加，受檢者就會(huì)感覺不舒服，更可能產(chǎn)生移動(dòng)，從而就會(huì)產(chǎn)生一些問題，比如得到的中心頻率的數(shù)據(jù)的可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于提供一種中心頻率估算方法，該方法當(dāng)存在與被成像區(qū)域相對(duì)的多個(gè)片層時(shí)，與測量每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間相比較，能減少得到每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間，并且能夠確保所得到的中心頻率的準(zhǔn)確度達(dá)到一定水平。
此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種應(yīng)用中心頻率估算方法的磁共振成像設(shè)備，該設(shè)備當(dāng)存在與被成像區(qū)域相對(duì)的多個(gè)片層時(shí)，與測量每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間相比較，能減少得到每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間，并且能夠確保所得到的中心頻率的準(zhǔn)確度達(dá)到一定水平。
本發(fā)明所述的磁共振成像設(shè)備用于選擇受檢者的具有一定厚度的片層，并且根據(jù)從所述片層得到的需要的中心頻率的磁共振信號(hào)生成所述片層的圖像數(shù)據(jù)，并且該設(shè)備還包括片層組定義裝置，用于在所述受檢者的任意成像區(qū)域內(nèi)定義包含多個(gè)彼此平行的所述片層的片層組；中心頻率測量裝置，用于測量任一包含在所述片層組中的所述片層的中心頻率；以及中心頻率估算裝置，用于根據(jù)由所述中心頻率測量裝置測量得到的所述中心頻率，估算除了其中心頻率被測量的片層之外的所述片層的中心頻率。
本發(fā)明中的中心頻率估算方法用于磁共振成像設(shè)備中，用于選擇受檢者的具有一定厚度的片層，并且根據(jù)從所述片層得到的需要的中心頻率的磁共振信號(hào)生成所述片層的圖像數(shù)據(jù)，并且該方法包括片層組定義步驟，在所述受檢者的任意成像區(qū)域內(nèi)定義包含多個(gè)彼此平行的所述片層的片層組；中心頻率測量步驟，測量任一包含在所述片層組中的所述片層的中心頻率；以及中心頻率估算步驟，根據(jù)所述中心頻率測量步驟得到的所述中心頻率，估算除了其中心頻率被測量的片層之外的所述片層的中心頻率。
按照本發(fā)明，片層組定義裝置在所述受檢者的任意成像區(qū)域內(nèi)定義了包含多個(gè)彼此平行的所述片層的片層組。中心頻率測量裝置測量任一包含在由片層組定義裝置定義的所述片層組中的所述片層的中心頻率。中心頻率估算裝置使用由所述中心頻率測量裝置得到的所述中心頻率，估算在所述片層組中除了其中心頻率被測量的片層之外的所述片層的中心頻率。因此就得到了片層組中的所有片層的中心頻率，包括實(shí)際上測量到的中心頻率以及估算出的中心頻率。
如此得到的每一片層的中心頻率用于檢測來自該片層的磁共振信號(hào)，并且根據(jù)磁共振信號(hào)生成每一片層的圖像數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)存在對(duì)應(yīng)于被成像區(qū)域的多個(gè)片層時(shí)，與測量每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間相比較，減少了得到每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間，并且確保所得到的中心頻率的準(zhǔn)確度達(dá)到一定水平。
本發(fā)明可應(yīng)用于磁共振信號(hào)接收領(lǐng)域。本發(fā)明并不局限于醫(yī)用磁共振成像設(shè)備中的使用，也可以用于磁共振信號(hào)接收中需要獲得關(guān)于中心頻率的信息的通用應(yīng)用中。
本發(fā)明的進(jìn)一步的目的及優(yōu)點(diǎn)將通過在后面的在附圖中所說明的優(yōu)選實(shí)施例的描述中是非常清楚的。


圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的MR成像設(shè)備的構(gòu)造的原理框圖。
圖2是表示按照本發(fā)明實(shí)施例估算多個(gè)片層的中心頻率以及進(jìn)行磁共振成像的過程的圖示。
圖3是表示出成像區(qū)域與片層之間的關(guān)系的示意圖。
圖4是示出了第一實(shí)施例中定義片層組的示范模式的示意圖。
圖5是示出了本發(fā)明第二實(shí)施例中定義片層組的示范模式的示意圖。
圖6是示出了本發(fā)明第三實(shí)施例中定義片層組的示范模式的示意圖。
圖7是用于解釋磁共振信號(hào)的頻譜的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例將參照附圖進(jìn)行說明。
第一實(shí)施例圖1是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的MR(磁共振)成像設(shè)備的構(gòu)造的原理框圖。
圖1中的MR成像設(shè)備100包括主體部分110和控制臺(tái)(console)部分280。在圖1中，主體部分110用其主要部分的示意透視模型圖來說明。
主體部分110包括磁系統(tǒng)以及驅(qū)動(dòng)部分250。
