專利名稱：磁化永磁體的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁化永磁體的方法和裝置，特別是涉及磁化用在磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中的磁體。
背景技術(shù)：
有各種利用永磁體的磁成像系統(tǒng)。這些系統(tǒng)包括磁共振成像(MRI)，磁共振治療(MRT)和核磁共振(NMR)系統(tǒng)。MRI系統(tǒng)被用于對(duì)病人的部分身體進(jìn)行成像。MRT系統(tǒng)通常較小并且被用于監(jiān)視病人身體內(nèi)外科手術(shù)器械的運(yùn)動(dòng)。NMR系統(tǒng)被用于檢測(cè)來(lái)自于被成像材料的信號(hào)，從而確定材料的成份。
這些系統(tǒng)通常將兩個(gè)或多個(gè)永磁體直接安裝到被經(jīng)常稱作軛的支承物上。成像空間設(shè)置在磁體之間。人或材料被放置在成像空間中，圖像或信號(hào)可被檢測(cè)到，并由諸如計(jì)算機(jī)的處理器進(jìn)行處理。
現(xiàn)有技術(shù)的成像系統(tǒng)還包括鄰近面向成像空間的永磁體成像表面的極片和梯度線圈。該極片按需要形成磁場(chǎng)，并且減少或消除不希望的渦電流，該渦電流建立在軛和永磁體的成像表面中。
使用在現(xiàn)有技術(shù)成像系統(tǒng)中的永磁體通常是磁鐵的組裝件或是由粘合劑連接在一起、各小型永磁塊所構(gòu)成的磁體。諸如，所述塊在形狀上通常是正方形，長(zhǎng)方形或梯形。該永磁體用粘合劑通過(guò)將預(yù)磁化塊彼此連接在一起而組裝起來(lái)。在處理磁化塊時(shí)需要特別小心，以避免它們消磁。包括該永磁體塊的組裝后的永磁體被放置在成像系統(tǒng)中。諸如，該永磁體被連接到MRI系統(tǒng)的軛上。
由于永磁體被強(qiáng)力地吸附到鐵，永磁體通過(guò)特殊的自動(dòng)機(jī)械或通過(guò)使用曲柄沿部分軛滑動(dòng)永磁體連接到MRI系統(tǒng)的軛上。如果松脫，該永磁體會(huì)變成飛行的導(dǎo)彈，飛向任何在它附近的鐵質(zhì)物體。因此，這種成像系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)制造方法是復(fù)雜而昂貴的，因?yàn)樗枰厥獾淖詣?dòng)機(jī)械和/或特別的注意。
為了磁化現(xiàn)有技術(shù)的永磁鐵，使用一種脈沖磁場(chǎng)。該脈沖磁場(chǎng)產(chǎn)生在一個(gè)線圈中，該線圈傳統(tǒng)上由分層繞組扁線(layer winding rectangular wire)所制成。由于難于制成具有很長(zhǎng)長(zhǎng)度的大橫截面的扁線，所以將多個(gè)短長(zhǎng)度的線纜連接在一起而構(gòu)成該線圈。這些連接通常具有機(jī)械和電氣缺陷。同樣的是，對(duì)于厚的線繞組來(lái)說(shuō)，層與層之間的過(guò)渡是困難的。這些過(guò)渡通常導(dǎo)致角與角的接觸，其會(huì)破壞絕緣并且導(dǎo)致操作中的短路。另外，該過(guò)渡通常導(dǎo)致較低的填充因子，在每層的端部失去1/4或更多的匝數(shù)。
傳統(tǒng)脈沖磁化線圈的另一個(gè)問(wèn)題在于來(lái)自脈沖的焦耳熱量。典型地，該傳統(tǒng)脈沖線圈在施加脈沖前在液氮中被冷卻，從而降低該銅線圈的電阻率。在77K溫度以下，銅的電阻率大約下降8倍。但是，在脈沖過(guò)程中電流的通過(guò)典型地將線圈加熱到77K以上，導(dǎo)致了電阻率的極大提高。因此，為了施加第二脈沖，該線圈必須被從前驅(qū)體移走并重新冷卻。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種磁化線圈單元，其包括卷繞金屬片電磁線圈，適于對(duì)永磁前驅(qū)體進(jìn)行磁化。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種包括多個(gè)磁化線圈單元的磁化組件，每個(gè)磁化線圈單元包括位于殼體中的卷繞銅片，該殼體在殼體的底部包括冷卻劑輸入端口、在冷卻劑輸入端口中的多個(gè)微型通道以及位于殼體頂部的冷卻劑輸出端口。