專利名稱：外露型薄膜探針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種薄膜探針，特別是一種外露型薄膜探針。
背景技術(shù)：
陣列是指一系列相同結(jié)構(gòu)的對象以等距或不等距的方式排列，單一列的陣列稱為一維陣列，有直行與橫列的稱為二維陣列，現(xiàn)今有許多的組件在結(jié)構(gòu)上也已經(jīng)出現(xiàn)此種陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，比如球柵陣列(Ball Grid Arrays；BGA)、芯片(Chip)上的導(dǎo)電接點(diǎn)(conducting pad)等等，利用測試其上的導(dǎo)電接點(diǎn)來達(dá)測試效果。
當(dāng)欲進(jìn)行晶片(Wafer)測試時(shí)，會(huì)對芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測，利用以金線制成細(xì)如毛發(fā)的探針(probe)，與晶粒上的接點(diǎn)(pad)接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號，而后當(dāng)芯片依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號的不合格晶粒便會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免提高制造成本。
具陣列結(jié)構(gòu)的組件上，通常設(shè)置有數(shù)導(dǎo)電接點(diǎn)，如上述芯片上的晶粒，然而以往在測試此種具陣列結(jié)構(gòu)的組件時(shí)，傳統(tǒng)探針只能探測陣列邊緣的幾個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，然而位于中間的導(dǎo)電接點(diǎn)不容易測試到，如果要進(jìn)行全面性的測試，所制造出的探針卡價(jià)格昂貴且維護(hù)也相當(dāng)困難，因此使得測試成本增加許多。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的是提供一種外露型薄膜探針，其將導(dǎo)電條延伸至薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)外，使導(dǎo)電條與具陣列結(jié)構(gòu)的組件上的導(dǎo)電接點(diǎn)相接觸，使得薄膜探針可應(yīng)用于測試具陣列結(jié)構(gòu)的組件。
本實(shí)用新型的另一目的是提供一種外露型薄膜探針，可一次測試多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，因此使得測試時(shí)間縮短，并降低成本。
本實(shí)用新型的上述目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種外露型薄膜探針，供連接一測試機(jī)，用以測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件，該組件上設(shè)置數(shù)個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，該外露型薄膜探針包括薄膜結(jié)構(gòu)，其表面上設(shè)置有數(shù)個(gè)導(dǎo)電條，其特征在于每一導(dǎo)電條一端設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)上，且每一導(dǎo)電條上設(shè)置有一導(dǎo)電區(qū)，其由數(shù)個(gè)導(dǎo)電凸塊組成，該導(dǎo)電區(qū)供連接該測試機(jī)，且導(dǎo)電條另一端延伸至該薄膜結(jié)構(gòu)另一側(cè)外，用以與該組件上的每一導(dǎo)電接點(diǎn)相接觸。
通過
以下結(jié)合附圖對具體實(shí)施例的詳加說明，可以更容易了解本實(shí)用新型的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖1為本實(shí)用新型的示意圖；圖2為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例；圖3為本實(shí)用新型的多個(gè)外露型薄膜探針測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件的示意圖。
附圖標(biāo)記說明20外露型薄膜探針；202薄膜結(jié)構(gòu)；204導(dǎo)電條；206導(dǎo)電區(qū)；208導(dǎo)電凸塊；209橢圓狀；210具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件；212導(dǎo)電接點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提出一種外露型薄膜探針，圖1是外露型薄膜探針的示意圖，外露型薄膜探針20包括一薄膜結(jié)構(gòu)202，其材質(zhì)可為高分子材料(Polymer)或撓性材質(zhì)，薄膜結(jié)構(gòu)202表面上設(shè)置有數(shù)導(dǎo)電條204，導(dǎo)電條204的材質(zhì)為金屬，如銅或其合金，導(dǎo)電條204一端設(shè)置在薄膜結(jié)構(gòu)202一側(cè)的表面上并且每一導(dǎo)電條204上設(shè)置有一導(dǎo)電區(qū)206，每一導(dǎo)電區(qū)206由數(shù)個(gè)導(dǎo)電凸塊208組成，導(dǎo)電凸塊208的材質(zhì)為鎳合金，而導(dǎo)電條204另一端自薄膜結(jié)構(gòu)202另一側(cè)延伸出去。
其中，如圖2所示的另一實(shí)施例，每一導(dǎo)電條204一端設(shè)置在薄膜結(jié)構(gòu)202一側(cè)的表面上，而另一端則可延伸至薄膜結(jié)構(gòu)202另一側(cè)外并一分為二以形成一橢圓狀209，或呈現(xiàn)S形后再合而為一。
圖3是同時(shí)利用多個(gè)外露型薄膜探針測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件的示意圖，利用一測試機(jī)測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件210，如球柵陣列基材(Ball Grid Arrays Substrate；BGA Substrate)或晶粒(Die)，而組件210上設(shè)置數(shù)導(dǎo)電接點(diǎn)212，外露型薄膜探針20一端的導(dǎo)電凸塊208利用導(dǎo)線與測試機(jī)連接，而另一端延伸出的每一導(dǎo)電條204與組件210上的每一導(dǎo)電接點(diǎn)212相接觸以達(dá)測試效果，且若使用圖2所示的具橢圓狀209的外露型薄膜探針20測試具陣列結(jié)構(gòu)的組件210時(shí)，當(dāng)利用導(dǎo)電條204與導(dǎo)電接點(diǎn)212接觸時(shí)，因具橢圓狀209的特征，因此利用導(dǎo)電條204下壓，以使延伸出薄膜結(jié)構(gòu)202一側(cè)外的導(dǎo)電條204部分與組件210上的導(dǎo)電接點(diǎn)212相接觸時(shí)可較具彈性而接觸良好。