磁系統(tǒng)包括一對(duì)生成靜磁場的磁部分150a和150b，梯度線圈部分160a和160b，以及RF(射頻)線圈部分180a和180b，每一元件都被安置在主體部分110的外殼141內(nèi)并面向其對(duì)應(yīng)部分。
這些部分以每個(gè)元件都面向其對(duì)應(yīng)部分的方式來加以安置，并按照一定次序排列，例如從內(nèi)至外，RF線圈部分180a和180b，梯度線圈部分160a和160b，以及生成靜磁場的磁部分150a和150b。在最內(nèi)側(cè)的RF線圈部分180a和180b之間形成有孔141a，受檢者(未示出)被置于其中。
由于如圖1所示的MR成像設(shè)備100使外殼141以這樣的形狀加以構(gòu)造，使得孔141a在很大程度上開著，所以稱其為開放式MR成像設(shè)備。
驅(qū)動(dòng)部分250包括RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12，梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13，數(shù)據(jù)采集部分14，以及磁系統(tǒng)控制部分15。雖然為了清楚地在圖1中顯現(xiàn)出這些部分的彼此連接關(guān)系而將這些部分圖示為遠(yuǎn)離主體部分110，它們實(shí)際上還是被提供在位于例如主體部分110的外殼141內(nèi)部。
磁系統(tǒng)控制部分15被連接到RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12，梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13以及數(shù)據(jù)采集部分14。
RF驅(qū)動(dòng)線圈部分12和數(shù)據(jù)采集部分14被連接到RF線圈部分180a和180b上。梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13被連接到梯度線圈部分160a和160b。
正如后面將詳細(xì)介紹的那樣，本發(fā)明的片層組定義裝置的一個(gè)實(shí)施例包含梯度線圈部分160a和160b，梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13以及磁系統(tǒng)控制部分15。本發(fā)明中的中心頻率測量裝置的一個(gè)實(shí)施例包含RF線圈部分180a和180b，RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12，數(shù)據(jù)采集部分14以及磁系統(tǒng)控制部分15。此外，中心頻率估算裝置的一個(gè)實(shí)施例由磁系統(tǒng)控制部分15來實(shí)現(xiàn)。
生成靜磁場的磁部分150a和150b例如可由永磁體制成。彼此相對(duì)設(shè)置的生成靜磁場的磁部分150a和150b在孔141a中生成靜磁場。
例如可將由生成靜磁場的磁部分150a和150b生成的靜磁場方向定義為y方向。如圖1所示，由于在本實(shí)施例中生成靜磁場的磁部分150a和150b在垂直方向上彼此面對(duì)地設(shè)置的，所以垂直方向就代表y方向。垂直方向上的靜磁場有時(shí)就稱作垂直磁場。
此外，如圖1所示，與y方向正交的兩個(gè)方向定義為x方向和z方向。雖然未示出，但是在許多情況下，受檢者被定位在孔141a中，致使受檢者從頭至腳的身體軸(body axis)方向與z方向一致。
在當(dāng)前的開放式MR成像設(shè)備中，靜磁場的磁場強(qiáng)度大約為0.2-0.7特斯拉(T)。0.2-0.7左右的特斯拉的磁系統(tǒng)通常稱作中到低的磁場系統(tǒng)。
梯度線圈部分160a和160b具有三對(duì)梯度線圈，用于給由RF線圈部分180a和180b檢測到的磁共振信號(hào)指派三維位置信息。梯度線圈部分160a和160b使用這些梯度線圈來生成梯度磁場，用于把梯度加到(impart)由生成靜磁場的磁部分150a和150b生成的靜磁場的強(qiáng)度。
RF線圈部分180a和180b包括發(fā)射和接收RF線圈。發(fā)射RF線圈向處于向靜磁場中的受檢者的被檢區(qū)域施加RF段的磁場，使受檢區(qū)域的質(zhì)子的自旋軸傾斜。RF波段的磁場在下文中簡單稱作RF波。
在發(fā)射RF線圈結(jié)束施加RF波時(shí)，由于被檢區(qū)域內(nèi)的自旋，具有與施加的RF波的頻率帶相同的共振頻率的磁共振信號(hào)從被檢區(qū)域再次發(fā)射。接收RF線圈檢測來自被檢區(qū)域的磁共振信號(hào)。
發(fā)射和接收RF線圈也可以是同一線圈，或者也可以彼此分離的專用線圈，例如，RF線圈部分180a的RF線圈作為發(fā)射線圈，RF線圈部分180b的RF線圈作為接收RF線圈。
此外，除了包括在外殼141中的RF線圈部分180a和180b，可以采用適用于受檢者的被檢區(qū)域-例如頭部，腹部或肩部的專用RF線圈作為發(fā)射/接收線圈。
RF波的頻率范圍例如可以是2.13MHz-85MHz。
梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13向上述三個(gè)梯度線圈發(fā)射生成梯度磁場的梯度磁場激發(fā)信號(hào)，用于把x，y和z三個(gè)方向的梯度加到靜磁場的強(qiáng)度。
響應(yīng)來自梯度磁場驅(qū)動(dòng)部分13的梯度磁場激發(fā)信號(hào)，梯度磁場線圈部分160a和160b被驅(qū)動(dòng)以在靜磁場的強(qiáng)度中產(chǎn)生三維梯度，從而定義了受檢者的成像區(qū)域。成像區(qū)域用單一的具有一定厚度的橫截面片層定義。
RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12向RF線圈部分180a和180b提供RF波激發(fā)信號(hào)，從而向位于孔141內(nèi)的受檢者施加RF波，因此使被檢區(qū)域質(zhì)子的自旋軸傾斜并且激發(fā)質(zhì)子。
數(shù)據(jù)采集部分14獲得由RF線圈部分180a和180b檢測到的磁共振信號(hào)，并采集這些信號(hào)把它們作為生成磁共振成像的原始數(shù)據(jù)。
在數(shù)據(jù)采集部分14已經(jīng)采集到用于生成圖像的所有數(shù)據(jù)之后，例如，數(shù)據(jù)采集部分14將采集到的數(shù)據(jù)送至控制臺(tái)部分280內(nèi)的數(shù)據(jù)處理部分18，這將在后面進(jìn)行討論。
數(shù)據(jù)采集部分14也將一部分獲得(taken-in)的磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)送至磁系統(tǒng)控制部分15。
磁系統(tǒng)控制部分15由例如用于計(jì)算的硬件-例如CPU(中央處理單元)，以及用于驅(qū)動(dòng)硬件的軟件-例如程序來實(shí)現(xiàn)。
磁系統(tǒng)控制部分15響應(yīng)在來自控制臺(tái)部分280的指令信號(hào)而控制RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12、梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13以及數(shù)據(jù)采集部分14，從而就可以獲得需要的磁共振信號(hào)。
關(guān)于磁系統(tǒng)控制部分15的控制將在后面進(jìn)行詳細(xì)的描述。
控制臺(tái)部分280可用于多個(gè)類型的操作，用來由主體部分110獲得受檢者的磁共振圖像，包括向磁系統(tǒng)控制部分15輸入命令參數(shù)以及輸入成像初始化指令。
如圖1所示，控制臺(tái)部分280包括MR成像設(shè)備控制部分17，數(shù)據(jù)處理部分18，操作部分19，以及顯示部分20。
本發(fā)明的控制裝置的一個(gè)實(shí)施例對(duì)應(yīng)于MR設(shè)備控制部分17。
MR成像設(shè)備控制部分17被連接到數(shù)據(jù)處理部分18和顯示部分20。數(shù)據(jù)處理部分18被連接到顯示部分20。
此外，數(shù)據(jù)處理部分18與數(shù)據(jù)采集部分14相連接，并且MR設(shè)備控制部分17與操作部分19相連接。
操作部分19由輸入設(shè)備加以實(shí)現(xiàn)，所述輸入設(shè)備例如鍵盤和鼠標(biāo)。來自操作者操作控制臺(tái)部分280的命令信號(hào)通過操作部分19輸入到MR設(shè)備控制部分17。
MR成像設(shè)備控制部分17由例如用于計(jì)算的硬件-例如CPU(中央處理單元)，以及用于驅(qū)動(dòng)硬件的軟件-例如程序來加以實(shí)現(xiàn)。
程序被存儲(chǔ)在由例如RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以及硬盤驅(qū)動(dòng)器加以實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)部分(未示出)中。
MR成像設(shè)備控制部分17響應(yīng)操作者通過操作部分19輸入的指令信號(hào)，依照指令信號(hào)的命令，通過磁系統(tǒng)控制部分15整體地控制RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12，梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13以及數(shù)據(jù)采集部分14。
輸入到MR設(shè)備控制部分17的指令信號(hào)包括幾種不同的情況，例如成像位置和成像技術(shù)，并且MR設(shè)備控制部分17處理這些控制，致使這些條件被滿足。如果碰到限制，例如由主體部分110產(chǎn)生的諸如硬件限制之類的限制，MR設(shè)備控制部分在顯示部分20上顯示一條消息，表明輸入的命令不能被執(zhí)行。
數(shù)據(jù)處理部分18通過應(yīng)用預(yù)定的處理過程，包括對(duì)從數(shù)據(jù)采集部分14發(fā)送的磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算和成像處理，根據(jù)來自操作者通過操作部分19以及MR設(shè)備控制部分17輸入的命令，來執(zhí)行用于生成磁共振圖像的處理過程。由數(shù)據(jù)處理部分18生成的圖像能夠被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分中(未示出)。
響應(yīng)來自操作者的請(qǐng)求，由數(shù)據(jù)處理部分18生成的圖像被適當(dāng)?shù)仫@示于顯示部分20上。
顯示部分20由顯示器加以實(shí)現(xiàn)，所述顯示器諸如是液晶顯示面板或CRT(陰極射線管)。
顯示部分20也顯示用于操作MR成像設(shè)備100的操作圖像。
具有前述結(jié)構(gòu)的MR成像設(shè)備100可用于獲得受檢者的磁共振圖像?，F(xiàn)在將詳細(xì)描述由RF線圈部分180a和180b檢測到的磁共振信號(hào)的特性。
圖7是示出了磁共振信號(hào)的頻譜的示意圖。在圖7中，橫軸代表頻率，并且縱軸代表信號(hào)強(qiáng)度。