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種制造磁化線圈的方法，該方法包括將銅片纏繞成線圈，從而形成電磁線圈，該銅片的寬度等于電磁線圈的高度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種制作永磁體的方法，該方法包括用至少一個(gè)磁化線圈單元圍繞未磁化或部分磁化的前驅(qū)體，該磁化線圈單元包括卷繞金屬片電磁線圈，并且向前驅(qū)體提供脈沖磁場(chǎng)，從而形成永磁體。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的制成磁化線圈單元方法的示意圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的磁化線圈單元的示意圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的磁化線圈單元組件的示意圖；
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的磁化線圈單元組件的透視圖；圖5是圖3中脈沖磁體組件的電路圖；圖6是示出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電流相對(duì)于時(shí)間的圖。
附圖標(biāo)記1 電磁線圈；3 銅片；5 絕緣片；7 第一引線(起始引線)；9 第二引線(結(jié)束引線)；11 殼體；13 腔體；15 間隙；17 冷卻劑輸入部分；19 冷卻劑輸入端口；21 微型通道；23 底壁；24 底部凸緣；25 內(nèi)壁；26 冷卻劑輸出端口；27 頂壁；29 外壁；30 絕緣材料；31 突起；33 開(kāi)口；35 O型環(huán)凹槽；37 前驅(qū)體；39 軛；41 電阻；42 阻抗；43 電表；45 電池或電容；47 二極管；49 電源；51 開(kāi)關(guān)；100 磁化線圈單元；200 磁化線圈組件。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到如果永磁前驅(qū)材料的未磁化塊被首先組裝形成前驅(qū)體，然后該前驅(qū)體被磁化從而形成永磁體，永磁體的制造方法可以被簡(jiǎn)化。由于未磁化塊在組裝過(guò)程中容易處理，所以在將未磁化塊組裝在一起后，對(duì)前驅(qū)合金體的磁化簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。如果未磁化(甚至部分磁化的)材料塊被組裝起來(lái)，就不需要對(duì)防止所述塊的消磁非常小心。另外，場(chǎng)均勻性的改善和晃動(dòng)時(shí)間的減少可以通過(guò)在磁化前驅(qū)體前將前驅(qū)體加工成用于成像系統(tǒng)中所希望的形狀來(lái)獲得。由于前驅(qū)體是未磁化的，其可以被容易地加工成所希望的形狀，而無(wú)需考慮它在機(jī)加工過(guò)程中會(huì)被消磁。
優(yōu)選地，前驅(qū)體在被連接到成像系統(tǒng)的支承物或軛后被磁化。同樣優(yōu)選地是，通過(guò)臨時(shí)在未磁化前驅(qū)體周圍提供磁化線圈，然后從線圈向前驅(qū)體施加脈沖磁場(chǎng)以將前驅(qū)體轉(zhuǎn)換成永磁體，來(lái)將永磁前驅(qū)體磁化。在將前驅(qū)合金體安裝到成像系統(tǒng)中之后對(duì)該前驅(qū)合金體的磁化極大地簡(jiǎn)化了安裝過(guò)程，并且還增加了處理過(guò)程的安全性，這是因?yàn)槲创呕w不會(huì)被附近的鐵質(zhì)物體吸引。因此，不會(huì)存在未安裝物體變成瞄準(zhǔn)周圍鐵質(zhì)物體的飛行導(dǎo)彈的危險(xiǎn)。另外，因?yàn)樯形创呕催B接、未磁化體不會(huì)貼到鐵質(zhì)軛的錯(cuò)誤位置上。因此，可以避免使用特殊的自動(dòng)機(jī)械和/或曲柄，這就降低了成本并且加強(qiáng)了制造過(guò)程的簡(jiǎn)化。