其中，因薄膜結(jié)構(gòu)202為撓性材質(zhì)，因此若組件210上的導(dǎo)電接點(diǎn)212呈不規(guī)則狀排列時(shí)，則可將薄膜結(jié)構(gòu)202呈現(xiàn)曲線狀的扭曲，使得薄膜結(jié)構(gòu)202上的導(dǎo)電條204能夠接觸到每一導(dǎo)電接點(diǎn)212。
本實(shí)用新型提供一種外露型薄膜探針，用來提供連接測試機(jī)以測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件，利用將導(dǎo)電條一端延伸至薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)外，使延伸出的導(dǎo)電條與組件上的導(dǎo)電接點(diǎn)相接觸，使得薄膜探針應(yīng)用于測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件時(shí)，可一次測試多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，因此使得測試時(shí)間縮短，并降低成本，且達(dá)到陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)測試的簡易化。
以上描述利用實(shí)施例說明了本實(shí)用新型的特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員能了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，而非限定本實(shí)用新型的范圍，因此其它未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神而完成的等效修飾或修改，仍應(yīng)包含在所附權(quán)利要求定義的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種外露型薄膜探針，供連接一測試機(jī)，用以測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件，該組件上設(shè)置數(shù)個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，該外露型薄膜探針包括薄膜結(jié)構(gòu)，其表面上設(shè)置有數(shù)個(gè)導(dǎo)電條，其特征在于每一導(dǎo)電條一端設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)上，且每一導(dǎo)電條上設(shè)置有一導(dǎo)電區(qū)，其由數(shù)個(gè)導(dǎo)電凸塊組成，該導(dǎo)電區(qū)供連接該測試機(jī)，且導(dǎo)電條另一端延伸至該薄膜結(jié)構(gòu)另一側(cè)外，用以與該組件上的每一導(dǎo)電接點(diǎn)相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，組件為球柵陣列基材。
3.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，組件為晶粒。
4.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，薄膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為高分子材料。
5.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，該薄膜結(jié)構(gòu)為撓性結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，該等導(dǎo)電條由金屬材質(zhì)構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求6所述的外露型薄膜探針，其特征在于，該金屬材質(zhì)為銅或銅合金。
8.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，每一該導(dǎo)電條延伸至該薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)外并一分為二形成一橢圓狀后再合而為一，以與該組件的每一該導(dǎo)電接點(diǎn)相接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的外露型薄膜探針，其特征在于，該導(dǎo)電條另一端延伸至該薄膜結(jié)構(gòu)另一側(cè)外形成S形。
專利摘要本實(shí)用新型是一種外露型薄膜探針，用來測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件，每一組件上設(shè)置有數(shù)個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，外露型薄膜探針包括一薄膜結(jié)構(gòu)，其表面上設(shè)置有數(shù)導(dǎo)電條，導(dǎo)電條一端設(shè)置于薄膜結(jié)構(gòu)一側(cè)上，且在每一導(dǎo)電條上設(shè)置有一導(dǎo)電區(qū)，其由數(shù)導(dǎo)電凸塊組成，導(dǎo)電區(qū)提供連接一測試機(jī)，而導(dǎo)電條另一端延伸出薄膜結(jié)構(gòu)另一側(cè)外，并與每一導(dǎo)電接點(diǎn)接觸，以利用測試機(jī)測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件。本實(shí)用新型將導(dǎo)電條延伸至薄膜結(jié)構(gòu)表面外，可應(yīng)用于測試具陣列導(dǎo)電接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的組件，并可減少測試時(shí)間與成本，使得測試簡易化。
文檔編號G01R1/073GK2752774SQ20042011562
公開日2006年1月18日 申請日期2004年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月16日
發(fā)明者鄭秋雄 申請人:環(huán)國科技股份有限公司