磁共振信號(hào)的共振頻率由受檢者位于其內(nèi)的靜磁場的量值，以及依賴于受檢者組織中質(zhì)子類型的旋磁比決定。例如，圖7中的曲線PL1和PL2代表在包括水和油脂(脂肪)的共振頻率的頻率帶中的磁共振信號(hào)的頻譜；圖中的兩個(gè)峰代表代表水質(zhì)子和油脂質(zhì)子的共振頻率。
為了在磁共振成像中獲得對(duì)于診斷有效的圖像，圖像最好使用不包括對(duì)于診斷不怎么有效的油脂頻率帶，并且只包含水頻率帶的磁共振信號(hào)來生成。此外，已知的成像技術(shù)，例如CHESS技術(shù)，例如用于抑制特定頻率帶，如油脂的共振頻率。在片層中代表特定組織，例如水或油脂的共振頻率在這里就稱為該片層的中心頻率。
可以從前面的實(shí)施例中看出，在磁共振成像中準(zhǔn)確地知道中心頻率是非常重要的。
然而，如上面所描述的，組織的共振頻率也隨如上述的靜磁場的量值而改變。因此，如果靜磁場不均勻，中心頻率在不同片層的相同質(zhì)子之間就有區(qū)別，并且共振頻率上出現(xiàn)差異，如在圖7中的曲線PL1移動(dòng)至曲線PL2所指示的。
共振頻率上的差異導(dǎo)致了不方便，原因在于由RF線圈部分180a和180b施加的、用于激發(fā)例如水質(zhì)子的RF波的頻率和在片層中水的實(shí)際中心頻率變得不同，并且可能無法得到需要的圖像。在中到低磁場的磁系統(tǒng)中，不同組織中的質(zhì)子的共振頻率之間的峰-峰距DS更小，并且因此，準(zhǔn)確地獲知關(guān)于質(zhì)子的共振頻率帶的信息是更加重要的。
隨后，對(duì)不同位置的多個(gè)片層的中心頻率進(jìn)行估算并獲知的過程，以及使用獲知的中心頻率來進(jìn)行磁共振成像的過程將在后面詳細(xì)解釋說明。
圖2是示出根據(jù)本實(shí)施例的用于估算多個(gè)片層的中心頻率和實(shí)施磁共振成像過程的圖。
首先在成像過程中，中心頻率被獲得，對(duì)應(yīng)于受檢者的區(qū)域。對(duì)此，操作者通過操作部分19輸入成像條件，例如受檢者的要成像的區(qū)域(步驟ST1)。
MR設(shè)備控制部分17將輸入的成像條件送至磁系統(tǒng)控制部分15。磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)被傳送的關(guān)于成像區(qū)域的信息，將成像區(qū)域分成片層，并通過組合一定數(shù)量的片層來定義一個(gè)片層組(步驟ST2)。這個(gè)過程將在后面詳細(xì)描述。
圖3是一個(gè)表示出成像區(qū)域與片層之間的關(guān)系的示意圖。如圖3所示，在主體部分110的硬件能力內(nèi)，多個(gè)成像區(qū)域Ar可以被規(guī)定在置于靜磁場中的受檢者90的任意位置。成像區(qū)域Ar可以被彼此隔開，并且它們也不必定義在相同的方向上。然而，如圖3所示，成像區(qū)域Ar一般被定義在彼此相對(duì)靠近的位置。
如圖3所示，在規(guī)定了成像區(qū)域Ar以后，磁系統(tǒng)控制部分15將每一成像區(qū)域Ar分成多個(gè)具有預(yù)定片層厚度的片層S。在全部成像區(qū)域Ar中的片層S的總數(shù)依賴于主體部分110的硬件能力。
多個(gè)片層S的排列方向可以是任意確定的。該方向可以傾向于x-，y-，z-方向中的任意方向。然而，片層S在每一成像區(qū)域Ar之內(nèi)最好被定義為彼此平行并且具有規(guī)則的間距，這樣成像區(qū)域Ar和片層S的定義能夠直觀地識(shí)別出來，并能夠改進(jìn)對(duì)每一片層S的中心頻率的估算上的準(zhǔn)確度。圖3示例與x-z平面正交的所有片層。
片層S的排列方向在成像區(qū)域Ar之間可以不同，只要片層S在每一成像區(qū)域Ar內(nèi)是平行的。
此外，片層S之間的間距在成像區(qū)域Ar之間可以是不同的。
在如此將每一成像區(qū)域Ar分隔成多個(gè)片層S后，磁系統(tǒng)控制部分15通過組合一定數(shù)量的片層S來定義片層組(在下文簡單稱作組)。對(duì)此，磁系統(tǒng)控制部分15計(jì)算片層S的數(shù)量，這些片層的中心頻率能在可用來得到這些中心頻率的預(yù)定時(shí)間t內(nèi)被測量出來。
時(shí)間t過長會(huì)產(chǎn)生一些問題，包括直到成像結(jié)束的全部成像時(shí)間被延長，以及受檢者在舒適性上感覺有所下降。因此，時(shí)間t被限制在例如幾秒(1或2秒)，并且有關(guān)時(shí)間t的信息被存儲(chǔ)到存儲(chǔ)部分(未示出)。
由于要在可用的時(shí)間t內(nèi)完成的任務(wù)除了中心頻率的測量外，還包括各種任務(wù)，諸如受檢者的位置調(diào)整和成像過程的說明，因此，中心頻率能被測量的片層S的數(shù)量會(huì)隨片層S的總數(shù)而變化。
在結(jié)束上述計(jì)算后，磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)通過計(jì)算得到的可測量的片層S的數(shù)量定義了組。例如，當(dāng)如圖3所示的規(guī)定了兩個(gè)成像區(qū)域Ar1和Ar2，并且可測量的片層S的數(shù)量是3時(shí)，磁系統(tǒng)控制部分15將例如成像區(qū)域Ar1劃分為兩個(gè)組，每一組具有一個(gè)中心頻率要被測量的片層S。
相反的，例如，假定對(duì)于兩個(gè)成像區(qū)域Ar1和Ar2，可測量的片層S的數(shù)量是1。那么，如果成像區(qū)域Ar1和Ar2中的每一個(gè)被認(rèn)為是一個(gè)組，這就出現(xiàn)了有一個(gè)組沒有要被測量的片層S；在這種情況下，空間上隔開的成像區(qū)域Ar1和Ar2被看作是一個(gè)組。