本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，如果磁性線圈由不同于繞組線的扁平繞組銅片所制成，那么磁化線圈的制造方法可以被簡(jiǎn)化。優(yōu)選地，所述片的寬度至少大于其厚度的10倍。通過(guò)使用銅片而不是線，線圈可以被制成具有極少接頭甚至沒(méi)有接頭。另外，扁平繞組更為簡(jiǎn)單并且典型地導(dǎo)致更高的填充因子。此外，通過(guò)與銅片的共同纏繞絕緣，可以簡(jiǎn)化制造。
將會(huì)對(duì)根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造磁化線圈單元的方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施例中，磁化線圈單元通過(guò)扁平包裹(pancake wrapping)諸如銅片的金屬片以形成電磁線圈(solenoid)來(lái)形成。與每層包括多圈線的傳統(tǒng)磁化線圈單元不同，優(yōu)選地每層僅僅有單個(gè)銅片纏繞。即，銅片的寬度優(yōu)選地等于電磁線圈的高度。裸露或薄膜絕緣的銅優(yōu)選作為用于電磁線圈的金屬。但是，也可以使用其它適合的金屬。
為了使電流在銅片層之間不出現(xiàn)短接，優(yōu)選地在層之間提供絕緣。圖1示出提供這種絕緣的一種方法。在本實(shí)施例中，絕緣片5從相應(yīng)的繞線軸與銅片3共同纏繞以形成電磁線圈1。在纏繞過(guò)程中，可選的滾柱2被用來(lái)引導(dǎo)銅片3到線軸上。優(yōu)選地，絕緣片5是多孔的，從而允許冷卻劑在銅片5層間的滲透。但是，該絕緣片可是實(shí)心的。優(yōu)選地，該絕緣片5是多孔玻璃纖維片。
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在纏繞之前，絕緣作為薄膜被應(yīng)用在銅片3上。在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，該絕緣可以象是帶子一樣螺旋包覆在裸露或經(jīng)薄膜絕緣的銅片上。
優(yōu)選地，該螺旋包覆覆蓋銅片3表面的20-50％。但是可以將覆蓋率提升到100％。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的磁化線圈單元100的剖面。該磁化單元100包括電磁線圈1和殼體11。該電磁線圈1具有位于銅片3的線圈內(nèi)部的起始引線7以及位于銅片3的線圈1外部的結(jié)束引線9。所述電磁線圈1位于殼體11中的腔體13中。殼體11包括間隙15，通過(guò)該間隙冷卻劑可以被加入到殼體11的冷卻劑輸入容器部分17。優(yōu)選地，該冷卻劑是液體的。更優(yōu)選地，該冷卻劑是液態(tài)氮。
在本實(shí)施例中，加入到殼體11的冷卻劑輸入容器部分17中的液態(tài)冷卻劑流入位于殼體底部或鄰近殼體壁23的冷卻劑輸入端口19。冷卻劑輸入端口19可以是包括多個(gè)微型通道21的管道。因此，進(jìn)入輸入端口19的冷卻劑流過(guò)微型通道21進(jìn)入腔體13。優(yōu)選地，微型通道21的數(shù)量對(duì)應(yīng)于電磁線圈1中銅片3的層或絕緣5的層的數(shù)目，并且微型通道21與多孔絕緣層5對(duì)準(zhǔn)或垂直，從而允許冷卻劑通過(guò)多孔絕緣片5在每個(gè)銅片3的層間向上流動(dòng)。優(yōu)選地，基本上平行于線圈軸線的軸向冷卻通道形成在多孔絕緣5中和/或如果沒(méi)有絕緣5的話，形成在銅片繞組3之間。
在電磁線圈1的脈沖操作過(guò)程中，脈沖熱產(chǎn)生在電磁線圈1內(nèi)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，緊鄰卷繞銅片3的液氮吸收熱量。典型地，部分液氮吸收足夠的熱量而蒸發(fā)，由液池沸騰冷卻來(lái)冷卻電磁線圈1。氣態(tài)氮被允許通過(guò)位于殼體11頂部的輸出端口26排出殼體11。為了替代蒸發(fā)的氮?dú)?，額外的氮?dú)怆S后從容器(未示出)被加入到殼體11中。在這種模式中，有可能給磁化線圈單元100施加幾次脈沖，而無(wú)需將其從被磁化的材料周圍移開(kāi)。