通過這樣根據(jù)關(guān)于從可用于測量中心頻率的時(shí)間t導(dǎo)出的可測量片層S的數(shù)量和關(guān)于所有片層S的總數(shù)的信息把所有的片層重新分組，即使成像區(qū)域Ar的數(shù)量和片層S的數(shù)量對(duì)于每一次成像時(shí)都是不同的，磁系統(tǒng)控制部分15也能容易地適應(yīng)這樣的變化來執(zhí)行處理過程。
當(dāng)成像區(qū)域Ar的數(shù)量小于可測量的片層S的數(shù)量時(shí)，磁系統(tǒng)控制部分15選擇成像區(qū)域Ar，以便根據(jù)幾種條件-包括每一成像區(qū)域Ar的大小，在每一成像區(qū)域Ar內(nèi)的片層S的數(shù)量等等，將其劃分成多個(gè)組。例如，具有更大數(shù)目的片層S的成像區(qū)域Ar被劃分。如果片層S的數(shù)量相同，就選擇一個(gè)較大的成像區(qū)域Ar。
通過根據(jù)其中心頻率將被測量的片層S的數(shù)量這樣將成像區(qū)域Ar進(jìn)行分組，其中心頻率將被測量的一個(gè)片層S就被包含在每一組中。因此，即使是對(duì)于一個(gè)大的成像區(qū)域Ar，其中心頻率將被測量的片層S相對(duì)均勻的分布，從而使得中心頻率能夠以更高的的準(zhǔn)確度得以估算。
第一實(shí)施例解決這樣一種情況，其中，多個(gè)片層組S被以圖4中示例性地展示的模式加以分組。在圖4中，在z方向上具有一定厚度的多個(gè)片層S被定義為平行于x-y平面，即，與z方向正交，并且彼此平行。圖4是如此定義的多個(gè)片層組S從x方向上看的放大的視圖。
圖4中示出的多個(gè)片層S中的每一個(gè)由片層索引Si代表(i＝1，2，3，...)。在本實(shí)施例中定義了十個(gè)片層S1-S10。
如上面所述，磁系統(tǒng)控制部分15將按照其中心頻率能被測量的片層S的數(shù)量對(duì)片層Si分組，所述的數(shù)量由時(shí)間t的長度，以及在步驟ST1規(guī)定的成像區(qū)域Ar的大小決定。
圖4示出了這樣一種情況，其中，其中心頻率能被測量的片層S的數(shù)量是3，并且磁系統(tǒng)控制部分15定義了例如片層S1-S3的片層組(后面簡單稱為組)G1，片層S4-S7的組G2，以及片層S8-S9的組G3。片層組在下文通常由組索引Gj(j＝1，2，3，...)標(biāo)明。
片層組Gj被如此定義。
接下來，磁系統(tǒng)控制部分15在每一組Gj中確定其中心頻率將被測量的片層(步驟ST3)。
由于在步驟ST2，組的數(shù)量已經(jīng)被根據(jù)其中心頻率能被測量的片層的數(shù)量加以確定了，所以磁系統(tǒng)控制部分15將其中心頻率將被測量的一個(gè)片層S分配到每一組。
在本實(shí)施例中，片層S2，S6和S9被定義為將被測量的片層，致使每一組的一個(gè)片層的中心頻率被測量。因此，中心片層的中心頻率例如被測量。如果組中的片層數(shù)量是偶數(shù)，中間片層的其中一個(gè)(例如，該片層具有更大的片層索引Si)被定義為將被測量的片層。
需要注意的是，將被測量的片層不必須是中心片層。
此外，在步驟ST2和ST3中，對(duì)于實(shí)際上選擇這些片層而言，不用施加任何梯度磁場，但是磁系統(tǒng)控制部分15生成一個(gè)用于控制驅(qū)動(dòng)部分250的驅(qū)動(dòng)序列，致使能夠選擇定義的片層。
在確定將被測量的片層之后，磁系統(tǒng)控制部分15控制RF線圈驅(qū)動(dòng)部分12，梯度線圈驅(qū)動(dòng)部分13以及數(shù)據(jù)采集部分14，以便對(duì)將被測量片層的中心頻率進(jìn)行測量(步驟ST4)。
在測量中心頻率時(shí)，磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)用于選擇例如片層S2而生成的驅(qū)動(dòng)序列來驅(qū)動(dòng)并控制驅(qū)動(dòng)部分250，并且使梯度線圈部分160a和160b施加一個(gè)梯度磁場來選擇片層S2。然后，磁系統(tǒng)控制部分15使RF線圈部分180a和180b向片層S2施加一個(gè)頻率帶的RF波，該頻率帶包括例如水和油脂的共振頻率的頻率帶。
關(guān)于來自片層S2的磁共振信號(hào)的頻譜信息被通過數(shù)據(jù)采集部分14發(fā)送到磁系統(tǒng)控制部分15，所述磁共振信號(hào)是由RF線圈部分180a和180b在施加具有如上所述的一定寬度的頻率帶的RF波結(jié)束時(shí)檢測的。
正如能從圖7中曲線PL1和PL2清楚地看到的那樣，可以從頻譜形狀識(shí)別出專門組織的共振頻率。磁系統(tǒng)控制部分15，根據(jù)被傳送的關(guān)于磁共振信號(hào)的頻譜信息，得到需要的組織的共振頻率。正如在前面討論的那樣，片層中目標(biāo)組織的質(zhì)子共振頻率被視為該片層的中心頻率，并且因此，例如，當(dāng)目標(biāo)是水時(shí)，水的共振頻率就是中心頻率，并且當(dāng)目標(biāo)是油脂時(shí)，油脂的共振頻率就是中心頻率。
因此就能測量出片層S2的中心頻率。磁系統(tǒng)控制部分15通過實(shí)施上述相同的步驟從而測量片層S6和S9的中心頻率。
從前述可知，可以這么說，一般來講，通過根據(jù)為選擇將被測量的片層而生成的驅(qū)動(dòng)序列來驅(qū)動(dòng)和控制驅(qū)動(dòng)部分250并且為選擇將被測量的片層而施加一個(gè)梯度磁場，就能夠選擇將被測量的片層。隨后，磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)由RF線圈部分180a和180b在施加具有一定寬度的頻率帶的RF波的條件下而獲得的磁共振信號(hào)，就可以測量將被測量的片層的中心頻率。
步驟ST1-ST4在這里合起來稱為預(yù)掃描步驟，原因在于它們構(gòu)成了用于生成磁共振圖像，即用于實(shí)際掃描的實(shí)際成像的預(yù)備階段。
在預(yù)掃描之后，磁系統(tǒng)控制部分15對(duì)片層S1-S10的中心頻率進(jìn)行估算并獲得結(jié)果(步驟ST5)。
在本實(shí)施例中，磁系統(tǒng)控制部分15把片層S2的測得的中心頻率用作片層S1和S3的中心頻率。磁系統(tǒng)控制部分15也把片層S6的測得的中心頻率用作片層S4，S7的中心頻率，以及把片層S9的測得的中心頻率用作片層S8和S10的中心頻率。
換句話說，在本實(shí)施例中，磁系統(tǒng)控制部分15估算在片層組中的將被測量的一個(gè)片層的中心頻率等于該將被測量的片層所在組中所有其他片層的中心頻率。
在磁系統(tǒng)控制部分15已經(jīng)得到關(guān)于所有片層的中心頻率信息時(shí)，MR設(shè)備控制部分17控制驅(qū)動(dòng)部分250來執(zhí)行實(shí)際掃描，以便在實(shí)際上得到受檢者的每一片層的磁共振圖像(步驟ST6)。
在實(shí)際掃描中，驅(qū)動(dòng)部分250在執(zhí)行如CHESS技術(shù)后，按照例如梯度回波或自旋回波技術(shù)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)序列。因此能獲得預(yù)定組織(例如油脂)的共振頻率被抑制的磁共振信號(hào)來生成磁共振圖像，其中油脂質(zhì)子的圖像亮度降低。
使用CHESS技術(shù)生成油脂(脂肪)抑制的磁共振圖像的詳細(xì)說明參考前述的非專利文獻(xiàn)1，因此在這里被省略。
如前所述，根據(jù)第一實(shí)施例，代表受檢者成像區(qū)域的多個(gè)片層被分到幾個(gè)組中。接下來，從每一組中選擇其中心頻率將被測量的一個(gè)片層，并對(duì)將被測量的片層的中心頻率進(jìn)行測量。將被測量的片層的中心頻率隨后作為除了在每一組中將被測量的片層以外的片層的中心頻率使用。由于不必對(duì)所有的片層的中心頻率進(jìn)行測量，得到所有片層中心頻率的信息所需要的時(shí)間與對(duì)所有片層的中心頻率進(jìn)行實(shí)際測量的時(shí)間相比顯著地減少。因此減少了預(yù)掃描所需要的時(shí)間。此外，由于每一組中的一個(gè)片層的中心頻率是實(shí)際測量的，所以對(duì)中心頻率進(jìn)行估算的準(zhǔn)確度能確保達(dá)到一定水平。減少的預(yù)掃描時(shí)間降低了不方便-諸如受檢者的運(yùn)動(dòng)的可能性，并且因此導(dǎo)致提高了中心頻率估算的準(zhǔn)確度，也有助于提高在實(shí)際掃描中生成的磁共振圖像的圖像質(zhì)量。
因?yàn)橛糜谶x擇被測量的片層等的處理過程能夠被這樣實(shí)現(xiàn)，即，根據(jù)諸如預(yù)定的預(yù)掃描時(shí)間t之類的條件自動(dòng)地加以確定，所以每一片層的中心頻率能容易地得到。
第二實(shí)施例除了待測片層之外的片層的中心頻率可以通過擬合進(jìn)行估算，而不是通過把待測片層的中心頻率按實(shí)際情況那樣指派給它們來進(jìn)行估算。這樣一個(gè)例子將作為第二實(shí)施例在下文中進(jìn)行描述。
圖5是一個(gè)展示第二實(shí)施例中定義片層組的示范模式的圖。圖5被圖示成這樣，多個(gè)片層Si被排列成在z方向上彼此平行，如在圖4中沿x方向進(jìn)行放大所看到的一樣。
用在第二實(shí)施例中的MR設(shè)備100與在第一實(shí)施例中的總體上相同。因此，在這里就忽略了詳細(xì)的描述。而且，由于估算中心頻率的過程通體上也與在圖2中的過程相同，在這里就省略了詳細(xì)描述。
在第二實(shí)施例中，假設(shè)磁系統(tǒng)15已經(jīng)執(zhí)行完與第一實(shí)施例中的一樣的、將片層Si進(jìn)行分組的處理過程，并且因此在圖2中的步驟ST2已經(jīng)定義了組，從而如圖5所示，每一片層組(組)具有至少一個(gè)相鄰的組。
當(dāng)成像區(qū)域Ar被單個(gè)地劃分為片層Si，并且根據(jù)其中心頻率能被測量的片層S的數(shù)量將片層Si進(jìn)行分組時(shí)，如前面所述，包含在相鄰組中的片層S以相同的方向排列并且在相鄰組之間具有規(guī)則的間距。
一些組可能彼此分開，例如圖5中的組G3和G4，只要每一組具有至少一個(gè)相鄰組。片層S的排列方向以及間距在離開的組之間可以不同。
在第二實(shí)施例中圖2所示的步驟ST3中，每一組中都選擇一個(gè)將被測量的片層，從而在鄰接組中的將被測量的片層具有規(guī)則的間距例如，片層S2，S5和S8，S11，S14被選擇。
與在第一實(shí)施例中一樣，被測量的片層只需按照規(guī)則的間距進(jìn)行選擇，并且它們不必是組中的中心片層。
如此確定的將被測量的片層(片層S2，S5，S8，S11和S14)的中心頻率實(shí)際上按照與關(guān)于在圖2中所示的步驟ST4所描述的那樣的過程中加以測量。
隨后，在圖2的步驟ST5的過程中，第二實(shí)施例根據(jù)通過測量得到的中心頻率的數(shù)據(jù)，采用擬合處理-諸如內(nèi)插法，外推法，和組合的內(nèi)插/外推處理，來對(duì)除了被測片層之外的其它片層的中心頻率進(jìn)行估算。
例如，線性或二次內(nèi)插法可以作為內(nèi)插處理而加以應(yīng)用。也同樣可以應(yīng)用于外推處理。