優(yōu)選地，殼體11的內(nèi)壁25和底部凸緣24是由諸如304L的不銹鋼所制成。但是，也可以使用其它適合的材料。覆蓋內(nèi)壁25內(nèi)表面的是一層薄的絕緣層(未示出)。該薄的絕緣層是由諾梅克斯(Nomex)紙或其它適合的絕緣材料所制成。殼體11的底壁23和頂壁27以及端口19、26優(yōu)選地由G-10或?qū)訅耗z布板(Texolite)所制成，在其中易于形成微型通道。但是，也可以使用任何其它適合的材料。外壁29，底部凸緣24，以及內(nèi)壁25優(yōu)選地是由304L不銹鋼所制成。優(yōu)選地，絕緣材料30，諸如玻璃纖維包裝被設(shè)置在結(jié)束引線9和冷卻劑輸入容器部分17之間。電磁線圈1和相對(duì)應(yīng)銅片的寬度可以具有任何適合的尺寸。諸如，該電磁線圈的高度可以近似于將要被磁化的前驅(qū)體的高度。典型地，電磁線圈的高度和銅片寬度可以介于10和25cm之間，優(yōu)選地界于18到22cm之間。該銅片3可以具有任何適合的厚度，諸如0.1mm到2mm，優(yōu)選地界于0.7mm到1mm之間。該絕緣層5可以具有任何適合的厚度，諸如0.05mm到0.5mm，優(yōu)選地介于0.1mm到0.3mm之間。該電磁線圈1可以具有任何適合的匝數(shù)，諸如50到500匝，優(yōu)選地介于100到250匝。
圖3示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。本實(shí)施例是磁化組件200，其包括多個(gè)磁化線圈單元100。該圖示具有四個(gè)磁化線圈單元100的磁化組件200。但是，任何數(shù)量的單元100可以被堆疊起來(lái)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，磁化線圈單元100被簡(jiǎn)單地在它們的頂部彼此堆疊起來(lái)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，該磁化線圈單元100設(shè)置有鎖定機(jī)構(gòu)，其幫助將磁化線圈單元100保持在一起。
一個(gè)優(yōu)選的鎖定機(jī)構(gòu)被示出在圖2中。該機(jī)構(gòu)包括在底壁23中的突起31和位于殼體11頂壁27中的開(kāi)口33。該開(kāi)口33可以是圍繞頂壁27周邊的連續(xù)凹槽，而突起31可以是圍繞底壁23周邊的連續(xù)舌狀物?？蛇x地，凹槽35可以被包括在用于O型環(huán)的開(kāi)口33中。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)口33可以是一個(gè)孔或多個(gè)孔，突起31可以是一個(gè)柱或多個(gè)柱。此外，開(kāi)口33和突起31的位置可以對(duì)調(diào)。即，開(kāi)口33可以位于底壁23上，而突起可以位于頂壁27上。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，該磁化組件200被用來(lái)磁化用于成像系統(tǒng)中的永磁體，所述成像系統(tǒng)諸如MRI，MRT或NMR系統(tǒng)。本實(shí)施例示出在圖3和圖4中。未被磁化或部分磁化的前驅(qū)體37被組裝并被緊固連接到軛39上。然后各個(gè)磁化線圈單元100被安裝在該未磁化或部分磁化前驅(qū)體37的周圍，從而形成磁化組件200。該冷卻容器(未示出)連接到位于組件200中的每個(gè)單獨(dú)的磁化線圈單元100，并且該磁化線圈單元冷卻至大約77K。當(dāng)該線圈已經(jīng)充分冷卻從而降低了銅片3的電阻率時(shí)，電流的脈動(dòng)提供一個(gè)脈沖磁場(chǎng)，從而對(duì)未磁化或部分磁化的前驅(qū)體37進(jìn)行磁化。
如果在諸如MRI系統(tǒng)的成像系統(tǒng)中包括多于一個(gè)永磁體，則這些磁體可以被同時(shí)或連續(xù)地磁化。諸如圖3和圖4中所示，四個(gè)磁化線圈單元100可以被用來(lái)同時(shí)磁化兩個(gè)前驅(qū)體37，所述前驅(qū)體連接到相對(duì)的軛39部分。另外，一個(gè)磁化線圈100可以被順序地放置在成像系統(tǒng)的每個(gè)前驅(qū)體37的周圍從而順序地磁化每個(gè)前驅(qū)體。所述前驅(qū)體37可以在將可選的極片放入到MRI系統(tǒng)中之前或之后被磁化。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的磁化組件200的電路圖。但是，如果希望的話，任何其它適合的電路也可以被用于磁化組件200。在這個(gè)電路中，電源49向一組可充電電池或電容45供應(yīng)能量。該電池或電容45可以被安排成串聯(lián)或并聯(lián)的方式或串并聯(lián)相結(jié)合的方式。