例如，磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)對(duì)片層S2，S5和S8的中心頻率的測量數(shù)據(jù)，通過內(nèi)插法對(duì)片層S3，S4，S6，和S7的中心頻率進(jìn)行計(jì)算。此外，磁系統(tǒng)控制部分15根據(jù)對(duì)片層S2，S5和S8的中心頻率的測量數(shù)據(jù)，通過外推法對(duì)片層S1和S9的中心頻率進(jìn)行計(jì)算。
也同樣應(yīng)用于組G4和G5。
使用根據(jù)這種擬合處理估算得到的中心頻率的數(shù)據(jù)，執(zhí)行實(shí)際的掃描。
在第二實(shí)施例中，可以取得與第一實(shí)施例相同的效果。此外，在第二實(shí)施例中，根據(jù)如上所述通過實(shí)際測量得到的中心頻率數(shù)據(jù)，通過擬合處理對(duì)除了將被測量的片層之外的片層的中心頻率加以估算。因此，即使靜磁場變化，并且是不均勻的，只要靜磁場的變化是平滑的，關(guān)于片層的中心頻率的信息也能夠以比第一實(shí)施例更高的準(zhǔn)確度而得到。
第三實(shí)施例如果磁場的變化是平滑的，那么中心頻率通過第二實(shí)施例就能夠稍微準(zhǔn)確地估算出；然而，磁場的變化不總是平滑的。在第三實(shí)施例中，提出了一種能適應(yīng)磁場的不規(guī)則變化的模式。
圖6是一個(gè)示出了本發(fā)明第三實(shí)施例中定義片層組的示范模式的示意圖。圖6被圖示成這樣，多個(gè)片層Si被排列成在z方向上彼此平行，如在圖4中在x方向上進(jìn)行放大看到的那樣。圖6給出了這樣一種情況的例子，在該情況下，其中心頻率能被測量的片層S的數(shù)量是7，并將15個(gè)片層S形成的單一成像區(qū)域Ar進(jìn)行分組，使包含在一個(gè)組中片層的最大數(shù)目為3的。
由于MR設(shè)備100的結(jié)構(gòu)以及用在第三實(shí)施例中估算中心頻率的步驟總體上均與第一實(shí)施例中的相同，所以在這里就省略了詳細(xì)的描述。
在第三實(shí)施例中，例如，在圖6中所示的片層S1，S2，S5，S8，S11，S14以及S15被定義為將被測量的片層。
例如當(dāng)如此固定包含在每一組中的片層S的最大數(shù)量，并且關(guān)于將被測量的片層的數(shù)量，即，其中心頻率被實(shí)際測量的片層的數(shù)量允許一些裕度之時(shí)，將被測量的片層的數(shù)量不必每組有一個(gè)，并且能適當(dāng)?shù)卮_定。
要加以測量的片層被這樣確定，使得被測量的片層的數(shù)量在靜磁場不均勻的區(qū)域內(nèi)，即，在靜磁場不怎么平滑變化的區(qū)域內(nèi)，比在靜磁場均勻的區(qū)域中要大。
靜磁場具有這樣一種趨勢，在其上生成靜磁場的區(qū)域的外圍部分要比中央部分更加不均勻。位于這樣的外圍部分的片層的中心頻率最好作為將被測量的片層而實(shí)際上加以測量，原因在于，在估算中心頻率上的準(zhǔn)確度得到改進(jìn)。
例如，靜磁場的均勻性可以通過測量靜磁場的磁場強(qiáng)度來獲知。
一旦對(duì)將被測量的這種片層的中心頻率已經(jīng)進(jìn)行實(shí)際測量并得到結(jié)果，除了將被測量的片層之外的片層的中心頻率，通過包括內(nèi)插/外推處理-諸如與在第二實(shí)施例中一樣的線性或多項(xiàng)式內(nèi)插的擬合處理，來加以確定。
在第三實(shí)施例中，能夠獲得與第一實(shí)施例和第二實(shí)施例相同的效果。此外，在第三實(shí)施例中，中心頻率在靜磁場非均勻變化的區(qū)域內(nèi)比在均勻區(qū)域中更密集地被測量，并且將被測量的片層根據(jù)靜磁場的均勻性自動(dòng)地被定義。因此，當(dāng)將被測量的片層數(shù)固定時(shí)，在估算中心頻率上的準(zhǔn)確度相比第二實(shí)施例得到了顯著的改進(jìn)。特別地，由于把位于靜磁場容易產(chǎn)生不均勻性的靜磁場生成區(qū)域的外圍的片層選為將被測量的片層，所以能準(zhǔn)確地得到中心頻率。
根據(jù)第三實(shí)施例，即使靜磁場具有不均勻性，在實(shí)際掃描得到的磁共振成像的圖像質(zhì)量，能夠比在第一或第二實(shí)施例中得到進(jìn)一步的提高。
需要注意的是，本發(fā)明不局限于上述的實(shí)施例，但可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行改進(jìn)。例如，本發(fā)明除了圖1中的開放式MR成像設(shè)備100外，也可應(yīng)用具有圓柱形孔的“圓柱形”MR成像設(shè)備。
可在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下配置許多有很大差異的實(shí)施例?？梢岳斫獬撕竺嫠降臋?quán)利要求，本發(fā)明不局限于說明書的特殊實(shí)施例的描述中。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像設(shè)備(100)，用于選擇受檢者的具有一定厚度的片層，并且根據(jù)從所述片層得到的需要的中心頻率的磁共振信號(hào)生成所述片層的圖像數(shù)據(jù)，所述設(shè)備(100)包括片層組定義裝置(15)，用于在所述受檢者的任意成像區(qū)域內(nèi)定義包含多個(gè)彼此平行的所述片層的片層組；中心頻率測量裝置(15)，用于對(duì)任一包含在所述片層組中的所述片層的中心頻率進(jìn)行測量；以及中心頻率估算裝置(15)，用于根據(jù)由所述中心頻率測量裝置(15)測量得到的所述中心頻率，對(duì)除了那些其中心頻率被測量的片層之外的所述片層的中心頻率進(jìn)行估算。