磁化組件通過(guò)開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)51操作。開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)可以包括半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件或磁化操作開(kāi)關(guān)?？蛇x地是，當(dāng)電源在脈沖的結(jié)束處從電路斷開(kāi)時(shí)，二極管47可以用并聯(lián)方式被包括進(jìn)來(lái)從而從脈沖線圈釋放電流。當(dāng)開(kāi)關(guān)被關(guān)閉時(shí)，電流流過(guò)磁化線圈100，諸如示出的阻抗42和電阻41?？蛇x地，電表43被設(shè)置用于監(jiān)視通過(guò)電路的電流。在脈沖的結(jié)束處，開(kāi)關(guān)被打開(kāi)以斷開(kāi)電源并且通過(guò)二極管釋放線圈電流。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選方面的磁化脈沖。該脈沖在大約20秒達(dá)到大約為5kA的最大電流。該最大電流大約被保持5秒大體恒定，然后在大約35秒的過(guò)程中衰變?yōu)榱?。一個(gè)或多個(gè)脈沖可以被用來(lái)磁化前驅(qū)體37。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，前驅(qū)體37和永磁材料可包括諸如CoSm，NdFe或RMB的任何永磁體材料或合金，其中R包括至少一種稀土元素，而M至少包括一種過(guò)渡金屬，諸如鐵、鈷、或鐵和鈷。最優(yōu)選地，永磁體包括諸如公開(kāi)在美國(guó)專利6,120,620中的富含鐠(Pr)的RMB合金，該專利的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考結(jié)合在此。富含鐠(Pr)的RMB合金包括大約13至大約19原子百分比的稀土元素(優(yōu)選地是大約15％至大約17％)，其中稀土成分主要包括大于50％的鐠、從來(lái)自于鈰、鑭、釔及其混合物所構(gòu)成的族中所選擇的有效數(shù)量的輕質(zhì)稀土元素、以及平衡釹；大約4至大約20原子百分比的硼；以及具有或沒(méi)有雜質(zhì)的平衡鐵。正如這里所使用的，“富含鐠”一詞意味著鐵硼稀土合金的稀土成分包括大于50％的鐠。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，稀土成分的鐠的百分比至少是70％，并且根據(jù)輕質(zhì)稀土元素在總稀土成分的有效數(shù)量，其比例可以上升到100％。輕質(zhì)稀土元素的有效數(shù)量是在磁化鐵硼稀土合金的總稀土成分中的數(shù)量，其允許所體現(xiàn)的磁化特性等于或大于29MGOe(BH)max和6kOe的本征矯頑磁性(Hci)。除了鐵以外，M可以包括其它元素，諸如但并不限于，鈦，鎳，鉍，鈷，釩，鈮，鉭，鉻，鉬，鎢，錳，鋁，鍺，錫，鋯，鉿及其混合物。因此，永磁體材料最優(yōu)選地包括13-19原子百分比的R，4-20原子百分比的B以及平衡M，其中R包括50原子百分比或更多的鐠，0.1-10原子百分比的鈰、釔和鑭中至少其中一個(gè)，以及平衡釹。優(yōu)選地，前驅(qū)體37和永磁體包括形成階梯成像表面的多個(gè)塊，如在美國(guó)專利No.6,525,634中所公開(kāi)的，其內(nèi)容在此引入作為參考。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)成像系統(tǒng)中的永磁鐵的磁化可以通過(guò)在其被磁化后施加反沖脈沖(recoil pulse)而被穩(wěn)定。也就是，具有較小強(qiáng)度和相反方向的第二脈沖在初始脈沖之后被施加到前驅(qū)體上。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)磁化所需的能量可以通過(guò)在室溫以上磁化前驅(qū)體而被減少。優(yōu)選地，前驅(qū)體37被加熱到室溫以上且在永磁材料的居里溫度以下，諸如40-200℃。