2.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中當(dāng)存在多個(gè)彼此隔開的所述成像區(qū)域時(shí)，所述片層組定裝置(15)在所述成像區(qū)域的一個(gè)較寬區(qū)域內(nèi)定義一較大數(shù)量的片層組；以及所述中心頻率測量裝置(15)對(duì)每一片層組中的至少一個(gè)片層的中心頻率進(jìn)行測量。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述中心頻率估算裝置(15)把由所述中心頻率測量裝置(15)測量得到的所述片層組的一個(gè)片層的中心頻率用作在所述片層組中所有其他片層的中心頻率。
4.如權(quán)利要求1或2所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述片層組定義裝置(15)定義了多個(gè)彼此鄰接的所述片層組，在該片層組中，所述片層以規(guī)則的間距排列；所述中心頻率測量裝置(15)對(duì)于具有規(guī)則間距的所述多個(gè)片層組的每一個(gè)選擇一個(gè)片層，并對(duì)所述片層的中心頻率進(jìn)行測量；以及所述中心頻率估算裝置(15)根據(jù)其中心頻率由所述中心頻率測量裝置(15)加以測量的所述片層的中心頻率數(shù)據(jù)，通過擬合處理對(duì)其它片層的中心頻率進(jìn)行估算。
5.如權(quán)利要求1或2所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述中心頻率測量裝置(15)在為獲得所述磁共振信號(hào)而向所述受檢者施加的靜磁場相對(duì)不均勻的區(qū)域內(nèi)，與在所述靜磁場相對(duì)均勻的區(qū)域內(nèi)相比，更密集地選擇所述片層組中的所述片層，并測量它們的中心頻率；以及所述中央頻率估算裝置(15)根據(jù)其中心頻率由所述中心頻率測量裝置(15)加以測量的所述片層的中心頻率數(shù)據(jù)，通過擬合處理對(duì)其它片層的中心頻率進(jìn)行估算。
6.如權(quán)利要求5所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述中心頻率測量裝置(15)對(duì)位于在其上生成所述靜磁場的區(qū)域外圍附近的所述片層的中心頻率進(jìn)行測量。
7.如權(quán)利要求4-6中任一權(quán)利要求所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述中心頻率估算裝置(15)執(zhí)行線性或二次內(nèi)插/外推處理，作為所述的擬合處理。
8.如權(quán)利要求3，5-7中任一權(quán)利要求所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其中所述片層組定義裝置(15)定義了具有規(guī)則間距的一個(gè)片層組中的多個(gè)所述片層的位置。
9.如權(quán)利要求1-8中任一權(quán)利要求所述的磁共振成像設(shè)備(100)，其還包括控制裝置(17)，用于共同控制所述中心頻率測量裝置(15)和所述中心頻率估算裝置(15)；根據(jù)給定的可用時(shí)間的數(shù)據(jù)和全部所述片層的總數(shù)，自動(dòng)地計(jì)算中心頻率被測量的所述片層的數(shù)量；使所述中心頻率測量裝置(15)測量所計(jì)算數(shù)量的片層的中心頻率；以及根據(jù)得到的中心頻率的數(shù)據(jù)，使所述中心頻率估算裝置(15)對(duì)除了所述被測量片層之外的片層的中心頻率進(jìn)行估算。
10.一種用在磁共振成像設(shè)備(100)中的中心頻率估算方法，用于選擇受檢者的具有一定厚度的片層，并且根據(jù)從所述片層得到的需要的中心頻率的磁共振信號(hào)生成所述片層的圖像數(shù)據(jù)，所述方法包括片層組定義步驟(ST2，ST3)，用于在所述受檢者的任意成像區(qū)域內(nèi)定義包含多個(gè)彼此平行的所述片層的片層組；中心頻率測量步驟(ST4)，用于對(duì)任一包含在所述片層組中的所述片層的中心頻率進(jìn)行測量；以及中心頻率估算步驟(ST5)，用于根據(jù)所述中心頻率測量步驟(ST4)得到的所述中心頻率，對(duì)除了其中心頻率被測量的片層之外的所述片層的中心頻率進(jìn)行估算。
全文摘要
當(dāng)存在對(duì)應(yīng)于成像區(qū)域的多個(gè)片層時(shí)，為了與對(duì)每一片層的中心頻率進(jìn)行測量所花費(fèi)的時(shí)間相比減少得到每一片層的中心頻率所花費(fèi)的時(shí)間，并保證得到的中心頻率的準(zhǔn)確度達(dá)到一定水平，由梯度線圈部分(160a，160b)定義在靜磁場中的受檢者的片層組(Gj)，使得每一片層組(Gj)包含了多個(gè)彼此平行的片層(Si)；包含在片層組(Gj)內(nèi)的將被測量的片層(片層S2，S6和S9)的中心頻率通過使用RF線圈部分(180a，180b)被實(shí)際測量；并且將每一通過測量實(shí)際得到的中心頻率定義為包含被測量片層的片層組中除了被測量的片層之外的片層的中心頻率。
文檔編號(hào)G01R33/36GK1600270SQ20041008262
公開日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2004年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
發(fā)明者淺野健二 申請(qǐng)人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司