出于示范目的，在這里已經(jīng)對(duì)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本說(shuō)明并不是對(duì)發(fā)明的限制。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不背離本發(fā)明權(quán)利要求所述原理范圍的前提下進(jìn)行各種修改、改變和替換。
權(quán)利要求
1.一種磁化線圈單元(100)，包括適于磁化永磁前驅(qū)體(37)的卷繞金屬片(3)電磁線圈(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁化線圈單元，其中卷繞的金屬片(3)由銅制成；卷繞銅片(3)的寬度基本上等于電磁線圈(1)的高度；卷繞銅片不包括任何接頭；以及卷繞銅片被扁平包裹。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁化線圈單元，還包括纏繞在卷繞銅片(3)中連續(xù)銅層之間的絕緣層(5)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁化線圈單元，其中，冷卻劑通過(guò)位于卷繞銅片(3)的繞組之間的空間與多孔絕緣層(5)中的至少一個(gè)而適于從輸入端口(19)移動(dòng)到輸出端口(26)，所述多孔絕緣層(5)位于卷繞銅片(3)的繞組之間。
5.一種磁化組件(200)，包括多個(gè)磁化線圈單元(100)，每個(gè)磁化線圈單元包括處于殼體(11)中的卷繞銅片(3)，該殼體(11)包括位于殼體底部的冷卻劑輸入端口(19)、處于冷卻劑輸入端口中的多個(gè)微型通道(21)、位于殼體頂部的冷卻劑輸出端口(26)、以及處于冷卻劑輸出端口中的多個(gè)微型通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁化組件，其中，所述多個(gè)磁化線圈單元(100)彼此堆疊在一起。
7.一種制造磁化線圈的方法，包括將銅片(3)纏繞成線圈從而形成電磁線圈(1)，所述銅片的寬度等于電磁線圈的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在銅線圈的繞組之間插入絕緣層(5)。
9.一種制造永磁體(37)的方法，包括用至少一個(gè)磁化線圈單元(100)圍繞未磁化或部分磁化的前驅(qū)體(37)，該磁化線圈單元包括卷繞金屬片(3)電磁線圈(1)；以及向所述前驅(qū)體(37)提供脈沖磁場(chǎng)從而形成永磁體(37)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括使用多個(gè)磁化線圈單元(100)圍繞多個(gè)未磁化或部分磁化的前驅(qū)體(37)，并且同時(shí)磁化所述多個(gè)前驅(qū)體，其中所述多個(gè)前驅(qū)體被連接到磁共振成像系統(tǒng)的軛(39)上，并且所述多個(gè)磁化線圈單元(100)被堆疊在彼此的頂部上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種磁化線圈單元以及一種制造磁化線圈單元的方法。該線圈包括具有卷繞銅片的電磁線圈，其中銅片的寬度等于電磁線圈的高度。一種磁化組件包括多個(gè)磁化線圈單元。
文檔編號(hào)G01R33/383GK1604242SQ20041008268
公開(kāi)日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月1日
發(fā)明者埃文格洛斯T·拉斯卡里斯, 保羅·S·湯普森, 李亮, 凱瑟琳·M·阿姆, 布倫特·阿克塞爾, 小邁克爾·A·帕爾莫 申請(qǐng)人:通用電氣公司